JP3115750B2 - 純水の製造方法 - Google Patents
純水の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子産業や医製薬産業等
に用いる純水の製造方法に関し、更に詳述すればシリカ
濃度が２０μｇ／Ｌ以下の脱塩水を逆浸透膜（ＲＯ）処
理して純水を製造する純水の製造方法に関する。
に用いる純水の製造方法に関し、更に詳述すればシリカ
濃度が２０μｇ／Ｌ以下の脱塩水を逆浸透膜（ＲＯ）処
理して純水を製造する純水の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、イオン交換装置や逆浸透膜装
置（ＲＯ装置）を組合わせた純水装置が数多く考案され
ている。例えば、工水等の原水をＲＯ装置で脱塩後、イ
オン交換装置でさらに脱塩するシステムがある。また半
導体向けの超純水製造装置の１次純水製造装置には、イ
オン交換装置で脱塩後、さらにＲＯ処理し、処理水中の
ＴＯＣや微粒子、コロイド状物質を低減するシステム等
が多く採用されている。
置（ＲＯ装置）を組合わせた純水装置が数多く考案され
ている。例えば、工水等の原水をＲＯ装置で脱塩後、イ
オン交換装置でさらに脱塩するシステムがある。また半
導体向けの超純水製造装置の１次純水製造装置には、イ
オン交換装置で脱塩後、さらにＲＯ処理し、処理水中の
ＴＯＣや微粒子、コロイド状物質を低減するシステム等
が多く採用されている。
【０００３】しかし、近年になり、半導体ウエハーの洗
浄水などに利用する純水は、さらなる高純度化が要求さ
れている。特にシリカ濃度を低減することが要求されて
いる。
浄水などに利用する純水は、さらなる高純度化が要求さ
れている。特にシリカ濃度を低減することが要求されて
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のＲＯ装置は、主
としてイオン交換装置では除去しきれないＴＯＣや微粒
子、コロイド物質を除去する目的で設置されていた。本
発明者は従来のＲＯ装置のこれらの目的に加えて、シリ
カ濃度の低減も同時に行うことを目的として種々の検討
を行った結果、従来のＲＯ装置でシリカが充分に低減さ
れない理由は、給水中のシリカ濃度が低下するとＲＯ膜
のシリカ除去率が大きく低下することにあることが判明
した。更に、給水中のシリカ濃度が低い場合、透過水中
のシリカ濃度をさらに低減するには、ＲＯ装置の透過水
回収率を低くしなければならないことを知得して本発明
を完成するに至ったもので、その目的とするところは、
シリカ濃度の低い純水が得られると共に、濃縮水の有効
利用が図れる純水の製造方法を提供することにある。
としてイオン交換装置では除去しきれないＴＯＣや微粒
子、コロイド物質を除去する目的で設置されていた。本
発明者は従来のＲＯ装置のこれらの目的に加えて、シリ
カ濃度の低減も同時に行うことを目的として種々の検討
を行った結果、従来のＲＯ装置でシリカが充分に低減さ
れない理由は、給水中のシリカ濃度が低下するとＲＯ膜
のシリカ除去率が大きく低下することにあることが判明
した。更に、給水中のシリカ濃度が低い場合、透過水中
のシリカ濃度をさらに低減するには、ＲＯ装置の透過水
回収率を低くしなければならないことを知得して本発明
を完成するに至ったもので、その目的とするところは、
シリカ濃度の低い純水が得られると共に、濃縮水の有効
利用が図れる純水の製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、シリカ濃度が２０μｇＳｉＯ2 ／Ｌ以下の給水を
逆浸透膜装置に供給して給水を透過水と濃縮水とに逆浸
透膜分離する純水の製造方法において、前記逆浸透膜装
置の透過水量を給水の供給水量に対して８０％以下とす
ることを特徴とする純水の製造方法であり、濃縮水をイ
オン交換処理して逆浸透膜装置の給水に戻すことを含
む。
明は、シリカ濃度が２０μｇＳｉＯ2 ／Ｌ以下の給水を
逆浸透膜装置に供給して給水を透過水と濃縮水とに逆浸
透膜分離する純水の製造方法において、前記逆浸透膜装
置の透過水量を給水の供給水量に対して８０％以下とす
ることを特徴とする純水の製造方法であり、濃縮水をイ
オン交換処理して逆浸透膜装置の給水に戻すことを含
む。
【０００６】また本発明は、複数の逆浸透膜装置を連設
してなり、最前段の逆浸透膜装置から最後段の逆浸透膜
装置まで順次前段の濃縮水を後段の逆浸透膜装置で逆浸
透処理してそれぞれの逆浸透膜装置からそれぞれの透過
水を純水として取り出す純水の製造方法において、最前
段の逆浸透膜装置にシリカ濃度が２０μｇＳｉＯ2 ／Ｌ
以下の給水を供給すると共に、最前段の逆浸透膜装置の
透過水量を給水の供給水量に対して８０％以下とするこ
とを特徴とする純水の製造方法であり、最後段の逆浸透
膜装置の濃縮水をイオン交換処理して最前段の逆浸透膜
装置の給水に戻すことを含む。
してなり、最前段の逆浸透膜装置から最後段の逆浸透膜
装置まで順次前段の濃縮水を後段の逆浸透膜装置で逆浸
透処理してそれぞれの逆浸透膜装置からそれぞれの透過
水を純水として取り出す純水の製造方法において、最前
段の逆浸透膜装置にシリカ濃度が２０μｇＳｉＯ2 ／Ｌ
以下の給水を供給すると共に、最前段の逆浸透膜装置の
透過水量を給水の供給水量に対して８０％以下とするこ
とを特徴とする純水の製造方法であり、最後段の逆浸透
膜装置の濃縮水をイオン交換処理して最前段の逆浸透膜
装置の給水に戻すことを含む。
【０００７】以下、本発明を図面を参照して詳細に説明
する。 （実施態様１）図１は本発明の第１の実施態様を示すフ
ロー図である。図１中１は給水で例えば市水、工業用水
（工水）等の原水を２床３塔式や混床式等のイオン交換
装置で前処理してシリカ濃度を２０μｇＳｉＯ2 ／Ｌ以
下、特に好ましくは１０μｇＳｉＯ2 ／Ｌ以下に保って
ある。この給水には他のイオン種やＴＯＣ成分（有機
物）等が共存していても良い。
する。 （実施態様１）図１は本発明の第１の実施態様を示すフ
ロー図である。図１中１は給水で例えば市水、工業用水
（工水）等の原水を２床３塔式や混床式等のイオン交換
装置で前処理してシリカ濃度を２０μｇＳｉＯ2 ／Ｌ以
下、特に好ましくは１０μｇＳｉＯ2 ／Ｌ以下に保って
ある。この給水には他のイオン種やＴＯＣ成分（有機
物）等が共存していても良い。
【０００８】給水１は貯槽２に送られ、一時貯留された
後、高圧ポンプ３により加圧されＲＯ装置４に供給され
る。高圧ポンプ３、及びＲＯ装置４は通常使用されてい
る公知のものがそのまま利用できる。ＲＯ膜としては例
えばポリアミド系合成膜や酢酸セルロース系膜等があ
り、具体的には東レ製ＳＵ７１０、７２０や日東電工製
ＮＴＲ−７５９ＵＰ等が好ましい。
後、高圧ポンプ３により加圧されＲＯ装置４に供給され
る。高圧ポンプ３、及びＲＯ装置４は通常使用されてい
る公知のものがそのまま利用できる。ＲＯ膜としては例
えばポリアミド系合成膜や酢酸セルロース系膜等があ
り、具体的には東レ製ＳＵ７１０、７２０や日東電工製
ＮＴＲ−７５９ＵＰ等が好ましい。
【０００９】高圧ポンプ３の圧力も公知の圧力範囲のも
のである。
のである。
【００１０】前記のようにＲＯ装置４に加圧供給された
給水は、ここで逆浸透処理され、ＲＯ膜を透過してシリ
カ濃度を低減させた透過水５と、ＲＯ膜を透過せずに、
従ってシリカ濃度を増加させた濃縮水６とに分離されて
取り出される。この場合、後述の検討例に示すごとく、
透過水５の透過水量の、ＲＯ装置４に供給される給水１
の供給水量に対する割合（回収率と略記する）を８０％
以下、特に７５〜５０％とすることが好ましいものであ
る。回収率は濃縮水６の流量をバルブ７で調節する等の
手段で行うことができる。
給水は、ここで逆浸透処理され、ＲＯ膜を透過してシリ
カ濃度を低減させた透過水５と、ＲＯ膜を透過せずに、
従ってシリカ濃度を増加させた濃縮水６とに分離されて
取り出される。この場合、後述の検討例に示すごとく、
透過水５の透過水量の、ＲＯ装置４に供給される給水１
の供給水量に対する割合（回収率と略記する）を８０％
以下、特に７５〜５０％とすることが好ましいものであ
る。回収率は濃縮水６の流量をバルブ７で調節する等の
手段で行うことができる。
【００１１】本実施態様においては、上記のように構成
することにより、シリカ濃度を低減させた透過水５を純
水として取り出し、これを例えばＵＶ酸化装置、混床式
ポリシャー、限外濾過膜装置で更に処理して超純水とな
し、半導体ウエハーの洗浄用途に供するものである。
することにより、シリカ濃度を低減させた透過水５を純
水として取り出し、これを例えばＵＶ酸化装置、混床式
ポリシャー、限外濾過膜装置で更に処理して超純水とな
し、半導体ウエハーの洗浄用途に供するものである。
【００１２】なお、上記態様において濃縮水６はそのま
ま系外に排出し、又はそれ程高純度のものを必要としな
い他の用途に利用しても良いが、濃縮水６をイオン交換
装置（不図示）に通水して濃縮されたシリカ等の不純物
を低減させた後、例えば原水タンク２等に返送すること
により、給水１に戻しても良く、この場合には水の有効
利用が図れるものである。
ま系外に排出し、又はそれ程高純度のものを必要としな
い他の用途に利用しても良いが、濃縮水６をイオン交換
装置（不図示）に通水して濃縮されたシリカ等の不純物
を低減させた後、例えば原水タンク２等に返送すること
により、給水１に戻しても良く、この場合には水の有効
利用が図れるものである。
【００１３】イオン交換装置としては各種の公知のもの
が利用できる。
が利用できる。
【００１４】具体的には陽イオン交換樹脂と陰イオン交
換樹脂とを混合して同一の塔内に充填した混床式イオン
交換装置（ＭＢ）、陽イオン交換塔と脱炭酸塔と陰イオ
ン交換塔とをこの順に連設してなる２床３塔式イオン交
換装置（２Ｂ３Ｔ）、陰イオン交換塔単独の装置、更に
これらを適宜組合わせたもの等がある。 （実施態様２）図２は本発明の第２の実施態様を示すフ
ロー図で、図中１０は市水、井水、工水等の原水に、凝
集濾過、膜除濁等の前処理を行って得られた前処理水で
ある。前処理水１０は、２床３塔式イオン交換装置１
２、混床式イオン交換装置１４を順次通過することによ
り、シリカ濃度を２０μｇＳｉＯ2 ／Ｌ以下に低減され
て給水１６となり、貯槽１８に貯留される。次いで、給
水１６は高圧ポンプ２０によって第１ＲＯ装置２２に圧
送され、ここで逆浸透処理がなされ、これにより第１透
過水２４と第１濃縮水２６とが得られるが、この場合透
過水２４の透過水量の、第１ＲＯ装置２２に供給される
給水１６の供給水量に対する割合（回収率）を８０％以
下、特に７５〜５０％とすることが好ましいものであ
る。
換樹脂とを混合して同一の塔内に充填した混床式イオン
交換装置（ＭＢ）、陽イオン交換塔と脱炭酸塔と陰イオ
ン交換塔とをこの順に連設してなる２床３塔式イオン交
換装置（２Ｂ３Ｔ）、陰イオン交換塔単独の装置、更に
これらを適宜組合わせたもの等がある。 （実施態様２）図２は本発明の第２の実施態様を示すフ
ロー図で、図中１０は市水、井水、工水等の原水に、凝
集濾過、膜除濁等の前処理を行って得られた前処理水で
ある。前処理水１０は、２床３塔式イオン交換装置１
２、混床式イオン交換装置１４を順次通過することによ
り、シリカ濃度を２０μｇＳｉＯ2 ／Ｌ以下に低減され
て給水１６となり、貯槽１８に貯留される。次いで、給
水１６は高圧ポンプ２０によって第１ＲＯ装置２２に圧
送され、ここで逆浸透処理がなされ、これにより第１透
過水２４と第１濃縮水２６とが得られるが、この場合透
過水２４の透過水量の、第１ＲＯ装置２２に供給される
給水１６の供給水量に対する割合（回収率）を８０％以
下、特に７５〜５０％とすることが好ましいものであ
る。
【００１５】回収率は第１バルブ２８で調節できる。
【００１６】このようにして得られた第１透過水２４は
シリカ濃度が著しく低減されたものであり、これを例え
ば混床式ポリシャーや限外濾過膜装置で更に処理して半
導体ウエハー洗浄用の超純水を製造する。
シリカ濃度が著しく低減されたものであり、これを例え
ば混床式ポリシャーや限外濾過膜装置で更に処理して半
導体ウエハー洗浄用の超純水を製造する。
【００１７】一方、シリカ濃度を増加させた第１濃縮水
２６は、次いで第２ＲＯ装置３０に送られ、ここで逆浸
透処理がなされ、第２透過水３２と第２濃縮水３４とが
製造される。
２６は、次いで第２ＲＯ装置３０に送られ、ここで逆浸
透処理がなされ、第２透過水３２と第２濃縮水３４とが
製造される。
【００１８】ここで第２ＲＯ装置の回収率は８０％以下
に限定されることなく、任意の値とすることができる。
ＲＯ装置の回収率は第２バルブ３６によって調節でき
る。
に限定されることなく、任意の値とすることができる。
ＲＯ装置の回収率は第２バルブ３６によって調節でき
る。
【００１９】このようにして得られた第２透過水３２は
一般的に第１透過水２４よりもシリカ濃度が高いので、
前記第１透過水２４と混合することなく、別系統の純水
として、第１透過水２４と異なる用途に供することが好
ましいが、勿論混合使用をすることもできる。
一般的に第１透過水２４よりもシリカ濃度が高いので、
前記第１透過水２４と混合することなく、別系統の純水
として、第１透過水２４と異なる用途に供することが好
ましいが、勿論混合使用をすることもできる。
【００２０】前記第２濃縮水３４は、その後回収管３８
を通って混床式イオン交換装置１４の前段に返送され、
次いで混床式イオン交換装置１４を透過する際に濃縮さ
れたシリカを除去され、シリカ濃度が２０μｇＳｉＯ2
／Ｌ以下となり、貯槽１８に送られ、以後上記と同様に
処理される。
を通って混床式イオン交換装置１４の前段に返送され、
次いで混床式イオン交換装置１４を透過する際に濃縮さ
れたシリカを除去され、シリカ濃度が２０μｇＳｉＯ2
／Ｌ以下となり、貯槽１８に送られ、以後上記と同様に
処理される。
【００２１】なお、上記態様においては、ＲＯ装置は２
個使用したが、これに限られず任意の個数のＲＯ装置を
連設し、順次前段の濃縮水を後段のＲＯ装置で処理して
ＲＯ装置の個数と等しい数の純水をそれぞれのＲＯ装置
毎に取り出しても良い。また、第２濃縮水３４を２床３
塔式イオン交換装置１２の前段に返送しても良い。
個使用したが、これに限られず任意の個数のＲＯ装置を
連設し、順次前段の濃縮水を後段のＲＯ装置で処理して
ＲＯ装置の個数と等しい数の純水をそれぞれのＲＯ装置
毎に取り出しても良い。また、第２濃縮水３４を２床３
塔式イオン交換装置１２の前段に返送しても良い。
【００２２】上記のように構成することにより、ＲＯ装
置に供給される水の全利用率を高めることができ、また
各ＲＯ装置の透過水を混合しない場合には、種々のシリ
カ濃度の純水が得られるため、用途別に要求される純度
の純水を供給でき、合理的に使用できる。
置に供給される水の全利用率を高めることができ、また
各ＲＯ装置の透過水を混合しない場合には、種々のシリ
カ濃度の純水が得られるため、用途別に要求される純度
の純水を供給でき、合理的に使用できる。
【００２３】以下、検討例により本発明を更に説明す
る。 （検討例１）図１に示す構成の純水製造装置を用いて以
下の検討を行った。ＲＯ膜は東レ（株）製ＳＵ７１０を
用いた。
る。 （検討例１）図１に示す構成の純水製造装置を用いて以
下の検討を行った。ＲＯ膜は東レ（株）製ＳＵ７１０を
用いた。
【００２４】本装置を用いて給水中のシリカ濃度が膜分
離性能に与える影響を検討した結果を図３に示した。給
水中のシリカ濃度は工業用水を超純水で希釈する事によ
り調整した。運転圧力は１７ｋｇｆ／ｃｍ2 、回収率は
６０％、透過水５の流量は４６０Ｌ／ｈｒであった。濃
縮水６及び透過水５は全量貯槽２に循環した。また、濃
縮水６の流路には図示していない熱交換器が設置され、
水温を２３℃に維持した。図３よりＲＯ膜のシリカ分離
性能は濃度が低くなると低下する事がわかる。特に給水
シリカ濃度が２０μｇＳｉＯ2 ／Ｌ以下になると分離性
能の低下が激しいものである。
離性能に与える影響を検討した結果を図３に示した。給
水中のシリカ濃度は工業用水を超純水で希釈する事によ
り調整した。運転圧力は１７ｋｇｆ／ｃｍ2 、回収率は
６０％、透過水５の流量は４６０Ｌ／ｈｒであった。濃
縮水６及び透過水５は全量貯槽２に循環した。また、濃
縮水６の流路には図示していない熱交換器が設置され、
水温を２３℃に維持した。図３よりＲＯ膜のシリカ分離
性能は濃度が低くなると低下する事がわかる。特に給水
シリカ濃度が２０μｇＳｉＯ2 ／Ｌ以下になると分離性
能の低下が激しいものである。
【００２５】なお、図３中ＳＰはＲＯ膜の塩透過率（但
し、この場合はシリカ透過率）を示し、下式で定義され
る。
し、この場合はシリカ透過率）を示し、下式で定義され
る。
【００２６】
【数１】 但し、ＣF ：給水中のシリカ濃度 ＣR ：濃縮水中のシリカ濃度 ＣP ：透過水中のシリカ濃度 （検討例２）図１に示した装置を用いて、濃縮水バルブ
７を調整する事により回収率を変化させた検討結果を図
４に示した。給水には２Ｂ３Ｔ型イオン交換装置の処理
水（シリカ濃度１２μｇＳｉＯ2 ／Ｌ）を用いた。この
結果より、透過水のシリカ濃度は回収率が高いと上昇す
る傾向をもち、特に回収率が８０％を越えると急速に増
加する事がわかる。したがって、回収率を８０％以下、
望ましくは７５％以下で運転する事が好ましい。本検討
では、はっきりした傾向を得るために、比較的シリカ濃
度の高い２Ｂ３Ｔ型イオン交換装置の処理水を給水とし
て利用したが、シリカ濃度のより低い（２Ｂ３Ｔ＋Ｍ
Ｂ）装置の処理水等を利用した場合、更に除去率が低下
するのは図３より明らかである。
７を調整する事により回収率を変化させた検討結果を図
４に示した。給水には２Ｂ３Ｔ型イオン交換装置の処理
水（シリカ濃度１２μｇＳｉＯ2 ／Ｌ）を用いた。この
結果より、透過水のシリカ濃度は回収率が高いと上昇す
る傾向をもち、特に回収率が８０％を越えると急速に増
加する事がわかる。したがって、回収率を８０％以下、
望ましくは７５％以下で運転する事が好ましい。本検討
では、はっきりした傾向を得るために、比較的シリカ濃
度の高い２Ｂ３Ｔ型イオン交換装置の処理水を給水とし
て利用したが、シリカ濃度のより低い（２Ｂ３Ｔ＋Ｍ
Ｂ）装置の処理水等を利用した場合、更に除去率が低下
するのは図３より明らかである。
【００２７】本発明は前記のように、これら検討例の知
見を基礎として完成したものである。
見を基礎として完成したものである。
【００２８】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に具体的に説
明する。 実施例１ 本発明においては、ＲＯ装置の回収率を低くすることに
よりシリカ除去性能を高めているが、このため給水の多
くが濃縮水となり、これを何ら利用せずに廃棄すると水
の利用効率の点では不利になる。そこで、図２に示す構
成とした。第１ＲＯ装置２２の回収率を５０％、第２Ｒ
Ｏ装置３０の回収率を８０％に設定した。
明する。 実施例１ 本発明においては、ＲＯ装置の回収率を低くすることに
よりシリカ除去性能を高めているが、このため給水の多
くが濃縮水となり、これを何ら利用せずに廃棄すると水
の利用効率の点では不利になる。そこで、図２に示す構
成とした。第１ＲＯ装置２２の回収率を５０％、第２Ｒ
Ｏ装置３０の回収率を８０％に設定した。
【００２９】この結果、第１ＲＯ装置２２の透過水と第
２ＲＯ装置３０の透過水とを合計した装置全体の回収率
は９０％になった。給水には２床３塔式＋混床式のイオ
ン交換装置の処理水（シリカ濃度１．１μｇＳｉＯ2 ／
Ｌ）を用いた。第１透過水２４中のシリカ濃度は０．２
μｇＳｉＯ2 ／Ｌであったのに対し、第２透過水３２の
シリカ濃度は０．４μｇＳｉＯ2 ／Ｌであり約２倍の差
があった。従来どうり第１透過水２４と第２透過水３２
を混合した場合のシリカ濃度は０．３μｇＳｉＯ2 ／Ｌ
となり、第１透過水２４より５０％も高濃度であった。
したがって、第１透過水２４と第２透過水３２を用途別
に使い分ける事により、シリカ濃度の極めて低い純水
（第１透過水）を得るとともに水の有効利用を図る事が
可能となった。
２ＲＯ装置３０の透過水とを合計した装置全体の回収率
は９０％になった。給水には２床３塔式＋混床式のイオ
ン交換装置の処理水（シリカ濃度１．１μｇＳｉＯ2 ／
Ｌ）を用いた。第１透過水２４中のシリカ濃度は０．２
μｇＳｉＯ2 ／Ｌであったのに対し、第２透過水３２の
シリカ濃度は０．４μｇＳｉＯ2 ／Ｌであり約２倍の差
があった。従来どうり第１透過水２４と第２透過水３２
を混合した場合のシリカ濃度は０．３μｇＳｉＯ2 ／Ｌ
となり、第１透過水２４より５０％も高濃度であった。
したがって、第１透過水２４と第２透過水３２を用途別
に使い分ける事により、シリカ濃度の極めて低い純水
（第１透過水）を得るとともに水の有効利用を図る事が
可能となった。
【００３０】なお、ＲＯ膜は東レ（株）製ＳＵ７１０を
使用した。
使用した。
【００３１】また第２濃縮水３４のシリカ濃度は約９．
１μｇＳｉＯ2 ／Ｌであった。この濃縮水を２床３塔式
イオン交換装置１２の処理水に混合し、混床式イオン交
換装置１４に通水する事により、更に水の有効利用を図
ることができた。この場合も、混床式イオン交換装置１
４を透過して得られた給水１６のシリカ濃度は１．１μ
ｇＳｉＯ2 ／Ｌであり変化はなかった。
１μｇＳｉＯ2 ／Ｌであった。この濃縮水を２床３塔式
イオン交換装置１２の処理水に混合し、混床式イオン交
換装置１４に通水する事により、更に水の有効利用を図
ることができた。この場合も、混床式イオン交換装置１
４を透過して得られた給水１６のシリカ濃度は１．１μ
ｇＳｉＯ2 ／Ｌであり変化はなかった。
【００３２】
【発明の効果】本発明はシリカ濃度が２０μｇＳｉＯ2
／Ｌ以下という極めて低濃度のシリカ含有水をＲＯ装置
で処理するに際し、ＲＯ装置を低回収率で運転すること
により、シリカ濃度を可及的に低減する事と同時に水の
有効利用を計ることができる。即ち、ＲＯ装置を低回収
率で運転するとシリカ濃度を低減できるが、その結果Ｒ
Ｏ装置の濃縮水が増加し、水有効利用の観点からはマイ
ナスである。そこで、増加した濃縮水を更に別のＲＯ装
置の給水に利用して透過水を得ることにより、水の有効
利用を計ることができる。ここで得られた透過水の水質
は前段の透過水より劣るので、混合して使用しないこと
が望ましい。
／Ｌ以下という極めて低濃度のシリカ含有水をＲＯ装置
で処理するに際し、ＲＯ装置を低回収率で運転すること
により、シリカ濃度を可及的に低減する事と同時に水の
有効利用を計ることができる。即ち、ＲＯ装置を低回収
率で運転するとシリカ濃度を低減できるが、その結果Ｒ
Ｏ装置の濃縮水が増加し、水有効利用の観点からはマイ
ナスである。そこで、増加した濃縮水を更に別のＲＯ装
置の給水に利用して透過水を得ることにより、水の有効
利用を計ることができる。ここで得られた透過水の水質
は前段の透過水より劣るので、混合して使用しないこと
が望ましい。
【００３３】また、ＲＯ濃縮水はシリカが濃縮されてい
るが、イオン交換処理することにより、ＲＯ装置の給水
に再利用できる。
るが、イオン交換処理することにより、ＲＯ装置の給水
に再利用できる。
【００３４】本発明方法により、シリカ濃度を充分に低
下した純水を得ることができるが、この純水を更にイオ
ン交換処理やＵＦ膜などによる膜濾過処理することによ
り、シリカを可及的に除去した超純水を得ることが可能
となる。
下した純水を得ることができるが、この純水を更にイオ
ン交換処理やＵＦ膜などによる膜濾過処理することによ
り、シリカを可及的に除去した超純水を得ることが可能
となる。
【図１】本発明の第１の実施態様を示すフロー図であ
る。
る。
【図２】本発明の第２の実施態様を示すフロー図であ
る。
る。
【図３】ＲＯ膜の塩透過率と給水中のシリカ濃度との関
係を示すグラフである。
係を示すグラフである。
【図４】給水中のシリカ濃度を一定とした時のＲＯ膜の
回収率と透過水のシリカ濃度の関係を示すグラフであ
る。
回収率と透過水のシリカ濃度の関係を示すグラフであ
る。
１、１６ 給水 ２、１８ 貯槽 ３、２０ 高圧ポンプ ４、２２、３０ 逆浸透膜装置 ５、２４、３２ 透過水 ６、２６、３４ 濃縮水 ７、２８、３６ バルブ １４ 混床式イオン交換装置 ３８ 回収管
Claims (4)
- 【請求項１】 シリカ濃度が２０μｇＳｉＯ2 ／Ｌ以下
の給水を逆浸透膜装置に供給して給水を透過水と濃縮水
とに逆浸透膜分離する純水の製造方法において、前記逆
浸透膜装置の透過水量を給水の供給水量に対して８０％
以下とすることを特徴とする純水の製造方法。 - 【請求項２】 濃縮水をイオン交換処理して逆浸透膜装
置の給水に戻す請求項１に記載の純水の製造方法。 - 【請求項３】 複数の逆浸透膜装置を連設してなり、最
前段の逆浸透膜装置から最後段の逆浸透膜装置まで順次
前段の濃縮水を後段の逆浸透膜装置で逆浸透処理してそ
れぞれの逆浸透膜装置からそれぞれの透過水を純水とし
て取り出す純水の製造方法において、最前段の逆浸透膜
装置にシリカ濃度が２０μｇＳｉＯ2／Ｌ以下の給水を
供給すると共に、最前段の逆浸透膜装置の透過水量を給
水の供給水量に対して８０％以下とすることを特徴とす
る純水の製造方法。 - 【請求項４】 最後段の逆浸透膜装置の濃縮水をイオン
交換処理して最前段の逆浸透膜装置の給水に戻す請求項
３に記載の純水の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05271691A JP3115750B2 (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 純水の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05271691A JP3115750B2 (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 純水の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07116660A JPH07116660A (ja) | 1995-05-09 |
| JP3115750B2 true JP3115750B2 (ja) | 2000-12-11 |
Family
ID=17503507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05271691A Expired - Fee Related JP3115750B2 (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 純水の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3115750B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3534155B2 (ja) * | 1997-12-16 | 2004-06-07 | 栗田工業株式会社 | 純水製造装置 |
| NL1018527C2 (nl) * | 2001-07-12 | 2003-01-14 | Dhv Water Bv | Inrichting voor het zuiveren van water. |
-
1993
- 1993-10-29 JP JP05271691A patent/JP3115750B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07116660A (ja) | 1995-05-09 |
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