JP3110860B2 - 分離型光ピックアップ装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、分離型光ピックアップ
装置、より詳しくはトラッキング制御における光軸ずれ
の補正を行うようにした分離型光ピックアップ装置に関
するものある。

【０００２】

【従来の技術】光ピックアップ装置として、記憶容量増
大化に応えるべく媒体上に照射する光のスポットを小さ
くし高密度化を実現するために超解像手法を利用したも
のは、既知である (特開平1-315040号公報、応用磁気学
会論文集,MAG-88-207,P23 〜P28)。この超解像光学系で
は、情報記録媒体からの反射光は、エラー検出系と信号
検出系とに導かれ、夫々別々の検出光学系を設けて再生
時の検出を行っている（同論文集P26 図６参照）。ま
た、光ピックアップ装置を固定の光学系と可動の光学系
とで構成して、トラッキングにおいて光軸ずれの補正を
行うようにした光ピックアップ装置は、特開平2-203433
号公報に開示されている。

【０００３】該公報に開示されている分離型光ピックア
ップ装置では、固定光学系にトラッキングミラーを設け
てプリウオブリング法によってトラッキング制御を行う
と共に、トラッキングミラーの傾き角度を検出するよう
にして、この検出結果に基づいて移動光学系を駆動して
情報記録媒体に入射する入射光ビームの光軸と、情報記
録媒体で反射された戻り光ビームの光軸のずれを補正す
るように構成されている。ここでは、トラッキングミラ
ーを半導体レーザと偏光ビームスプリッタとの間に配置
し、入射光ビームに一部を偏光ビームスプリッタで反射
させ、この反射光を検出してトラッキングミラーの傾き
角度の検出を行うようにしている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】このように、トラッキ
ングミラーの傾き角度の検出を行うのに、従来、偏光ビ
ームスプリッタで反射させて得た反射光を用いる。一
方、同公報には、整形プリズムに関する記載はないが、
一般に、光ピックアップ装置においては、半導体レーザ
からの出射光ビームを平行光にするコリメータレンズの
対物側に整形プリズムを配置するようにして、これによ
り半導体レーザからの光ビームを円形に整形できるよう
にする。従って、この場合、同公報の装置では、整形プ
リズムで整形された光ビームの一部を、トラッキングミ
ラーの傾き角度検出を行うのに用いる偏光ビームスプリ
ッタで取り出して、トラッキングミラーの傾き角度の検
出を行うこととなる。

【０００５】しかして、同公報第1 図に示されるもので
は、通常の信号検出用の偏光ビームスプリッタの外にト
ラッキングミラーの傾き角度の検出用の偏光ビームスプ
リッタを配置している。このため、光ビームの透過率が
低下して、対物レンズからの出射光量が不足する。従っ
て、記録時、情報記録媒体上で情報を的確に記録できな
くなるという欠点がある。

【０００６】また、この場合を含め、同公報のものによ
るときは、上記のように整形プリズムで整形された光ビ
ームを用いることとなるため、次のような問題もある。
即ち、トラッキングミラーの傾き角度を検出する場合に
整形プリズムを出射後の光ビームを用いると、光ビーム
の整形拡大率に応じてそのトラッキングミラーの検出傾
き角度変化が小さくなる。

【０００７】例えば、整形プリズムの角度を39°とし、
ビーム拡大率を2.5 とした場合、入射角71.89 °で光ビ
ームを整形プリズムに入射させたとき、拡大後の光ビー
ムがプリズムの出射端面に垂直に出射することとなる。
ここで、入射角が1 °変化して、72.89 °で光ビームが
整形プリズムに入射した場合、ビーム拡大後の光ビーム
は、プリズムの出射端面の垂直面に対して0.4 °の方向
へ出射することとなり、その角度変化は1/2.5 と小さく
なってしまう。このために、トラッキングミラーの傾き
角度の検出感度が低くなってしまうという問題がある。

【０００８】本発明は、上述のような点に鑑みてなされ
たもので、分離光学系の光ピックアップ装置において、
情報記録媒体への照射ビームの光量不足も避けつつ、か
つ半導体レーザの出射ビームを偏向する偏向手段の角度
検出はこれを高感度で行えてその検出感度の向上を図る
ことができる分離型光ピックアップ装置を提供すること
を目的とするものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、移動光学系と
固定光学系とを具え、半導体レーザからの出射ビームを
ビーム整形プリズムを用いて整形して情報記録媒体上へ
照射し、その戻り光を検出して信号の検出を行うと共
に、前記出射ビームを偏向する偏向手段を前記固定光学
系に配置してトラッキングエラーの補正を行う分離型光
ピックアップ装置であって、前記偏向手段を前記半導体
レーザと前記整形プリズムとの間に配置し、その整形プ
リズム入射面に反射膜から成る遮光部を設け、前記出射
ビームのビーム整形を行う前に該遮光部からの反射光を
取り出して前記偏向手段の偏向角度を検出し、その結果
に応じて前記移動光学系を駆動して情報記録媒体に対す
る入射光ビームと情報記録媒体からの戻り光ビームとの
光軸ずれを補正するように構成したことを特徴とするも
のである。

【００１０】

【作用】本発明の分離型光ピックアップ装置にあって
は、その偏向手段の対物側にビーム整形用のプリズムを
配置し、このプリズムに入射する光ビームの一部を、こ
のプリズム入射面に形成した反射膜から成る遮光部をも
って当該入射端面で反射させて取り出して、該偏向手段
の角度を検出するようにしている。このため、固定光学
系に配置した偏向手段の傾き角度検出のための別のビー
ムスプリッタを設ける必要もなく、情報記録媒体への入
射光量が小さくなるという問題がない上、ビーム整形を
行う前に偏向手段の角度の検出を行うように構成してい
るため、大きな角度変化をもって偏向手段の角度の検出
を行うことができ、検出感度の向上を図ることができ
る。

【００１１】

【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づき詳細
に説明する。図1 は本発明の一実施例を示すもので、分
離型光ピックアップ装置の光学系は超解像光学系を用い
た分離光学系として構成され、固定光学系10と移動光学
系70と備える。固定光学系10は、半導体レーザ11と、そ
の出射ビームを平行光とするコリメータレンズ12と、そ
の平行光を反射させて、後記でその構造を述べるビーム
整形用のプリズムへ入射させるべく配置された紙面に垂
直な軸Ｘを中心に回動するトラッキングミラー13 (ガル
バノミラー) と、そのトラッキングミラー13の後ろ側に
配置した整形用プリズム14とを有すると共に、当該整形
用プリズム14に関連して配されるトラッキングミラー傾
き角検出用の光学検出系、及び情報信号検出系を備え
る。この分離光学系は、半導体レーザ11の出射ビームを
偏向する偏向手段として固定光学系10にトラッキングミ
ラー13を配置してトラッキングエラーの補正を行う。

【００１２】固定光学系10に対する移動光学系70は、全
反射プリズム71及び対物レンズ72等を有する既知の構成
のものであってよく、これは情報記録媒体の半径方向
（Ｙ方向）に移動可能に設けられる。ここでは、情報記
録媒体としての光磁気ディスク80を用い、使用する分離
型光ピックアップ装置内で光磁気ディスクの上方位置に
おいて界磁コイル90を備えて構成される。

【００１３】光路上、トラッキングミラー13の対物側に
配置されるビーム整形用のプリズム14は、当該プリズム
に入射する光ビームの一部を、そのプリズム入射端面で
反射させトラッキングミラーの傾き角度の検出の用に供
する手段を有して構成される。ここでは、整形プリズム
14は、光ビームを整形するための整形面41を有すると共
に、移動光学系70の対物レンズ72へ光ビームを導き、光
磁気ディスク80の光磁気媒体を有するディスク面からの
戻りビームを分離するための誘電体多層膜をコーティン
グし、更に一部のみを反射させるため反射膜42が形成さ
れている。トラッキングミラー13からの反射ビームは図
示のような角度で入射するが、入射ビームの一部を取り
出す反射膜42については、整形プリズムの整形面の反射
するコーティング形状として、例えば、中心部のみを反
射するため楕円光ビームを縮小した同形状のものを形成
することによって得ることができ、本実施例ではそうし
た形状の反射膜42としてある。

【００１４】整形プリズム14は半導体レーザ11からのビ
ームを整形して光磁気媒体上に照射するものであり、上
記反射膜42はまた、それに対する入射ビームの一部を取
り出すべく反射させるように形成される結果、半導体レ
ーザ11からの出射光を微小スポットとして光磁気ディス
ク80に照射する場合のその光路上においてビーム中心付
近の光の強度を減少させる領域 (遮光領域) としても機
能する。従って、本光学系は、超解像光学系をも構成す
ることになり、反射膜42は、次のような 2つの手段を一
つで兼ねることになる。即ち、トラッキングミラー13の
傾き角度を検出し、その検出結果に応じて、移動光学系
70を駆動して光磁気ディスク80に対する入射光ビームと
それからの戻り光ビームとの光軸ずれを補正する場合に
おいて、ビーム整形を行う前に入射ビームの一部を取り
出してトラッキングミラー13の傾き角度の検出を行うよ
うにするための手段と、光磁気ディスク媒体上での光ス
ポットを小さくするよう、光ビーム断面内の中心部付近
での光の強度を減衰させて超解像を得ようとする場合に
おいて、そのための遮光部を構成する手段との、夫々で
あり、本構成により、そのように両方の手段として用い
る光ピックアップ光学系を実現することができる。

【００１５】トラッキングミラー13の角度検出をするた
めの系は、上記反射膜42からの反射光路に配置され、こ
こでは、シリンドリカルレンズ15と 2分割光検出器16と
を備える。光磁気ディスク80からの戻り光ビームが整形
プリズム14で分離されかつ傾斜端面43を通して導かれる
光路側には、信号検出系が設けられる。本実施例では、
これは、単レンズ21と、夫々出射端面に金属膜コーティ
ングより形成した円、楕円または矩形形状のスリット2
3,24 を有する検光子22と、光検出器25,26 とにより構
成されている。図2 には、その場合のフォーカス/ トラ
ッキング検出系及び情報信号検出系の構成の一例が示さ
れており、また図3 及び図4 は上記 2分割光検出器16の
説明及びその検出系の構成の一例を示してある。

【００１６】以下、それらの図も参照して更に具体的に
説明する。図1 において、半導体レーザ11から出射され
た光ビームは、コリメータレンズ12で平行光となり、ト
ラッキングミラー13で全反射した後、光ビーム整形とビ
ームスプリッタ機能を有する上述した構成の整形プリズ
ム14に入射する。整形プリズム14の入射面には、一部に
遮光手段でありかつ反射手段でもある反射膜42が設けら
れており、入射された光ビームのうち、周辺光は整形面
41で屈曲し、楕円形状の光ビームは円形状の光ビームに
整形されることになる。他方、入射した光ビームの中心
部 (円形) については、これを整形プリズム14の入射端
面でその反射膜42により反射させる。このように反射さ
せて、シリンドリカルレンズ15を通過させ、楕円形光ビ
ームにして (即ち、図3 に参照符号F1を付して示す光ビ
ーム形状のようにして) トラッキングミラー13の傾き角
度検出用の 2分割光検出器16に入射させるようにする。
ここに、 2分割光検出器16は、図3 に示すように、 2分
割された受光素子61,62 を有して構成される。こうし
て、トラッキング制御の際、トラッキングミラー13傾き
角度検出については、ビーム整形を行う前に上記遮光部
からの反射光を取り出して行われることとなる。

【００１７】さて、上述の入射された光ビームのうちの
周辺光、即ちドーナツ状の光ビームは、整形プリズム14
を通過すると、これは固定光学系10を出て移動光学系70
に設けられた全反射プリズム71に入射する。光ビーム
は、この全反射プリズム71で反射され対物レンズ72を介
して情報記録媒体である光磁気ディスク80の情報記録面
で集束される。

【００１８】光磁気ディスク80上の情報記録面には、光
磁気ディスク80に上方に設けられた界磁コイル91と変調
光ビームによって記録ピットが形成されており、これを
光ビームスポットで走査すると、戻り光は記録ピットの
磁化方向に応じてカー回転成分を持つこととなる。この
戻り光は対物レンズ72を通過して平行光となり、再び全
反射プリズム71で反射され、固定光学系70の整形プリズ
ム14の垂直端面を通し整形面42へ向かうよう入射する。
なお、整形面42には、戻り光ビームを分離する誘電体多
層膜がコーティングされているが、具体的には、P 偏光
を50％、S 偏光を100 ％反射するような偏光特性を持つ
誘電体多層コートを設けて、戻り光をこの反射面で反射
するときにカー回転角を増大するようにしている。

【００１９】上記のような偏光ビームスプリッタ面で反
射された戻り光は傾斜端面43を出射し、単レンズ21を通
過して検光子22のスリット23,24 面に集束されるよう検
光子22に入射する。検光子22では、P 偏光成分を100 ％
通過させ、S 偏光成分を100％反射して、夫々を光検出
器26,25 で受光する。ここに、図1 に示すように夫々ス
リット23, 24を介し受光する各光検出器25, 26について
は、図２に示すように、光検出器25は、受光素子25a,25
b,25c からなる 3分割光検出器を、また光検出器26は、
受光素子26a,26b からなる 2分割光検出器を用いてい
る。しかして、ここでは、これらの出力の差動を取っ
て、情報信号の再生を行うとともに、光検出器25側でフ
ォーカスエラー信号及びトラッキングエラー信号を検出
する。上記の戻り光による検出系では、光磁気検出系と
フォーカス・トラッキング制御系を同一検出器系をさ
れ、かつ夫々にスリットを設ける構成であるが、この点
については更に後記で述べられる。

【００２０】既述したように整形プリズム入射面への光
ビームは遮光部である反射膜42によりその一部がトラッ
キングミラー傾き角度検出用の 2分割光検出器16に導か
れ、光軸ずれの補正に用いられるが、これは、次のよう
に行うことができる。即ち、トラッキングミラー13の傾
き角度検出用の 2分割光検出器16は、図3 に示す如く、
光磁気ディスク80に形成されているトラックの半径方向
に 2分割された受光素子61,62 で構成されている。それ
らはまた、トラッキングミラー13が傾くことなく設定さ
れているとき、光検出器に入射する光ビームの強度分布
の最大値の位置が分割線上に位置するように設定されて
いる。従って、トラッキングミラー13に傾きがない状態
では、それら 2分割光検出器の受光素子61,62 の受光量
は等しくなるが、トラッキングミラー13が傾いた状態で
は、受光素子61,62 の受光量が異なるため、この各受光
素子61,62 の受光量を検出することによって、トラッキ
ングミラー13の傾きを検出することができる。よって、
光検出器で検出されるトラッキングエラー信号の出力を
光磁気ディスク80の半径方向に移動させる移動光学系70
のアクチュエ−タ (図示せず) に供給して、この出力に
基づいて該移動光学系70を移動させて、トラッキングミ
ラー13の傾き角度検出信号をゼロにするようにサ−ボ制
御して、移動光学系70に設けた対物レンズ72の光軸と、
上述のようにして整形プリズム14を経て対物レンズ72に
入射する固定光学系10からの光ビームの光軸のずれを、
常に小さくなるように補正することができる。

【００２１】しかも、この場合に、本光ピックアップ装
置では、図示のように、トラッキングミラー13の対物側
にビーム整形用プリズム14を配置し、該プリズム14に入
射する光ビームの一部を、そのプリズム入射面に形成し
た反射膜42から成る遮光部をもって反射させてトラッキ
ングミラー13の傾き角度を検出でき、トラッキングミラ
ー13の傾き角度検出のための別のビームスプリッタを設
ける必要はなく、光磁気ディスク80への入射光量が小さ
くなって末記録部分が発生するとういことを確実に防止
できるのみならず、ビーム整形を行う前にトラッキング
ミラー13の傾き角度の検出を行ことができ、大きな角度
変化をもってトラッキングミラー13の傾き角度の検出を
行うことができ、トラッキングミラー13の傾き角度の検
出感度が低下することもない。

【００２２】更に、この場合において、図4 には、トラ
ッキングミラー位置検出について光検出器の検出方法が
示されている。図示のように、 2分割された上述の受光
素子61,62 による受光領域からの和をとることにより、
半導体レーザ11の出射光量信号を検出するが、これに加
えて本実施例では、それらの差をも検出するように構成
されている。即ち、その出力の差をとることによりトラ
ッキングミラーの位置信号を検出することができるよう
になっている。このようにして、半導体レーザ11からの
光ビームの出射光量をダイレクトに検出すると共に、ト
ラッキングミラー13の位置検出を行うことができる。図
3 に示したように、本ピックアップ装置によれば、光検
出器16で受光されるビーム形状F1は受光領域の分割線方
向に長楕円である。これは、シリンドリカルレンズ15を
通過することで光検出器16の分割線と楕円の長軸が平行
になるようにレンズ作用を有するからである。

【００２３】更にまた、本実施例では、以下のようなこ
とも容易に実現できる。先に触れたように、図2 は、図
1 における検光子、一対のスリット、及び光検出器によ
るフォーカス/ トラッキング検出系及び情報信号検出系
の構成であるが、ここで、 3分割光検出25の受光素子25
a,25b,25c の出力をa,b,c とすると、フォーカスエラー
信号 S_f 及びトラッキングエラー信号 S_t は、夫々、フ
ォーカスエラー信号 S_f ＝ (a ＋c)−b 、トラッキング
エラー信号 S_t ＝a −c である。また情報信号 S_i は
、 2分割光検出26の受光素子26a,26b の出力をd,e と
すると、 S_i ＝ (a ＋b ＋c)−(d＋e)である。更に本実
施例では、図1 に示したとおり、検光子22の出射端面の
夫々スリット23,24 を設けて上記の各光検出25,26 の戻
り光を受光させているのである。

【００２４】このようにするのは、次のような点に基づ
くものである。超解像に関して先に触れた文献のうち特
開平1-315040号公報のものにおいては、同公報第2 図
(a),(d) に示されるように、半導体レーザからの出射光
ビーム断面内で遮光部によって中心付近の光の強度を減
少させ、同第2 図(b) に示される光強度分布とすること
によって、対物レンズで記録媒体上に照射される。ま
た、前記論文集にスリット検出法が開示されている。即
ち、この場合のものは、その図6 の光ヘッド光学系構成
に示されるように、光磁気信号検出においてサイドロー
ブからの干渉を除去するために、記録媒体からの反射光
を単レンズにより集光し、その集光点においてメインロ
ーブ成分のみをスリットで切り出して受光する検出光学
系である。しかして、光源から出射光ビーム断面内の中
心付近での光の強度を減少させた遮光帯を入れると、媒
体上での中心ビームスポット径の大きさは小さくなるも
のの、その分中心ビームの強度が低下し、かつ、周辺部
分の強度が増加すると、隣接トラックとの間でクロスト
ークが発生し、読み出し動作に悪影響を及ぼすこととな
る。それ故、前記論文集の光ヘッド光学系構成では、こ
れを避けようとしているが、その構成にあっては、光磁
気検出系のみ、単レンズにより集光し、その集光点にス
リットを配置するところ、かかるスリット検出法は、サ
−ボ系と光磁気検出系とは別々に検出しているため、光
学部品が多く、装置全体が複雑で大きくなりコスト高と
なる欠点がある。

【００２５】これに対し、本実施例では、光磁気検出系
とフォーカス・トラッキング制御系を同一検出器系にす
ることで部品点数を減らし、装置全体の構成を簡素にす
る一方、光ビームの透過率を損なうことなく、再生信号
の質の向上が図れ、また、光軸の傾きに対し、オフセッ
トの少ない構成を実現することができる。検光子22の出
射端面の夫々スリット23,24 を設けることで媒体からの
再生信号の読み取りにおけるサイドローブの影響をも適
切に除去できるのであり、超解像光学系にすることで媒
体上での光スポット系を小さくでき、記録密度を向上さ
せることができる。

【００２６】図5 は、本発明の他の実施例を示す。本実
施例も、移動光学系と固定光学系とを具え、半導体レー
ザからの出射ビームをビーム整形プリズムを用いて整形
して情報記録媒体上へ照射し、その戻り光を検出して信
号の検出を行うと共に、前記出射ビームを偏向するトラ
ッキングミラーを固定光学系に配置してトラッキングエ
ラーの補正を行う分離型光ピックアップ装置において、
トラッキングミラーを半導体レーザとその整形プリズム
との間に配置し、その整形プリズム入射面に反射膜から
成る遮光部を設けるものであるが、その遮光部として次
のようなものを用いる。なお、前記実施例と同様の部分
には同一の符号を付してある。

【００２７】以下要部を説明するに、本実施例では、整
形プリズム14の整形面の反射するコーティング形状を図
6 のような遮光帯44にする。なお、図中F2はビーム整形
プリズム面へ入射する光ビーム形状を示す。また、トラ
ッキングミラー13の傾き角度検出用の 2分割光検出器16
との間に 2面に対して凹レンズと一方向性レンズ作用を
持たせたレンズ組合せのトーリックレンズ51を配置す
る。本実施例の場合も、半導体レーザ11から出射された
光ビームはコリメータレンズ12で平行光となり、トラッ
キングミラー13で全反射した後、光ビーム整形とビーム
スプリッタ機能を有する整形プリズム14に入射する。図
6 は、この入射した光ビーム形状F2、及びこれに関連し
てその整形プリズム14に形成した遮光帯形状を示すもの
である。この図中、斜線で示した形状の遮光帯44の反射
により、トーリックレンズ51を通過することで、前記図
3 に示したと同様、トラッキングミラー13傾き検出用の
2分割光検出器16上での光ビーム形状のものを得ること
ができる。本実施例では前記実施例と同様の効果が得ら
れる。更に、光検出基16上の受光素子61, 62の大きさに
合わせた光ビームの径を自由に選択することができる。

【００２８】尚、本発明は上記の実施例に限定されるも
のではない。例えば、前記第1 の実施例において、整形
プリズムに設ける中心部の反射部42については、平行平
面板のガラス面上に集光レンズ作用を有するホログラム
を形成しその上に反射コーティング膜を形成してもよ
い。この場合は、シリンドリカルレンズ15をなくすこと
ができ、より光学部品を減らすことができ、従って、シ
リンドリカルレンズ15の位置調整の必要もなくすことが
できる。

【００２９】

【発明の効果】本発明によれば、偏向手段の角度検出用
に、光ビームを取り出すための偏光プリズを配置する必
要がないため、情報記録媒体への照射ビームの光量不足
により未記録部分が発生することがないと共に、整形プ
リズムを偏向手段の後ろ側に配置し、該整形プリズムで
ビーム整形を行う前に入射光の一部を取り出して偏向手
段の角度の検出を行っているため、高感度で当該角度の
検出を行うことができ、トラッキング制御における光軸
ずれの補正も高精度のものとすることができる。しか
も、その整形プリズム入射面に設けた反射膜から成る遮
光部は、これをもって、同時に光学系を超解像光学系に
することも容易に実現できることから、情報記録媒体上
での光スポットを小さくでき、記録密度の向上も併せて
図れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の構成を示す図である。

【図２】同例におけるフォーカス/ トラッキング検出系
及び情報信号検出系の構成の一例を示す図である。

【図３】同じく、 2分割光検出器の説明に供する図であ
る。

【図４】その検出系の構成の一例を示す図である。

【図５】本発明の他の実施例における要部の構成を示す
図である。

【図６】同例において適用できる遮光帯の説明に供する
図である。

【符号の説明】 10 固定光学系 11 半導体レーザ 12 コリメータレンズ 13 トラッキングミラー 14 整形プリズム 16 2分割検出器 41 整形面 42,44 反射膜 (遮光部) 51 トーリックレンズ 61,62 2分割受光素子 70 移動光学系 71 全反射プリズム 72 対物レンズ 80 光磁気ディスク F1,F2 光ビーム形状

フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−162838（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−57143（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−203433（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−73943（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−73951（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−166222（ＪＰ，Ａ) 実開 平２−96622（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 7/09 G11B 7/095 G11B 7/135 G11B 11/105 551 G11B 11/105 556

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 移動光学系と固定光学系とを具え、半導
   体レーザからの出射ビームをビーム整形プリズムを用い
   て整形して情報記録媒体上へ照射し、その戻り光を検出
   して信号の検出を行うと共に、前記出射ビームを偏向す
   る偏向手段を前記固定光学系に配置してトラッキングエ
   ラーの補正を行う分離型光ピックアップ装置であって、 前記偏向手段を前記半導体レーザと前記整形プリズムと
   の間に配置し、その整形プリズム入射面に反射膜から成
   る遮光部を設け、 前記出射ビームのビーム整形を行う前に該遮光部からの
   反射光を取り出して前記偏向手段の偏向角度を検出し、
   その結果に応じて前記移動光学系を駆動して情報記録媒
   体に対する入射光ビームと情報記録媒体からの戻り光ビ
   ームとの光軸ずれを補正するように構成したことを特徴
   とする分離型光ピックアップ装置。