JP3109463B2 - 開口部を有するセンサ装置の電磁波干渉軽減方法 - Google Patents
開口部を有するセンサ装置の電磁波干渉軽減方法Info
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- JP3109463B2 JP3109463B2 JP09323593A JP32359397A JP3109463B2 JP 3109463 B2 JP3109463 B2 JP 3109463B2 JP 09323593 A JP09323593 A JP 09323593A JP 32359397 A JP32359397 A JP 32359397A JP 3109463 B2 JP3109463 B2 JP 3109463B2
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- Japan
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- opening
- sensor device
- trap
- wall surface
- electromagnetic interference
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
- Details Of Measuring And Other Instruments (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば光学センサ
装置に代表される開口部を有するセンサ装置において、
外部からの電磁波干渉に対し、その影響を軽減する方法
に関する。
装置に代表される開口部を有するセンサ装置において、
外部からの電磁波干渉に対し、その影響を軽減する方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】信号検出用のセンサ装置には、例えば光
等の信号が入射される開口部を有するものがある。この
センサ装置は、開口部から検出器までの信号経路の形状
及びその周辺の形状に応じた固有の共振周波数を持ち、
この共振周波数付近の電磁波照射に対して定在波を生じ
る。定在波は共振現象であるため、照射された電磁波よ
りも強い電磁界をセンサ装置内に生じ、検出器等が干渉
を受けて機能障害を生じることがある。
等の信号が入射される開口部を有するものがある。この
センサ装置は、開口部から検出器までの信号経路の形状
及びその周辺の形状に応じた固有の共振周波数を持ち、
この共振周波数付近の電磁波照射に対して定在波を生じ
る。定在波は共振現象であるため、照射された電磁波よ
りも強い電磁界をセンサ装置内に生じ、検出器等が干渉
を受けて機能障害を生じることがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この場合、通常の装置
では、電波の侵入経路をシールドすることにより上記問
題を解決できるが、開口部を有するセンサ装置では、信
号を入射する必要上、開口部をシールドすることができ
ない場合が多い。電波吸収材を用いて電磁波を減衰させ
ることも可能であるが、信号経路上に電波吸収材を配置
するとセンサ装置の機能も低下するため、望ましい方法
ではない。
では、電波の侵入経路をシールドすることにより上記問
題を解決できるが、開口部を有するセンサ装置では、信
号を入射する必要上、開口部をシールドすることができ
ない場合が多い。電波吸収材を用いて電磁波を減衰させ
ることも可能であるが、信号経路上に電波吸収材を配置
するとセンサ装置の機能も低下するため、望ましい方法
ではない。
【０００４】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、開口部を有するセンサ装置の機能を阻害することな
く、センサ装置への電磁波の干渉を軽減させることをそ
の目的としている。
で、開口部を有するセンサ装置の機能を阻害することな
く、センサ装置への電磁波の干渉を軽減させることをそ
の目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、開口部から検
出器に至る信号の経路を形成する筒状体の壁面に、導電
性を有する定在波トラップを前記経路と重ならないよう
設けることにより、開口部内に発生した定在波の磁界振
幅の極大点を信号経路外に引き込み、かつ前記トラップ
の隅部のみに、磁界に作用する電波吸収材を配設するこ
とにより、前記定在波を効果的に減衰させるものであ
る。
出器に至る信号の経路を形成する筒状体の壁面に、導電
性を有する定在波トラップを前記経路と重ならないよう
設けることにより、開口部内に発生した定在波の磁界振
幅の極大点を信号経路外に引き込み、かつ前記トラップ
の隅部のみに、磁界に作用する電波吸収材を配設するこ
とにより、前記定在波を効果的に減衰させるものであ
る。
【０００６】ここで、前記トラップを、導電性を有する
前記筒状体の壁面と、前記壁面上に立設された導電性を
有するバッフルとから構成してもよく、あるいは、前記
トラップを、導電性を有する前記筒状体の壁面を窪ませ
てなる凹部としてもよい。
前記筒状体の壁面と、前記壁面上に立設された導電性を
有するバッフルとから構成してもよく、あるいは、前記
トラップを、導電性を有する前記筒状体の壁面を窪ませ
てなる凹部としてもよい。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づき、本発明の実
施形態について説明する。図１は、本発明の一実施形態
を示す光学センサ装置の断面図である。図中符号１は開
口部で、電波に対してシールド効果の少ないレンズを備
えている。符号２は検出器、符号３は導電性を有する鏡
筒（筒状体）である。開口部１から入射し、鏡筒３を通
過した光を検出器２で捉えるのが、本センサ装置の本来
の機能である。
施形態について説明する。図１は、本発明の一実施形態
を示す光学センサ装置の断面図である。図中符号１は開
口部で、電波に対してシールド効果の少ないレンズを備
えている。符号２は検出器、符号３は導電性を有する鏡
筒（筒状体）である。開口部１から入射し、鏡筒３を通
過した光を検出器２で捉えるのが、本センサ装置の本来
の機能である。
【０００８】また、本実施形態においては、導電性を有
するＥＭＩバッフル４が鏡筒３の対向する壁面にそれぞ
れ２枚ずつ、計４枚立設されており、その結果、鏡筒３
とＥＭＩバッフル４とにより、片面３個ずつ、計６個の
定在波トラップ５が形成されている。更に、鏡筒３とＥ
ＭＩバッフル４とで形成された隅部、すなわち定在波ト
ラップ５の隅部には、振動する磁界を減衰させる電波吸
収材６がそれぞれ配設されている。
するＥＭＩバッフル４が鏡筒３の対向する壁面にそれぞ
れ２枚ずつ、計４枚立設されており、その結果、鏡筒３
とＥＭＩバッフル４とにより、片面３個ずつ、計６個の
定在波トラップ５が形成されている。更に、鏡筒３とＥ
ＭＩバッフル４とで形成された隅部、すなわち定在波ト
ラップ５の隅部には、振動する磁界を減衰させる電波吸
収材６がそれぞれ配設されている。
【０００９】次に、上記実施形態の作用について説明す
る。図２は、図１の光学センサ装置に電磁波を照射した
状況を示すもので、図中符号７は、定在波トラップ３の
一つに励起された定在波の電界を示している。
る。図２は、図１の光学センサ装置に電磁波を照射した
状況を示すもので、図中符号７は、定在波トラップ３の
一つに励起された定在波の電界を示している。
【００１０】鏡筒３やＥＭＩバッフル４がいかなる形状
であっても、何らかの電磁波の共振モードが存在する
が、このモードが励起された場合、充分な減衰要素が無
いと強い電磁波干渉を生じる。一般に、電波吸収材は減
衰要素となるが、電界に作用する電波吸収材を電界振幅
の極大点に、磁界に作用する電波吸収材を磁界振幅の極
大点に配置しないと効果は低い。
であっても、何らかの電磁波の共振モードが存在する
が、このモードが励起された場合、充分な減衰要素が無
いと強い電磁波干渉を生じる。一般に、電波吸収材は減
衰要素となるが、電界に作用する電波吸収材を電界振幅
の極大点に、磁界に作用する電波吸収材を磁界振幅の極
大点に配置しないと効果は低い。
【００１１】ところで、導電性を有する鏡筒３内に発生
する定在波は、導電性を有するＥＭＩバッフル４が境界
条件となり、ＥＭＩバッフル４上で磁界振動が極大とな
っている。ＥＭＩバッフル４の壁面付近、すなわち定在
波トラップ５の隅部に配設された電波吸収材６は、振幅
が極大となった磁界を減衰するように作用するため、定
在波が効果的に減衰し、検出器２やその他の電気回路に
対する電磁波干渉を防止することができる。また、ＥＭ
Ｉバッフル４が光路から外れて設置されているため、Ｅ
ＭＩバッフル４及び電波吸収材６の存在が、センサ装置
の本来の機能を阻害することはない。
する定在波は、導電性を有するＥＭＩバッフル４が境界
条件となり、ＥＭＩバッフル４上で磁界振動が極大とな
っている。ＥＭＩバッフル４の壁面付近、すなわち定在
波トラップ５の隅部に配設された電波吸収材６は、振幅
が極大となった磁界を減衰するように作用するため、定
在波が効果的に減衰し、検出器２やその他の電気回路に
対する電磁波干渉を防止することができる。また、ＥＭ
Ｉバッフル４が光路から外れて設置されているため、Ｅ
ＭＩバッフル４及び電波吸収材６の存在が、センサ装置
の本来の機能を阻害することはない。
【００１２】本発明の他の実施形態を図３に示す。図３
において、符号５は、導電性を有する鏡筒３の壁面を窪
ませてなる定在波トラップで、定在波トラップ５の隅部
には、磁界に作用する電波吸収材６が配設されている。
開口部１内に発生した定在波は定在波トラップ５内の電
波吸収材６により効果的に減衰させられるため、センサ
装置への電磁波干渉が軽減する。
において、符号５は、導電性を有する鏡筒３の壁面を窪
ませてなる定在波トラップで、定在波トラップ５の隅部
には、磁界に作用する電波吸収材６が配設されている。
開口部１内に発生した定在波は定在波トラップ５内の電
波吸収材６により効果的に減衰させられるため、センサ
装置への電磁波干渉が軽減する。
【００１３】図４は本発明の他の実施形態であり、ミラ
ー８を有する光学センサの例である。この実施形態は、
ミラー８の後ろ側の空間を利用したもので、ミラー８の
後ろ側にて鏡筒３の壁面を窪ませてなる定在波トラップ
５の隅部に電波吸収材６を配設している。
ー８を有する光学センサの例である。この実施形態は、
ミラー８の後ろ側の空間を利用したもので、ミラー８の
後ろ側にて鏡筒３の壁面を窪ませてなる定在波トラップ
５の隅部に電波吸収材６を配設している。
【００１４】図５は本発明を電波センサに適用した例で
ある。この例では、カットオフ導波路９の直後に形成し
た定在波トラップ５の隅部に電波吸収材６を配設するこ
とにより、検出器２に到達する電磁波を減衰させてい
る。
ある。この例では、カットオフ導波路９の直後に形成し
た定在波トラップ５の隅部に電波吸収材６を配設するこ
とにより、検出器２に到達する電磁波を減衰させてい
る。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
センサ装置の開口部を塞ぐという根本的な問題を回避し
て以下のような効果が得られる。 １． 定在波を電波吸収材で減衰させることにより、電
磁波干渉を軽減できる。 ２．光路等の信号経路を妨害したり、開口部をシールド
する必要が無いため、センサ装置本来の機能を阻害しな
い。 ３．電波吸収材を定在波トラップの隅部に配設すること
により、電波吸収材を効果的に使用できるため、電波吸
収材が少量で済む。 ４．進行波についても、導電性材料が磁界振動の境界条
件となるため、定在波のみならず、進行波に対してもあ
る程度の効果が期待できる。 ５．開口部内の形状を変更しなくても、既存の凹凸形状
を利用して本発明を実施することも可能である。特に、
光学センサ装置においては、光学設計上の理由から、バ
ッフル等の凹凸形状が必要なことも多いため、これらを
利用できる。
センサ装置の開口部を塞ぐという根本的な問題を回避し
て以下のような効果が得られる。 １． 定在波を電波吸収材で減衰させることにより、電
磁波干渉を軽減できる。 ２．光路等の信号経路を妨害したり、開口部をシールド
する必要が無いため、センサ装置本来の機能を阻害しな
い。 ３．電波吸収材を定在波トラップの隅部に配設すること
により、電波吸収材を効果的に使用できるため、電波吸
収材が少量で済む。 ４．進行波についても、導電性材料が磁界振動の境界条
件となるため、定在波のみならず、進行波に対してもあ
る程度の効果が期待できる。 ５．開口部内の形状を変更しなくても、既存の凹凸形状
を利用して本発明を実施することも可能である。特に、
光学センサ装置においては、光学設計上の理由から、バ
ッフル等の凹凸形状が必要なことも多いため、これらを
利用できる。
【図１】 本発明に係るセンサ装置の構造の例を示す断
面図である。
面図である。
【図２】 図１のセンサ装置に電磁波を照射した際にお
ける定在波の電界を示す断面図である。
ける定在波の電界を示す断面図である。
【図３】 本発明に係るセンサ装置の構造の例を示す断
面図である。
面図である。
【図４】 本発明に係るセンサ装置の構造の例を示す断
面図である。
面図である。
【図５】 本発明に係るセンサ装置の構造の例を示す断
面図である。
面図である。
１ 開口部 ２ 検出器 ３ 鏡筒（筒状体） ４ ＥＭＩバッフル（バッフル） ５ 定在波トラップ ６ 電波吸収材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｋ 9/00 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01J 1/00 - 1/02 G01J 5/02 G12B 17/02 H05K 9/00 H04B 9/00
Claims (3)
- 【請求項１】 信号が入射される開口部を有するセンサ
装置の電磁波干渉軽減方法であって、前記開口部から検
出器に至る前記信号の経路を形成する筒状体の壁面に、
導電性を有する定在波トラップを前記経路と重ならない
よう設け、このトラップの隅部のみに、磁界に作用する
電波吸収材を配設したことを特徴とする開口部を有する
センサ装置の電磁波干渉軽減方法。 - 【請求項２】 前記筒状体が導電性を有し、かつ前記ト
ラップを、前記壁面と、前記壁面に立設された導電性を
有するバッフルとで構成したことを特徴とする請求項１
記載の開口部を有するセンサ装置の電磁波干渉軽減方
法。 - 【請求項３】 前記筒状体が導電性を有し、かつ前記ト
ラップが、前記筒状体の壁面を窪ませてなる凹部である
ことを特徴とする請求項１記載の開口部を有するセンサ
装置の電磁波干渉軽減方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09323593A JP3109463B2 (ja) | 1997-11-25 | 1997-11-25 | 開口部を有するセンサ装置の電磁波干渉軽減方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09323593A JP3109463B2 (ja) | 1997-11-25 | 1997-11-25 | 開口部を有するセンサ装置の電磁波干渉軽減方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11160148A JPH11160148A (ja) | 1999-06-18 |
| JP3109463B2 true JP3109463B2 (ja) | 2000-11-13 |
Family
ID=18156447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09323593A Expired - Lifetime JP3109463B2 (ja) | 1997-11-25 | 1997-11-25 | 開口部を有するセンサ装置の電磁波干渉軽減方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3109463B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06347321A (ja) * | 1993-06-11 | 1994-12-22 | Fujitsu Ltd | 赤外線センサ用コールドシールド |
| JPH08285691A (ja) * | 1995-04-17 | 1996-11-01 | Fujitsu Ltd | 赤外線検知器 |
-
1997
- 1997-11-25 JP JP09323593A patent/JP3109463B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11160148A (ja) | 1999-06-18 |
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