JP3107222B2

JP3107222B2 - 回転円板形記憶装置

Info

Publication number: JP3107222B2
Application number: JP02329247A
Authority: JP
Inventors: 直起前田; 雄三山口; 芳徳竹内
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1990-11-30
Filing date: 1990-11-30
Publication date: 2000-11-06
Anticipated expiration: 2015-11-06
Also published as: JPH04205869A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は回転円板と、円板の表面と対向して設けられ
トランスデューサが搭載されたヘッドとによってデータ
のリードライトを行う記憶装置及びトランスデューサを
搭載したヘッド装置に関する。

〔従来の技術〕

回転円板形記憶装置の容量を増加するためには、線ビ
ット密度及びトラック密度を高め、かつ円板の記録面の
数を増加させることが必要となる。しかし、装置の容量
が増加してもデータの転送速度が低い場合、装置の容量
を十分にいかせないだけでなく逆に支障さえ生ずること
になる。このためヘッドの浮上高さを低減することによ
って記録密度を高め、円板の回転速度を増加させること
によってデータの転送速度を高める方法が取られてい
る。このデータの転送速度はもっぱら円板の回転速度に
よって決定されるが、データの入出力速度を決める要件
には、ヘッドのアクセス時間もある。このアクセス時間
を短縮するために可動部を軽量化し、加速度を増加させ
るので、機構部の剛性を高め、かつ減衰効果を高めるこ
とが必要となる。但し、加速度を増加させるのにも限界
があり、大幅なアクセス時間の短縮は望めない。このた
め１枚の記録面当たりのヘッドの数を増やしてアクセス
距離を減らすことによって、アクセス時間を大幅に短縮
する方法が取られるようになっている。また、ヘッドは
それぞれ１つのトランスデューサによってデータのリー
ドライトを行い、そのトランスデューサはヘッドの両ス
ライダ間に備えられている。薄膜ヘッドの場合には、両
スライダの端部に２箇所トランスデューサを備えている
が、実機で使用される場合は一方のトランスデューサの
みが使用される。このようなものとしては、例えば特開
昭63−113917に記載されたものがある。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記従来技術は、可動部を軽量化し加速度を増加させ
ることによってアクセスタイムの短縮を図っているの
で、可動部であるヘッドの数が増加することはヘッドの
支持系の質量も増加することになり不利である。また、
部品価格の中でヘッドの占める割合は依然大きく、装置
の価格の面でも不利となるので極力少ないヘッド数で装
置を構成することが望ましい。

本発明の目的は、可動部の質量を実質的に増加させる
こと無く、円板面当たりのトランスデューサの数を増加
させることによってアクセス距離を短くしてアクセスタ
イムを短縮し、かつデータ転送速度を大幅に向上できる
ヘッド、ヘッド支持部材並びに駆動部材、そして前記部
材に適合した円板を備えた高速アクセスに適する回転円
板形記憶装置を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するために、１つのヘッドに２つ以上
のトランスデューサを搭載し、該２つ以上のトランスデ
ューサで同時あるいは交互にリードライトを行なうこと
によって、シーク動作無しあるいはシーク距離の短縮を
実現している。

〔作用〕

１つのヘッドに２つ以上のトランスデューサを搭載し
て、同時あるいは交互にデータのリードライトを行なう
ことによって、可動部重量を増加させること無く実質的
にシーク距離を短縮して、トランスデューサ搭載数をｎ
とすると、アクセス時間をほぼ1/nとすることができ
る。

また、１つのヘッドに搭載した２つ以上のトランスデ
ューサで同時にデータのリードを行なうことによって、
円板の回転速度を増加させること無くデータの転送速度
を大幅に向上させることができる。

また、シーク距離を実質的に短縮できるので消費電力
を小さくできる。

さらに、ヘッドの搭載数を増加させることが無いので
コストの低減に寄与できる。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。１
枚あるいは複数枚が一定の間隔を保持して積層された円
板１は、内周で固定され、その中心に配設された軸回り
に回転する。この円板１に対向してヘッド２がヘッド支
持部材３に保持されている。ヘッド２は、２個のトラン
スデューサ4a,4bを備え、信号伝達手段16を介して接続
されている信号処理回路17からの信号に基づき同時ある
いは交互にリードライト動作を行う。このヘッド２とヘ
ッド支持部材３の先端側の間には、柔軟支持部材５を介
しており、円板１の面外方向に対してヘッド２の自由度
を確保している。また、このヘッド支持部材３の一端側
は、保持部材６に保持され、ヘッド支持部材３を片持支
持している。

前述の、ヘッド支持部材３に保持されているヘッド２
は、円板１の半径方向に線形にアクセス動作するように
案内され、かつ位置決めされる。

円板１の外周側同心円状にデータが記録され、そのデ
ータ領域の幅L_Dはヘッド２に搭載したトランスデューサ
4a,4bの間隔L_Hの２倍よりも小さくしている。ヘッド２
に搭載した２つのトランスデューサ4a,4bで同時あるい
は交互にリードライト動作を行い、かつデータ領域の円
板１の半径方向に外側半分をヘッド２に備えた円板１の
半径方向外側のトランスデューサ4aで、円板１の半径方
向内側半分のデータはヘッド２に備えた円板１の半径方
向内側のトランスデューサ4bでリード・ライトできるの
で、最大シーク距離をヘッド２に搭載したトランスデュ
ーサ4a,4bの間隔L_Hとすればよく、データ領域の1/2のシ
ーク距離となる。通常、１つのヘッドでリード・ライト
を行う場合、１つのヘッドに１つのトランスデューサを
備え、シーク距離はデータ領域の幅と等しくなる。した
がって、シーク距離を短くするには、データ領域の幅を
小さくするか、あるいはヘッドを複数個搭載してシーク
距離を短縮する方法がとられる。しかし、この方法であ
ると、前者の場合データ記憶容量が大きくとれないこ
と、後者の場合、ヘッドの価格が高いことからコスト高
につながることが欠点としてあげられる。これに対して
本発明によればヘッドの数を増加させることなく、した
がってコスト低減につながり、かつ可能部重量を増加さ
せることもないので、シーク距離を容易に短縮でき、そ
の結果アクセスタイムの大幅な短縮を図れる。また、ヘ
ッド２に搭載した２つのトランスデューサで同時にリー
ドライトを行うことによって、２つのトラックでディス
ク回転待ちが１回となり、結果としてディスク回転待ち
が1/2、データ転送速度は２倍となる。第２図は本発明
の第１の実施例とは、ヘッドの駆動方法が異なり、円板
１の半径方向に対して円弧状にアクセス動作する場合の
実施例である。この場合も１つのヘッドの両側に２つの
トランスデューサを備えることにより、アクセスタイム
の短縮およびデータ転送速度の向上が可能となる。第１
図のように円板１の半径方向に対して線形にアクセスす
る場合、アクセス方向が円板１の回転中心と一致すれ
ば、データトラックピッチを一定とすることは容易であ
る。しかし、第２図の場合、円板１に対して円弧状にア
クセスするため、必ず円板１の内周側および外周側でデ
ータトラック方向に対するヘッド２のなす角度が変化す
る。つまりヘッドに搭載したトランスデューサの間隔は
一定であるから、データトラック間隔が内周側と外周側
で変化することになる。データトラック間隔を内外周ど
ちらで広く、あるいは狭くするかは、ヘッドの浮上高さ
によって決められる。一般に内周側で浮上量は小さく、
データトラック幅を小さくできる。したがって、内周側
でヘッドとデータトラックのなす角度を大きくとり、デ
ータトラック幅を小さくすることは容易である。

第３図及び第４図は本発明の他の実施例におけるヘッ
ドの上面，下面を示す。この実施例では１つのヘッドに
４つのトランスデューサを備え、アクセスタイムの大幅
な短縮，データ転送速度の大幅な向上を可能にする。ま
た、この実施例のようにトランスデューサが多いと円板
との浮上量を均一にすることはむずかしく、むしろ、コ
ンタクトレコーディング（円板とヘッドが接触した状態
でリードライトを行う）に適している。

第５図及び第６図は本発明の他の実施例におけるヘッ
ドを示す。１つのヘッドに２つのトランスデューサを備
えると、両トランスデューサの円板に対する浮上高さを
均一に保つことが必要となる。しかし、通常、ヘッドと
円板が空気膜の軸受を形成している部分で、円板の内外
周にあるための速度差によって圧力差が生じ高速側（外
周側）で浮上量が大きく、低速側（内周側）で浮上量が
小さくなる。したがって、この浮上量差をなくす方法と
して、空気膜の軸受を形成している部分、一般にスライ
ダ部と呼ばれている部分の面積に大小差をつけて、スラ
イダ部の圧力による合力をバランスさせる方法がある。
本発明では、第５図及び第６図に示したように、外周側
のスライダ部21の幅を内周側のスライダ部22の幅より小
さく（ａ＞ｂ）することによって、ヘッドの浮上姿勢を
内外周で変えることなく、２つのトランスデューサと円
板間の距離を均一に保つことが可能となる。この実施例
では、トランスデューサに薄膜を想定しているが、第７
図に示すようにコイクル誘導タイプのトランスデューサ
であってもよい。

ここで、第５図及び第６図において、ヘッドを支持す
る点が、ヘッドの中心部にあることを前提としている。
したがって、スライダ部の面積に大小差をつけることに
よって浮上量を均一にする方法を示したが、スライダ部
の面積を一定にして、ヘッドを支持する点を、両スライ
ダ部と円板間で発生する圧力による合力がバランスする
点に設けることによっても、同じ効果を得ることができ
る。

第８図は本発明の他の実施例におけるヘッド形状を示
す。トランスデューサと円板間の距離を一定に保つ方法
としては第８図に示すように、ヘッドを分割し、実質的
にヘッドに１つのトランスデューサとなるように構成す
ることによっても達成できる。

この発明の意図は、円板及びスライダ面が完全に平滑
ではない限り避けられない両者のうねりの影響を吸収し
て、独立にそれぞれのヘッドが円板のうねりに追従して
なおかつ各トランスデューサと円板間の距離を均一に保
つことができる。第９図は第８図における柔軟支部材５
の拡大図である。この実施例は、ヘッド２を円板の円周
方向に支持する場合の実施例を示す。また、この実施例
の場合、各ヘッドとトランスデューサの対が独立に円板
面のうねりに追従できるので、コンタクトレコーディン
グにも適している。

第10図は本発明の他の実施例におけるヘッド支持構造
でヘッドを円板の半径方向に支持する場合の例である。
第11図は第10図の柔軟支持部材８の拡大図である。第10
図に示す実施例の目的は第８図に示した実施例の場合と
同様である。また、リニア型アクセス機構を備えた磁気
ディスク装置に適する。

第12図は本発明の他の実施例におけるヘッド支持構造
を示す。この実施例においては、ヘッド２とヘッド支持
部材３の間に柔軟支持部材10を介在させた点にある。す
なわち、柔軟支持部材10を三角形状で形成し、円板面に
平行な任意の方向に対して剛性を等しくしたことであ
る。また、柔軟支持部材10の中心にある突起は、ヘッド
２を面内に固定し、かつ突起を中心とした円板の面外方
向の揺動の自由度を持たせている。

複数のトランスデューサで同時にリードライトできれ
ば、大幅なアクセスタイムの短縮及びデータ転送速度の
向上が可能となる。しかし、実際の装置では、熱変形に
よってトランスデューサ間の距離と、円板に記録された
データトラック間の距離に相対的に誤差を生じ、同時に
リードライトすることができなくなる。そこで、この熱
変形による相対的な距離の変化を相殺する方法として
は、例えば、ヘッドに搭載したトランスデューサの間を
構成する材料と円板を構成する材料を同一材料で構成す
ればよい。なぜなら、装置内では円板の回転によって引
き起こされる気流の攪乱によって冷却あるいは加熱が行
われ、ほぼ均一な温度になるからである。

また、前記同一材料で構成するかわりに、熱膨張率が
等しい材料を使用することによっても、同様の結果が得
られることは容易に推察される。

さらに、トランスデューサ間の材料と円板の材料が異
種材料で、熱膨張率が異なり、かつ温度差がある場合で
も、トランスデューサの間隔を可変にすることで前記目
的は達せられる。第13図には、このようなヘッドの構造
を示す。トランスデューサ4,4は、ヘッド２の突出部2a,
2aの端部に配置されている。これら突出部2a,2aは、そ
の間隔が可変可能な構造となっている。そして、これら
突出部2a,2a間には、例えば電歪素子や磁歪素子などの
間隔可変手段11が配設されている。トランスデューサの
間隔を可変にする手段11としての電歪素子，磁歪素子に
通電することにより、トランスデューサの間隔を任意
に、かつ独立に変化させることができ、さらに有効な効
果を得ることができる。

本発明は、１つのヘッドの場合だけでなく、複数のヘ
ッドにそれぞれ複数のトランスデューサを搭載した場合
にも適用される。したがって、ヘッドの間隔を可変にす
ることによって、より広範囲でかつ、トランスデューサ
と円板のトラック間のより大きな相対的な変位に対して
も変位を相殺する有効な手段を提供できる。

また、ヘッドの間隔を可変にするかわりに、前述と同
様の手段をヘッドの支持部材に適用することによって同
様の効果が得られることは容易に類推される。

１つのヘッドに２つ以上搭載したトランスデューサで
同時にリードライトすることによって、データ転送速度
を大幅に向上させることができることはすでに述べた。
次に他の機能について説明する。

すなわち、例えば同じデータを２つのトラックに同時
に記録することによって、一方のデータを他方のデータ
のバックアップとして記録することができる。これによ
って、一方のデータが損傷しても、他方のトラックに記
録されているデータを参照することが可能になる。これ
は、とくに重要なデータ、あるいは頻繁にアクセスされ
るデータの記録に適している。また、１つのヘッドだけ
でなく、他のヘッドで同一円板の他のトラックあるいは
別円板の他のトラックに同時に同じデータを記録するこ
とによっても同様の機能を得ることができる。さらに拡
張して考えれば、他の記憶装置に同じデータを同時に記
録することによって、一方の記憶装置が故障してもすぐ
に他の装置の同じデータを参照できるので、装置の実質
的な信頼性を上げることになる。すなわち、高い信頼性
の円板形記憶装置の集合体が構成できる。

１つのヘッドに２つ以上のトランスデューサを搭載し
て、同時に２つ以上のトランスデューサでリードライト
を行うためには、各トランスデューサと円板間のすきま
（浮上量）を均一に保つ必要がある。しかし、従来のAl
基板の円板では、カッティングマークや、基板自体にう
ねりが存在するため、各トランスデューサと円板間の浮
上量を均一に保つことはむずかしい。そこで、より平滑
で平坦な面を形成できるガラスあるいはセラミックスで
円板を形成することにより、本発明により適合する円板
を得ることができる。そして、円板の直径は15インチ以
下が適当であるが、むしろ小さい直径の円板が本発明に
は望ましい。

また、２つ以上のトランスデューサで同時にデータの
リードライトを行うためには、複数のデータバスを持つ
か、あるいはリードライトを行うデータを一時記憶保管
するためのバッファメモリが必要である。そこで、第14
図に示すように、全トランスデューサ４を同時に動作さ
せる場合を想定し、全ヘッド２の数ｍの2ⁿ倍（ｎは正の
整数）のバッファメモリ30を搭載すれば、複数のトラン
スデューサ４で同時にリードライトすることが可能であ
る。全トランスデューサ４は、信号処理回路17を介して
前述のバッファメモリ30に接続され、CPU31及びリード
ライト制御装置32によって各トランスデューサ４の動作
が制御される。また、１つのヘッドの搭載した２つのト
ランスデューサで同時あるいは交互にリードライトを行
う場合、極力シーク動作なしでリードライトを行うこと
が望ましい。したがって、データが入出力されるトラッ
クは当然ある間隔をもって連続的となる。すなわち、第
15図に示すようにトランスデューサの間隔をｍトラック
ピッチとすると、トラックNo.で1,m,2,m＋1,3,m＋２…
…というトラックの順に記憶がなされることになる。

円板記憶装置においては一般に１トラックシークの回
数が圧倒的に多い。したがって１トラックシークの時間
を短くし、かつ次のトラックのデータ入出力の始点へい
かに早く到達するかによって、データ転送速度の良否が
決まる。従来の円板形記憶装置ではとなりのトラックに
データを入出力する場合、ヘッドを１トラック移動して
円板が１回転してから次のデータの入出力を行う。した
がって、１トラックシークをいくら速くしても円板１回
転の待ち時間がある。したがって、１トラックのシーク
時間をTa、円板１回転に必要な時間をTdとすると、Ta＜
Td/2とし、かつ第16図に示すようにとなり合うトラック
のデータの入力開始点を180゜ずつずらすことによっ
て、円板の回転待ち時間を最大Td/2、最小≒０とするこ
とができる。これによって１つのヘッドに２つ以上のト
ランスデューサを備え、同時にリードライトを行うこと
によってデータ転送速度を短縮し、かつ円板回転待ち時
間を大幅に短縮することができる。

１つのヘッドに２つ以上のトランスデューサを搭載し
て同時にリードライトを行う場合、トランスデューサの
間隔がデータトラックピツチのｍ倍（ｍは正の整数）で
あることが必要である。したがって熱膨張差を補償しな
い場合には一方のトランスデューサでリードライトを行
った後あらためて他方のトランスデューサの位置決めを
行うことが必要となる。そこで、第17図に示すように、
１つのヘッド２の最内周側のトランスデューサ4_Iと最外
周側のトランスデューサ4_Oの間隔L_Tを（ｍ＋１−1/n）
×トラックピッチL_Pとすることにより、１トラックシー
ク時間を短縮することができる。この時のｍはトランス
デューサの間にあるトラックの本数、ｎは１つのヘッド
に備えたトランスデューサの個数である。

第18図は本発明の他の実施例におけるヘッドと円板と
の関係を示す図である。この実施例は、保持部材６に２
つのヘッド支持部材3,3が取付けられている。そして、
これらヘッド支持部材3,3には、それぞれ異なるトラッ
クに対向するように設置されたトランスデューサを搭載
するヘッド2,2が支持されている。これにより、第１図
に示す例にくらべ、よりアクセスタイムの短縮が図れ
る。

第19図は本発明の他の実施例の制御システムの構成を
示したものである。複数の円板１と、ヘッド２を駆動す
るアクセス機構50を備える磁気ディスク装置において、
複数のトランスデューサで同時あるいはほぼ同時にリー
ドライト動作を行うためには、ヘッドのセットリング、
信号処理を円滑に、かつ高速で行うことが必要である。
このような場合、サーボ信号が記録されているサーボ円
板に対向するサーボヘッドからの信号を位置検出回路66
に入力して位置の検出を行い、また速度検出回路67によ
り、速度検出を行いこれらの信号と、指令回路68からの
指令信号に基づき、ヘッド駆動回路61及びパワーアンプ
62によって、データ記録用円板に対向するデータヘッド
の位置決めを行う。そして、データヘッドの複数のトラ
ンスデューサのリードライト動作をマルチサンプリング
回路63を通して行う。仮りに、CPU64の転送速度をマル
チサンプリング回路63の転送速度が上回るとデータの転
送ができないので、一旦バッファメモリ65に記憶してか
らCPU64へのデータの転送を行う。CPU64の転送速度が上
回る場合には、バッファメモリ65を介さずにデータの転
送が可能となる。

また、１つのヘッドに搭載した複数のトランスデュー
サ間の距離と円板のトラック間の距離が熱変形によって
相対的に変化した場合、偏位量がトラックピッチを越え
るか、もしくはリードライトが不可能な程度となってい
ると、トランスデューサの該当するトラックに対する位
置決めを改めて行う必要がある。しかし、逐次トランス
デューサの位置決めを繰り返したのでは１つのヘッドに
複数のトランスデューサを搭載してアクセスタイムを短
縮する効果は半減する。したがって、トランスデューサ
選択回路69によって１つのトランスデューサを選び、一
定時間間隔でこのトランスデューサの偏位量をチェック
して、記憶しておけば、該当するトランスデューサの位
置決めを行う時に、あらかじめ記憶された偏位量だけオ
フトラック補償回路70からの信号に基づき、オフセット
してからリードライトを行うことによって、位置決めの
ための時間を大幅に短縮できる。オフトラック補償回路
70の機能は上記機能だけでなく、トランスデューサ間の
距離可変手段の駆動制御回路としても機能させることが
できる。そしてトランスデューサ間の距離とトラック間
の距離の相対差が無い場合は、当然ながらオフトラック
補償回路70を機能させる必要は無い。

以上示した各実施例では、回転円板形記憶装置として
磁気ディスク装置を想定して説明したが、この発明は、
他に例えば、光ディスク装置や光磁気ディスク装置など
回転円板形記憶装置全般にわたり実施できることは言う
までもない。

〔発明の効果〕

本発明によれば、１つのヘッドに２つ以上のトランス
デューサを搭載し、この２つ以上のトランスデューサを
同時あるいは交互に利用して、シーク動作なし、あるい
は実質的にシーク距離を短縮してリードライトを可能に
し、アクセスタイムの大幅な短縮を図ることができる。

また、１つのヘッドに搭載した２つ以上のトランスデ
ューサで同時にリードライト動作を行うことにより、デ
ータ転送速度を大幅に向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例におけるヘッド／円板の関係
図、第２図は本発明の他の実施例におけるヘッド／円板
の関係図、第３図は本発明の他の実施例におけるヘッド
上面の外観図、第４図は第３図のヘッド下面の外観図、
第５図は本発明の他の実施例におけるヘッドの下面図、
第６図は第５図の上面外観図、第７図は本発明の他の実
施例におけるトランスデューサの外観図、第８図は本発
明の他の実施例におけるヘッド／支持部材関係図、第９
図は第８図の柔軟支持部材の拡大図、第10図は本発明の
他の実施例におけるヘッド／支持部材関係図、第11図は
第10図の柔軟支持部材の拡大図、第12図は本発明の他の
実施例におけるヘッド／支持部材関係図、第13図は本発
明の他の実施例におけるヘッドの外観図、第14図は本発
明の他の実施例におけるシステム構成図、第15図は本発
明の他の実施例におけるトランスデューサ／トラックの
関係図、第16図は本発明の他の実施例における円板のト
ラック位置外観図、第17図は本発明の他の実施例におけ
るヘッド寸法図、第18図は本発明の他の実施例における
ヘッド／円板の関係図、第19図は本発明の他の実施例に
おけるヘッド駆動／リードライト制御回路である。１……円板、２……ヘッド、３……ヘッド支持部材、４
……トランスデューサ、５……柔軟支持部材、６……保
持部材、７……ヘッド支持部材、８……柔軟支持部材、
９……柔軟支持部材、10……柔軟支持部材、11……トラ
ンスデューサ間隔調整部材、12……データトラック、13
……第ｎ番目トラックの入力開始点、14……第ｎ＋１番
目トラックの入力開始点、15……第ｎ＋２番目トラック
の入力開始点、16……信号伝達手段、17……信号処理回
路、50……磁気ディスク装置、61……ヘッド駆動回路、
63……マルチサンプリング回路、64……CPU、65……バ
ッファメモリ、70……オフトラック補償回路。

フロントページの続き (56)参考文献特開昭60−133501（ＪＰ，Ａ) 特開平１−237924（ＪＰ，Ａ) 特開昭61−144784（ＪＰ，Ａ) 特開平４−34777（ＪＰ，Ａ) 特開平３−245315（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 25/04 101 G11B 5/60 G11B 21/21 G11B 21/21 101

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】円板と、前記円板を１枚又は複数枚所定間
隔で積層保持する円板支持体と、前記円板支持体を回転
可能に支持する回動手段と、前記円板支持体を回転駆動
する円板駆動手段と、前記円板の表面に対向し、かつ前
記円板と相対運動可能に支持されたヘッドと、前記ヘッ
ドを前記円板の任意の異なる半径位置に移動するための
ヘッド駆動手段を備えた回転円板型記憶装置において、前記ヘッドは少なくとも２個のトランスデューサを搭載
し、前記トランスデューサの間に間隔を可変にする間隔
可変手段を設け、前記トランスデューサには、各トラン
スデューサを略同じあるいは交互にリードライト動作を
させる制御回路が接続されていることを特徴とする回転
円板型記憶装置。
【請求項２】請求項１に記載の回転円板型記憶装置にお
いて、前記ヘッドに２つの突出部を設け、前記突出部に
それぞれ前記トランスデューサを配置し、前記２つの突
出部の間に前記間隔可変手段として電歪素子、又は磁歪
素子を設けた構成としたことを特徴とする回転円板型記
憶装置。
【請求項３】１枚又は所定の間隔で積層された複数枚の
円板と、前記円板の表面に対向し、かつ前記円板と相対
運動可能に支持された１個又は複数個のヘッドを備えた
回転円板型記憶装置において、前記ヘッドには少なくとも２個のトランスデューサを配
置し、前記トランスデューサの間に間隔を可変にする間
隔可変手段を設け、前記トランスデューサには、前記各
トランスデューサを略同じあるいは交互にリードライト
動作をさせるための制御回路と、このヘッドの数の2
ⁿ（ｎは正の整数）のバッファメモリを有することを特
徴とする回転円板型記憶装置。