JP3102326B2 - 磁気記録再生装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、テープレコーダー
等の磁気再生ヘッドとしてＭＲ素子を用いた磁気記録再
生装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、テープレコーダーの磁気再生ヘッ
ドとしてＭＲ素子を用いた音楽用磁気再生装置が提案さ
れ、実用化されている。以下図面を参照しながら、従来
技術の磁気記録再生装置の一例について説明する。図７
は従来の技術の磁気記録再生装置の一例を示すブロック
図で、図７において磁気テープ走行系に設置された磁気
再生ヘッドとしてのＭＲ素子１０１には電流源１０２よ
り一定電流を供給している。ＭＲ素子１０１の再生出力
はノイズリダクション部１０５に入力し、ノイズリダク
ション部１０５の出力は出力端１０７に接続されてい
る。スイッチ素子１０６はノイズリダクション部１０５
のノイズリダクション効果をオン・オフするために接続
されている。

【０００３】以上のように構成された従来技術の磁気記
録再生装置について以下その動作を説明する。磁気テー
プ走行系を走行する磁気テープ（図示せず）に記録され
た信号の磁束変化が磁気テープに接するＭＲ素子１０１
の抵抗値変化に変換される。このＭＲ素子１０１に電流
源１０２より一定電流を供給することによりＭＲ素子１
０１の抵抗値変化はオームの法則によりＭＲ素子１０１
の両端の電圧変化に変換される。この電流源１０２によ
り供給される電流がいわゆるセンス電流である。磁束の
変化がΔΦであったときのＭＲ素子１０１の抵抗値変化
をΔｒとすると、電流源１０２の電流値ＩによるＭＲ素
子１０１の両端の電圧変化Δｅは Δｅ＝Δｒ・Ｉ （１） となる。この電圧変化を信号としてノイズリダクション
部１０５に入力し、ノイズリダクション部１０５でデコ
ードされることにより雑音を低減されて出力端１０７に
出力される。このとき、電流源１０２の電流値Ｉは
（１）式よりわかるように大きいほどＭＲ素子１０１の
出力を大きく取れるためノイズリダクション部１０５で
発生する雑音（主として信号源インピーダンスに起因す
る熱雑音で高域成分雑音）に対する信号出力を大きくで
き高Ｓ／Ｎ比にできるが、一方ＭＲ素子１０１に流れる
電流が増加すると、そのジュール熱によりＭＲ素子１０
１が発熱し、その表面を磁気テープが摺動することによ
るいわゆる摺動雑音によって低域成分の雑音が増えるた
め、センス電流と信号対雑音比の関係は図８のようにな
る。

【０００４】このため、前記熱雑音と摺動雑音とを総合
して信号対雑音比が最良となる電流値に設定する。一
方、磁気テープに記録された信号が、録音時に録音側の
ノイズリダクション回路によりエンコードされているか
否かにより、スイッチ素子１０６により、ノイズリダク
ション部１０５の雑音低減回路のオン・オフを選択する
ことができる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな従来技術の磁気記録再生装置では、ノイズリダクシ
ョン部１０５に従来から提案され用いられている高域雑
音低減型の雑音低減回路を用いた場合、ノイズリダクシ
ョン部１０５のノイズリダクション効果をスイッチ素子
１０６によりオンしたときの周波数に対する雑音成分の
分布がノイズリダクション効果をスイッチ素子１０６に
よりオフしたときの雑音成分の分布に対して高域成分が
下がるため、ノイズリダクション効果オンにしたときの
電流源１０２の電流値Ｉの最適値がノイズリダクション
効果をスイッチ素子１０６によりオフにしたときの最適
値より小さくなり、図８のように最適値が違うという問
題点があった。

【０００６】本発明は、上記従来技術の問題点を改善す
るためのもので、ノイズリダクション部１０５の雑音低
減回路をスイッチ素子１０６によりオンしたときとオフ
したときのそれぞれの信号対雑音比を最良にするような
センス電流値をそれぞれ供給し、雑音低減回路をオンに
したときもオフにしたときも最良の信号対雑音比を得る
磁気記録再生装置を提供することを目的としてなされた
ものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の磁気記録再生装置は、磁気再生ヘッドとして
用いられるＭＲ素子と、第１の電流源と、第２の電流源
と、前記第１の電流源と前記第２の電流源とを選択して
前記ＭＲ素子に供給する第１のスイッチ素子と、前記Ｍ
Ｒ素子の信号を入力するノイズリダクション部と、前記
ノイズリダクション部のノイズリダクション効果をオン
・オフする第２のスイッチ素子とを有し、前記第１のス
イッチ素子と前記第２のスイッチ素子とが連動して動作
するという構成を備えたものである。

【０００８】本発明は上記した構成によって、ノイズリ
ダクション効果をオン・オフする第２のスイッチ素子と
連動する第１のスイッチ素子によってＭＲ素子に供給す
る電流源を第１の電流源と第２の電流源に切り替える。
第１の電流源の設定電流値をノイズリダクション効果の
オンの場合の最良の信号対雑音比となる電流値に設定
し、第２の電流源の設定電流値をノイズリダクション効
果のオフの場合の最良の信号対雑音比となる電流値にそ
れぞれ設定することによりノイズリダクション部のノイ
ズリダクション効果がオンの場合でもオフの場合でも最
良の信号対雑音比とすることができる。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、磁気再生ヘッドとして用いられるＭＲ素子と、第１
の電流源と、第２の電流源と、前記第１の電流源と前記
第２の電流源とを選択して前記ＭＲ素子に供給する第１
のスイッチ素子と、前記ＭＲ素子の信号を入力するノイ
ズリダクション部と、前記ノイズリダクション部のノイ
ズリダクション効果をオン・オフする第２のスイッチ素
子とを有し、前記第１のスイッチ素子と前記第２のスイ
ッチ素子とが連動して動作するという構成を備えたもの
であり、ノイズリダクション部の効果をオン・オフする
第２のスイッチ素子と連動する第１のスイッチ素子によ
ってＭＲ素子に供給する電流源を第１の電流源と第２の
電流源に切り替える。第１の電流源の設定電流値をノイ
ズリダクション効果のオンの場合の最良の信号対雑音比
となる電流値に設定し、第２の電流源の設定電流値をノ
イズリダクション効果のオフの場合の最良の信号対雑音
比となる電流値にそれぞれ設定することによりノイズリ
ダクション部の効果がオンの場合でもオフの場合でも最
良の信号対雑音比になるように作用する。

【００１０】本発明の請求項２に記載の発明は、磁気再
生ヘッドとして用いられるＭＲ素子と、前記ＭＲ素子に
バイアス磁界を与えるバイアス導体と、第１の電流源
と、第２の電流源と、前記第１の電流源と前記第２の電
流源とを選択して前記ＭＲ素子に供給する第１のスイッ
チ素子と、前記バイアス導体からＭＲ素子へのバイアス
磁界を発生させるために直流電圧を印加するためのバイ
アス電源と、前記ＭＲ素子の端子電圧を増幅して前記バ
イアス導体に帰還電圧を印加することにより前記ＭＲ素
子に磁気的に負帰還をかける磁気負帰還手段と、前記Ｍ
Ｒ素子の信号を入力するノイズリダクション部と、前記
ノイズリダクション部のノイズリダクション効果をオン
・オフする第２のスイッチ素子とを有し、前記第１のス
イッチ素子と前記第２のスイッチ素子とが連動して動作
するとともに前記バイアス電源からの直流電圧に前記磁
気負帰還手段の帰還電圧を重畳して前記バイアス導体に
印加するという構成を備えたものであり、請求項１の作
用に加えて磁気負帰還手段によって磁気ヒステリシス曲
線の非直線性を補償して再生出力の歪みを減少させるよ
うに作用する。

【００１１】本発明の請求項３に記載の発明は、請求項
２の発明において、ＭＲ素子への供給電流の変化時に磁
気負帰還手段においてバイアス磁界の方向に飽和するよ
うなパルス磁界を発生させないように構成したものであ
り、請求項２の作用に加えてＭＲ素子への供給電流の変
化によってバイアス導体の与える磁界がバイアス磁界の
方向に飽和してＭＲ素子の使用領域がヒステリシス特性
曲線の所定の領域を逸脱することを防ぎ、直線性のよい
歪みの少ない再生出力を得るように作用する。

【００１２】以下本発明の磁気記録再生装置の実施の形
態について、図面を参照しながら詳細に説明する。図１
は本発明の一実施形態の磁気再生装置の要部のブロック
図、図２はＭＲ素子の磁界と磁気抵抗の関係を示す特性
図、図３は第１のスイッチ素子４の切り替えに伴う回路
各部の波形図、図４はＭＲヘッド１のヒステリシス特性
図である。

【００１３】図１において、ＭＲ素子２とバイアス導体
３とは一体となってＭＲ再生ヘッド１を構成している。
ＭＲ素子２にはスイッチ素子４を介して第１の抵抗５ま
たは第１の抵抗５より抵抗値の小さい第２の抵抗６を通
じて第１の電源７からのセンス電流が印加されている。
第１の電源７と第１の抵抗５とでＭＲ素子２に与える第
１の電流源を形成し、第１の電源７と第２の抵抗６とで
ＭＲ素子２に与える第２の電流源を形成している。

【００１４】スイッチ素子４とＭＲ素子２との接続点は
第１のオペレーショナルアンプリファイア（以下ＯＰア
ンプ）８の（＋）入力端子に接続されている。第１のＯ
Ｐアンプ８の（−）入力端子とグランドとの間には第３
の抵抗９と第１のコンデンサ１０との直列回路が、また
第１のＯＰアンプ８の出力端子と（−）入力端子との間
には第４の抵抗１１が接続されている。

【００１５】第１のＯＰアンプ８の出力端子からは第２
のコンデンサ１２を介してノイズリダクション部１３の
入力に接続される。ノイズリダクション部１３にはノイ
ズリダクション効果をオン・オフする第２のスイッチ素
子１４が接続されており、端子１４ａ側でノイズリダク
ション効果をオンに、端子１４ｂ側でオフにする。この
第２のスイッチ素子１４は第１のスイッチ素子４と連動
して動作し、第２のスイッチ素子１４を操作して端子１
４ａ側に接続してノイズリダクション部１３のノイズリ
ダクション動作をオンにしたときは、第１のスイッチ素
子４が４ａ側に接続することにより第１の電流源が選択
され、一方第２のスイッチ素子１４を操作して１４ｂ側
に接続してノイズリダクション部１３のノイズリダクシ
ョン動作をオフにしたときは第１のスイッチ素子４が４
ｂ側に接続することにより第２の電流源が選択されるよ
うに接続されている。ノイズリダクション部１３の出力
は出力端１５に接続されている。

【００１６】一方第１のＯＰアンプ８の出力端子から分
岐して第３のコンデンサ１６と図示の極性のツエナダイ
オード１７との並列回路と第５の抵抗１８とを介して第
２のＯＰアンプ２０の（−）入力端子に接続され、第２
のＯＰアンプ２０の（−）入力端子と出力端子との間に
は第６の抵抗１９が接続されている。第２のＯＰアンプ
２０の（＋）入力端子には正の極性の直流電圧を持つ第
２の電源２１が接続され、第２のＯＰアンプ２０の出力
端子はバイアス導体３に接続されている。

【００１７】以上のように構成され、つぎにその動作を
説明する。磁気テープ走行系を走行する図示しない磁気
テープに記録された信号は磁気テープに接するＭＲ再生
ヘッド１のＭＲ素子２によりその磁束変化が抵抗値変化
に変換される。まずスイッチ素子１４がノイズリダクシ
ョン効果のオン側に相当する接点１４ａ側に切り替えら
れると、連動する第１のスイッチ素子４が接点４ａ側に
切り替えられることにより第１の電源７と第１の抵抗５
とによる第１の電流源が選択されノイズリダクション効
果のオン時に最適のセンス電流Ｉ１がＭＲ素子２に供給
されＭＲ素子２の抵抗値変化はオームの法則によりその
両端の電圧変化に変換される。

【００１８】磁束の変化がΔΦであったときのＭＲ素子
２の抵抗値変化をΔｒとすると、第１の電流源の電流値
Ｉ１によるＭＲ素子１の両端の電圧変化Δｅ１は Δｅ１＝Δｒ・Ｉ１ （２） となる。一方、第２のスイッチ素子１４を操作してノイ
ズリダクション効果をオフにしたときは連動する第１の
スイッチ素子４により第１の電源７と第２の抵抗６とに
よる第２の電流源が選択されノイズリダクション効果の
オフ時に最適のセンス電流Ｉ２がＭＲ素子２に供給さ
れ、このとき第２の電流源の電流値Ｉ２によるＭＲ素子
１の両端の電圧変化Δｅ２は Δｅ２＝Δｒ・Ｉ２ （３） となる。この電圧変化は信号として第１のＯＰアンプ８
で増幅され、第２のコンデンサ１２を介してノイズリダ
クション部１３に入力され、ノイズリダクション部１３
でデコードされることにより雑音を低減されて出力端１
５に出力される。

【００１９】一方第２の電源２１の直流電圧は（＋）端
子から第２のＯＰアンプ２０を介してバイアス導体３に
印加され、ＭＲ素子２に対してバイアス磁界を与える。
図２のＭＲ素子の磁界と磁気抵抗との関係を示す特性図
より、磁界Ｈの変化とＭＲ素子２の抵抗値変化Δｒとの
関係は、磁界Ｈの零点近辺では非直線性があり、バイア
ス磁界を与えて特性の直線部分の中心に動作点をずら
し、使用領域での歪みを少なくするものである。これで
も僅かながら非直線性が残るため、第１のＯＰアンプ８
の出力端子より第３のコンデンサ１６と第５の抵抗１８
とで（−）端子から第２のＯＰアンプ２０によりバイア
ス導体３に印加してバイアス導体３からＭＲ素子２に磁
気的に負帰還をかけて歪みの改善を行っている。このル
ープを磁気負帰還手段とする。

【００２０】つぎにスイッチ素子４を切り替えたときの
回路動作を図３により説明する。スイッチ素子４を４ａ
から４ｂに切り替えたとき、ＭＲ素子２には第１の電源
７から第２の抵抗６を介してセンス電流Ｉ２が与えられ
る。上記のように第１の抵抗５より第２の抵抗６のほう
が抵抗が小なのでセンス電流は増加し、ＭＲ素子２の両
端の電圧は図３（ａ）のように変化する。すると第１の
ＯＰアンプ８の出力電位はいったん（＋）方向に電源電
圧まで上昇し、これが第４の抵抗１１を介して帰還され
るが、ＯＰアンプ８の増幅率を大にするために抵抗１１
の抵抗値を大きく、かつ第３の抵抗９を小に設定してあ
り、また第１のコンデンサ１０の容量を大にしてあるた
め、コンデンサ１０が充電されてＯＰアンプ８が安定し
て増幅器として復帰するまで１秒程度必要とする。この
状態を図３（ｂ）に示す。図３（ｃ）の実線はツエナダ
イオード１７がない場合の第３のコンデンサ１６の他端
（−側）の電位であり、図３（ｂ）の電位が（＋）側電
源電圧まで上昇するにつれてこの電位も上昇する。その
後コンデンサ１６に充電するにしたがい電位は低下する
が、ＯＰアンプ８が増幅器として復帰すると、コンデン
サ１６に充電していた電位により図の（−）側の電位が
発生するが、その後放電するにしたがい電位は低下す
る。この電位は第２のＯＰアンプ２０で増幅され、図３
（ｃ）の実線の電位の反転した図３（ｄ）の実線がＯＰ
アンプ２０の出力波形となる。

【００２１】図３（ｄ）の波形がバイアス導体３に印加
されると、図４のＭＲ素子２とバイアス導体３からなる
ＭＲヘッド１のヒステリシス特性のために図３（ｄ）の
最初の（−）側のパルスにより図４のカーブ上において
（１）点まで移動し、（−）電位の低下とともに（２）
の経路を通るが、次の（＋）パルスで（３）点まで移動
し、（＋）電位の低下とともに（４）の経路上で第２の
ＯＰアンプ２０の出力により点（５）でバイアス磁界を
設定するため、直線部分が狭く非直線部分にかかってし
まうので歪みが発生する。

【００２２】そのため図１のツエナダイオード１７を追
加することによりコンデンサ１６にはツエナ電圧までし
か充電されないためにコンデンサ１６の抵抗１８側（−
側）の電位波形は図３（ｃ）の破線のようになり、した
がって第２のＯＰアンプ２０の出力電圧は図３（ｄ）の
破線のようになって、（＋）側のパルスが抑えられるた
めに図４のヒステリシス特性の（２）の経路上で安定す
る。バイアス電源としての第２の電源２１の電圧を増幅
した第２のＯＰアンプ２０の出力により点（６）で直線
部分の略中央にバイアス磁界を設定することにより歪み
の少ない再生ができる。この動作はセンス電流が減少し
たときにも、電源オン等の過渡状態でも同様に図３
（ｄ）の（＋）側へのパルスを抑圧するように作用し得
る。ここでこの回路構成とツエナダイオード１７の役割
は、センス電流の変化時に、印加したバイアス磁界の方
向に飽和するようなパルス磁界を発生させないためのも
のである。したがってこの目的の達成される回路構成の
変更はこの発明に含まれる。

【００２３】つぎに第１の抵抗５と第２の抵抗６による
ノイズリダクション効果オン、オフ時のセンス電流の設
定について説明する。図５はＭＲ素子２に与えるセンス
電流をパラメータとしたノイズ電圧の周波数特性図、図
６はノイズリダクション効果オン・オフに対するノイズ
電圧の周波数特性図である。図５のようにセンス電流を
大きくすると高域Ｓ／Ｎ比は良くなるが低域Ｓ／Ｎ比は
悪化する。また図６のようにノイズリダクションをオン
にすると高域Ｓ／Ｎ比が良くなる。ノイズリダクション
がオフのときには全ノイズ中で高域雑音成分が支配的で
あるため、センス電流Ｉ２を大きめに設定して出力を大
きくしてノイズリダクション部１３で発生する信号源イ
ンピーダンスに起因する高域成分雑音を抑える設定にす
る。このように高域のノイズを抑圧することにより総合
のＳ／Ｎ比を良くすることができる。ノイズリダクショ
ン効果がオンのときには全ノイズ中で高域雑音成分が低
減され、低域雑音成分が目立つためにセンス電流Ｉ１を
小さめに設定して摺動雑音による低域雑音成分を抑圧す
る設定にして総合のＳ／Ｎ比を良くすることができる。

【００２４】以上のように本実施例によれば、ノイズリ
ダクション効果オン時に最適なセンス電流を与える第１
の電流源と、ノイズリダクション効果オフ時に最適なセ
ンス電流を与える第２の電流源とを切り替えてＭＲ再生
ヘッド１のＭＲ素子２に供給する第１のスイッチ素子４
を、ノイズリダクション効果を選択する第２のスイッチ
素子１４と連動するようにしたことにより、ノイズリダ
クション部１３のノイズリダクション効果がオンのとき
とオフのときのそれぞれの周波数対雑音成分の違いに対
してそれぞれ最適なセンス電流値を設定できるため、そ
れぞれ最良の信号対雑音比を得ることができる。

【００２５】また本実施例の磁気負帰還手段、さらには
ＭＲ素子への供給電流の変化時に磁気負帰還手段におい
てバイアス磁界の方向に飽和するようなパルス磁界を発
生させないように構成することによって、ＭＲ素子の磁
気的非直線性やバイアス磁界の誤設定に起因する歪みも
減少させて直線性のよい再生出力を得ることができる。

【００２６】なお、本実施形態において、（２）式およ
び（３）式から明らかなように設定電流値が変わると出
力も変化するためノイズリダクション部１３のノイズリ
ダクション効果がオンの場合とオフの場合で出力を一定
にするために、ノイズリダクション部１３の前段または
後段で第２のスイッチ素子１４と連動して利得を調整す
る回路を付加してもよい。

【００２７】また例示の回路構成や数値は一例であり、
これに限定されるものではない。

【００２８】

【発明の効果】以上説明したように本発明の磁気記録再
生装置は、磁気再生ヘッドとして用いられるＭＲ素子
と、第１の電流源と、第２の電流源と、前記第１の電流
源と前記第２の電流源とを選択して前記ＭＲ素子に供給
する第１のスイッチ素子と、前記ＭＲ素子の信号を入力
するノイズリダクション部と、前記ノイズリダクション
部のノイズリダクション効果をオン・オフする第２のス
イッチ素子とを有し、前記第１のスイッチ素子と前記第
２のスイッチ素子とが連動して動作するよう構成したこ
とにより、ノイズリダクション効果がオンのときとオフ
のときのそれぞれの周波数対雑音成分の違いに対してそ
れぞれ最適なセンス電流値を設定できるため、それぞれ
最良の信号対雑音比を得ることができる。

【００２９】またこの構成に加えて磁気負帰還手段を加
えた構成、さらにはＭＲ素子への供給電流の変化時に磁
気負帰還手段においてバイアス磁界の方向に飽和するよ
うなパルス磁界を発生させないような構成によって、Ｍ
Ｒ素子の磁気的非直線性やバイアス磁界の誤設定に起因
する歪みも減少させて直線性のよい再生出力を得ること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態の磁気記録再生装置の要部
のブロック図

【図２】ＭＲ素子の磁界と磁気抵抗との関係を示す特性
図

【図３】本発明の実施形態の第１のスイッチ素子４の切
り替えに伴う回路各部の波形図

【図４】ＭＲヘッド１のヒステリシス特性図

【図５】ＭＲ素子２に与えるセンス電流をパラメータと
したノイズ電圧の周波数特性図

【図６】ノイズリダクション効果オン・オフの場合のノ
イズ電圧の周波数特性図

【図７】従来技術の磁気記録再生装置のブロック図

【図８】磁気記録再生装置のＭＲ素子のセンス電流と信
号対雑音比の関係を示す特性図

【符号の説明】

１ ＭＲ再生ヘッド ２ ＭＲ素子１ ３ バイアス導体 ４ 第１のスイッチ素子 ５ 第１の抵抗 ６ 第２の抵抗 ７ 第１の電源 ８ 第１のＯＰアンプ ９ 第３の抵抗 １０ 第１のコンデンサ １１ 第４の抵抗 １２ 第２のコンデンサ １３ ノイズリダクション部 １４ 第２のスイッチ素子 １５ 出力端 １６ 第３のコンデンサ １７ ツエナダイオード １８ 第５の抵抗 １９ 第６の抵抗 ２０ 第２のＯＰアンプ ２１ 第２の電源

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁気再生ヘッドとして用いられるＭＲ素
   子と、 第１の電流源と、 第２の電流源と、 前記第１の電流源と前記第２の電流源とを選択して前記
   ＭＲ素子に供給する第１のスイッチ素子と、 前記ＭＲ素子の信号を入力するノイズリダクション部
   と、 前記ノイズリダクション部のノイズリダクション効果を
   オン・オフする第２のスイッチ素子とを有し、 前記第１のスイッチ素子と前記第２のスイッチ素子とが
   連動して動作することを特徴とする磁気記録再生装置。
2. 【請求項２】 磁気再生ヘッドとして用いられるＭＲ素
   子と、 前記ＭＲ素子にバイアス磁界を与えるバイアス導体と、 第１の電流源と、 第２の電流源と、 前記第１の電流源と前記第２の電流源とを選択して前記
   ＭＲ素子に供給する第１のスイッチ素子と、 前記バイアス導体からＭＲ素子へのバイアス磁界を発生
   させるために直流電圧を印加するためのバイアス電源
   と、 前記ＭＲ素子の端子電圧を増幅して前記バイアス導体に
   帰還電圧を印加することにより前記ＭＲ素子に磁気的に
   負帰還をかける磁気負帰還手段と、 前記ＭＲ素子の信号を入力するノイズリダクション部
   と、 前記ノイズリダクション部のノイズリダクション効果を
   オン・オフする第２のスイッチ素子とを有し、 前記第１のスイッチ素子と前記第２のスイッチ素子とが
   連動して動作するとともに前記バイアス電源からの直流
   電圧に前記磁気負帰還手段の帰還電圧を重畳して前記バ
   イアス導体に印加するように構成したことを特徴とする
   磁気記録再生装置。
3. 【請求項３】 ＭＲ素子への供給電流の変化時に磁気負
   帰還手段においてバイアス磁界の方向に飽和するような
   パルス磁界を発生させないように構成したことを特徴と
   する請求項２に記載の磁気記録再生装置。