JPH10143827A

JPH10143827A - 磁気抵抗効果型ヘッド

Info

Publication number: JPH10143827A
Application number: JP8300263A
Authority: JP
Inventors: Chiharu Mitsumata; 千春三俣; Osamu Shimoe; 治下江
Original assignee: Hitachi Metals Ltd
Current assignee: Proterial Ltd
Priority date: 1996-11-12
Filing date: 1996-11-12
Publication date: 1998-05-29

Abstract

(57)【要約】【課題】磁気抵抗効果型ヘッドにおいて磁気抵抗効果伝
達曲線のヒステリシスを小さくして、再生信号の誤り率
を下げる。【解決手段】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドは、磁気抵
抗効果を有する磁気抵抗効果膜とこの磁気抵抗効果膜に
横バイアスを印加するための軟磁性材料からなるＳＡＬ
膜とが非磁性スぺーサ膜を介して積層された磁気抵抗効
果素子と、前記磁気抵抗効果膜に信号検出用のセンス電
流を流すための電極とを有する磁気抵抗効果型ヘッドに
おいて、磁気抵抗効果素子は磁気信号を再生するための
再生トラック幅部分と電極と重なっている部分があり、
これら再生トラック幅部分と電極と重なっている部分を
合わせた素子全体の長さが５μｍ以下であり、素子幅と
素子長の比（アスペクト比）が０．３以下としたもので
ある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録媒体から情
報信号を読みとるための磁気ヘッド、更に詳しくは磁気
抵抗効果型ヘッドの構成に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】磁気抵抗効果型ヘッドは、高記録密度で
磁気記録媒体に記録されている情報信号を読みとること
のできる磁気ヘッドとして従来から知られている。この
ヘッドの検出部には磁気抵抗効果を示す材料が使われ、
磁気抵抗効果素子の電気抵抗が磁場の強さ及び方向の関
数として変化することを利用して、磁気記録媒体からの
情報信号を検出するものである。

【０００３】磁気抵抗効果素子が最適に作動するために
は、記録磁場に対する応答が線形になるように、すなわ
ち磁気抵抗効果素子に対する横方向磁場の強さと抵抗変
化（電圧変化）又は磁化方向（磁化の大きさ）の関係を
示す磁気抵抗効果伝達曲線の直線性が得られるように、
磁気抵抗効果素子をバイアスする。このために、方向の
異なる２つのバイアス磁場が与えられなければならな
い。第１に横方向のバイアス磁場が印加される。このバ
イアス磁場は磁気記録媒体の面に垂直であるとともに磁
気抵抗効果素子の面に平行である。第２のバイアス磁場
は磁気記録媒体面に平行に延びる縦方向バイアス磁場で
ある。この縦方向バイアス磁場は、磁気抵抗効果素子に
おける多磁区構造によって生ずるバルクハウゼンノイズ
を抑制するために用いられる。

【０００４】前記横方向バイアス磁場は、磁気抵抗効果
素子の磁気抵抗効果膜にセンス電流を流したときに、こ
のセンス電流によって生じる磁場によって、磁気抵抗効
果膜に平行に配置されている軟磁性膜（ＳＡＬ）中に横
方向の磁化が生じる。ＳＡＬ膜中に生じた横方向の磁化
と静磁結合するような磁化が磁気抵抗効果膜中に生じて
横方向の磁場を印加した状態となる。一方、磁気抵抗効
果素子に縦方向のバイアス磁場を印加してバルクハウゼ
ンノイズを抑制するとともに、磁気抵抗効果膜の磁化が
磁気抵抗効果膜内で磁気抵抗効果膜の磁化容易方向（縦
方向すなわち長さ方向）から約４５度の方向を向くよう
にする。この縦方向のバイアス磁場を印加するために、
磁気抵抗効果素子端部の電極と重なり合う部分に磁気抵
抗効果膜に直接にＮｉＭｎなどの反強磁性膜を重ねて付
けてこの反強磁性膜による交換結合によって、磁気抵抗
効果膜の磁化を反強磁性膜の磁化と同じ縦方向に向かせ
ることが行われ、また磁気抵抗効果膜の端部にＣｏＣｒ
Ｐｔなどの永久磁石膜を設けて、永久磁石膜によって縦
方向にバイアスをかけることも行われている。このよう
にして横バイアスと縦バイアスを印加することによっ
て、磁気抵抗効果膜の磁化は磁気記録媒体からの磁場が
加わらない状態では磁化容易方向から約４５度の方向を
向いて、磁気抵抗効果伝達曲線は直線性が得られるよう
になっている。

【０００５】このように、磁気抵抗効果伝達曲線の直線
性が得られるように磁気抵抗効果膜に４５度のバイアス
を印加していても、磁気抵抗効果伝達曲線にヒステリシ
スが生じることがあり、このために再生信号の誤り率が
大きくなってしまうことがある。

【０００６】磁気抵抗効果型ヘッドの磁気抵抗効果素子
で磁気記録媒体からの情報信号を再生する場合の、再生
信号の誤り率(error rate)はＳＮ比（ｄＢ）が負の方向
に小さい場合大きく、ＳＮ比が負の方向に大きくなると
小さくなる。再生信号の誤り率を縦軸にとり、ＳＮ比
（ｄＢ）を横軸にして示したグラフを図１５に示す。Ｓ
Ｎ比（ｄＢ）はノイズの大きさ（Ｎ）と信号の大きさ
（Ｓ）によって次式で示される。

【０００７】ＳＮ比（ｄＢ）＝−２０ｌｏｇ₁₀Ｓ／Ｎ図１５でＳ／Ｎ＝１のときＳＮ比は０で誤り率は１（１
００％誤り）で、信号がノイズに比して大きくなってく
ると誤り率は小さくなってきて、あるＳＮ比で誤り率が
１０^-6となる。このグラフａに対して、信号ピークの非
対称性（｜Ｖ₊｜−｜Ｖ_-｜）／（｜Ｖ₊｜＋｜Ｖ
_-｜）が大きくなった場合のグラフをｂとして同図に示
す。ピークの非対称性が大きくなると、同じＳＮ比の場
合は誤り率が大きくなる。誤り率を同じに維持するため
には、信号強度を大きくしてＳＮ比を負の方向に大きく
しなければならないことがわかる。

【０００８】次に、再生信号の誤り率と出力ばらつき
（ｄＢ）の関係を図１６に示す。出力電圧の標準偏差を
Ｖσ、出力電圧の平均値をＶａｖ．としたとき、出力ば
らつき（ｄＢ）は次式で表される。

【０００９】出力ばらつき（ｄＢ）＝−２０ｌｏｇ₁₀Ｖ
ａｖ．／Ｖσ 出力ばらつきはＶσ／Ｖａｖ．（％）で示されることが
あるが、ｄＢで示したものと、％で示したものとは関係
が逆になっており、図１６においても出力ばらつき（ｄ
Ｂ）が負の方向に大きくなると再生信号の誤り率は小さ
くなっている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】以上のことから、磁気
抵抗効果型ヘッドの磁気抵抗効果素子の再生信号の誤り
率を小さくするには、ＳＮ比（ｄＢ）が負の方向に大、
出力ばらつき（ｄＢ）が負の方向に大、ピーク非対称性
が小である必要がある。ピーク非対称性は出力ばらつき
と表裏の関係を持ったものである。ＳＮ比および出力ば
らつきには磁気抵抗効果素子のヒステリシスが大きく影
響するので、ヒステリシスを小さくする必要がある。ま
た、磁気抵抗効果素子のヒステリシスには後で述べるよ
うに磁気抵抗効果素子の素子幅と素子長の比（アスペク
ト比）が影響することがわかった。

【００１１】そこで、本発明は、磁気抵抗効果素子のヒ
ステリシスを小さくすることが出来て、再生出力の誤り
率の小さな磁気抵抗効果型ヘッドを提供することを目的
とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の磁気抵抗効果型
ヘッドは、磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果膜とこの
磁気抵抗効果膜に横バイアスを印加するための軟磁性材
料からなるＳＡＬ膜とが非磁性スぺーサ膜を介して積層
された磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果膜に信号
検出用のセンス電流を流すための電極とを有する磁気抵
抗効果型ヘッドにおいて、磁気抵抗効果素子は磁気信号
を再生するための再生トラック幅部分と電極と重なって
いる部分があり、これら再生トラック幅部分と電極と重
なっている部分を合わせた素子全体の長さが５μｍ以下
であり、磁気抵抗効果素子幅と素子長の比（アスペクト
比）が０．３以下であることを特徴とするものである。

【００１３】また、本発明の磁気抵抗効果型ヘッドは、
好ましくは素子幅が０．５〜１．５μｍでアスぺクト比
が０．１〜０．３である。また、本発明の磁気抵抗効果
型ヘッドは、好ましくは磁気抵抗効果素子の前記電極と
重なっている部分に磁気抵抗効果膜の磁区制御を行う縦
バイアスの発生手段を有し、この縦バイアスの発生手段
としては反強磁性膜による交換結合あるいは永久磁石膜
による静磁結合を用いることができる。

【００１４】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドで、磁気抵
抗効果素子の素子長は５μｍ以下としている。これは後
で詳述するように、磁気抵抗効果素子の素子長は全体で
５μｍ以下とすることによってトラック幅が大きい場合
でも偏差（磁気抵抗効果伝達曲線の近似直線からのず
れ）を０．０３５以下とすることが出来て、磁気抵抗効
果伝達曲線の直線性を良くすることが出来る。磁気抵抗
効果素子の素子幅と素子長の比（アスペクト比）を０．
３以下とすることで、磁気抵抗効果伝達曲線のヒステリ
シスを２．５％以下にすることが出来る。素子幅をあま
り狭くすると磁気抵抗効果素子の電気抵抗が大きくなり
ジュール熱で磁気抵抗効果素子が切断する虞があるの
で、素子幅は０．５μｍ以上必要である。また同じ理由
からアスペクト比は０．１以上が望ましい。一方、磁気
抵抗効果素子の電極間には通常０．５Ｖ程度の電圧が印
加されるので、素子幅が広すぎると電流密度（通常は
２．５×１０⁷Ａ／ｃｍ²程度）が低下するので、広く
とも１．５μｍ以下が望ましい。トラック幅はあまりに
小さくなると磁気抵抗変化が小さくなって検出が困難な
ので０．５μｍ以上が望ましい。

【００１５】本発明のように磁気抵抗効果型ヘッドで磁
気抵抗効果素子の素子長とアスペクト比を規定すること
によって、磁気抵抗効果伝達曲線のヒステリシスが小さ
く、再生出力ばらつき（ｄＢ）およびＳＮ比（ｄＢ）の
負の方向に大きなものが得られたので、再生信号の誤り
率が小さくなった。

【００１６】

【発明の実施の形態】磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッ
ド）の主要部を斜視図で図２に示す。ＭＲヘッド１は、
図示していない非磁性基板上にＣｏＴａＺｒなどででき
た下部シールド膜２の上に下部再生ギャップ層（図示せ
ず）を介して、磁気抵抗効果素子部（ＭＲ素子）３とし
てＳＡＬ膜(soft adjacent layer)３１、非磁性膜３
２、ＦｅＮｉなどからできた磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜）
３３が形成されている。このＭＲ素子３の両端には縦バ
イアス膜である永久磁石膜４及びその上に電極５が形成
されている。これらの上には、上部再生ギャップ層（図
示せず）を介してミッドシールド膜６が形成され、その
上には励磁コイル７と上部磁極８からなる誘導型記録ヘ
ッド９が設けられている。ＭＲ膜両端部の永久磁石膜４
をＭＲ素子３に重ならないように形成してもよい。

【００１７】電極５の下の永久磁石膜４に代えて、Ｎｉ
Ｍｎなどからなる反強磁性膜をＭＲ膜３３に直接に接す
るように形成して、反強磁性膜をＭＲ膜と交換結合させ
てＭＲ膜に縦バイアスを印加してもよい。

【００１８】ＭＲヘッドのＭＲ素子３を電極５上から見
た場合の平面図を図３に示す。ＭＲ素子３はその端部で
電極５と重なっており、この電極と重なっている部分３
５とトラック幅部分３６とでＭＲ素子長となっている。
素子幅は素子長と直角な方向である。

【００１９】ＭＲ素子はその両端上で電極に覆われてい
るので、この電極に重なっているＭＲ素子の部分に多く
の磁区があってもその出力やバルクハウゼンノイズなど
のノイズに影響が無いといわれている。（特開昭６０ー
１８５２２０号）しかし、トラック幅と素子幅を一定に
して、素子長を変えると図４に示すように、偏差（磁気
抵抗効果伝達曲線の近似直線からのずれ）が変わってく
る。この図からわかるように、素子長が長くなると偏差
が大きくなり、すなわち磁気抵抗効果伝達曲線の直線性
が悪くなり、素子長が短くなると偏差が小さくなり、磁
気抵抗効果伝達曲線の直線性が良くなる。直線性が良い
ほど再生信号の誤り率を低減することが出来る。図４か
らわかるように、素子長を５μｍ以下にすると、偏差
０．０３５以下とすることが出来る。

【００２０】しかし、再生出力ピークの非対称性（｜Ｖ
₊｜−｜Ｖ_-｜）／（｜Ｖ₊｜＋｜Ｖ_-｜）とＭＲ素子
長の関係をみると図５に示すように、素子長が短くなる
に従い、ピークの非対称性が大きくなる。ＭＲヘッドに
よる再生信号は、磁気抵抗効果伝達曲線の状態によっ
て、あるいは再生方式（例えばＰＲＮＬ方式）によっ
て、正の信号と負の信号の大きさが異なるという性質を
持っている。ピーク非対称性は、正負の信号強度の割合
を示す指標である。ピーク非対称性は、再生信号の誤り
率と関係するのでピーク非対称性の値は０に近いほうが
望ましい。前に定性的に説明をしたように、ＳＮ比が同
じでピークの非対称性が大きくなると、再生信号の誤り
率が上昇する。そこで、ピークの非対称性が大きくなっ
ても同じ誤り率を得るためには、ＳＮ比を負の方向に大
きくする必要がある。図６に磁気抵抗効果型ヘッドの再
生信号のピーク非対称性に対して、信号再生装置の誤り
率を一定にするのに必要なＳＮ比の改善量を、ピーク非
対称性０の場合を基準にして示している。ピーク非対称
性の絶対値が大きくなるに従って要求されるＳＮ比の改
善量が増加し、２０％のピーク非対称性に対しては約−
５ｄＢのＳＮ比の改善が必要となる。

【００２１】以上説明したように、再生出力の誤り率を
低減するために、素子長を５μｍ以下とすると、ピーク
非対称性が大きくなるので、それを補償するだけのＳＮ
比を改善する必要がある。

【００２２】ＭＲヘッドのＭＲ素子の抵抗変化と印加磁
場の関係を示したものが図７である。この磁気抵抗効果
伝達曲線にはヒステリシスが現れている。ヒステリシス
の存在はＭＲ素子内の磁化状態が二つの状態を取りうる
ことを示している。ヘッドに信号磁場が印加されると素
子は抵抗変化を示すが、再生される信号は磁化状態の揺
動によって同じ磁場に対して二つの値を取ることが可能
である。この二値間を飛び移りながら再生が行われると
バルクハウゼンノイズとなる。

【００２３】磁気抵抗効果伝達曲線のヒステリシスと再
生出力ばらつきの相関を図８に示す。再生出力のばらつ
きはＭＲヘッドの再生ノイズとして、ヘッドの信号雑音
比（ＳＮ比）を劣化させる。ここでは１００回のトラッ
ク平均出力を測定し、平均出力のばらつきをＳＮ比換算
して表したものを基準指標とする。

【００２４】再生信号の誤り率の点から再生出力のばら
つきは−２０ｄＢ以下であることが望ましい。この値に
対応するヒステリシスは３．５％なので、ヒステリシス
は３．５％以下になるようにする。しかし、前に述べた
２０％のピーク非対称性を補償するだけのＳＮ比の改善
（−５ｄＢ）のためにはヒステリシスを更に１％小さく
する必要があるので、ヒステリシスは２．５％以下にな
るようにする。

【００２５】ＭＲ素子の素子幅／素子長の比すなわちア
スペクト比（ＡＲ）と磁気抵抗効果伝達曲線のヒステリ
シスの関係を図１に示す。ヒステリシスはアスペクト比
（ＡＲ）が増加するに従って、増加する傾向を示してお
り、ヒステリシスを２．５％以下にするためにはアスペ
クト比（ＡＲ）を０．３以下にする必要がある。

【００２６】

【実施例】

実施例１ＣｏＴａＺｒ下部シールド膜上に下部再生ギャップ層を
介して、ＭＲ素子部として１５ｎｍ厚のＳＡＬ膜、３ｎ
ｍ厚のＴａ非磁性膜、２０ｎｍ厚のＭＲ膜を形成し、電
極の下部にはＣｏＣｒＰｔによる永久磁石膜を形成し
た。ＣｏＣｒＰｔの永久磁石膜によってＭＲ素子部には
縦方向に１０Ｏｅのバイアス磁場を印加した。

【００２７】ＭＲ素子部の長さ５μｍ、ＭＲ素子幅１μ
ｍ、トラック幅２μｍとしたＭＲ素子Ａ（アスペクト比
（ＡＲ）＝ＭＲ素子幅１μｍ／長さ５μｍ＝０．２）
と、ＭＲ素子部の長さ５μｍ、ＭＲ素子幅２μｍ、トラ
ック幅２μｍとしたＭＲ素子Ｂ（アスペクト比（ＡＲ）
＝ＭＲ素子幅２μｍ／長さ５μｍ＝０．４）に、２．５
×１０⁷Ａ／ｃｍ²のセンス電流を流して、ＳＡＬ膜に
横方向磁場を印加して永久磁石膜による縦バイアスと
で、ＭＲ膜にはＭＲ膜の長さ方向から約４５度の方向に
磁化が向くようにした。ＭＲ素子ＡおよびＢに素子面内
で回転する外部磁場を印加した場合の磁気抵抗効果伝達
特性を各々図９と図１０に示す。グラフの原点から測定
点までの距離は、ＭＲ素子の抵抗変化量を示す。また、
各々の測定点の原点に対する方向は、印加した外部磁場
の方向を示している。アスペクト比が０．２のＭＲ素子
Ａではバルクハウゼンノイズの発生が抑制されておりＳ
Ｎ比が改善されている。アスペクト比が０．４のＭＲ素
子Ｂではｈで示した部分にバルクハウゼンノイズが発生
しており、ＳＮ比の劣化が問題になる。

【００２８】実施例２実施例１と同様にＭＲヘッドを作成した。ただし、ＭＲ
素子幅を１．２μｍと１．７μｍとして、これらを各々
ＭＲ素子Ｃ（アスペクト比（ＡＲ）＝０．２４）、ＭＲ
素子Ｄ（アスペクト比（ＡＲ）＝０．３４）とした。こ
れらの素子に、素子幅方向に記録媒体からの信号磁場に
対応した外部磁場（ａ．ｕ．：任意単位）を印加して磁
気抵抗効果伝達特性（ａ．ｕ．：任意単位）を測定した
結果を各々図１１、図１２に示す。ＭＲ素子Ｃの磁気抵
抗効果伝達曲線のヒステリシスはほぼ０となっている。
このことは、素子の信号磁場に対する応答が常に一定で
あり、再生出力変動や雑音の少ない磁気抵抗効果型ヘッ
ドとなることを示している。一方、ＭＲ素子Ｄの図１２
に示す磁気抵抗効果伝達曲線では、印加磁場が０の近傍
で大きなヒステリシスが現れている。ＭＲ素子の抵抗変
化量に対するヒステリシスの大きさは約１２％に達して
いる。

【００２９】実施例３実施例１と同様にＭＲヘッドを作成した。そのＭＲ素子
部の長さは５μｍ、トラック幅は２μｍで一定として、
ＭＲ素子幅を０．７５μｍ〜１．７５μｍまで変化させ
て、アスペクト比（ＡＲ）が０．２５〜０．３０のＭＲ
ヘッド９９個とアスペクト比（ＡＲ）が０．３０〜０．
３５のＭＲヘッド１３０個を作成した。これらのＭＲヘ
ッドを用いて再生出力のばらつきを測定した結果を図１
３と図１４に示す。アスペクト比が０．２５〜０．３０
のＭＲヘッドについて測定した再生出力のばらつきは図
１３に示すように平均値で１．３５％であり、アスペク
ト比が０．３０〜０．３５のＭＲヘッドについては図１
４に示すように平均値で１．７８％で、アスペクト比の
小さなグループは出力ばらつきが減少していることがわ
かる。この結果からもアスペクト比の制御が雑音の低減
に効果を上げていることがわかる。

【００３０】

【発明の効果】本発明のように磁気抵抗効果型ヘッドで
磁気抵抗効果素子の素子長とアスペクト比を規定するこ
とによって、磁気抵抗効果伝達曲線のヒステリシスが小
さく、再生出力ばらつき（ｄＢ）およびＳＮ比（ｄＢ）
の大きなものが得られたので、再生信号の誤り率が小さ
くなった。

【図面の簡単な説明】

【図１】磁気抵抗効果伝達曲線のヒステリシス（％）と
アスペクト比の関係を示すグラフである。

【図２】磁気抵抗効果型ヘッドの一部断面で示す主要部
の斜視図である。

【図３】磁気抵抗効果型ヘッドの磁気抵抗効果素子の平
面図である。

【図４】偏差と磁気抵抗効果素子の素子長の関係を示す
グラフである。

【図５】ピーク非対称性（％）と磁気抵抗効果素子の素
子長の関係を示すグラフである。

【図６】必要ＳＮ比（ｄＢ）とピーク非対称性（％）の
関係を示すグラフである。

【図７】磁気抵抗効果型ヘッドの磁気抵抗効果素子の抵
抗変化と印加磁場の大きさの関係を示す磁気抵抗効果伝
達曲線のグラフである。

【図８】磁気抵抗効果伝達曲線のヒステリシス（％）と
再生出力ばらつき（ＳＮ比換算）（ｄＢ）の関係を示す
グラフである。

【図９】アスペクト比０．２の磁気抵抗効果素子に素子
面内で回転する外部磁場を印加した場合の磁気抵抗効果
伝達特性のグラフである。

【図１０】アスペクト比０．４の磁気抵抗効果素子に素
子面内で回転する外部磁場を印加した場合の磁気抵抗効
果伝達特性のグラフである。

【図１１】アスペクト比０．２４の磁気抵抗効果素子の
抵抗変化と印加磁場の大きさの関係を示す磁気抵抗効果
伝達曲線のグラフである。

【図１２】アスペクト比０．３４の磁気抵抗効果素子の
抵抗変化と印加磁場の大きさの関係を示す磁気抵抗効果
伝達曲線のグラフである。

【図１３】アスペクト比０．２５〜０．３０の磁気抵抗
効果素子の再生出力ばらつきの度数分布を示すグラフで
ある。

【図１４】アスペクト比０．３０〜０．３５の磁気抵抗
効果素子の再生出力ばらつきの度数分布を示すグラフで
ある。

【図１５】再生信号の誤り率とＳＮ比（ｄＢ）の関係を
示す説明図である。

【図１６】再生信号の誤り率と出力ばらつき（ｄＢ）の
関係を示す説明図である。

【符号の説明】

３磁気抵抗効果素子３１ＳＡＬ膜３２非磁性膜３３磁気抵抗効果膜３５電極と重なっている部分３６トラック幅部分５電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果膜とこ
の磁気抵抗効果膜に横バイアスを印加するための軟磁性
材料からなるＳＡＬ膜とが非磁性スぺーサ膜を介して積
層された磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果膜に信
号検出用のセンス電流を流すための電極とを有する磁気
抵抗効果型ヘッドにおいて、磁気抵抗効果素子は磁気信
号を再生するための再生トラック幅部分と電極と重なっ
ている部分があり、これら再生トラック幅部分と電極と
重なっている部分を合わせた磁気抵抗効果素子全体の長
さが５μｍ以下であり、磁気抵抗効果素子幅と素子長の
比（アスペクト比）が０．３以下であることを特徴とす
る磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項２】磁気抵抗効果素子幅が０．５〜１．５μｍ
でアスぺクト比が０．１〜０．３であることを特徴とす
る請求項１記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項３】磁気抵抗効果素子の前記電極と重なってい
る部分に磁気抵抗効果膜の磁区制御を行う縦バイアスの
発生手段を有することを特徴とする請求項１または２記
載の磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項４】前記縦バイアスの発生手段が反強磁性膜に
よる交換結合を用いることを特徴とする請求項３記載の
磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項５】前記縦バイアスの発生手段が永久磁石膜に
よる静磁結合を用いることを特徴とする請求項３記載の
磁気抵抗効果型ヘッド。