JP3084115B2 - 熱プラズマトーチ - Google Patents
熱プラズマトーチInfo
- Publication number
- JP3084115B2 JP3084115B2 JP04040689A JP4068992A JP3084115B2 JP 3084115 B2 JP3084115 B2 JP 3084115B2 JP 04040689 A JP04040689 A JP 04040689A JP 4068992 A JP4068992 A JP 4068992A JP 3084115 B2 JP3084115 B2 JP 3084115B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermal plasma
- plasma torch
- tube
- inner cylinder
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Arc Welding In General (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、単管二重方式の熱プラ
ズマトーチに関し、更に詳しくは、この種の熱プラズマ
トーチにおける冷却液(冷却水等)のシール構造に関す
るものである。
ズマトーチに関し、更に詳しくは、この種の熱プラズマ
トーチにおける冷却液(冷却水等)のシール構造に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】熱プラズマを発生させる熱プラズマトー
チの構造としては、単管二重方式のものと、一体二重方
式のものとがある。
チの構造としては、単管二重方式のものと、一体二重方
式のものとがある。
【0003】図2は単管二重方式の熱プラズマトーチの
要部を示すものである。同図において、1は内部に熱プ
ラズマ2が発生される内筒(単管)、3はこの内筒の周
囲に同軸状に配設された外筒(単管)であって、内筒1
と外筒3とは互いに別個の筒状部材にて構成され、これ
らの間に冷却液通路4が形成されている。そして、この
通路4には、トーチ基部5の冷却液供給通路6から冷却
液7が供給され、これにより、熱プラズマ2にて高温に
加熱される内筒1が冷却されるようになっている。
要部を示すものである。同図において、1は内部に熱プ
ラズマ2が発生される内筒(単管)、3はこの内筒の周
囲に同軸状に配設された外筒(単管)であって、内筒1
と外筒3とは互いに別個の筒状部材にて構成され、これ
らの間に冷却液通路4が形成されている。そして、この
通路4には、トーチ基部5の冷却液供給通路6から冷却
液7が供給され、これにより、熱プラズマ2にて高温に
加熱される内筒1が冷却されるようになっている。
【0004】なお、この種の従来の単管二重方式の熱プ
ラズマトーチにあっては、上述の通路4,6を流れる冷
却液7をシールするために、押え部材8にて位置決めし
た一対のOリング9及び10を内筒1の下端部の外周面
1a及び外筒3の下端部の外周面3aにそれぞれ直接に
係着せしめるようにしている。
ラズマトーチにあっては、上述の通路4,6を流れる冷
却液7をシールするために、押え部材8にて位置決めし
た一対のOリング9及び10を内筒1の下端部の外周面
1a及び外筒3の下端部の外周面3aにそれぞれ直接に
係着せしめるようにしている。
【0005】また、図3は一体二重方式の熱プラズマト
ーチの要部を示すものであって、この熱プラズマトーチ
は、内筒部11aと外筒部11bとを端部Aにおいて一
体に連結して成る一体トーチ管11を使用したものであ
る。このトーチにあっては、トーチ基部12の冷却液供
給通路13、外筒部11bの下端に設けられた開孔1
4、内筒部11aと外筒部11bとの間の冷却液通路1
5を順次介して冷却液16が流されるように構成されて
いる。
ーチの要部を示すものであって、この熱プラズマトーチ
は、内筒部11aと外筒部11bとを端部Aにおいて一
体に連結して成る一体トーチ管11を使用したものであ
る。このトーチにあっては、トーチ基部12の冷却液供
給通路13、外筒部11bの下端に設けられた開孔1
4、内筒部11aと外筒部11bとの間の冷却液通路1
5を順次介して冷却液16が流されるように構成されて
いる。
【0006】また、この従来の一体二重方式の熱プラズ
マトーチにあっては、冷却液16の液漏れを防止するた
めに、外筒部11bの下端部と、トーチ基部12との間
に一対のOリング17,18が押え部材19を介して装
着されている。なお、これらのOリング17,18は、
外筒部11bの下端の外周面20にそれぞれ直接に係着
されている。
マトーチにあっては、冷却液16の液漏れを防止するた
めに、外筒部11bの下端部と、トーチ基部12との間
に一対のOリング17,18が押え部材19を介して装
着されている。なお、これらのOリング17,18は、
外筒部11bの下端の外周面20にそれぞれ直接に係着
されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】図2のような単管二重
方式の熱プラズマトーチにあっては、冷却液シール用の
Oリング9が内筒1に係着されているため、次のような
問題点がある。すなわち、本方式では、冷却液7をOリ
ング9,10にてシールするようにしているが、内筒1
の内部のプラズマへ大電力(例えば、50kW以上)が
供給された場合、内筒1が非常に高温に加熱される。こ
の場合、内筒1とOリング9との接触部分における冷却
能力以上の熱量によりOリング9が焼損されてしまい、
冷却液7の液漏れを生じるおそれがある。
方式の熱プラズマトーチにあっては、冷却液シール用の
Oリング9が内筒1に係着されているため、次のような
問題点がある。すなわち、本方式では、冷却液7をOリ
ング9,10にてシールするようにしているが、内筒1
の内部のプラズマへ大電力(例えば、50kW以上)が
供給された場合、内筒1が非常に高温に加熱される。こ
の場合、内筒1とOリング9との接触部分における冷却
能力以上の熱量によりOリング9が焼損されてしまい、
冷却液7の液漏れを生じるおそれがある。
【0008】また、図3のような一体二重方式の熱プラ
ズマトーチにあっては、シール材であるOリング17,
18が被加熱壁(内筒部11a)に対して非接触である
から、前記単管二重方式の場合のような焼損による液漏
れは防止できる。しかし、内筒部11aと外筒部11b
とから成る一体トーチ管11の材質としては石英やガラ
ス等の加工性を有するものに限定され、セラミックス
(Al2 O3 ,Si3 N4 等)に代表される高耐熱性材
料が加工上の制約で使用できないという欠点がある。ま
た、製作費が非常に高くつくという問題点もある。
ズマトーチにあっては、シール材であるOリング17,
18が被加熱壁(内筒部11a)に対して非接触である
から、前記単管二重方式の場合のような焼損による液漏
れは防止できる。しかし、内筒部11aと外筒部11b
とから成る一体トーチ管11の材質としては石英やガラ
ス等の加工性を有するものに限定され、セラミックス
(Al2 O3 ,Si3 N4 等)に代表される高耐熱性材
料が加工上の制約で使用できないという欠点がある。ま
た、製作費が非常に高くつくという問題点もある。
【0009】ところで、熱プラズマジェットの利用技術
は、プラズマへのエネルギー供給源である高周波電源の
大電力化にともない、トーチ管の耐熱性向上並びにプラ
ズマ発光の遮断が要求されている。この要求を満足する
ためには、トーチ管の材料としてセラミックスを選択す
るのが最適であるが、適性を備えたセラミックスの加工
性の制約に起因して、熱プラズマトーチの方式は、通
常、単管二重方式に限定される。一方、この単管二重方
式については、前述のように、従来の構造のままで大電
力プラズマを発生させることはOリング9の焼損防止の
ため行なうことはできず、従って、トーチ管を高耐熱性
のセラミックスにて構成する意義(高耐熱性を確保する
意義)が損われることとなる。
は、プラズマへのエネルギー供給源である高周波電源の
大電力化にともない、トーチ管の耐熱性向上並びにプラ
ズマ発光の遮断が要求されている。この要求を満足する
ためには、トーチ管の材料としてセラミックスを選択す
るのが最適であるが、適性を備えたセラミックスの加工
性の制約に起因して、熱プラズマトーチの方式は、通
常、単管二重方式に限定される。一方、この単管二重方
式については、前述のように、従来の構造のままで大電
力プラズマを発生させることはOリング9の焼損防止の
ため行なうことはできず、従って、トーチ管を高耐熱性
のセラミックスにて構成する意義(高耐熱性を確保する
意義)が損われることとなる。
【0010】本発明は、上述の如き種々の事情に鑑みて
なされたものであって、その目的は、単管二重方式の熱
プラズマトーチの冷却液シール用Oリングの大電力プラ
ズマ発生時における焼損防止を図ることができ、高耐熱
性材料(セラミックス等)のトーチ管を使用し得て大電
力にて熱プラズマを発生することができるような構成の
熱プラズマトーチを提供することにある。
なされたものであって、その目的は、単管二重方式の熱
プラズマトーチの冷却液シール用Oリングの大電力プラ
ズマ発生時における焼損防止を図ることができ、高耐熱
性材料(セラミックス等)のトーチ管を使用し得て大電
力にて熱プラズマを発生することができるような構成の
熱プラズマトーチを提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明では、内部に熱プラズマが発生される内筒
と、この内筒の周囲に配置された外筒との間に冷却液を
流すようにして成る熱プラズマトーチにおいて、前記内
筒の外周面に金属薄膜を形成し、前記金属薄膜に前記冷
却液をシールするシール部材を係着せしめるようにして
いる。
めに、本発明では、内部に熱プラズマが発生される内筒
と、この内筒の周囲に配置された外筒との間に冷却液を
流すようにして成る熱プラズマトーチにおいて、前記内
筒の外周面に金属薄膜を形成し、前記金属薄膜に前記冷
却液をシールするシール部材を係着せしめるようにして
いる。
【0012】
【作用】単管二重方式のトーチ管を構成する内筒の内部
に大電力プラズマを発生させた時に、内筒の内部の熱は
金属薄膜を介して熱伝導作用にて外部へ放熱され、冷却
液シール用のOリングは高温に加熱されず、Oリングの
焼損が防止される。
に大電力プラズマを発生させた時に、内筒の内部の熱は
金属薄膜を介して熱伝導作用にて外部へ放熱され、冷却
液シール用のOリングは高温に加熱されず、Oリングの
焼損が防止される。
【0013】
【実施例】以下、本発明の一実施例に付き図1を参照し
て説明する。なお、図1において図2と共通する部分に
は同一の符号を付すこととする。
て説明する。なお、図1において図2と共通する部分に
は同一の符号を付すこととする。
【0014】図1は、本発明を適用した単管二重方式の
熱プラズマトーチ31を示すものである。本例の熱プラ
ズマトーチ31は、トーチ管を構成する内筒1及び外筒
3が耐熱性の極めて高いセラミックスにて構成されてお
り、冷却液7をシールするOリング9が係着される内筒
1の下端部の外周面1aに金属薄膜32が全周に亘って
形成されている。従って、Oリング9はこの金属薄膜3
2を介して内筒1に係着されている。
熱プラズマトーチ31を示すものである。本例の熱プラ
ズマトーチ31は、トーチ管を構成する内筒1及び外筒
3が耐熱性の極めて高いセラミックスにて構成されてお
り、冷却液7をシールするOリング9が係着される内筒
1の下端部の外周面1aに金属薄膜32が全周に亘って
形成されている。従って、Oリング9はこの金属薄膜3
2を介して内筒1に係着されている。
【0015】なお、この金属薄膜32を内筒1に接合す
る方法は任意に選択可能であり、例えば、スパッタリン
グ、CVD、溶射、或いは金属テープの接着等で接合を
行なうことが可能である。また、金属薄膜32の厚さ
は、熱プラズマトーチ31の使用条件、金属薄膜32の
熱伝導性及び耐蝕性等を考慮して適宜に選定される。
る方法は任意に選択可能であり、例えば、スパッタリン
グ、CVD、溶射、或いは金属テープの接着等で接合を
行なうことが可能である。また、金属薄膜32の厚さ
は、熱プラズマトーチ31の使用条件、金属薄膜32の
熱伝導性及び耐蝕性等を考慮して適宜に選定される。
【0016】かくして、本例の熱プラズマトーチ31に
よれば、冷却液シール用Oリング9が係着される面は金
属薄膜32なので、この金属薄膜32の熱伝導作用によ
り前記Oリング9は効率良く冷却されることとなる。そ
のため、熱プラズマ2(大電力プラズマ)にて内筒1が
高温に加熱されても、Oリング9の焼損防止が図られ
る。
よれば、冷却液シール用Oリング9が係着される面は金
属薄膜32なので、この金属薄膜32の熱伝導作用によ
り前記Oリング9は効率良く冷却されることとなる。そ
のため、熱プラズマ2(大電力プラズマ)にて内筒1が
高温に加熱されても、Oリング9の焼損防止が図られ
る。
【0017】このような作用効果を確認するために、次
のような条件の下で実験を行なったところ、以下に示す
如き結果を得た。
のような条件の下で実験を行なったところ、以下に示す
如き結果を得た。
【0018】実験条件 Oリングの材質:バイトン 電力周波数 :4MHz プラズマガス :Ar+N2 (流量は各条件共一定) (1) 金属薄膜なしの場合 出力50kWの場合には冷却液の液漏れは認められなか
ったが、Oリングは内筒との接触箇所において融解変形
が発生した。出力60.1kWの場合には冷却液の液漏
れを生じた。 (2) 金属薄膜ありの場合 (a) スパッタリングによる銅薄膜 75kW以上
で漏液 (b) CVDによる銅薄膜 72kW以上
で漏液 (c) 溶射による銅薄膜 76kW以上
で漏液 (d) 銅テープ 82kwで正
常
ったが、Oリングは内筒との接触箇所において融解変形
が発生した。出力60.1kWの場合には冷却液の液漏
れを生じた。 (2) 金属薄膜ありの場合 (a) スパッタリングによる銅薄膜 75kW以上
で漏液 (b) CVDによる銅薄膜 72kW以上
で漏液 (c) 溶射による銅薄膜 76kW以上
で漏液 (d) 銅テープ 82kwで正
常
【0019】以上、本発明の一実施例に付き述べたが、
本発明は既述の実施例に限定されるものではなく、本発
明の技術的思想に基いて各種の変形及び変更が可能であ
る。例えば、Oリングの配設位置の変更に応じて金属薄
膜の配設位置を変更可能であり、また、Oリングの材質
は銅に限らず他の金属を使用し得る。さらに、Oリング
以外のシール部材であっても、本発明を適用し得ること
は言う迄もない。
本発明は既述の実施例に限定されるものではなく、本発
明の技術的思想に基いて各種の変形及び変更が可能であ
る。例えば、Oリングの配設位置の変更に応じて金属薄
膜の配設位置を変更可能であり、また、Oリングの材質
は銅に限らず他の金属を使用し得る。さらに、Oリング
以外のシール部材であっても、本発明を適用し得ること
は言う迄もない。
【0020】
【発明の効果】以上の如く、本発明は、単管二重方式ト
ーチ管の内筒の外周面に金属薄膜を形成してこの金属薄
膜に冷却液のシール部材を係着せしめるようにしたもの
であるから、シール部材は金属薄膜の熱伝導作用により
冷却(放熱)されることとなり、大電力プラズマ発生時
におけるシール部材の焼損防止を図ることができる。従
って、本発明に係る熱プラズマトーチの構造は耐熱性の
比較的低いシール材から成るシール部材を高温(シール
材の耐熱温度を超える温度)部位で使用する場合に特に
有効な構造を得ることができる。さらに、上述の如きシ
ール部材の焼損防止効果と相俟って単管二重方式におけ
る内筒の材料として高耐熱性のセラミックス等が使用可
能であるため、大電力プラズマ発生が可能なトーチを高
価な一体二重方式のものの代替として提供することがで
きる。
ーチ管の内筒の外周面に金属薄膜を形成してこの金属薄
膜に冷却液のシール部材を係着せしめるようにしたもの
であるから、シール部材は金属薄膜の熱伝導作用により
冷却(放熱)されることとなり、大電力プラズマ発生時
におけるシール部材の焼損防止を図ることができる。従
って、本発明に係る熱プラズマトーチの構造は耐熱性の
比較的低いシール材から成るシール部材を高温(シール
材の耐熱温度を超える温度)部位で使用する場合に特に
有効な構造を得ることができる。さらに、上述の如きシ
ール部材の焼損防止効果と相俟って単管二重方式におけ
る内筒の材料として高耐熱性のセラミックス等が使用可
能であるため、大電力プラズマ発生が可能なトーチを高
価な一体二重方式のものの代替として提供することがで
きる。
【図1】本発明に係る熱プラズマトーチの要部断面図で
ある。
ある。
【図2】従来の単管二重方式の熱プラズマトーチの要部
断面図である。
断面図である。
【図3】従来の一体二重方式の熱プラズマトーチの要部
断面図である。
断面図である。
1 内筒 1a 外周面 2 熱プラズマ 3 外筒 7 冷却液 9,10 Oリング 31 熱プラズマトーチ 32 金属薄膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H05H 1/24 - 1/42 B23K 10/00
Claims (1)
- 【請求項1】 内部に熱プラズマが発生される内筒と、
この内筒の周囲に配置された外筒との間に冷却液を流す
ようにして成る熱プラズマトーチにおいて、前記内筒の
外周面に金属薄膜を形成し、前記金属薄膜に前記冷却液
をシールするシール部材を係着せしめるようにしたこと
を特徴とする熱プラズマトーチ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04040689A JP3084115B2 (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 熱プラズマトーチ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04040689A JP3084115B2 (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 熱プラズマトーチ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05217692A JPH05217692A (ja) | 1993-08-27 |
JP3084115B2 true JP3084115B2 (ja) | 2000-09-04 |
Family
ID=12587525
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP04040689A Expired - Fee Related JP3084115B2 (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 熱プラズマトーチ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3084115B2 (ja) |
-
1992
- 1992-01-31 JP JP04040689A patent/JP3084115B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05217692A (ja) | 1993-08-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5423942A (en) | Method and apparatus for reducing etching erosion in a plasma containment tube | |
JP4121569B2 (ja) | 高出力プラズマベース反応種ジェネレータ | |
US6066836A (en) | High temperature resistive heater for a process chamber | |
KR100728400B1 (ko) | 탑재대 장치의 부착 구조체, 기판 처리 장치 및 탑재대 장치의 부착 구조체에 있어서의 급전선 사이의 방전 방지 방법 | |
TWI786178B (zh) | 支架、包括該支架的加熱器及包括該加熱器的沉積裝置 | |
ATE465508T1 (de) | Kühlbares infrarotstrahlerelement | |
EP0800200A2 (en) | Plasma applicators | |
JP3084115B2 (ja) | 熱プラズマトーチ | |
CN101098582B (zh) | 用于外包覆光纤的等离子体炬 | |
JP3520074B2 (ja) | セラミックサセプターの取付構造、セラミックサセプターの支持構造およびセラミックサセプターの支持部材 | |
KR940001263A (ko) | 성막장치 | |
KR20010056330A (ko) | 반도체소자 제조장치 | |
JP2002184844A (ja) | サセプターのチャンバーへの取付構造およびサセプターのチャンバーへの支持部材 | |
JP2005032898A (ja) | セラミックサセプターの支持構造 | |
JP3232946B2 (ja) | 誘電体バリア放電ランプ | |
JP2530356B2 (ja) | 誘導プラズマ発生装置 | |
JPH0248472A (ja) | 炭化珪素からなる大寸法加工物の結合方法及び装置 | |
JPH08279490A (ja) | プラズマ装置 | |
JPH0592165A (ja) | セラミツクス基板への金属溶射方法 | |
JPH03297034A (ja) | マグネトロン | |
KR101930788B1 (ko) | 기판 프로세싱 챔버의 냉각기 | |
JPH05195189A (ja) | インダクションプラズマ溶射方法 | |
JPH044544A (ja) | 液冷式マグネトロン | |
JPH07282994A (ja) | プラズマトーチのシール構造 | |
JP2001093839A (ja) | プラズマプロセス装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |