JP2002184844A - サセプターのチャンバーへの取付構造およびサセプターのチャンバーへの支持部材 - Google Patents
サセプターのチャンバーへの取付構造およびサセプターのチャンバーへの支持部材Info
- Publication number
- JP2002184844A JP2002184844A JP2000379950A JP2000379950A JP2002184844A JP 2002184844 A JP2002184844 A JP 2002184844A JP 2000379950 A JP2000379950 A JP 2000379950A JP 2000379950 A JP2000379950 A JP 2000379950A JP 2002184844 A JP2002184844 A JP 2002184844A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- support member
- susceptor
- chamber
- mounting structure
- thick
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
て、支持部材中に貫通孔を設けると共に、支持部材のチ
ャンバー側の端部の温度を低く制御し、かつサセプター
から支持部材中を伝達される熱を抑制する。 【解決手段】取付構造は、被処理物1を加熱するための
サセプター2と、サセプターの接合面2bに接合されて
おり、内側空間6Aが設けられている支持部材7と、支
持部材7に接合されている開口10bが設けられたチャ
ンバー10とを備える。支持部材7の横断面の外側輪郭
7fが略真円形をなしており、支持部材10が肉厚部分
と肉薄部分とを有しており、支持部材10の肉厚部分の
中に、サセプター側の端面7gからチャンバー10側の
端面7eへと向かって延びる貫通孔8A、8Bが設けら
れている。
Description
ンバーへの取付構造およびサセプターのチャンバーへの
支持部材に関するものである。
6に示すように、セラミックヒーター2をチャンバー1
0の内側壁面へと取り付ける必要がある。このため、セ
ラミックス板製の筒状の支持部材21の一端21aをセ
ラミックヒーター2の接合面(背面)2bへと取り付
け、この支持部材21の他端21cをチャンバー10の
内側壁面10dへと取り付けることが行われている。支
持部材21は、アルミナ、窒化アルミニウム等の耐熱性
のセラミックスによって形成されている。支持部材21
の内側空間6とチャンバー10の開口10aとを連通さ
せる。支持部材21とチャンバー10との間はOリング
20によって気密に封止する。これによって、支持部材
21の内側空間6とチャンバー10の内部空間5との間
を気密に封止し、チャンバー10の内部空間5内のガス
がチャンバー10の外部へと漏れないようにする。セラ
ミックサセプター2内には、例えば抵抗発熱体4が埋設
されており、抵抗発熱体4が一対の棒状の端子9に対し
て接続されている。端子9は、図示しない外部のケーブ
ルに対して接続されている。
いては、棒状の端子9の先端9aがセラミックサセプタ
ー2の背面(接合面)2b側の中に埋設され、固定され
ている。端子9の他端は、図示しない外部の電力供給ケ
ーブルに対して接続する必要がある。このため、外部の
電力供給ケーブルから矢印A方向の応力が加わると、先
端9aの近辺に過大な応力が加わるおそれがある。ま
た、端子や電力供給ケーブルが、プロセスガスやクリー
ニングガス等の腐食性ガスに曝露され、腐食を受けると
いう問題がある。また、電力供給ケーブル間での放電を
防ぐために、各ケーブルを絶縁管の中に挿入し、ケーブ
ル間を絶縁する必要がある。
支持部材21の厚さを全体に厚くし、支持部材21中
に、セラミックサセプター2の背面2bからチャンバー
10の内壁10dに至る貫通孔を形成し、この貫通孔の
中に端子9を挿入することを考えた。このように支持部
材21に形成した貫通孔中に端子9を保持することによ
って、端子9に対して矢印A方向の応力が加わっても、
端子9は支持部材21によって保持され、端子9の先端
9aの近辺には応力が加わりにくいはずである。また、
支持部材の貫通孔が上記絶縁管の役割を果たすため、支
持部材とは別体の絶縁管を新たに設け、絶縁管の中にケ
ーブルを挿入する必要がない。
孔を形成する場合には、別の問題点が発生することを発
見した。即ち、セラミックサセプター2の半導体ウエハ
ー設置面(加熱面)2aの温度は、例えば400℃以
上、時には600℃以上にも達する。一方、Oリング等
のゴム製の封止部材20は高熱には耐えられず、その耐
熱温度は通常200℃程度である。このため、チャンバ
ー内に冷却フランジ30を設けることによって、Oリン
グの周辺を冷却し、Oリングの周辺の温度が200℃以
下となるように調節する必要がある。
が上記のように高くなり、支持部材21の一端21aの
温度が例えば400℃を超えると、支持部材21の他端
21cの温度を200℃以下に冷却したものとすると、
支持部材の内部における温度勾配は200℃以上とな
る。
に、端子9の挿入可能な貫通孔を形成するためには、支
持部材21それ自体をかなり厚くする必要がある。しか
し、支持部材21を肉厚にすると、前述のように温度勾
配があることから、支持部材を伝搬する熱伝導量が大き
くなる。この結果、支持部材の接合部分21aの近辺か
らの熱伝導の増大によって、加熱面2aにコールドスポ
ットが生ずる。一方、コールドスポットが生じないよう
にすためには、支持部材からの熱の逃げを減少させる必
要があるが、この場合には封止部材20の近辺の温度が
200℃を超えるおそれがある。
のサセプターと、このサセプターの接合面に接合されて
おり、内側空間が設けられている支持部材と、この支持
部材に接合されている開口が設けられたチャンバーとを
備えており、チャンバーの開口と支持部材の内側空間と
が連通しており、支持部材の内側空間が前記チャンバー
の内部空間に対して気密に封止されている取付構造にお
いて、支持部材中に貫通孔を設けると共に、支持部材の
チャンバー側の端部の温度を低く制御できるようにし、
かつサセプターから支持部材中を伝達される熱を抑制す
ることである。
熱するためのサセプターと、このサセプターの接合面に
接合されており、内側空間が設けられている支持部材
と、この支持部材に接合されている開口が設けられたチ
ャンバーとを備えており、チャンバーの開口と支持部材
の内側空間とが連通しており、支持部材の内側空間がチ
ャンバーの内部空間に対して気密に封止されている取付
構造であって、支持部材の横断面の外側輪郭が略真円形
をなしており、支持部材が肉厚部分と肉薄部分とを有し
ており、支持部材の肉厚部分の中にサセプター側の端面
からチャンバー側の端面へと向かって延びる貫通孔が設
けられていることを特徴とする。
孔を設けることによって、貫通孔の周囲の強度を確保
し、同時に、貫通孔が存在しない領域は肉薄部分とする
ことによって、支持部材を伝達される熱を抑制すること
を想到した。このように、サセプターの支持部材に貫通
孔を設けると共に、支持部材の横断面の形態を工夫する
ことで熱の伝達を抑制し、支持部材のチャンバー側端部
の温度上昇とサセプター中のコールドスポット発生とを
同時に防止することは、類例がない。
数の貫通孔が設けられている。
材に2つの肉厚部分と2つの肉薄部分とが交互に設けら
れており、各肉厚部分内にそれぞれ貫通孔が設けられて
いる。
細に説明する。
バー10への取付構造を示す断面図である。サセプター
2の接合面2bが、支持部材7の一端7aに対して接合
されている。この接合方法は特に限定されず、例えばろ
う材によって接合でき、あるいは特開平8−73280
号公報に記載のようにして固相接合できる。サセプター
2の加熱面2aの最高温度は、例えば400℃以上、時
には600℃以上、1200℃以下に達する。支持部材
7の他端7cがチャンバー10の内側壁面10dに対し
て接合されており、これら両者の間が封止部材12によ
って封止されている。封止部材12は、チャンバー10
の凹部10c内に収容されており、支持部材7の端面7
eに当接している。7bは筒状部である。なお、3は高
周波発生用電極である。
ー10の開口10bおよび支持部材7の内側空間6Aが
連通しており、チャンバー10の内部空間5とは隔離さ
れている。チャンバー10内に冷却フランジ30を設け
ることによって、封止部材12の周辺を冷却し、封止部
材12の周辺の温度が200℃以下となるように調節し
ている。
3は、本発明外の形態の支持部材17を示す横断面図で
あり、図4は、封止部材12の平面形状を示す図であ
る。
る。これは、幾何学的な真円形状だけでなく、製造上の
誤差程度は許容する趣旨である。支持部材7を横断面に
沿って見ると、二つの肉厚部分23と、二つの肉薄部分
24とが交互に形成されており、各肉厚部分23内に貫
通孔8A、8Bが形成されている。各貫通孔は、支持部
材7の全長にわたって延びている。貫通孔8A、8Bの
一方の開口は、支持部材7のサセプター側の端面7gに
達しており、他端の開口はチャンバー10側の端面7e
に達している。
に対向する略直線状部分13と、2つの湾曲部分14と
を備えている。各湾曲部分14は、それぞれ二つの略直
線状部分13によって挟まれている。略直線状部分13
と外側輪郭7fとの間に肉厚部分23が形成されてお
り、湾曲部分14と外側輪郭7fとの間に肉薄部分が形
成されている。
されている。本例では、更にチャンバー10に貫通孔1
0aが形成されており、各貫通孔10aは各貫通孔8
A、8Bと連通しており、各貫通孔10a中に端子9が
挿入されている。
の外側輪郭17fおよび内側輪郭17dの双方が略真円
形であると、支持部材17の全長にわたって、貫通孔8
A、8Bの周囲のセラミック強度を保持するのに足るだ
けの肉厚dが必要である。この結果、支持部材17の一
端と他端との間の温度差が、前述のように大きくなる
と、支持部材17を伝搬する熱が大きくなり、コールド
スポットが生ずる。
持部材7の断面積を最小限に抑制することができ、従っ
て、サセプターにコールドスポットを生じさせることな
く、支持部材の一端と他端との間で、従来よりも高い温
度勾配を付与することが可能になる。
を生成させることによって、貫通孔の周辺に所望のセラ
ミック強度を付与しつつ、支持部材の断面積を最小限に
設定できる。
部材の強度が低下する傾向がある。これを防止するため
には、貫通孔の周囲の厚さを大きくする必要がある。図
2の例では、貫通孔が存在する肉厚部分の厚さbをでき
るだけ大きくすることが望ましい。貫通孔の近辺のセラ
ミック強度は、貫通孔の直径が一定であるものと仮定す
ると、ほぼこの肉厚bによって決定される。
度を与えるような厚さbが一定値であるものとする。ま
た、肉薄部分24に所定の強度を与えるような厚さcが
一定値であるものとする。このように、所望の厚さb、
cが予め設定された条件下では、13が湾曲している場
合よりも、13が略直線状をなしている場合の方が、支
持部材7の横断面の断面積が小さくなる。従って、略直
線状部分と湾曲部分とを組みあわせた形態が最も好まし
い。
材の外側輪郭を真円形状とする。サセプターの温度が上
昇すると、サセプターと支持部材との接合部の付け根の
外側に最大応力が集中する。この際、支持部材の外側輪
郭を真円形状とすることによって、支持部材の外側輪郭
に均等に応力が分散する。支持部材の外側輪郭を真円形
状以外の形状、例えば楕円形状とすると、外側輪郭のう
ち最も曲率半径Rの小さい箇所に応力が集中する傾向が
ある。
ず、真円の円弧、楕円の円弧であってよく、また二次曲
線、三次曲線、放物線、対数曲線等であってよいが、真
円または楕円の円弧形状が最も好ましい。
Aの長径nとの比率は、1:1−5とすることが好まし
い。また、貫通孔8A、8Bの直径と肉厚部分23の幅
bの比率は、1:4−10とすることが好ましい。
材を使用する。この封止部材12には、中央の貫通孔1
2bと、両側の二つの貫通孔12aとが形成されてい
る。中央の貫通孔12bは、支持部材7の内側空間6A
と連通するものであり、両側の各貫通孔12aは、それ
ぞれ、チャンバーの貫通孔10aおよび支持部材7の貫
通孔8A、8Bと連通するものである。
側輪郭が略楕円形をなしている。例えば、図5に示す支
持部材27は、2つの肉厚部分23と二つの肉薄部分2
4とからなっている。支持部材27の外側輪郭27fは
略真円形であり、支持部材27の内側輪郭27dは略楕
円形である。こうした形状であれば、肉厚部分と肉薄部
分との間での厚さの変化が緩やかなので、支持部材中に
クラックが発生しにくい。
は、1〜9:1とすることが好ましい。
部分の厚さcとの比率は、1〜7:1とすることが好ま
しい。
限定されない。しかし、ハロゲン系腐食性ガスに対して
耐蝕性を有するセラミックスが好ましく、特に窒化アル
ミニウムまたは緻密質アルミナが好ましく、95%以上
の相対密度を有する窒化アルミニウム質セラミックス、
アルミナが一層好ましい。
されるが、その加熱源は限定されず、外部の熱源(例え
ば赤外線ランプ)によって加熱されるサセプターと、内
部の熱源(例えばサセプター内に埋設されたヒーター)
によって加熱されるサセプターとの双方を含む。サセプ
ター中には、抵抗発熱体、静電チャック用電極、プラズ
マ発生用電極などの機能性部品を埋設することができ
る。
の貫通孔と支持部材の貫通孔とを連通させ、連通した支
持部材の貫通孔とサセプターの貫通孔とを通して、チャ
ンバーの外側からサセプターの表面側へと向かってガス
を供給できる。また、連通した支持部材の貫通孔とサセ
プターの貫通孔とを通して、サセプターの表面側からチ
ャンバーの外側へと向かってガスを排気できる。
グシールやメタルリングシールを例示できる。
構造を作製した。サセプター2としては、直径250m
m、厚さ20mmの窒化アルミニウム焼結体製の円盤を
使用した。支持部材7は、緻密質の窒化アルミニウム焼
結体によって成形した。支持部材7の高さは180mm
とした。支持部材7とサセプター2とを、特開平8−7
3280号公報に記載のようにして固相接合した。支持
部材7とチャンバー10との間は、ネジによって締めつ
け固定した。Oリング12はフッ素ゴムからなる。
である(図2を参照)。 m: 20mm n: 45mm a: 30mm b: 12mm c: 4mm 貫通孔8A、8Bの直径: 5mm
温度を約600°に加熱した。水冷フランジに水を流す
ことによって、支持部材とチャンバーとの接合部の温度
を約200℃に保持した。雰囲気圧力は窒素ガス600
Torrとした。加熱面上にシリコンウエハー1を設置
した。この状態では、シリコンウエハーに、支持部材の
形態に対応するコールドスポットは観測されなかった。
作製した。ただし、支持部材としては、図3に示す支持
部材17を使用した。支持部材17の各寸法は以下のと
おりである。 d: 55mm 貫通孔8A、8Bの直径: 5mm 内側空間6の直径: 30mm
度を約600°に加熱した。水冷フランジに水を流すこ
とによって、支持部材とチャンバーとの接合部の温度を
約200℃に保持した。雰囲気圧力は窒素ガス600T
orrとした。加熱面上にシリコンウエハー1を設置し
た。この状態では、シリコンウエハーに、支持部材の形
態に対応するコールドスポットが観測された(温度差約
15℃)。
で、水冷フランジにおける水の流量を減少させていく
と、支持部材とチャンバーとの接合部分の温度は約33
0℃に上昇した。
セプターのチャンバーへの取付構造において、支持部材
中に貫通孔を設けると共に、支持部材のチャンバー側の
端部の温度を低く制御でき、かつサセプターから支持部
材中を伝達される熱を抑制できる。
である。
断面図である。
セプター2の加熱面 2b サセプター2の背面
(接合面) 3 高周波発生用電極 4
抵抗発熱体 5 チャンバー10の内部空間
6、6A、6B 支持部材の内側空間 7、27
本発明例の支持部材 7a 支持部材7のサセプター側の端部 7b、
27b 筒状部 7c 支持部材7のチャンバー側の端部 7d、
17d、27d 支持部材の内側輪郭 7e 支
持部材のチャンバー側の端面 7f、17f、2
7f 外側輪郭 7g 支持部材のサセプター側
の端面 9端子 10 チャンバー
10a チャンバー10の貫通孔 10b チャンバー10の開口 10c チャン
バー10の封止部材収容用凹部 10d チャン
バー10の内壁面 13 略直線状部分
14 湾曲部分 23 肉厚部分 24
肉薄部分 30 冷却フランジ
Claims (13)
- 【請求項1】被処理物を加熱するためのサセプターと、
このサセプターの接合面に接合されており、内側空間が
設けられている支持部材と、この支持部材に接合されて
いる開口が設けられたチャンバーとを備えており、前記
チャンバーの前記開口と前記支持部材の前記内側空間と
が連通しており、前記支持部材の前記内側空間が前記チ
ャンバーの内部空間に対して気密に封止されている取付
構造であって、 前記支持部材の横断面の外側輪郭が略真円形をなしてお
り、前記支持部材が肉厚部分と肉薄部分とを有してお
り、前記支持部材の前記肉厚部分の中に前記サセプター
側の端面から前記チャンバー側の端面へと向かって延び
る貫通孔が設けられていることを特徴とする、取付構
造。 - 【請求項2】前記サセプターの材質または前記支持部材
の材質がセラミックスであることを特徴とする、請求項
1記載の取付構造。 - 【請求項3】前記支持部材に複数の前記貫通孔が設けら
れていることを特徴とする、請求項1または2記載の取
付構造。 - 【請求項4】前記支持部材に2つの前記肉厚部分と2つ
の前記肉薄部分とが交互に設けられており、前記の各肉
厚部分内にそれぞれ前記貫通孔が設けられていることを
特徴とする、請求項1−3のいずれか一つの請求項に記
載の取付構造。 - 【請求項5】前記支持部材の横断面の内側輪郭が、2つ
の互いに対向する略直線状部分と、それぞれ略直線状部
分に挟まれた2つの湾曲部分とを備えており、前記略直
線状部分と前記外側輪郭との間に前記肉厚部分が形成さ
れており、前記湾曲部分と前記外側輪郭との間に前記肉
薄部分が形成されていることを特徴とする、請求項1−
4のいずれか一つの請求項に記載の取付構造。 - 【請求項6】前記支持部材の横断面の内側輪郭が楕円形
であることを特徴とする、請求項1−4のいずれか一つ
の請求項に記載の取付構造。 - 【請求項7】前記支持部材が前記チャンバーに対してゴ
ム製の封止部材によって封止されていることを特徴とす
る、請求項1−6のいずれか一つの請求項に記載の取付
構造。 - 【請求項8】被処理物を加熱するためのサセプターを、
開口が設けられたチャンバーに対して取り付けるための
支持部材であって、 この支持部材に内側空間が設けられており、前記支持部
材の横断面の外側輪郭が略真円形をなしており、前記支
持部材が肉厚部分と肉薄部分とを有しており、前記支持
部材の前記肉厚部分の中に前記サセプター側の端面から
前記チャンバー側の端面へと向かって延びる貫通孔が設
けられていることを特徴とする、支持部材。 - 【請求項9】前記サセプターの材質または前記支持部材
の材質がセラミックスであることを特徴とする、請求項
8記載の支持部材。 - 【請求項10】前記支持部材に複数の前記貫通孔が設け
られていることを特徴とする、請求項8または9記載の
支持部材。 - 【請求項11】前記支持部材に2つの前記肉厚部分と2
つの前記肉薄部分とが交互に設けられており、前記の各
肉厚部分内にそれぞれ前記貫通孔が設けられていること
を特徴とする、請求項8−10のいずれか一つの請求項
に記載の支持部材。 - 【請求項12】前記支持部材の横断面の内側輪郭が、2
つの互いに対向する略直線状部分と、それぞれ略直線状
部分に挟まれた2つの湾曲部分とを備えており、前記略
直線状部分と前記外側輪郭との間に前記肉厚部分が形成
されており、前記湾曲部分と前記外側輪郭との間に前記
肉薄部分が形成されていることを特徴とする、請求項8
−10のいずれか一つの請求項に記載の支持部材。 - 【請求項13】前記支持部材の横断面の内側輪郭が楕円
形であることを特徴とする、請求項8−10のいずれか
一つの請求項に記載の支持部材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000379950A JP4282221B2 (ja) | 2000-12-14 | 2000-12-14 | サセプターのチャンバーへの取付構造およびサセプターのチャンバーへの支持部材 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000379950A JP4282221B2 (ja) | 2000-12-14 | 2000-12-14 | サセプターのチャンバーへの取付構造およびサセプターのチャンバーへの支持部材 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002184844A true JP2002184844A (ja) | 2002-06-28 |
JP4282221B2 JP4282221B2 (ja) | 2009-06-17 |
Family
ID=18848223
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000379950A Expired - Lifetime JP4282221B2 (ja) | 2000-12-14 | 2000-12-14 | サセプターのチャンバーへの取付構造およびサセプターのチャンバーへの支持部材 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4282221B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004056084A (ja) * | 2002-03-13 | 2004-02-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置用保持体 |
JP2004128232A (ja) * | 2002-10-03 | 2004-04-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | セラミックス接合体、ウエハ保持体及び半導体製造装置 |
US7686889B2 (en) | 2007-03-26 | 2010-03-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Susceptor for semiconductor manufacturing apparatus |
US7718930B2 (en) | 2003-04-07 | 2010-05-18 | Tokyo Electron Limited | Loading table and heat treating apparatus having the loading table |
US9706605B2 (en) | 2012-03-30 | 2017-07-11 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with feedthrough structure |
CN108342691A (zh) * | 2018-05-21 | 2018-07-31 | 深圳市原速光电科技有限公司 | 一种加热装置及一种真空镀膜系统 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6078450B2 (ja) | 2012-10-26 | 2017-02-08 | 日本碍子株式会社 | 半導体製造装置用部材及びその製法 |
US10840117B2 (en) | 2016-09-12 | 2020-11-17 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Holding apparatus |
-
2000
- 2000-12-14 JP JP2000379950A patent/JP4282221B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004056084A (ja) * | 2002-03-13 | 2004-02-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置用保持体 |
JP2004128232A (ja) * | 2002-10-03 | 2004-04-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | セラミックス接合体、ウエハ保持体及び半導体製造装置 |
US7718930B2 (en) | 2003-04-07 | 2010-05-18 | Tokyo Electron Limited | Loading table and heat treating apparatus having the loading table |
US7686889B2 (en) | 2007-03-26 | 2010-03-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Susceptor for semiconductor manufacturing apparatus |
US9706605B2 (en) | 2012-03-30 | 2017-07-11 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with feedthrough structure |
CN108342691A (zh) * | 2018-05-21 | 2018-07-31 | 深圳市原速光电科技有限公司 | 一种加热装置及一种真空镀膜系统 |
CN108342691B (zh) * | 2018-05-21 | 2024-04-26 | 深圳市原速光电科技有限公司 | 一种加热装置及一种真空镀膜系统 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4282221B2 (ja) | 2009-06-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6878211B2 (en) | Supporting structure for a ceramic susceptor | |
US7560668B2 (en) | Substrate processing device | |
WO2004028208A1 (ja) | ウエハー保持体及び半導体製造装置 | |
KR100575904B1 (ko) | 성막용 장치 | |
JP2009094138A (ja) | ウエハ保持体および半導体製造装置 | |
US20080314320A1 (en) | Chamber Mount for High Temperature Application of AIN Heaters | |
JP2002184844A (ja) | サセプターのチャンバーへの取付構造およびサセプターのチャンバーへの支持部材 | |
JP3520074B2 (ja) | セラミックサセプターの取付構造、セラミックサセプターの支持構造およびセラミックサセプターの支持部材 | |
JP3810216B2 (ja) | 試料加熱装置および処理装置並びにそれを用いた試料の処理方法 | |
US6997993B2 (en) | Susceptor supporting construction | |
JP4518370B2 (ja) | セラミックサセプターの支持構造 | |
JP3554555B2 (ja) | サセプターの支持構造 | |
JP4101425B2 (ja) | セラミックスサセプターのチャンバーへの取付構造および支持構造 | |
JP2004128232A (ja) | セラミックス接合体、ウエハ保持体及び半導体製造装置 | |
JP3534738B2 (ja) | セラミックサセプターの取付構造、セラミックサセプターの支持構造およびセラミックサセプター用支持部材 | |
JP4026751B2 (ja) | 半導体製造装置およびその製造方法 | |
JP2004247745A (ja) | サセプターの支持構造 | |
WO2023189954A1 (ja) | 試料保持具 | |
JP2698537B2 (ja) | 加熱装置 | |
JPH10189490A (ja) | 高温抵抗式ヒーター | |
US20040144312A1 (en) | Systems for producing semiconductors and members therefor | |
JPH04299832A (ja) | 半導体ウエハー加熱装置 | |
JPH06260687A (ja) | ガス処理装置 | |
JP2004207465A (ja) | ステージ | |
JPH05267193A (ja) | 加熱装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060825 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090226 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090317 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090317 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4282221 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120327 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130327 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140327 Year of fee payment: 5 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |