JP3083557U - 低熱抵抗発光ダイオード構造 - Google Patents
低熱抵抗発光ダイオード構造Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光チップの接合面温度を空気中における熱
抵抗（Ｒθｊａ）に降下させることができ、発光ダイオ
ードの機能を向上出来る考案を提供する。 【解決手段】 放熱板を有し、放熱板に発光チップを設
け、発光チップのパッドが印刷電気回路基板と接続さ
れ、且つ保護被覆層を形成する低熱抵抗発光ダイオード
と、前記低熱抵抗発光ダイオードの放熱板と連結する放
熱ベースと、前記放熱ベースと連結する第２電気回路基
板とからなる。
抵抗（Ｒθｊａ）に降下させることができ、発光ダイオ
ードの機能を向上出来る考案を提供する。 【解決手段】 放熱板を有し、放熱板に発光チップを設
け、発光チップのパッドが印刷電気回路基板と接続さ
れ、且つ保護被覆層を形成する低熱抵抗発光ダイオード
と、前記低熱抵抗発光ダイオードの放熱板と連結する放
熱ベースと、前記放熱ベースと連結する第２電気回路基
板とからなる。
Description
【０００１】
本考案は低熱抵抗発光ダイオード構造に係るものであり、特に発光チップの接 合面温度を空気中における熱抵抗（Ｒθｊａ）に降下させることができる構造に 関わり、発光ダイオードの機能を向上出来るものである。
【０００２】
従来の発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージング技術はゲルによってチップを 支持フレームに固定し、それからチップのパッドと支持フレームとの間に金属線 を設けて連通させ、最後にエポキシ樹脂によってパッケージング成形する。応用 では、当該発光ダイオードを挿嵌の方式によって印刷電気回路基板に半田付け固 定する。
【０００３】 発光ダイオードの発光機能と寿命とチップの接合面温度と反比例を成し、即ち 、チップの接合面温度が高ければ高いほどＬＥＤの明るさが減衰し、寿命が短縮 する。前記の発光ダイオードは支持フレームによって放熱するので放熱効果が劣 っている。
【０００４】
そのため、本考案は発光チップの接合面温度を空気中における熱抵抗（Ｒθｊ ａ）までに降下させることができる構造を提供することを目的とする。
【０００５】
本考案は、発光チップを放熱板に粘着固定すると共に、当該発光チップのパッ ドを印刷電気回路基板と接続し、且つ被覆層を形成し、これらの処置によって良 好的な放熱効果を図ることを特徴とする低熱抵抗の発光ダイオードパッケージン グ構造を提供する。
【０００６】 また、本考案は、低熱抵抗パッケージング成形の発光ダイオードを放熱ベース と電気回路基板に粘着固定する構造を提供すえることを他の目的とし、放熱板の 低熱抵抗と導熱性が好ましい特性によって低熱抵抗発光ダイオードの発光チップ 内の温度を放熱板と放熱ベースを介して導出し、大面積の放熱板によって放熱す るので、低Ｒθｊａを得られ、発光ダイオードの機能を向上出来る。
【０００７】 本考案の特徴と技術内容を解明するために、以下に添付図面を参照しながら本 考案の好適な実施の形態を詳細に説明するが、それらの説明は本考案の実施例に 過ぎず、本考案の構成の絶対的な制限にならないことを予め言明する。
【０００８】
図１と図２に示すように、本考案は低熱抵抗発光ダイオード構造であり、低熱 抵抗発光ダイオード１と電気回路基板２と放熱ベース３とを含み、そのうち、低 熱抵抗発光ダイオード１には放熱板１０が設けられ、放熱板１０に凹穴１１が形 成され、そこに発光チップ１２が粘着固定され、発光チップ１２のパッドが印刷 電気回路基板１３と接続され、且つ被覆層１４を形成し、これらの処理によって 低熱抵抗パッケージングの発光ダイオードを形成し、良好的な放熱効果を図る。
【０００９】 また、図１ないし図３に示すように、本考案は低熱抵抗発光ダイオード１の印 刷電気回路基板１３に銅箔回路１５を設けることによって電気回路基板２と放熱 ベース３と接続し、放熱板の低熱抵抗と導熱性が好ましいなどの特性によってチ ップ内の温度を放熱板１０と放熱ベース３より導出し、大面積の放熱板によって 放熱するので、低Ｒθｊａを得られ、発光ダイオードの機能を向上出来る。
【００１０】 図４は本考案の組立の他の実施例である。低熱抵抗発光ダイオード１の印刷電 気回路基板１３に銅箔回路１５を介して電気回路基板２と接続し、放熱板１０の 底面部が直接に放熱ベース３と接続し、これらの処理によって発光チップ１２の Ｒθｊａ降下させ、発光ダイオードの機能を向上するようになる。
【００１１】 図５ないし図７に示すように、本考案による低熱抵抗発光ダイオード１の印刷 電気回路基板１３において接続レッグ（またはコネクタ）１６を介して放熱ベー ス３と電気回路基板２と接続出来る。これらの処理によって発光チップ１２のＲ θｊａを降下出来、発光ダイオードの機能を向上出来る。
【００１２】 また、図７に示すように、本考案は放熱ベース３と電気回路基板２との連結部 位に導通孔４が形成され、印刷電気回路基板１３の接続レッグ１６がスポット溶 接の方式によって一体になるように接続出来、これらの処理によって発光チップ １２のＲθｊａを降下出来、発光ダイオードの機能を向上出来る。
【００１３】 また、前記に説明した構造は本考案の好適な実施の形態に過ぎず、本考案の構 造の特徴はこれらのみに制限するものではなく、当該技術を熟知する技術者は本 考案の分野で容易に修飾や変化を行え、例えば、印刷電気回路基板と電気回路基 板として硬性印刷電気回路基板や軟性印刷電気回路基板や金属支持銅片などを採 用出来、または金属板に直接に回路層を塗布しても本考案の目的を達成出来る。
【００１４】
前記に説明したように、本考案の組立構造による場合、効果的にＲθｊａを降 下出来、発光ダイオードの機能を向上出来、産業上の利用性を有し、照明設備や 交通信号や警告装置表示器などに応用出来る。
【図１】本考案の低熱抵抗発光ダイオードの外見を示す
図である。
図である。
【図２】図１の側面図である。
【図３】本考案の組立の第１実施例を示す図である。
【図４】本考案の組立の第２実施例を示す図である。
【図５】本考案の低熱抵抗発光ダイオードの他の外見を
示す図である。
示す図である。
【図６】図５の側面図である。
【図７】本考案の組立の第３実施例を示す図である。
１ 低熱抵抗発光ダイオード １０ 放熱板 １１ 凹穴 １２ 発光チップ １３ 印刷電気回路基板 １４ 被覆層 １５ 銅箔回路 １６ 接続レッグ ２ 電気回路基板 ３ 放熱ベース ４ 導通孔
Claims (7)
- 【請求項１】 放熱板を有し、放熱板に発光チップを設
け、発光チップのパッドが印刷電気回路基板と接続さ
れ、且つ保護被覆層を形成する低熱抵抗発光ダイオード
と、 前記低熱抵抗発光ダイオードの放熱板と連結する放熱ベ
ースと、 前記放熱ベースと連結する第２電気回路基板とからな
り、 これらの構成によって発光チップの接合面温度を空気中
の熱抵抗になるまで降下することによって発光ダイオー
ドの機能を向上することを特徴とする低熱抵抗発光ダイ
オード構造。 - 【請求項２】 前記低熱抵抗発光ダイオードの印刷電気
回路基板において銅箔回路や接続レッグやコネクタなど
によって電気回路基板と放熱ベースと一体になるように
連結することを特徴とする請求項１に記載の低熱抵抗発
光ダイオード構造。 - 【請求項３】 前記印刷電気回路基板と電気回路基板と
して硬性印刷電気回路基板や軟性印刷電気回路基板や金
属支持銅片や金属板に直接に回路層を塗布することがで
きることを特徴とする請求項１に記載の低熱抵抗発光ダ
イオード構造。 - 【請求項４】 前記電気回路基板と放熱ベースとの連結
部位に導通孔が形成され、低熱抵抗発光ダイオードがコ
ネクタや接続レッグなどを介して連結することを特徴と
する請求項１に記載の低熱抵抗発光ダイオード構造。 - 【請求項５】 放熱板を有し、放熱板に発光チップを設
け、発光チップのパッドが印刷電気回路基板と接続さ
れ、且つ保護被覆層を形成する低熱抵抗発光ダイオード
と、 前記低熱抵抗発光ダイオードの放熱板と連結する放熱ベ
ースと、 前記印刷電気回路基板と連結する電気回路基板とからな
り、 これらの構成によって発光チップの接合面温度を空気中
の熱抵抗になるまで降下することによって発光ダイオー
ドの機能を向上することを特徴とする低熱抵抗発光ダイ
オード構造。 - 【請求項６】 前記低熱抵抗発光ダイオードの印刷電気
回路基板において銅箔回路や接続レッグやコネクタなど
によって電気回路基板と放熱ベースと一体になるように
連結することを特徴とする請求項５に記載の低熱抵抗発
光ダイオード構造。 - 【請求項７】 前記印刷電気回路基板と電気回路基板と
して硬性印刷電気回路基板や軟性印刷電気回路基板や金
属支持銅片や金属板に直接に回路層を塗布することがで
きることを特徴とする請求項５に記載の低熱抵抗発光ダ
イオード構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001004804U JP3083557U (ja) | 2001-07-23 | 2001-07-23 | 低熱抵抗発光ダイオード構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001004804U JP3083557U (ja) | 2001-07-23 | 2001-07-23 | 低熱抵抗発光ダイオード構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP3083557U true JP3083557U (ja) | 2002-02-08 |
Family
ID=43235064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001004804U Expired - Lifetime JP3083557U (ja) | 2001-07-23 | 2001-07-23 | 低熱抵抗発光ダイオード構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3083557U (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012049565A (ja) * | 2011-11-21 | 2012-03-08 | Sharp Corp | 電子装置 |
| US8766313B2 (en) | 2010-02-24 | 2014-07-01 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Mounting board and structure of the same |
| US9768153B2 (en) | 2003-04-01 | 2017-09-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting apparatus |
| JP2018011035A (ja) * | 2016-06-30 | 2018-01-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| US10396261B2 (en) | 2016-06-30 | 2019-08-27 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device |
-
2001
- 2001-07-23 JP JP2001004804U patent/JP3083557U/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US10741533B2 (en) | 2003-04-01 | 2020-08-11 | Xiamen San'an Optoelectronics Co., Ltd. | Light-emitting package |
| US11424210B2 (en) | 2003-04-01 | 2022-08-23 | Xiamen San'an Optoelectronics Co., Ltd. | Light-emitting package |
| US11476227B2 (en) | 2003-04-01 | 2022-10-18 | Xiamen San'an Optoelectronics Co., Ltd. | Light-emitting apparatus |
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| DE112011100650B4 (de) * | 2010-02-24 | 2020-12-31 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Trägerplatine und struktur von dieser |
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| US10396261B2 (en) | 2016-06-30 | 2019-08-27 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device |
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