JP3082161B2 - 配線層形成法 - Google Patents
配線層形成法Info
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Description
【０００１】本発明は、シリコンでなる半導体基板上に
形成され且つその半導体基板を外部に臨ませる窓を有す
る絶縁膜上に、その絶縁膜の窓を介して上記半導体基板
に連結しているＡｌ合金でなる配線層を形成する配線層
形成法に関する。
形成され且つその半導体基板を外部に臨ませる窓を有す
る絶縁膜上に、その絶縁膜の窓を介して上記半導体基板
に連結しているＡｌ合金でなる配線層を形成する配線層
形成法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、図４〜図６を伴って次に述べる配
線層の形成法が提案されている。
線層の形成法が提案されている。
【０００３】すなわち、予め用意された、シリコン（Ｓ
ｉ）でなり且つ例えばｐ型を有する半導体基板１上に、
例えばシリコン酸化物（ＳｉＯ２）でなる絶縁膜２を、
熱酸化法、ＣＶＤ法などによって形成する（図４Ａ）。
ｉ）でなり且つ例えばｐ型を有する半導体基板１上に、
例えばシリコン酸化物（ＳｉＯ２）でなる絶縁膜２を、
熱酸化法、ＣＶＤ法などによって形成する（図４Ａ）。
【０００４】次に、絶縁膜２に、半導体基板１を外部に
臨ませる窓３を形成する（図４Ｂ）。
臨ませる窓３を形成する（図４Ｂ）。
【０００５】次に、半導体基板１に対する絶縁膜２をマ
スクとする、ｎ型を与える不純物のイオンの打込処理に
よって、半導体基板１内に、窓３に臨む領域において、
ｎ型を有する半導体領域４を形成する（図４Ｃ）。
スクとする、ｎ型を与える不純物のイオンの打込処理に
よって、半導体基板１内に、窓３に臨む領域において、
ｎ型を有する半導体領域４を形成する（図４Ｃ）。
【０００６】次に、絶縁膜２上及び窓３内に連続して延
長している、Ｔｉ層５とＴｉＮ層６とＴｉ層７とがそれ
らの順に積層されている積層体８を、堆積法によって形
成する（図５Ｄ）。
長している、Ｔｉ層５とＴｉＮ層６とＴｉ層７とがそれ
らの順に積層されている積層体８を、堆積法によって形
成する（図５Ｄ）。
【０００７】次に、熱処理によって、積層体８を構成し
ている半導体領域４側のＴｉ層５の半導体領域４に接し
ている領域を、シリサイド化して、Ｔｉシリサイド層９
を形成する（図５Ｅ）。
ている半導体領域４側のＴｉ層５の半導体領域４に接し
ている領域を、シリサイド化して、Ｔｉシリサイド層９
を形成する（図５Ｅ）。
【０００８】次に、積層体８上に、Ａｌ合金層１０を形
成する（図５Ｆ）。
成する（図５Ｆ）。
【０００９】次に、Ａｌ合金層１０に対するエッチング
処理を、積層体８とともに施すことによって、Ａｌ合金
層１０から、絶縁層２上及び窓３内にその窓３を埋めて
半導体領域４に連結して連続延長している配線層１２を
形成する（図６Ｇ）。
処理を、積層体８とともに施すことによって、Ａｌ合金
層１０から、絶縁層２上及び窓３内にその窓３を埋めて
半導体領域４に連結して連続延長している配線層１２を
形成する（図６Ｇ）。
【００１０】また、従来、図７〜図８に示すように、図
４Ａ〜図４Ｃと同様の工程をとって、ｐ型を有する半導
体基板１内に、絶縁膜２の窓３に臨む領域において、ｎ
型を有する半導体領域４を形成している構成を得た後、
絶縁膜２上及び窓３内に連続延長しているＴｉ層２１を
形成し（図７Ｂ）、次に、窒素またはアンモニア雰囲気
中での熱処理によって、Ｔｉ層２１から、半導体領域４
に接しているＴｉシリサイド層２２と、そのＴｉシリサ
イド層２２上及び絶縁膜２上に延長しているＴｉＮ層２
４とを形成し（図７Ｃ）、次に、ＴｉＮ層２４の絶縁膜
３上の部を除去し（図８Ｄ）、次に、Ａｌ合金層２５を
形成し（図８Ｅ）、次に、エッチングによってＡｌ合金
層２５から配線層１２を形成する、配線層形成法も提案
されている。
４Ａ〜図４Ｃと同様の工程をとって、ｐ型を有する半導
体基板１内に、絶縁膜２の窓３に臨む領域において、ｎ
型を有する半導体領域４を形成している構成を得た後、
絶縁膜２上及び窓３内に連続延長しているＴｉ層２１を
形成し（図７Ｂ）、次に、窒素またはアンモニア雰囲気
中での熱処理によって、Ｔｉ層２１から、半導体領域４
に接しているＴｉシリサイド層２２と、そのＴｉシリサ
イド層２２上及び絶縁膜２上に延長しているＴｉＮ層２
４とを形成し（図７Ｃ）、次に、ＴｉＮ層２４の絶縁膜
３上の部を除去し（図８Ｄ）、次に、Ａｌ合金層２５を
形成し（図８Ｅ）、次に、エッチングによってＡｌ合金
層２５から配線層１２を形成する、配線層形成法も提案
されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】図４〜図６に示す従来
の配線層形成法、及び図７〜図８に示す従来の配線層形
成法によれば、それらのいずれも、Ａｌ合金層（１０、
２５）を形成する工程において、そのＡｌ合金層（１
０、２５）をＴｉシリサイド層（９、２２）上にＴｉＮ
層（６、２４）を介して延長して形成しているので、Ａ
ｌ合金層（１０、２５）が、Ｔｉシリサイド層（９、２
２）を横切って半導体領域４と反応するおそれを有さ
ず、このため、配線層１２を、半導体基板１内に形成さ
れている半導体領域４と反応していないものとして容易
に形成することができる。
の配線層形成法、及び図７〜図８に示す従来の配線層形
成法によれば、それらのいずれも、Ａｌ合金層（１０、
２５）を形成する工程において、そのＡｌ合金層（１
０、２５）をＴｉシリサイド層（９、２２）上にＴｉＮ
層（６、２４）を介して延長して形成しているので、Ａ
ｌ合金層（１０、２５）が、Ｔｉシリサイド層（９、２
２）を横切って半導体領域４と反応するおそれを有さ
ず、このため、配線層１２を、半導体基板１内に形成さ
れている半導体領域４と反応していないものとして容易
に形成することができる。
【００１２】しかしながら、図４〜図６に示す従来の配
線層形成法の場合、Ａｌ合金層１０をエッチングして配
線層１２を形成するときに、積層体８のＴｉ層５及びＴ
ｉＮ層６間、及びＴｉＮ層６及びＴｉ層７間で、電池効
果が生じて、腐蝕反応が生じるため、配線層１２が剥離
するおそれを有して形成される、という欠点を有してい
た。
線層形成法の場合、Ａｌ合金層１０をエッチングして配
線層１２を形成するときに、積層体８のＴｉ層５及びＴ
ｉＮ層６間、及びＴｉＮ層６及びＴｉ層７間で、電池効
果が生じて、腐蝕反応が生じるため、配線層１２が剥離
するおそれを有して形成される、という欠点を有してい
た。
【００１３】また、図４〜図６、及び図７及び図８に示
すいずれの配線層形成法の場合も、Ａｌ合金層（１０、
２５）、従って配線層１２が、絶縁膜２上及び窓３内間
において間断して形成されるおそれを有していた。
すいずれの配線層形成法の場合も、Ａｌ合金層（１０、
２５）、従って配線層１２が、絶縁膜２上及び窓３内間
において間断して形成されるおそれを有していた。
【００１４】さらに、図７〜図８に示す従来の配線層形
成法の場合、Ｔｉシリサイド層２２を形成する工程を、
Ｔｉ層２１を形成して後、半導体基板１を電気炉内に配
する必要があるとともに、そのときＴｉ層２１の表面に
Ｔｉ酸化物層が形成されるおそれを有し、このため、配
線層１２が半導体領域４と低い連結抵抗を有して連結し
ているものとして形成することができないとともに、Ｔ
ｉシリサイド層２２を形成するのに、８００℃またはそ
れ以上の高温を必要とすることから、半導体領域４の不
純物が外部に半導体基板１内の半導体領域４のまわりに
再拡散したりして、半導体基板１の特性を劣化させる、
という欠点を有していた。
成法の場合、Ｔｉシリサイド層２２を形成する工程を、
Ｔｉ層２１を形成して後、半導体基板１を電気炉内に配
する必要があるとともに、そのときＴｉ層２１の表面に
Ｔｉ酸化物層が形成されるおそれを有し、このため、配
線層１２が半導体領域４と低い連結抵抗を有して連結し
ているものとして形成することができないとともに、Ｔ
ｉシリサイド層２２を形成するのに、８００℃またはそ
れ以上の高温を必要とすることから、半導体領域４の不
純物が外部に半導体基板１内の半導体領域４のまわりに
再拡散したりして、半導体基板１の特性を劣化させる、
という欠点を有していた。
【００１５】よって、本発明は、上述した欠点のない、
新規な配線層形成法を提案せんとするものである。
新規な配線層形成法を提案せんとするものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明による配線層形成
法は、（ｉ）シリコンでなる半導体基板上に、それを外
部に臨ませる窓を有する絶縁膜を形成する工程と、（ｉ
ｉ）上記半導体基板上に、上記絶縁膜の上記窓に臨む領
域において、金属シリサイド層を、ＣＶＤ法によって形
成する工程と、（ｉｉｉ）上記金属シリサイド層に対
し、加速された窒素プラズマを照射させることによっ
て、上記金属シリサイド層の表面側に、金属窒化物層を
形成する工程と、（ｉｖ）（ａ）上記絶縁膜上及び上記
窓内に、Ａｌ合金を、上記絶縁膜上及び上記窓内を加速
された荷電粒子によって照射させるようにしながら、堆
積させることによって、または（ｂ）上記絶縁膜上及び
上記窓内に、Ａｌ合金を堆積させ、次で上記絶縁膜上及
び上記窓内を荷電粒子によって照射させるようにするこ
とによって、もしくは（ｃ）上記絶縁膜上及び上記窓内
に、上記半導体基板を高温に加熱させている状態で、Ａ
ｌ合金を堆積させることによって、上記絶縁膜上及び上
記窓内に、その窓を埋め且つ上記金属窒化物層及び上記
金属シリサイド層を介して上記半導体基板に連結して、
連続延長し、且つ上記絶縁膜上及び上記窓上に亘って平
坦に連続延長している上面を有しているＡｌ合金層を形
成する工程と、（ｖ）上記Ａｌ合金層に対するエッチン
グ処理によって、上記Ａｌ合金層から、上記絶縁膜上
に、上記窓、及び上記金属窒化物層及び上記金属シリサ
イド層を介して上記半導体基板に連結している配線層を
形成する工程とを有する。
法は、（ｉ）シリコンでなる半導体基板上に、それを外
部に臨ませる窓を有する絶縁膜を形成する工程と、（ｉ
ｉ）上記半導体基板上に、上記絶縁膜の上記窓に臨む領
域において、金属シリサイド層を、ＣＶＤ法によって形
成する工程と、（ｉｉｉ）上記金属シリサイド層に対
し、加速された窒素プラズマを照射させることによっ
て、上記金属シリサイド層の表面側に、金属窒化物層を
形成する工程と、（ｉｖ）（ａ）上記絶縁膜上及び上記
窓内に、Ａｌ合金を、上記絶縁膜上及び上記窓内を加速
された荷電粒子によって照射させるようにしながら、堆
積させることによって、または（ｂ）上記絶縁膜上及び
上記窓内に、Ａｌ合金を堆積させ、次で上記絶縁膜上及
び上記窓内を荷電粒子によって照射させるようにするこ
とによって、もしくは（ｃ）上記絶縁膜上及び上記窓内
に、上記半導体基板を高温に加熱させている状態で、Ａ
ｌ合金を堆積させることによって、上記絶縁膜上及び上
記窓内に、その窓を埋め且つ上記金属窒化物層及び上記
金属シリサイド層を介して上記半導体基板に連結して、
連続延長し、且つ上記絶縁膜上及び上記窓上に亘って平
坦に連続延長している上面を有しているＡｌ合金層を形
成する工程と、（ｖ）上記Ａｌ合金層に対するエッチン
グ処理によって、上記Ａｌ合金層から、上記絶縁膜上
に、上記窓、及び上記金属窒化物層及び上記金属シリサ
イド層を介して上記半導体基板に連結している配線層を
形成する工程とを有する。
【００１７】
【作用・効果】本発明による配線層形成法によれば、前
述した従来の配線層形成法の場合に準じて、半導体基板
に連結しているＡｌ合金層を形成する工程において、そ
のＡｌ合金層を、金属窒化物層及び金属シリサイド層を
介して半導体基板に連結しているものとして形成するの
で、Ａｌ合金層を、半導体基板と反応しているものとし
て形成するおそれを有さず、従って配線層を半導体基板
と反応していないものとして容易に形成することができ
る。
述した従来の配線層形成法の場合に準じて、半導体基板
に連結しているＡｌ合金層を形成する工程において、そ
のＡｌ合金層を、金属窒化物層及び金属シリサイド層を
介して半導体基板に連結しているものとして形成するの
で、Ａｌ合金層を、半導体基板と反応しているものとし
て形成するおそれを有さず、従って配線層を半導体基板
と反応していないものとして容易に形成することができ
る。
【００１８】しかしながら、本発明による配線層形成法
の場合、金属シリサイド層をＣＶＤ法によって形成する
ので、その金属シリサイド層を、半導体基板に、図７〜
図８で前述した従来の配線層形成法によって与えるよう
な高温を与える必要なしに形成することができ、このた
め、半導体基板を熱劣化させるおそれを有しない。
の場合、金属シリサイド層をＣＶＤ法によって形成する
ので、その金属シリサイド層を、半導体基板に、図７〜
図８で前述した従来の配線層形成法によって与えるよう
な高温を与える必要なしに形成することができ、このた
め、半導体基板を熱劣化させるおそれを有しない。
【００１９】また、Ａｌ合金層を平坦な上面を有するも
のに形成するので、そのＡｌ合金層を、絶縁層上及び窓
内間において間断の生じるおそれなしに、容易に形成す
ることができる。
のに形成するので、そのＡｌ合金層を、絶縁層上及び窓
内間において間断の生じるおそれなしに、容易に形成す
ることができる。
【００２０】さらに、絶縁膜とＡｌ合金層との間に、図
４〜図６で前述した従来のパターン形成法に形成されて
いるような積層体を形成していないので、配線層を、絶
縁膜上から剥離しているものとして形成されるおそれを
有していない。
４〜図６で前述した従来のパターン形成法に形成されて
いるような積層体を形成していないので、配線層を、絶
縁膜上から剥離しているものとして形成されるおそれを
有していない。
【００２１】
【実施例】次に、図１及び図２を伴って、本発明による
配線層形成法の実施例を述べよう。
配線層形成法の実施例を述べよう。
【００２２】図１及び図２に示す本発明による配線層形
成法は、次に述べる順次の工程をとって、シリコンでな
る半導体基板上に形成され且つその半導体基板を外部に
臨ませる窓を有する絶縁膜上に、絶縁膜の窓を介して半
導体基板に連結しているＡｌ合金でなる配線層を形成す
る。
成法は、次に述べる順次の工程をとって、シリコンでな
る半導体基板上に形成され且つその半導体基板を外部に
臨ませる窓を有する絶縁膜上に、絶縁膜の窓を介して半
導体基板に連結しているＡｌ合金でなる配線層を形成す
る。
【００２３】すなわち、図４〜図６で前述した従来の配
線層形成法の図４Ａに示す工程と同様に、予め用意され
た、シリコン（Ｓｉ）でなり且つ例えばｐ型を有する半
導体基板１上に、例えばシリコン酸化物（ＳｉＯ２）で
なる絶縁膜２を、熱酸化法、ＣＶＤ法などによって形成
する（図１Ａ）。
線層形成法の図４Ａに示す工程と同様に、予め用意され
た、シリコン（Ｓｉ）でなり且つ例えばｐ型を有する半
導体基板１上に、例えばシリコン酸化物（ＳｉＯ２）で
なる絶縁膜２を、熱酸化法、ＣＶＤ法などによって形成
する（図１Ａ）。
【００２４】次に、図４〜図６で前述した従来の配線層
形成法の図４Ｂに示す工程と同様に、絶縁膜２に半導体
基板１を外部に臨ませる窓３を形成する（図１Ｂ）。
形成法の図４Ｂに示す工程と同様に、絶縁膜２に半導体
基板１を外部に臨ませる窓３を形成する（図１Ｂ）。
【００２５】次に、図４〜図６で前述した従来の配線層
形成法の図４Ｃに示す工程と同様に、半導体基板１に対
する、絶縁膜２をマスクとする、ｎ型を与える不純物の
イオンの打込処理によって、半導体基板１内に窓３に臨
む領域において、ｎ型を与える半導体領域４を形成する
（図１Ｃ）。
形成法の図４Ｃに示す工程と同様に、半導体基板１に対
する、絶縁膜２をマスクとする、ｎ型を与える不純物の
イオンの打込処理によって、半導体基板１内に窓３に臨
む領域において、ｎ型を与える半導体領域４を形成する
（図１Ｃ）。
【００２６】次に、半導体基板１上に、絶縁膜２の窓３
に臨む領域において、Ｔｉシリサイド層、Ｍｏシリサイ
ド層、Ｗシリサイド層などの金属シリサイドでなる金属
シリサイド層３１を、ＣＶＤ法によって形成する（図２
Ｄ）。この場合、金属シリサイド層３１は、半導体基板
１の温度、原料ガス（例えば金属シリサイドを構成する
金属の例えばハロゲン化物でなるガスとＳｉの水素化物
（例えばＳｉＨ４）でなるガスとの混合ガス）の流量、
及び圧力などを適当に選べば、絶縁膜２上には形成され
ない。
に臨む領域において、Ｔｉシリサイド層、Ｍｏシリサイ
ド層、Ｗシリサイド層などの金属シリサイドでなる金属
シリサイド層３１を、ＣＶＤ法によって形成する（図２
Ｄ）。この場合、金属シリサイド層３１は、半導体基板
１の温度、原料ガス（例えば金属シリサイドを構成する
金属の例えばハロゲン化物でなるガスとＳｉの水素化物
（例えばＳｉＨ４）でなるガスとの混合ガス）の流量、
及び圧力などを適当に選べば、絶縁膜２上には形成され
ない。
【００２７】次に、金属シリサイド層３１に対し、加速
された窒素プラズマを照射させることによって、金属シ
リサイド層３１の表面側に、ＴｉＮ、ＭｏＮ、ＷＮなど
の金属窒化物でなる金属窒化物層３２を形成する（図２
Ｅ）。
された窒素プラズマを照射させることによって、金属シ
リサイド層３１の表面側に、ＴｉＮ、ＭｏＮ、ＷＮなど
の金属窒化物でなる金属窒化物層３２を形成する（図２
Ｅ）。
【００２８】次に、絶縁膜２上及び窓３内に、その窓３
を埋め且つ金属窒化物層３２及び金属シリサイド層３１
を介して半導体領域４に連結して、連続延長し、且つ絶
縁膜２上及び窓３上に亘って平坦に延長している上面３
３ａを有するＡｌ合金層３３を、（ａ）絶縁膜２上及び
窓３の内面上に、Ａｌ合金を、ほとんど加速されていな
いまたはわずかに加速されている荷電粒子を照射させな
がらまたは照射させないで、スパッタリング法によって
１０Ａ〜２０００Ａの比較的薄い厚さに且つ連続的に延
長して堆積させ、次で、半導体基板１を例えば４００℃
程度の温度に加熱している状態で、Ａｌ合金を、例えば
加速されたアルゴンイオンを加速された荷電粒子として
照射させるようにしながら、スパッタリング法によって
厚い厚さに堆積させることによって、または（ｂ）絶縁
膜２上及び窓３内に、Ａｌ合金を、スパッタリング法に
よって堆積させ、次で半導体基板１を例えば４００℃の
温度に加熱した状態で、絶縁膜２上及び窓３内を加速さ
れた荷電粒子を照射させるようにすることによって、も
しくは（ｃ）絶縁膜２上及び窓３内に、Ａｌ合金を、半
導体基板１を例えば５００℃のような高い温度に加熱さ
せている状態で、スパッタリング法によって堆積させる
ことによって、形成する（図２Ｆ）。
を埋め且つ金属窒化物層３２及び金属シリサイド層３１
を介して半導体領域４に連結して、連続延長し、且つ絶
縁膜２上及び窓３上に亘って平坦に延長している上面３
３ａを有するＡｌ合金層３３を、（ａ）絶縁膜２上及び
窓３の内面上に、Ａｌ合金を、ほとんど加速されていな
いまたはわずかに加速されている荷電粒子を照射させな
がらまたは照射させないで、スパッタリング法によって
１０Ａ〜２０００Ａの比較的薄い厚さに且つ連続的に延
長して堆積させ、次で、半導体基板１を例えば４００℃
程度の温度に加熱している状態で、Ａｌ合金を、例えば
加速されたアルゴンイオンを加速された荷電粒子として
照射させるようにしながら、スパッタリング法によって
厚い厚さに堆積させることによって、または（ｂ）絶縁
膜２上及び窓３内に、Ａｌ合金を、スパッタリング法に
よって堆積させ、次で半導体基板１を例えば４００℃の
温度に加熱した状態で、絶縁膜２上及び窓３内を加速さ
れた荷電粒子を照射させるようにすることによって、も
しくは（ｃ）絶縁膜２上及び窓３内に、Ａｌ合金を、半
導体基板１を例えば５００℃のような高い温度に加熱さ
せている状態で、スパッタリング法によって堆積させる
ことによって、形成する（図２Ｆ）。
【００２９】次に、Ａｌ合金層３３に対するエッチング
処理によって、Ａｌ合金層３３から、絶縁膜２上に、窓
３、及び金属窒化物層３２及び金属シリサイド層３１を
介して半導体基板１内に形成されている半導体領域４に
連結している配線層３４を形成する（図２Ｇ）。
処理によって、Ａｌ合金層３３から、絶縁膜２上に、窓
３、及び金属窒化物層３２及び金属シリサイド層３１を
介して半導体基板１内に形成されている半導体領域４に
連結している配線層３４を形成する（図２Ｇ）。
【００３０】以上が、本発明による配線層形成法の実施
例である。
例である。
【００３１】このような本発明による配線層形成法によ
れば、
れば、
【作用・効果】の項で述べたところから明らかであるの
で、詳細説明は省略するが、図４〜図６、及び図７〜図
８で前述した従来の配線層形成法の欠点を有することな
しに、配線層３４を、容易に形成することができる。
で、詳細説明は省略するが、図４〜図６、及び図７〜図
８で前述した従来の配線層形成法の欠点を有することな
しに、配線層３４を、容易に形成することができる。
【００３２】なお、図３は、金属シリサイド層３１の表
面側に形成された金属窒化物層３２（ＴｉＮでなる）
と、それを形成していない金属シリサイド層３１（Ｔｉ
シリサイドでなる）とのエッチンク耐性（１％弗化水素
溶液を用いた）を、エッチング時間に対する正規格化シ
ート抵抗の関係で示す。
面側に形成された金属窒化物層３２（ＴｉＮでなる）
と、それを形成していない金属シリサイド層３１（Ｔｉ
シリサイドでなる）とのエッチンク耐性（１％弗化水素
溶液を用いた）を、エッチング時間に対する正規格化シ
ート抵抗の関係で示す。
【図１】本発明による配線層形成法の実施例を示す、順
次の工程における略線的断面図である。
次の工程における略線的断面図である。
【図２】本発明による配線層形成法の実施例を示す、図
１に示す順次の工程に続く、順次の工程における略線的
断面図である。
１に示す順次の工程に続く、順次の工程における略線的
断面図である。
【図３】本発明による配線層形成法によって金属シリサ
イド層の表面側に形成された金属窒化物層と、それを形
成していない金属シリサイド層とのエッチング耐性を示
す図である。
イド層の表面側に形成された金属窒化物層と、それを形
成していない金属シリサイド層とのエッチング耐性を示
す図である。
【図４】従来の配線層形成法を示す、順次の工程におけ
る略線的断面図である。
る略線的断面図である。
【図５】従来の配線層形成法を示す、図４に示す順次の
工程に続く、順次の工程における略線的断面図である。
工程に続く、順次の工程における略線的断面図である。
【図６】従来の配線層形成法を示す、図５に示す順次の
工程に続く、順次の工程における略線的断面図である。
工程に続く、順次の工程における略線的断面図である。
【図７】従来の配線層形成法を示す、図６に示す順次の
工程に続く、順次の工程における略線的断面図である。
工程に続く、順次の工程における略線的断面図である。
【図８】従来の配線層形成法を示す、図７に示す順次の
工程に続く、順次の工程における略線的断面図である。
工程に続く、順次の工程における略線的断面図である。
１ 半導体基板 ２ 絶縁膜 ３ 窓 ４ 半導体領域 ５ Ｔｉ層 ６ ＴｉＮ層 ７ Ｔｉ層 ８ 積層体 ９ Ｔｉシリサイド層 １２ 配線層 ３１ 金属シリサイド層 ３２ 金属窒化物層 ３３ Ａｌ合金層 ３３ａ 上面 ３４ 配線層
Claims (3)
- 【請求項１】 シリコンでなる半導体基板上に、それを
外部に臨ませる窓を有する絶縁膜を形成する工程と、 上記半導体基板上に、上記絶縁膜の上記窓に臨む領域に
おいて、金属シリサイド層を、ＣＶＤ法によって形成す
る工程と、 上記金属シリサイド層に対し、加速された窒素プラズマ
を照射させることによって、上記金属シリサイド層の表
面側に、金属窒化物層を形成する工程と、 上記絶縁膜上及び上記窓内に、Ａｌ合金を、上記絶縁膜
上及び上記窓内を加速された荷電粒子によって照射させ
るようにしながら、堆積させることによって、上記絶縁
膜上及び上記窓内に、その窓を埋め且つ上記金属窒化物
層及び上記金属シリサイド層を介して上記半導体基板に
連結して、連続延長し、且つ上記絶縁膜上及び上記窓上
に亘って平坦に連続延長している上面を有しているＡｌ
合金層を形成する工程と、 上記Ａｌ合金層に対するエッチング処理によって、上記
Ａｌ合金層から、上記絶縁膜上に、上記窓、及び上記金
属窒化物層及び上記金属シリサイド層を介して上記半導
体基板に連結している配線層を形成する工程とを有する
ことを特徴とする導電性層形成法。 - 【請求項２】 シリコンでなる半導体基板上に、それを
外部に臨ませる窓を有する絶縁膜を形成する工程と、 上記半導体基板上に、上記絶縁膜の上記窓に臨む領域に
おいて、金属シリサイド層を、ＣＶＤ法によって形成す
る工程と、 上記金属シリサイド層に対し、加速された窒素プラズマ
を照射させることによって、上記金属シリサイド層の表
面側に、金属窒化物層を形成する工程と、 上記絶縁膜上及び上記窓内に、Ａｌ合金を堆積させ、次
で上記絶縁膜上及び上記窓内を荷電粒子によって照射さ
せるようにすることによって、上記絶縁膜上及び上記窓
内に、それを埋め且つ上記金属窒化物層及び上記金属シ
リサイド層を介して上記半導体基板に連結して、連続延
長し、且つ上記絶縁膜上及び上記窓上に亘って平坦に連
続延長している上面を有しているＡｌ合金層を形成する
工程と、 上記Ａｌ合金層に対するエッチング処理によって、上記
Ａｌ合金層から、上記絶縁膜上に、上記窓、及び上記金
属窒化物層及び上記金属シリサイド層を介して上記半導
体基板に連結している配線層を形成する工程とを有する
ことを特徴とする導電性層形成法。 - 【請求項３】 シリコンでなる半導体基板上に、それを
外部に臨ませる窓を有する絶縁膜を形成する工程と、 上記半導体基板上に、上記絶縁膜の上記窓に臨む領域に
おいて、金属シリサイド層を、ＣＶＤ法によって形成す
る工程と、 上記金属シリサイド層に対し、加速された窒素プラズマ
を照射させることによって、上記金属シリサイド層の表
面側に、金属窒化物層を形成する工程と、 上記絶縁膜上及び上記窓内に、Ａｌ合金を、上記半導体
基板を高温に加熱させている状態で、堆積させることに
よって、上記絶縁膜上及び上記窓内に、それを埋め且つ
上記金属窒化物層及び上記金属シリサイド層を介して上
記半導体基板に連結して、連続延長し、且つ上記絶縁膜
上及び上記窓上に亘って平坦に連続延長している上面を
有しているＡｌ合金層を形成する工程と、 上記Ａｌ合金層に対するエッチング処理によって、上記
Ａｌ合金層から、上記絶縁膜上に、上記窓、及び上記金
属窒化物層及び上記金属シリサイド層を介して上記半導
体基板に連結している配線層を形成する工程とを有する
ことを特徴とする導電性層形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03287070A JP3082161B2 (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | 配線層形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03287070A JP3082161B2 (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | 配線層形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05102073A JPH05102073A (ja) | 1993-04-23 |
| JP3082161B2 true JP3082161B2 (ja) | 2000-08-28 |
Family
ID=17712664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03287070A Expired - Fee Related JP3082161B2 (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | 配線層形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3082161B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2692590B2 (ja) * | 1994-06-29 | 1997-12-17 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1991
- 1991-10-07 JP JP03287070A patent/JP3082161B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05102073A (ja) | 1993-04-23 |
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