JP3080247B2

JP3080247B2 - 光学的情報再生装置

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Publication number: JP3080247B2
Application number: JP03257222A
Authority: JP
Inventors: 宏明星
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1991-09-10
Filing date: 1991-09-10
Publication date: 2000-08-21
Anticipated expiration: 2015-08-21
Also published as: JPH0573916A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光学的情報再生装置に関
し、特に光学的情報記録媒体に高密度に記録された情報
を高い信頼性で再生するための光ヘッドを有する光学的
情報再生装置に関する。本発明は、例えば、マーク長記
録方式で光磁気情報記録媒体に記録された情報を再生す
るための光磁気情報再生装置に適用することができる。

【０００２】

【従来の技術】光磁気情報記録媒体としての光磁気ディ
スクは、データ容量が大きく、データ書換えが可能なこ
と等により、注目されている。この光磁気ディスク及び
その記録再生装置は既に実用化されているが、これら実
用化されたもののデータ記録方式は、マーク間記録方式
といわれる方式である。

【０００３】このマーク間記録方式の従来の光磁気ディ
スク記録再生装置の光ヘッドにおいては、半導体レーザ
からの光束を対物レンズにより収束して光磁気ディスク
上で微小光スポットを形成し、この光スポットを用いて
マーク間記録方式によりデータ記録を行い且つ該微小光
スポットの光磁気ティスクからの反射光の変化をいわゆ
る差動検出して情報再生を行っていた。この様な従来の
差動検出においては、入射直線偏光の偏光方向と４５度
の角度をなす偏光軸方向を有する偏光ビームスプリッタ
ーを用いて反射光を２つの信号光束に分解し、この両光
束から２つの信号を作りだしていた。

【０００４】ところで、近年、光磁気ディスクのデータ
容量を増大させるために、マーク長記録方式（エッジ記
録方式）が検討されている。このマーク長記録方式で記
録された光磁気ディスクから記録情報を正確に再生する
には、光ヘッドにより情報ビットたるマークエッジの位
置を正確に読取ることが要求される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記の様に、データ容
量を増大させることができるマーク長記録方式において
は、情報ビットエッジの位置が重要な意味を有する。マ
ーク長記録された情報の再生において、マーク間記録方
式で用いられていたガウス分布の光量分布を有する単一
レーザ光を用いて微小光スポットを形成し、その反射光
の光量変化を差動検出すると、光スポットの光量分布が
ある広がりを有するガウス分布状であり、この反射光束
全体の光量変化を検出することになるので、エッジ検出
能力が低いという問題点がある。

【０００６】また、光磁気ディスクの情報記録において
は、ガウス分布状の光スポットのピークに近い高パワー
つまり高温域に記録媒体のしきい値を設定することによ
り、光の筆先記録と呼ばれる方法により光スポットより
小さな情報ビットを形成することができる。また、光磁
気ディスクにおいては、磁界を情報に応じて変調する方
法により、特に情報トラック方向に光スポット径よりも
小さな間隔で高密度に情報ビットを形成することが可能
である。

【０００７】この様に、光スポットよりも小さい情報ビ
ットの高密度記録が可能であっても、情報再生に際し、
従来の反射光束全体の光量変化を検出する方式では、広
がりのある光スポット内の複数の微小情報ビットを区別
することができず、高密度記録情報の再生が不可能であ
るめ、高密度な光メモリシステムが実現できなかった。

【０００８】更に、光スポットよりも微小な情報ビット
エッジを用いたマーク長記録の再生においては、従来の
検出方式ではエッジ検出の能力が低くなるという問題点
があった。

【０００９】そこで、本発明は、以上の様な従来技術の
問題点を解決し、高密度に記録された光学的情報の再生
を可能となし、もって高密度光メモリシステムをの実現
を可能となす光学的情報再生装置を提供することを目的
とするものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、前記目
的を達成するものとして、光学的情報記録媒体の情報記
録面に形成されている情報トラックに光を収束照射して
微小光スポットを形成し、該光スポットを経た反射光ま
たは透過光を受光光学系により光スポットと光学的に共
役な位置に配置した光検出器に導き、前記光スポットで
情報トラックを走査し、前記光検出器の出力に基づき前
記情報トラックに記録された情報の再生を行う光学的情
報再生装置において、前記光検出器は前記光スポットの
光検出器上の共役光スポット像より小さく且つ情報トラ
ック方向と対応する方向に関し複数の部分に分割されて
おり、これら光検出器の各部分の出力に基づき演算によ
り前記情報の再生を行うことを特徴とする、光学的情報
再生装置、が提供される。

【００１１】本発明においては、前記光スポットの中心
が前記受光光学系の光軸上に配置されており、且つ前記
光検出器の中心が前記受光光学系の光軸上に配置されて
いることを特徴とする、態様がある。

【００１２】また、本発明においては、前記光スポット
の中心が前記受光光学系の光軸上に配置されており、且
つ前記光検出器の中心が前記受光光学系の光軸上の位置
から情報トラック方向と対応する方向にずれて配置され
ていることを特徴とする、態様がある。

【００１３】更に、本発明においては、光学的性質の急
激に変化するエッジの形態で前記記録媒体に情報が記録
されていることを特徴とする、態様がある。

【００１４】

【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の実施例を
説明する。

【００１５】図１は本発明の光学的情報再生装置の第１
の実施例の光ヘッド光学系を示す構成図である。尚、本
実施例は、特願平２−３２１１２０号等に示される情報
記録再生方式に本発明を適用したものである。

【００１６】図１において、１は光磁気ディスク２の上
面に配設された磁気ヘッドであり、記録信号に応じて変
調されたバイアス磁界を発生する。光磁気ディスク２
は、図示しないスピンドルモータによって回転駆動され
る。尚、光磁気ディスク２の具体的構成については、後
述する。

【００１７】光ヘッドは、再生補助用紫外光を発する第
１の光源８と、通常の記録及び再生用の第２の光源３２
とを有する。

【００１８】第１の光源８は半導体レーザの光を非線形
光学素子を用いて第２次高調波を発生させることにより
実現できる。第１の光源８の光束は位相シフト素子５、
偏光ビームスプリッタ２９，４、対物レンズ３を通って
光磁気ディスク２へと収束照射される。位相シフト素子
５は、第１の光源８からの光束の半分に対し相対的に位
相シフトπを与えるものであり、図１において光磁気デ
ィスク２の情報記録面内の情報トラックに対し垂直な方
向（図面に平行な方向）の光軸を通る分割線により、相
対位相０とπとの２つの部分に２分割された領域を持つ
素子である。具体的には、ガラスの様な等方的物質を用
い、その屈折率との積が光源８からの光の半波長になる
様に段差を形成して位相シフトを行うものや、水晶の様
な複屈折物質の結晶軸方向による光の伝搬速度の差を利
用して、結晶軸方位の異なる素子を位相差πになる様に
組み合わせたものが例示できる。

【００１９】第２の光源３２としては、通常の半導体レ
ーザが用いられている。該半導体レーザからの光束は、
コリメータレンズ３１、ビーム整形プリズム３０、偏光
ビームスプリッタ２９，４、対物レンズ３を通って光磁
気ディスク２へと収束照射される。

【００２０】２０はビームスプリッタ４で反射された再
生光束（光磁気ディスク２からの光束）の波長を選択す
る波長選択素子である。この波長選択素子２０は、第２
の光源３２からの光束のみを透過し、第１の光源８から
の光束はカットする。波長選択素子２０を出射した光は
ビームスプリッタ９で再生光学系への光束と制御光学系
への光束の２つに分割される。再生光学系は、１／２波
長板１０、集光レンズ１１、ビームスプリッタ１２、分
割光検出器１３，１４により構成されている。また、制
御光学系は、集光レンズ１５、ビームスプリッタ１６、
ナイフエッジ１７、光検出器１８，１９により構成され
ている。

【００２１】図２は光磁気ディスク２の断面構造を示す
模式図である。図中、２ａは透明基板であり、該透明基
板２ａの片面側にフォトクロミック層２ｂ、ヒートモー
ド記録層２ｃ、及び保護膜２ｄが順次形成されている。
尚、本例においては、ヒートモード記録層２ｃとして、
光磁気記録層を用いている。基板２ａ側がレーザ光の入
射側である。

【００２２】フォトクロミック層２ｂは、特定の波長の
光を吸収して、光吸収の分光特性が変化するという性質
を有する。図３はその特性変化を示したものであり、ａ
は光照射前の特性、ｂは光照射によって変化した後の特
性を示している。従って、波長の異なる２つの光を照射
することにより、可逆的に光吸収の分光特性を変えるこ
とができる。このとき、状態の変化は、フォトンの吸収
によってなされるため、概略電子遷移の緩和時間のオー
ダでなされると考えられ、極めて高速に状態を変えるこ
とが可能である。この様に、分光特性を変えるために、
具体的には、第１の波長の光（第１の光源８からの光）
を光磁気ディスク２に照射すると、フォトクロミック層
２ｂは第２の波長の光（第２の光源３２からの光）の吸
収が大きくなって、光磁気記録層（ヒートモード記録
層）２ｃへ到達する第１の波長の光の量が低下するが、
第２の波長の光は殆ど光磁気記録層２ｃへ到達する様
に、前記第１及び第２の波長及びフォトクロミック層２
ｂの材料が選択されている。フォトクロミック層２ｂの
材質としては、例えばフルギド系、スピロピラン系、ビ
オローゲン系、ジヒドロピレン系、チオインジゴ系、ビ
ビリジン系アジリジンなどが好適である。また、第１の
波長の光としては紫外光（波長３６０ｎｍ程度）が用い
られており、その光源は図１の第１の光源８である。更
に、第２の波長の光としては可視光（波長６００ｎｍ程
度）が用いられており、その光源は図１の第２の光源３
２である。

【００２３】次に、本実施例の動作を説明する。

【００２４】記録時には、第２の光源３２を用いて、前
述の様に、光の筆先記録を用い、光変調もしくは磁界変
調あるいは光パルス磁界変調等のよく知られた方法によ
り、光スポットよりも微小な情報ビットが光磁気記録層
２ｃにマーク長記録される。記録時には、第１の光源８
は点灯しない。

【００２５】再生時には、第１の光源８及び第２の光源
３２の両方を用いる。第１の光源８からの光は、特願平
２−５６６９３号及び特願平２−３２１１２０号にも示
されている様に、光磁気ディスク２の情報トラック方向
に位相差πを与える位相シフト素子５を透過し、光束中
に位相差が与えられる結果、図４（ｂ）に示した様に、
光磁気ディスク２上では第１の光源８からの光束による
２つの光スポット２１ａ，２１ｂが分離形成される。図
４（ａ）は、光スポット２１ａ，２１ｂの光強度分布を
示す。ｘ方向が情報トラック方向である。第１の光源８
からの光の波長は第２の光源３２からの光の波長の約１
／２であるので、光スポット２１ａ，２１ｂの径は第２
の光源３２からの光束による光スポット２１ｃの約１／
２になる。

【００２６】この様に、光磁気ディスク２に第１の光ス
ポット２１ａ，２１ｂ及び第２の光スポット２１ｃを形
成すると、前述した様に、フォトクロミック層２ｂが第
１の光スポット２１ａ，２１ｂの光を吸収して光吸収の
分光特性が変化する。即ち、図５（ａ）に示す様に、第
１の光スポット２１ａ，２１ｂと第２の光スポット２１
ｃとが重なる領域２１ｅでは、フォトクロミック層２ｂ
により第２の光スポット２１ｃの光が大きく吸収されて
しまう。その結果、図５（ｂ）に示す様に、第２の光ス
ポット２１ｃの領域から第１の光スポットと重なる領域
２１ｅを除いた領域２１ｆの光のみが光磁気記録層２ｃ
に到達することになる。

【００２７】即ち、通常の光スポット２１ｃより小さな
領域２１ｆに窓が開き、この領域のみから光磁気信号が
得られる。他の領域はフォトクロミック層２ｂによりマ
スクされることになる。光ヘッドの再生光学系を通じ
て、分割光検出器１３，１４に到達する光は、第２の光
源３２からの光のうちの前記窓領域２１ｆからの反射光
のみに制限される。

【００２８】尚、再生後、次の記録に備えるため、第２
の光源３２のパワーを上げ、フォトクロミック層２ｂを
元の状態に戻しておく。

【００２９】図６は、磁界変調により光スポット２１ｃ
よりも微小な情報ビットでマーク長記録された光磁気デ
ィスク２から、本実施例により情報を読み出す際の模式
図である。磁界変調記録の場合、図示されている様に、
矢羽根形状と呼ばれる形状の磁化反転ドメインが形成さ
れることが知られている。前記の様に、再生時の２種類
の光照射により、読み出し窓領域２１ｆが開き、それ以
外の領域では光磁気記録層２ｃに記録されたドメイン２
２，２３からの信号を含む反射光はない。図６では、読
み出し窓領域２１ｆ内にドメイン２２のエッジ２２ａが
ある場合を示している。光スポット２１ｃ内には３つの
ドメインエッジが存在しており、従来の光スポット２１
ｃの全反射光量を検出する方式ではこれら３つのエッジ
位置を検出することが難しいが、本発明によれば１つの
エッジ２２ａを他の２つのエッジからのクロストーク
（符号間干渉）を十分に低減した状態で検出できること
がわかる。

【００３０】本発明は、この様な窓でのマスキングによ
る符号間干渉の低減ばかりでなく、以下の様に、窓内の
エッジを空間的差分により検出することで、エッジ検出
能力を向上させている。

【００３１】図７（ａ）は、分割光検出器１３，１４上
の仮想スポット像と検出器光電変換部との関係を表す模
式図である。同図において、２４はフォトクロミック層
２ｂによるマスキングがない場合に集光レンズ１１によ
り光検出器１３，１４上に結像されるであろう第２の波
長の光による仮想スポット像であり、光磁気ディスク２
上の光スポット２１ｃと共役の関係にある。光検出器１
３，１４は、それぞれ、図７（ａ）に示されている様
に、トラック方向と対応するｘ’方向に関し２つに分割
された光電変換部２５ａ，２５ｂを有し、その分割線
は、光学系の光軸を通りトラック対応ｘ’方向と垂直の
ｙ’方向に平行である。また、分割光検出器の光電変換
部２５ａ，２５ｂの全体は仮想スポット像２４より小さ
く、その比率は、ｘ’方向には図６に示されている光ス
ポット２１ｃに対する読み出し窓領域２１ｆの比とほぼ
同じ程度であり、ｙ’方向には図６に示されている光ス
ポット２１ｃに対するドメイン２２，２３の比とほぼ同
じ程度としている。光スポット２１ｃは直径１〜２μｍ
の大きさであるが、仮想スポット像２４は対物レンズ１
１のＮＡや焦点距離により所望の大きさにすることがで
きるので、数１０〜数１００μｍの大きさの実用的分割
ＰＩＮ−ＰＤにより光電変換部２５ａ，２５ｂを実現で
きる。こうして得られる分割光検出器光電変換部２５
ａ，２５ｂの出力を電気的に差動増幅することにより、
空間的差分が実現し、エッジ検出能力の向上が可能にな
る。

【００３２】尚、光磁気ディスク２上で、光束は回折限
界光スポット２１ｃに絞られており、それよりも小さい
読取り窓領域２１ｆの光検出器上の像は、有限の開口を
持ったレンズを用いている以上、回折により広がってお
り、いわゆるカットオフ周波数より低い空間周波数で考
える様な像ではなくなっている。

【００３３】図７（ｂ）は、更に、矢羽根形状のドメイ
ンのエッジ検出に最適化した例であり、図６に示した光
スポット２１ｃ、窓領域２１ｆ、及び矢羽根形状ドメイ
ン２２，２３の大きさや位置関係と略相似な関係になる
様に、仮想スポット像２４に対し分割光検出器の光電変
換部２５ａ，２５ｂの大きさ、形状及び位置を設定した
例である。この様な構成により、更に、検出ジッタが減
少し、エッジ検出能力が向上する。

【００３４】図７（ｃ）は、３分割光検出器の例で、光
軸上に３番目の分割光検出器光電変換部２５ｃを設ける
ことにより、更に検出信号の品質を向上させた例であ
る。即ち、ドメインのエッジが光軸上にある場合、共役
面にある光検出器でも、光軸上で最も光量変化が激し
く、反転したドメイン間の干渉やクロストークが大きい
ので、それを独立に検出し、２５ａ，２５ｂからの信号
の差動信号からのエッジ検出にかけるウィンドウ信号を
得ることで、エッジ検出精度を更に向上させることが可
能となる。または、２５ａ，２５ｂからの信号の和信号
と２５ｃからの信号との差動をとることにより、略反転
した信号が得られ、直流成分変動が押えられたエッジ検
出に好適な信号を得ることができる。

【００３５】また、図１に示した様に分割光検出器１
３，１４から得た上述の信号の差動をとることにより、
同相ノイズ成分を除去し、エッジ検出信号を２倍にする
ことができ、再生性能は更に向上する。

【００３６】次に、本発明による第２の実施例について
説明する。用いる光ヘッドは、前記第１の実施例の図１
において、第１の光源８、位相シフト素子５及び波長選
択素子２０を除去し、１光源とした構成である。更に、
後述する様に光磁気ディスク２と光検出器１３，１４と
を適合させたものである。以下、光磁気ディスク２と光
検出器１３，１４との関係を中心に第２の実施例を説明
する。

【００３７】前記第１の実施例はフォトンモード層とヒ
ートモード記録層とを用いてマスクする例であったが、
本実施例はヒートモード層を２層用いてマスクを実現す
るものである。この様にヒートモード層でマスクを実現
する方法は、日経エレクトロニクス１９９１年３月４日
号（Ｎｏ．５２１）ｐ９２〜９３、に紹介されている。

【００３８】図８（ｂ）は、本実施例に用いる光磁気デ
ィスク２の断面構造を示した模式図である。同図におい
て、透明基板４０の片面側に再生層４１及び記録層４２
の２層の磁性膜が形成されており、更に保護膜４３が形
成されている。記録層４２は、ＴｂＦｅＣｏ系材料等
の、保磁力が大きくキュリー温度が通常の光磁気ディス
クと同程度で通常の光ヘッドと磁気ヘッドとによりドメ
イン形成が可能で、常温でも磁化の方向を維持している
ものである。

【００３９】再生層４１は、ＧｄＦｅＣｏ系の材料で、
キュリー温度が記録層４２より低く、保持力も小さく、
通常の光ヘッドの再生パワーでも磁化反転可能であり、
且つ記録層４２の保磁力より大きな外部磁界により磁化
反転可能なものである。

【００４０】次に、本実施例の動作について説明する。

【００４１】記録に関しては、前記第１の実施例と同
様、よく知られた方式により、光スポットよりも微小な
情報ビットがヒートモードで記録層４２にドメインの形
で記録可能で、マーク長記録が実現される。

【００４２】再生時の動作を、図８（ａ），（ｂ）に基
づき説明する。先ず、初期化磁石４４ａにより下向きの
磁界４４ｂを発生させて、再生層４１の磁化を強制的に
下向きに初期化し、記録層４２のドメインをマスクす
る。次に、再生パワーの光スポット４８により、初期化
されている再生層４１の温度を上昇させる。情報トラッ
ク上を移動する光スポット（ｘ方向の長さＳ）４８に対
し、温度分布の高温部（ｘ方向の長さＨ）４９は図示し
た様にピーク位置が後方にシフトする。つまり、光スポ
ット４８の大まかには後半部が高温となり、この部分の
保磁力が低下する。この状態で、保磁力の大きな記録層
４２に記録されているドメインの磁化が、交換結合力に
より再生層４１に転写される。このとき、転写を補助す
る再生磁界を初期化磁界とは逆向きにより弱く与える。

【００４３】従って、再生用光スポット４８内で該光ス
ポット４８よりも微小な領域に、ヒートモードによりマ
スクに窓（ｘ方向の長さＷ）が開き、記録層４２の磁化
が再生層４１に転写され、等価的に該窓領域の記録情報
の信号のみが再生光の反射光束中に含まれることとな
る。図８は、磁界変調によって記録されたドメイン４６
のエッジ部が光スポット４８の領域Ｓと高温部４９の領
域Ｈとの重なった読み出し窓領域Ｗ内にある場合を示し
ている。この場合は、光スポット４８内には、記録層４
２の２つのドメインエッジが存在しているが、１つは再
生層４１の磁化によりマスクされ、再生光からは見えな
いドメイン４７となっているため、読み出し窓領域Ｗ内
の１つのエッジのみを他のエッジからのクロストークを
低減した状態で検出可能となる。

【００４４】図９（ａ）は、分割光検出器１３，１４上
の仮想スポット像と検出器光電変換部との関係を表す模
式図である。同図において、５０は再生層４１によるマ
スキングがない場合に集光レンズ１１により光検出器１
３，１４上に結像されるであろう仮想スポット像であ
り、光磁気ディスク２上の光スポット２１ｃと共役の関
係にある。光検出器１３，１４は、それぞれ図示されて
いる様に、光電変換部がトラック方向と対応するｘ’方
向に関し分割されており、分割線の方向はｘ’方向と垂
直のｙ’方向である。本実施例においては、光電変換部
５１ａ，５１ｂの位置は光磁気ディスク２上での光スポ
ット４８と読取り窓領域Ｗとの位置関係を反映して、光
軸からトラック対応ｘ’方向にシフトしている。また、
その寸法も、光磁気ディスク２上の光スポット４８と読
取り窓領域Ｗとの関係にほぼ対応したものとなってい
る。

【００４５】上記第１の実施例と同様に、光電変換部５
１ａ，５１ｂの出力を差動増幅することにより差分が実
現し、エッジ検出能力を向上させることが可能となる。

【００４６】図９（ｂ）は、図９（ａ）の実施例の変形
例である。本変形例において、仮想スポット像５０に対
する光検出器光電変換部５１ａ，５１ｂの形状及び位置
は、光磁気ディスク２上の光スポット４８に対する読取
り窓領域Ｗの形状及び位置とほぼ相似であり、分割線も
矢羽根形状のドメインのエッジ形状に対応したものとさ
れている。

【００４７】

【発明の効果】以上、説明した様に、本発明では、光学
的情報記録媒体上の光スポットと光学的に対応する光検
出器上の仮想スポット像よりも小さい分割光検出器を前
記光スポット内の情報ビット読取り領域に対応させて配
置し、前記光検出器の各光電変換部からの出力信号を演
算して情報を再生するようにしたので、高密度に記録さ
れた情報を高精度で検出することができ、信頼性の高い
高密度光メモリシステムを実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光学的情報再生装置の第１の実施例の
光ヘッド光学系を示す構成図である。

【図２】光磁気ディスクの断面構造を示す模式図であ
る。

【図３】光磁気ディスクのフォトクロミック層の特性変
化を示す図である。

【図４】光磁気ディスク上の光スポットの説明図であ
る。

【図５】光磁気ディスク上の読取り領域の説明図であ
る。

【図６】エッジ検出の動作説明図である。

【図７】分割光検出器上の仮想スポット像と検出器光電
変換部との関係を表す模式図である。

【図８】本発明の光学的情報再生装置の第２の実施例に
おけるエッジ検出動作と光磁気ディスクの断面構造とを
示す図である。

【図９】分割光検出器上の仮想スポット像と検出器光電
変換部との関係を表す模式図である。

【符号の説明】

２光磁気ディスク２ｃ，４２光磁気記録層１３，１４分割光検出器２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，４８光スポット２１ｆ，Ｗ読み出し窓領域２２，２３，４６，４７磁化ドメイン２２ａ情報ビットエッジ２４，５０仮想スポット像２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，５１ａ，５１ｂ分割光検
出器光電変換部

フロントページの続き (56)参考文献特開平４−328328（ＪＰ，Ａ) ＳＰＩＥＶＯＬ．1499，ＯＰＴＩＣＡＬＤＡＴＡＳＴＯＲＡＧＥ’91, ｐ209−ｐ215，（25−27 ＦＥＢ. 1991) 日本応用磁気学会研究会資料（超高密度メモリ）、Ｖｏｌ．63−８、ｐ39−ｐ 44（1990年１月18日) 電気学会研究会資料、ＭＡＧ−88− 207、ｐ．23−ｐ28（1988年11月25日) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 7/00 - 7/013

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】情報が記録された記録層と前記情報を検
出するための検出窓が形成される検出層とを少なくとも
有する光学的情報記録媒体の情報トラックに光スポット
を照射し、前記検出層に前記光スポットより小さい検出
窓を形成すると共に、前記光スポットの反射光または透
過光を受光光学系により光検出器に導き、前記光検出器
の出力に基づいて前記情報を再生する光学的情報再生装
置において、前記光検出器は、前記光スポットの０次光の反射光また
は透過光の一部のみであって且つ前記検出窓に対応する
光束を受光するように配置されていることを特徴とする
光学的情報再生装置。
【請求項２】前記光検出器は、前記光スポットと光学
的に共役な位置に配置されていることを特徴とする、請
求項１に記載の光学的情報再生装置。
【請求項３】前記光検出器は、前記情報トラックと対
応する方向において分割されており、各分割部分の出力
の差動出力に基づいて前記情報を再生することを特徴と
する、請求項１に記載の光学的情報再生装置。
【請求項４】前記光スポットの中心と前記光検出器の
中心とは共に前記受光光学系の光軸上に配置されている
ことを特徴とする、請求項１に記載の光学的情報再生装
置。
【請求項５】前記光スポットの中心が前記受光光学系
の光軸上に配置されており、前記光検出器の中心が前記
受光光学系の光軸から情報トラック方向と対応する方向
にずれて配置されていることを特徴とする、請求項１に
記載の光学的情報再生装置。