JP3075008B2 - 記録再生装置 - Google Patents
記録再生装置Info
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- JP3075008B2 JP3075008B2 JP8841693A JP8841693A JP3075008B2 JP 3075008 B2 JP3075008 B2 JP 3075008B2 JP 8841693 A JP8841693 A JP 8841693A JP 8841693 A JP8841693 A JP 8841693A JP 3075008 B2 JP3075008 B2 JP 3075008B2
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- Television Signal Processing For Recording (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、デジタル化された映像
・音声信号等を記録再生する記録・再生装置に関するも
のである。
・音声信号等を記録再生する記録・再生装置に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】 近年、映像・音声信号をアナログ信号
のまま磁気テープに記録するアナログVTRにかわっ
て、高画質化、ダビング時の劣化防止等を目的とした、
映像・音声信号をデジタル信号に変換し、デジタル信号
のまま信号処理を施し記録するデジタルVTRの開発・
商品化が進められている。そしてこのデジタル化にとも
なって高能率符号化技術が重要になってきている。高能
率符号化とは映像情報の持つ冗長成分を除去してデータ
量を圧縮する手段である。高能率符号化の有効な手段と
して直交変換符号化が代表的であり、最近よく使用され
始めている。直交変換とは入力される時系列信号を直交
する成分(例えば周波数成分)に変換するもので、フー
リエ変換、離散コサイン変換(以下DCTと略す)、ア
ダマール変換等が有名である。特にDCTは映像情報に
適した直交変換として注目されている。
のまま磁気テープに記録するアナログVTRにかわっ
て、高画質化、ダビング時の劣化防止等を目的とした、
映像・音声信号をデジタル信号に変換し、デジタル信号
のまま信号処理を施し記録するデジタルVTRの開発・
商品化が進められている。そしてこのデジタル化にとも
なって高能率符号化技術が重要になってきている。高能
率符号化とは映像情報の持つ冗長成分を除去してデータ
量を圧縮する手段である。高能率符号化の有効な手段と
して直交変換符号化が代表的であり、最近よく使用され
始めている。直交変換とは入力される時系列信号を直交
する成分(例えば周波数成分)に変換するもので、フー
リエ変換、離散コサイン変換(以下DCTと略す)、ア
ダマール変換等が有名である。特にDCTは映像情報に
適した直交変換として注目されている。
【0003】この圧縮方法を使用した記録装置として
は、特開平4−91587号公報,特開平4−2710
70号公報に開示されている。これらの装置の構成は図
12のブロック図で示される。同図の100は小ブロッ
ク化器、101は大ブロック化器、102は直交変換
器、103は量子化器、104は可変長符号化器、10
6はデータ制御器、123は伝送器、105,107,
112,113,116,117,119,122はス
イッチ(以下SWという)である。
は、特開平4−91587号公報,特開平4−2710
70号公報に開示されている。これらの装置の構成は図
12のブロック図で示される。同図の100は小ブロッ
ク化器、101は大ブロック化器、102は直交変換
器、103は量子化器、104は可変長符号化器、10
6はデータ制御器、123は伝送器、105,107,
112,113,116,117,119,122はス
イッチ(以下SWという)である。
【0004】小ブロック化器100は入力される1フレ
ーム単位の映像信号を水平8画素・垂直8画素の合計6
4画素の標本値からなる小ブロック(この小ブロック)
が以降の信号処理の最小単位となる)に分割する。各小
ブロックは大ブロック化器101で30個の小ブロック
の集合毎に1つの大ブロックにまとめられる。図13は
大ブロック化器の構成図で、200は輝度(Y)信号入
力部、201は色差信号R−Y(CR)入力部、202
は色差信号B−Y(CB)入力部、203はフレームメ
モリ、204はアドレスコントローラである。輝度
(Y)信号入力部200、色差信号R−Y(CR)入力
部201、色差信号B−Y(CB)入力部202より入
力される小ブロック毎の標本値はフレームメモリ203
に一度蓄積された後、アドレスコントローラ204に従
って30個の小ブロックからなる大ブロック毎に、Y→
Y→Y→Y→CR→CB→・・・→Y→Y→Y→Y→CR
→CBの順で直交変換器102に出力される。
ーム単位の映像信号を水平8画素・垂直8画素の合計6
4画素の標本値からなる小ブロック(この小ブロック)
が以降の信号処理の最小単位となる)に分割する。各小
ブロックは大ブロック化器101で30個の小ブロック
の集合毎に1つの大ブロックにまとめられる。図13は
大ブロック化器の構成図で、200は輝度(Y)信号入
力部、201は色差信号R−Y(CR)入力部、202
は色差信号B−Y(CB)入力部、203はフレームメ
モリ、204はアドレスコントローラである。輝度
(Y)信号入力部200、色差信号R−Y(CR)入力
部201、色差信号B−Y(CB)入力部202より入
力される小ブロック毎の標本値はフレームメモリ203
に一度蓄積された後、アドレスコントローラ204に従
って30個の小ブロックからなる大ブロック毎に、Y→
Y→Y→Y→CR→CB→・・・→Y→Y→Y→Y→CR
→CBの順で直交変換器102に出力される。
【0005】ここで図14の斜線で示されるブロックが
小ブロックを示しており、画面上のさまざまな位置のこ
の小ブロックをシャフリングするように30個集めて1
つの大ブロック(以下この単位をビデオセグメントとい
う)を構成する。このようにシャフリングすることによ
って画面上の情報量が分散されるため、各ビデオセグメ
ントに含まれる情報量は大体等しくなる。従って画面上
で場所によって情報量に偏りがある場合にも効率よく圧
縮できるようになっている。
小ブロックを示しており、画面上のさまざまな位置のこ
の小ブロックをシャフリングするように30個集めて1
つの大ブロック(以下この単位をビデオセグメントとい
う)を構成する。このようにシャフリングすることによ
って画面上の情報量が分散されるため、各ビデオセグメ
ントに含まれる情報量は大体等しくなる。従って画面上
で場所によって情報量に偏りがある場合にも効率よく圧
縮できるようになっている。
【0006】直交変換器102は、入力される小ブロッ
ク化された標本値をその単位毎にディスクリート・コサ
イン変換(DCT)によって2次元の直交変換を行う。
この直交変換器102では、まず小ブロックの水平方向
にDCTされ、次に水平方向にDCTされた直交成分
は、直交変換器102に内蔵された水平垂直並べ換え器
(不図示)で垂直方向に並べ換えられた後、垂直方向に
DCTされる。このDCTされた周波数成分を周波数の
低い成分から順に並べたものが図15ある。図15では
左上を水平垂直ともに最も低い周波数に対応する直交成
分を配置し、右側ほど水平方向に高い周波数を表わす直
交成分を、また左側ほど低い周波数を表わす直交成分を
配置している。ここで、直流(DC信号)成分は番号1
に配置されている。このようにして2次元DCTされた
小ブロック(以下DCTブロックという)毎の直交成分
は、水平方向、垂直方向共に低域を表す直交成分から図
15の番号順に量子化器103にビデオセグメント単位
で出力される。
ク化された標本値をその単位毎にディスクリート・コサ
イン変換(DCT)によって2次元の直交変換を行う。
この直交変換器102では、まず小ブロックの水平方向
にDCTされ、次に水平方向にDCTされた直交成分
は、直交変換器102に内蔵された水平垂直並べ換え器
(不図示)で垂直方向に並べ換えられた後、垂直方向に
DCTされる。このDCTされた周波数成分を周波数の
低い成分から順に並べたものが図15ある。図15では
左上を水平垂直ともに最も低い周波数に対応する直交成
分を配置し、右側ほど水平方向に高い周波数を表わす直
交成分を、また左側ほど低い周波数を表わす直交成分を
配置している。ここで、直流(DC信号)成分は番号1
に配置されている。このようにして2次元DCTされた
小ブロック(以下DCTブロックという)毎の直交成分
は、水平方向、垂直方向共に低域を表す直交成分から図
15の番号順に量子化器103にビデオセグメント単位
で出力される。
【0007】図16はDCTブロックの出力順番を示し
た図で、大ブロック化器から入力される順に直交変換器
102は処理するので、出力もY→Y→Y→Y→CR→
CBのDCTブロックの順に出力される。(以下、図1
6に示すように、DCT No.0〜DCT No.5まで
をNo.0マクロブロック、DCT No.6〜DCT N
o.11までをNo.1マクロブロック・・・、DCT
No.24〜DCTNo.29までをNo.4マクロブロッ
クという。)量子化器103に入力された直交成分はD
C信号を除いて量子化される(以下DC信号以外の直交
成分をAC成分という)。この量子化とは符号化後のデ
ータ量を制御するために直交成分の値を丸める動作を呼
ぶ。DCTブロックの番号順に量子化されたAC成分の
量子化データは、高能率符号化を行う可変長符号化器1
04に出力される。可変長符号化器104では、周知の
2次元ハフマン符号等のアルゴリズム(ゼロランの数と
それに続く0でない値から符号語を決定するもので、入
力データにゼロの数が多いほどそのDCTブロックの符
号語数は少なくなる)に従って、DC信号以外の量子化
データの0ラン長と振幅値をもとにそれぞれ可変長の符
号語データに変換する。ここで、符号語データの最小長
は3ビット、最大長は16ビットで、符号長の大きい符
号は発生確率の非常に小さい、比較的大きな振幅値の符
号語データに割り当てられる。ゼロラン長を表す最大の
符号長は15ビットである。
た図で、大ブロック化器から入力される順に直交変換器
102は処理するので、出力もY→Y→Y→Y→CR→
CBのDCTブロックの順に出力される。(以下、図1
6に示すように、DCT No.0〜DCT No.5まで
をNo.0マクロブロック、DCT No.6〜DCT N
o.11までをNo.1マクロブロック・・・、DCT
No.24〜DCTNo.29までをNo.4マクロブロッ
クという。)量子化器103に入力された直交成分はD
C信号を除いて量子化される(以下DC信号以外の直交
成分をAC成分という)。この量子化とは符号化後のデ
ータ量を制御するために直交成分の値を丸める動作を呼
ぶ。DCTブロックの番号順に量子化されたAC成分の
量子化データは、高能率符号化を行う可変長符号化器1
04に出力される。可変長符号化器104では、周知の
2次元ハフマン符号等のアルゴリズム(ゼロランの数と
それに続く0でない値から符号語を決定するもので、入
力データにゼロの数が多いほどそのDCTブロックの符
号語数は少なくなる)に従って、DC信号以外の量子化
データの0ラン長と振幅値をもとにそれぞれ可変長の符
号語データに変換する。ここで、符号語データの最小長
は3ビット、最大長は16ビットで、符号長の大きい符
号は発生確率の非常に小さい、比較的大きな振幅値の符
号語データに割り当てられる。ゼロラン長を表す最大の
符号長は15ビットである。
【0008】可変長符号器104で符号化されたデータ
は図17に示す5つのシンクブロック(syncblock0〜sy
ncblock4)に以下に説明する規則に従ってフォーマット
される。フォーマットされた信号は伝送器123によっ
てエラー訂正符号やID等の情報信号が付加された後、
不図示の変調器によって変調されてテープに記録され
る。
は図17に示す5つのシンクブロック(syncblock0〜sy
ncblock4)に以下に説明する規則に従ってフォーマット
される。フォーマットされた信号は伝送器123によっ
てエラー訂正符号やID等の情報信号が付加された後、
不図示の変調器によって変調されてテープに記録され
る。
【0009】次に可変長符号のシンクブロックへのフォ
ーマットについて説明する。5つのシンクブロックは図
17に示すように8ビットのデータ幅を持ち、各syncbl
ockは14バイトの輝度信号(Y信号)領域4個と10
バイトの色差信号(CR,CB信号)領域2個の76バイ
トの領域からなる。可変長符号器104で符号化された
可変長の符号語データは図17の5つのシンクブロック
(syncblock0〜syncblock4)に分けて書き込まれる。各
syncblockは図17の様に番号が付され、ブロック4,
5,10,11,16,17,22,23,28,29
が10バイトのブロックで、その他が14バイトのブロ
ックである。このブロックにはその番号に対応したDC
Tブロックの符号語データを優先的に書き込むフォーマ
ットになっている。図18はそれぞれのブロックの構成
図であり、(a)が14バイトの、(b)が10バイト
のブロックを表す。それぞれの先頭にはその番号に対応
したDCTブロックのDC信号のデータ(本装置では1
0ビットとする)が書き込まれ、それに続いてAC成分
の符号語データがlsbから順に書き込まれる。図18
はシンクブロックに符号語データが書き込まれている様
子を示す。
ーマットについて説明する。5つのシンクブロックは図
17に示すように8ビットのデータ幅を持ち、各syncbl
ockは14バイトの輝度信号(Y信号)領域4個と10
バイトの色差信号(CR,CB信号)領域2個の76バイ
トの領域からなる。可変長符号器104で符号化された
可変長の符号語データは図17の5つのシンクブロック
(syncblock0〜syncblock4)に分けて書き込まれる。各
syncblockは図17の様に番号が付され、ブロック4,
5,10,11,16,17,22,23,28,29
が10バイトのブロックで、その他が14バイトのブロ
ックである。このブロックにはその番号に対応したDC
Tブロックの符号語データを優先的に書き込むフォーマ
ットになっている。図18はそれぞれのブロックの構成
図であり、(a)が14バイトの、(b)が10バイト
のブロックを表す。それぞれの先頭にはその番号に対応
したDCTブロックのDC信号のデータ(本装置では1
0ビットとする)が書き込まれ、それに続いてAC成分
の符号語データがlsbから順に書き込まれる。図18
はシンクブロックに符号語データが書き込まれている様
子を示す。
【0010】この例では、AC成分の符号語データ量が
DCT0では102ビット以上で固定領域から溢れ、D
CT4では70ビット以上で溢れる。シンクブロックへ
の書き込み手順はまず、DCT0のDC信号をブロック
0に書き込み、続いてDCT0のAC成分の符号語デー
タを順に書き込む。この時、ブロック0の領域が一杯に
なると、DCT0のデータの書き込みを一時中断し、次
にDCT1のデータをブロック1に書き込む。DCT1
の符号語データ全てが書き込まれて、まだブロック1に
空き領域が有っても、この空き領域を飛ばして、次のD
CT2のデータをブロック2の先頭から書き始める。こ
のようにして、まず全てのブロックをその番号に対応し
たDCTブロックの符号語データで埋める。そして、次
にDCT0のデータがまだ全て書き込まれていないの
で、ブロック1の空いた領域に残りの符号語データ(高
域データ)を書き込む。DCT0のデータを全て書き込
んだら、次にまだ全ての符号語データを書き込んでいな
いDCT2のデータ処理に移る。図19のようにブロッ
ク1にまだ空き領域が有れば、そこから残りの符号語デ
ータを書き込み、ブロック1の領域が一杯になると、次
に空いているブロックの空き領域に残りの符号語データ
を書き込む。これらの動作を繰り返して、各DCTブロ
ックのデータをシンクブロックに書き込んでいく(DC
T番号順に、番号の小さいブロックの空いた領域から順
にデータを書き込む)。各syncblockには同一マクロブ
ロックの高域データを優先的に書き込む。そして、まだ
書き込む領域がある場合、他のsyncblockの高域データ
を書き込んでいく。図19に示すように、ブロックの番
号と同一番号のDCTブロックの符号語データを低域デ
ータ(LAC)、他の番号のブロックに書き込まれた符
号語データを高域データ(HAC)と呼んでいる。
DCT0では102ビット以上で固定領域から溢れ、D
CT4では70ビット以上で溢れる。シンクブロックへ
の書き込み手順はまず、DCT0のDC信号をブロック
0に書き込み、続いてDCT0のAC成分の符号語デー
タを順に書き込む。この時、ブロック0の領域が一杯に
なると、DCT0のデータの書き込みを一時中断し、次
にDCT1のデータをブロック1に書き込む。DCT1
の符号語データ全てが書き込まれて、まだブロック1に
空き領域が有っても、この空き領域を飛ばして、次のD
CT2のデータをブロック2の先頭から書き始める。こ
のようにして、まず全てのブロックをその番号に対応し
たDCTブロックの符号語データで埋める。そして、次
にDCT0のデータがまだ全て書き込まれていないの
で、ブロック1の空いた領域に残りの符号語データ(高
域データ)を書き込む。DCT0のデータを全て書き込
んだら、次にまだ全ての符号語データを書き込んでいな
いDCT2のデータ処理に移る。図19のようにブロッ
ク1にまだ空き領域が有れば、そこから残りの符号語デ
ータを書き込み、ブロック1の領域が一杯になると、次
に空いているブロックの空き領域に残りの符号語データ
を書き込む。これらの動作を繰り返して、各DCTブロ
ックのデータをシンクブロックに書き込んでいく(DC
T番号順に、番号の小さいブロックの空いた領域から順
にデータを書き込む)。各syncblockには同一マクロブ
ロックの高域データを優先的に書き込む。そして、まだ
書き込む領域がある場合、他のsyncblockの高域データ
を書き込んでいく。図19に示すように、ブロックの番
号と同一番号のDCTブロックの符号語データを低域デ
ータ(LAC)、他の番号のブロックに書き込まれた符
号語データを高域データ(HAC)と呼んでいる。
【0011】このように可変長符号化(以下VLCとい
う)した符号語データをフォーマットする場合、可変長
符号化器104から次々に出力される符号語データ毎
に、LACやHACに分けてそれぞれの固定ブロックに
書き込む処理や、DCTブロックのデータをそれぞれの
属するsyncblockに優先的に書き込む等の処理をしてフ
ォーマットすることはタイミング的に難しいので、可変
長符号化器104の出力を1度バッファRAMに格納し
た後、符号語データの並び換えを行っている。
う)した符号語データをフォーマットする場合、可変長
符号化器104から次々に出力される符号語データ毎
に、LACやHACに分けてそれぞれの固定ブロックに
書き込む処理や、DCTブロックのデータをそれぞれの
属するsyncblockに優先的に書き込む等の処理をしてフ
ォーマットすることはタイミング的に難しいので、可変
長符号化器104の出力を1度バッファRAMに格納し
た後、符号語データの並び換えを行っている。
【0012】このバッファRAMは図12において、D
RAM114及び115、VRAM108及び111、
FRAM120及び121である。DRAM114及び
115はDC信号のデータを格納するRAM、VRAM
108及び111はVLCしたデータを格納するRA
M、FRAM120及び121はフォーマットしたデー
タを一時格納するバッファRAMである。これらのRA
Mは2個づつ用意され片方が書き込みモードの時は、必
ず他方が読み出しモードになるよう構成されている(所
謂ピンポン型の構成である)。この読み出し/書き込み
動作は各SW113,116,107,112,11
9,122によって切り換えられ、この切り換えは1ビ
デオセグメント単位毎に行われる。次にこれらの動作に
ついて説明する。ここで、今、SW113,116,1
07,112,119,122は黒丸側の接点が選択さ
れているとして説明する。
RAM114及び115、VRAM108及び111、
FRAM120及び121である。DRAM114及び
115はDC信号のデータを格納するRAM、VRAM
108及び111はVLCしたデータを格納するRA
M、FRAM120及び121はフォーマットしたデー
タを一時格納するバッファRAMである。これらのRA
Mは2個づつ用意され片方が書き込みモードの時は、必
ず他方が読み出しモードになるよう構成されている(所
謂ピンポン型の構成である)。この読み出し/書き込み
動作は各SW113,116,107,112,11
9,122によって切り換えられ、この切り換えは1ビ
デオセグメント単位毎に行われる。次にこれらの動作に
ついて説明する。ここで、今、SW113,116,1
07,112,119,122は黒丸側の接点が選択さ
れているとして説明する。
【0013】各DCTブロックでは可変長符号化器10
4からまずDC信号が出力される。この時、SW105
は可変長符号化器104の指令でb側が選択され、DC
信号はSW113を介してDRAM114に書き込まれ
る。可変長符号化器104はDC信号を出力した後、S
W105を接点a側に切り換え、AC信号のデータをデ
ータ制御器106に出力する。データ制御器106はS
W107を介して、図20(b)に示すように、VRA
M108に1アドレス(1ワード=16ビット)毎に1
符号語データを書き込む。そして、各DCTブロックの
最後を示す符号語データであるeob(end of block)
符号を検出すると、eob符号を書き込んだ次のアドレ
ス値を次のDCTブロックの先頭アドレスとしてポイン
タRAM109に格納する。図20(a)に示すように
DCTブロックのデータが書き込まれるとポインタRA
Mには0,8,14,17,30,・・・・の値が順に
格納されることになる。VRAMの1ワードのビット幅
は符号語データのビット長さに依存し、本従来装置では
符号語の最大ビット長が16ビットであるので、VRA
M108、111の1ワードは16ビットとなる。
4からまずDC信号が出力される。この時、SW105
は可変長符号化器104の指令でb側が選択され、DC
信号はSW113を介してDRAM114に書き込まれ
る。可変長符号化器104はDC信号を出力した後、S
W105を接点a側に切り換え、AC信号のデータをデ
ータ制御器106に出力する。データ制御器106はS
W107を介して、図20(b)に示すように、VRA
M108に1アドレス(1ワード=16ビット)毎に1
符号語データを書き込む。そして、各DCTブロックの
最後を示す符号語データであるeob(end of block)
符号を検出すると、eob符号を書き込んだ次のアドレ
ス値を次のDCTブロックの先頭アドレスとしてポイン
タRAM109に格納する。図20(a)に示すように
DCTブロックのデータが書き込まれるとポインタRA
Mには0,8,14,17,30,・・・・の値が順に
格納されることになる。VRAMの1ワードのビット幅
は符号語データのビット長さに依存し、本従来装置では
符号語の最大ビット長が16ビットであるので、VRA
M108、111の1ワードは16ビットとなる。
【0014】上記のように可変長符号化器104からの
データをDRAM114やVRAM108にデータを書
き込んでいる間、DRAM115やVRAM111は読
み出しモードになっており、それらのRAMからは1つ
前のビデオセグメント期間に書き込まれたデータがデー
タ制御器118の制御によって読み出される。データ制
御器118は、各DCTブロックのデータの処理を行う
とき、まずSW117をc側に接続し、DRAM115
から読み出したDC成分を、図19の様にFRAM12
1の固定ブロックの先頭部分に書き込む。次にデータ制
御器118はSW117をd側に接続し、VRAM11
1に書き込まれているAC成分のデータをポインタRA
M110の値を基にDCTブロックの先頭から順に上記
した規則に従ってFRAM121にデータを詰めて書き
込んでいく。この時FRAM120は読み出しモードで
あり、先頭のアドレスから順にSW122を介して、伝
送器123にデータを出力する。1ビデオセグメント分
のデータ処理期間が経過すると、SW107,112,
113,116,119,122は反対の接点に切り換
わり、それぞれのRAMのモードが切り換わって後は上
記した動作を繰り返す。
データをDRAM114やVRAM108にデータを書
き込んでいる間、DRAM115やVRAM111は読
み出しモードになっており、それらのRAMからは1つ
前のビデオセグメント期間に書き込まれたデータがデー
タ制御器118の制御によって読み出される。データ制
御器118は、各DCTブロックのデータの処理を行う
とき、まずSW117をc側に接続し、DRAM115
から読み出したDC成分を、図19の様にFRAM12
1の固定ブロックの先頭部分に書き込む。次にデータ制
御器118はSW117をd側に接続し、VRAM11
1に書き込まれているAC成分のデータをポインタRA
M110の値を基にDCTブロックの先頭から順に上記
した規則に従ってFRAM121にデータを詰めて書き
込んでいく。この時FRAM120は読み出しモードで
あり、先頭のアドレスから順にSW122を介して、伝
送器123にデータを出力する。1ビデオセグメント分
のデータ処理期間が経過すると、SW107,112,
113,116,119,122は反対の接点に切り換
わり、それぞれのRAMのモードが切り換わって後は上
記した動作を繰り返す。
【0015】次に上記の記録装置でテープ上に記録され
たデータ列を再生する場合について説明する。図21は
再生装置のブロック図である。再生時のデータの流れは
記録時の逆で、また各RAMの構成は記録装置と同じく
ピンポン型の構成になっている。SW125,128,
131,132,137,139は1ビデオセグメント
期間単位で切り換わり、各RAMはそれによって書き込
み/読み出しモードが切り換わる。記録再生部(図不記
載)を通って復調されたデータは伝送器124に入力さ
れる。伝送器124ではエラー訂正を行った後付加され
ているINDEX等の情報信号を取り除き、画像に関する
(可変長符号)データをSW125を介してFRAM1
27に書き込む。データ制御器129はFRAM126
から1つ前のビデオセグメント期間に書き込まれたデー
タの読み出しをSW128を介して行う。データ制御器
129は各DCT毎のデータの処理を行う際、まずSW
130をe側に切り換え、DC信号をDRAM134に
書き込む。そして、その後SW130をf側に切り換え
てFRAM126に詰め込まれたAC成分のデータを符
号語単位毎に切り出し図20(b)に示したように1ア
ドレス毎に1符号語データをVRAM136に書き込ん
でいく。この時にDCTブロックの先頭データを書き込
むVRAM136のアドレスをポインタRAMに書き込
む。
たデータ列を再生する場合について説明する。図21は
再生装置のブロック図である。再生時のデータの流れは
記録時の逆で、また各RAMの構成は記録装置と同じく
ピンポン型の構成になっている。SW125,128,
131,132,137,139は1ビデオセグメント
期間単位で切り換わり、各RAMはそれによって書き込
み/読み出しモードが切り換わる。記録再生部(図不記
載)を通って復調されたデータは伝送器124に入力さ
れる。伝送器124ではエラー訂正を行った後付加され
ているINDEX等の情報信号を取り除き、画像に関する
(可変長符号)データをSW125を介してFRAM1
27に書き込む。データ制御器129はFRAM126
から1つ前のビデオセグメント期間に書き込まれたデー
タの読み出しをSW128を介して行う。データ制御器
129は各DCT毎のデータの処理を行う際、まずSW
130をe側に切り換え、DC信号をDRAM134に
書き込む。そして、その後SW130をf側に切り換え
てFRAM126に詰め込まれたAC成分のデータを符
号語単位毎に切り出し図20(b)に示したように1ア
ドレス毎に1符号語データをVRAM136に書き込ん
でいく。この時にDCTブロックの先頭データを書き込
むVRAM136のアドレスをポインタRAMに書き込
む。
【0016】同時に可変長符号復号器143はSW14
2の接点をh側に切り換えて、まずDRAM133から
これから復号処理を行うDCTブロックのDC信号を読
み出す。続いてSW142をg側に切り換えて、1つ前
のビデオセグメント期間に書き込まれたAC成分のデー
タをポインタRAM138が示すVRAMのアドレスか
ら順次レジスタ141を介して読み出し、ゼロラン長と
振幅値に復号する。復号した信号は、DC信号から順に
逆量子化器144に出力する。逆量子化器144は復号
データの逆量子化を行い、直交逆変換器145に逆量子
化データを出力する。逆直交変換器145は入力する逆
量子化データの逆DCTを行い、周波数領域のデータか
ら時間領域のデータに変換してにブロック組立器146
に出力する。ブロック組立器146では入力するブロッ
ク毎のデータを逆シャフリングしながらバラバラにされ
ていた画像データを元の1フレーム分のデータに組み立
てた後、不図示のD/Aコンバータに出力し、アナログ
の映像信号に変換してモニタテレビ等に出力している。
2の接点をh側に切り換えて、まずDRAM133から
これから復号処理を行うDCTブロックのDC信号を読
み出す。続いてSW142をg側に切り換えて、1つ前
のビデオセグメント期間に書き込まれたAC成分のデー
タをポインタRAM138が示すVRAMのアドレスか
ら順次レジスタ141を介して読み出し、ゼロラン長と
振幅値に復号する。復号した信号は、DC信号から順に
逆量子化器144に出力する。逆量子化器144は復号
データの逆量子化を行い、直交逆変換器145に逆量子
化データを出力する。逆直交変換器145は入力する逆
量子化データの逆DCTを行い、周波数領域のデータか
ら時間領域のデータに変換してにブロック組立器146
に出力する。ブロック組立器146では入力するブロッ
ク毎のデータを逆シャフリングしながらバラバラにされ
ていた画像データを元の1フレーム分のデータに組み立
てた後、不図示のD/Aコンバータに出力し、アナログ
の映像信号に変換してモニタテレビ等に出力している。
【0017】
【発明が解決しようとしている課題】以上のような装置
において、1DCTブロック当たり最大の符号語数とな
るのは、DC信号を除く直交成分(AC成分)の量子化
後の値が全て0でない(ゼロランがゼロで全ての量子化
データにゼロ以外の値を持つ)ときで、この時AC成分
の数にeob符号(1DCTブロックの最後を示す符
号)を加えた符号語の数が存在することになる。図15
のように1DCTブロックのAC成分が63個ある場
合、最大の符号語数はeob符号を含めて64個であ
る。
において、1DCTブロック当たり最大の符号語数とな
るのは、DC信号を除く直交成分(AC成分)の量子化
後の値が全て0でない(ゼロランがゼロで全ての量子化
データにゼロ以外の値を持つ)ときで、この時AC成分
の数にeob符号(1DCTブロックの最後を示す符
号)を加えた符号語の数が存在することになる。図15
のように1DCTブロックのAC成分が63個ある場
合、最大の符号語数はeob符号を含めて64個であ
る。
【0018】ところで、上記装置ではVRAMへのデー
タの書き込みは1アドレスに1符号語データを割り当
て、更にDCTブロック0から順番にVRAMの先頭ア
ドレスから順にデータを書き込んでいるので、1つのV
RAMの記憶容量は、処理単位であるビデオセグメント
に30個のDCTブロックが存在することから、 64×30×16=30720 ビット 必要である。この値は実際に記録されるデータ量274
0ビット(上記装置の場合、76バイト×8ビット×5
シンクブロック−10ビット×30DCTブロック=2
740)に比べ10倍以上もの記憶容量となる。このよ
うに実際記録しない無効なデータのためにメモリを用意
する従来のVRAMの構成は、コスト的にも、回路面積
(規模)的にも問題があり、特にIC化を図る上で大き
な問題となっていた。
タの書き込みは1アドレスに1符号語データを割り当
て、更にDCTブロック0から順番にVRAMの先頭ア
ドレスから順にデータを書き込んでいるので、1つのV
RAMの記憶容量は、処理単位であるビデオセグメント
に30個のDCTブロックが存在することから、 64×30×16=30720 ビット 必要である。この値は実際に記録されるデータ量274
0ビット(上記装置の場合、76バイト×8ビット×5
シンクブロック−10ビット×30DCTブロック=2
740)に比べ10倍以上もの記憶容量となる。このよ
うに実際記録しない無効なデータのためにメモリを用意
する従来のVRAMの構成は、コスト的にも、回路面積
(規模)的にも問題があり、特にIC化を図る上で大き
な問題となっていた。
【0019】また同様に、可変長符号を一時的にバッフ
ァする為のVRAMと記録する信号フォーマットの信号
形式を生成する為のFRAMを全く別アドレス空間の別
メモリとする構成もコスト的に、回路面積(規模)的に
問題であった。本発明は、かかる点に鑑み、使用するメ
モリの容量を少なくする記録・再生装置を提供すること
を目的とする。
ァする為のVRAMと記録する信号フォーマットの信号
形式を生成する為のFRAMを全く別アドレス空間の別
メモリとする構成もコスト的に、回路面積(規模)的に
問題であった。本発明は、かかる点に鑑み、使用するメ
モリの容量を少なくする記録・再生装置を提供すること
を目的とする。
【0020】
【課題を解決するための手段】第1の本発明は、入力信
号の標本値を集めてm×nの画素毎に小ブロックを構成
する小ブロック化器と、小ブロック器の出力信号をブロ
ック毎に直交変換する直交変換器と、直交変換器で得ら
れた直交成分を量子化する量子化器と、量子化器の出力
を可変長符号データに符号化する可変長符号化器と、所
定の記録フォーマットの信号を出力する第1のメモリ
と、第1のメモリの各小ブロックに割り当てられた固定
ワード長領域に格納しきれない前記可変長符号データを
格納し、かつ前記小ブロック全てに共有の格納領域を備
えた第2のメモリと、可変長符号化器の出力信号を第1
のメモリの各小ブロック毎に割り当てられた固定ワード
長の格納領域に格納し、固定ワード長の格納領域を越え
た可変長符号データを第2のメモリに格納する第1のデ
ータ制御器と、第1のメモリの未格納領域に第2のメモ
リに格納された可変長符号データを格納する第2のデー
タ制御器を備えた記録再生装置である。
号の標本値を集めてm×nの画素毎に小ブロックを構成
する小ブロック化器と、小ブロック器の出力信号をブロ
ック毎に直交変換する直交変換器と、直交変換器で得ら
れた直交成分を量子化する量子化器と、量子化器の出力
を可変長符号データに符号化する可変長符号化器と、所
定の記録フォーマットの信号を出力する第1のメモリ
と、第1のメモリの各小ブロックに割り当てられた固定
ワード長領域に格納しきれない前記可変長符号データを
格納し、かつ前記小ブロック全てに共有の格納領域を備
えた第2のメモリと、可変長符号化器の出力信号を第1
のメモリの各小ブロック毎に割り当てられた固定ワード
長の格納領域に格納し、固定ワード長の格納領域を越え
た可変長符号データを第2のメモリに格納する第1のデ
ータ制御器と、第1のメモリの未格納領域に第2のメモ
リに格納された可変長符号データを格納する第2のデー
タ制御器を備えた記録再生装置である。
【0021】第2の本発明は、入力信号の標本値を集め
てm×nの画素毎に小ブロックを構成する小ブロック化
器と、小ブロック器の出力信号をブロック毎に直交変換
する直交変換器と、直交変換器で得られた直交成分を量
子化する量子化器と、量子化器の出力を可変長符号デー
タに符号化する可変長符号化器と、所定の記録フォーマ
ットの信号を出力する第1のメモリと、第1のメモリの
各小ブロックに割り当てられた固定ワード長領域に格納
しきれない前記可変長符号データを格納し、かつ前記小
ブロック全てに共有の格納領域を備えた第2のメモリ
と、可変長符号化手段の出力信号を前記第1のメモリの
各小ブロック毎に割り当てられた固定ワード長の格納領
域に格納し、固定ワード長の格納領域を越えた可変長符
号データを、可変長符号データの同一のグループ内のデ
ータ量が所定の値内までは第2のメモリの格納領域の先
頭番地から最終番地に向かって格納し、値を越えた場合
は最終番地から前記先頭番地に向かって格納する第1の
データ制御器と、第1のメモリの未格納領域に第2のメ
モリに格納された可変長符号データを詰め込む第2のデ
ータ制御器を備えた記録再生装置である。
てm×nの画素毎に小ブロックを構成する小ブロック化
器と、小ブロック器の出力信号をブロック毎に直交変換
する直交変換器と、直交変換器で得られた直交成分を量
子化する量子化器と、量子化器の出力を可変長符号デー
タに符号化する可変長符号化器と、所定の記録フォーマ
ットの信号を出力する第1のメモリと、第1のメモリの
各小ブロックに割り当てられた固定ワード長領域に格納
しきれない前記可変長符号データを格納し、かつ前記小
ブロック全てに共有の格納領域を備えた第2のメモリ
と、可変長符号化手段の出力信号を前記第1のメモリの
各小ブロック毎に割り当てられた固定ワード長の格納領
域に格納し、固定ワード長の格納領域を越えた可変長符
号データを、可変長符号データの同一のグループ内のデ
ータ量が所定の値内までは第2のメモリの格納領域の先
頭番地から最終番地に向かって格納し、値を越えた場合
は最終番地から前記先頭番地に向かって格納する第1の
データ制御器と、第1のメモリの未格納領域に第2のメ
モリに格納された可変長符号データを詰め込む第2のデ
ータ制御器を備えた記録再生装置である。
【0022】
【作 用】上記した構成により、第1及び第2の発明で
は各小ブロックの可変長符号データをまず第1のメモリ
の小ブロック固有の格納領域に順次書き込み、この固有
の格納領域に書き込めなかった符号データを第2のメモ
リの格納領域に順次書き込む。ここで第1の固有の格納
領域には他の小ブロックの可変長符号データは書き込ま
ない。また第2の発明では溢れた可変長符号データの共
有の格納領域である第2のメモリにデータを書き込む
際、同一グループに属する小ブロックの可変長符号デー
タを予め定めた量をこのメモリ領域の先頭番地から番地
の増加する方向に、予め定めた量を越えたデータを逆に
最終番地から番地の減少する方向に書き込み、メモリの
有効データの破棄を防止する。次に第2のメモリに書き
込まれた可変長符号データを第1のメモリの未格納領域
に格納する。そして第1のメモリに規定のフォーマット
で格納された信号を出力する。
は各小ブロックの可変長符号データをまず第1のメモリ
の小ブロック固有の格納領域に順次書き込み、この固有
の格納領域に書き込めなかった符号データを第2のメモ
リの格納領域に順次書き込む。ここで第1の固有の格納
領域には他の小ブロックの可変長符号データは書き込ま
ない。また第2の発明では溢れた可変長符号データの共
有の格納領域である第2のメモリにデータを書き込む
際、同一グループに属する小ブロックの可変長符号デー
タを予め定めた量をこのメモリ領域の先頭番地から番地
の増加する方向に、予め定めた量を越えたデータを逆に
最終番地から番地の減少する方向に書き込み、メモリの
有効データの破棄を防止する。次に第2のメモリに書き
込まれた可変長符号データを第1のメモリの未格納領域
に格納する。そして第1のメモリに規定のフォーマット
で格納された信号を出力する。
【0023】
【実施例】図1は本発明の一実施例における記録/再生
装置のブロック図で、図1の1は小ブロック化器、2は
大ブロック化器、3は直交変換/逆直交変換器、4は量
子化/逆量子化器、5は可変長符号化/復号化器、6は
第1のデータ制御器、7はアドレス制御器、8はDRA
M9,ポインタRAM10,FRAM11,VRAM1
2で構成されたメモリである。なおDRAM9はDRA
M9a,9b、ポインタRAM10はポインタRAM1
0a,10b、VRAM12はVRAM12a,12b
の各々2個構成となっている。FRAM11はFRAM
11a〜11cの3個構成である。13は第2のデータ
制御器、14は伝送/受信器である。
装置のブロック図で、図1の1は小ブロック化器、2は
大ブロック化器、3は直交変換/逆直交変換器、4は量
子化/逆量子化器、5は可変長符号化/復号化器、6は
第1のデータ制御器、7はアドレス制御器、8はDRA
M9,ポインタRAM10,FRAM11,VRAM1
2で構成されたメモリである。なおDRAM9はDRA
M9a,9b、ポインタRAM10はポインタRAM1
0a,10b、VRAM12はVRAM12a,12b
の各々2個構成となっている。FRAM11はFRAM
11a〜11cの3個構成である。13は第2のデータ
制御器、14は伝送/受信器である。
【0024】図2は第1のデータ制御器6のブロック図
である。図2において、20は符号語データの符号長と
eob符号、更に符号語のサインビットの有無を検出す
る符号長テーブル、21は入力する符号語データの符号
長をレジスタ23と共に累積加算する4ビットの加算
器、22は加算器21のキャリー出力をラッチするキャ
リーレジスタ、23は加算器21の加算結果をラッチす
るレジスタ、24はキャリーレジスタ22及びレジスタ
23の出力値によって入力する符号語データとレジスタ
26とレジスタ27の出力データから16ビットのデー
タを選択するセレクタ、25はレジスタ23の出力値に
よって符号語データの一部を選択するセレクタ、26及
び27は各々セレクタ24及び25の出力をラッチする
レジスタである。
である。図2において、20は符号語データの符号長と
eob符号、更に符号語のサインビットの有無を検出す
る符号長テーブル、21は入力する符号語データの符号
長をレジスタ23と共に累積加算する4ビットの加算
器、22は加算器21のキャリー出力をラッチするキャ
リーレジスタ、23は加算器21の加算結果をラッチす
るレジスタ、24はキャリーレジスタ22及びレジスタ
23の出力値によって入力する符号語データとレジスタ
26とレジスタ27の出力データから16ビットのデー
タを選択するセレクタ、25はレジスタ23の出力値に
よって符号語データの一部を選択するセレクタ、26及
び27は各々セレクタ24及び25の出力をラッチする
レジスタである。
【0025】図3は、時刻毎の符号語データの並び換え
の様子を示した状態図である。図4はメモリ内の各RA
Mの動作を説明する図である。図5は本発明の第1の実
施例におけるFRAM及びVRAMの構成を示す構成図
である。図6は本実施例における記録装置のアドレス制
御器の動作を説明するブロック図であり、30はアドレ
スの先頭値を設定する先頭値設定器、31は先頭値設定
器30で設定された値からアドレスをカウントアップす
るためのアップカウンタ、32はそれらの動作を制御す
るアドレスコントローラである。先頭値設定器30、ア
ップカウンタ31、アドレスコントローラ32でアドレ
ス制御器7が構成される。33,34,35,36はス
イッチである。
の様子を示した状態図である。図4はメモリ内の各RA
Mの動作を説明する図である。図5は本発明の第1の実
施例におけるFRAM及びVRAMの構成を示す構成図
である。図6は本実施例における記録装置のアドレス制
御器の動作を説明するブロック図であり、30はアドレ
スの先頭値を設定する先頭値設定器、31は先頭値設定
器30で設定された値からアドレスをカウントアップす
るためのアップカウンタ、32はそれらの動作を制御す
るアドレスコントローラである。先頭値設定器30、ア
ップカウンタ31、アドレスコントローラ32でアドレ
ス制御器7が構成される。33,34,35,36はス
イッチである。
【0026】図7は入力される符号語データとFRAM
に書き込まれる位置を示す関係図である。以下に、本発
明の実施例の動作について説明する。最初に図1をもと
に記録時の全体の信号の流れを説明する。小ブロック化
器1は入力される1フレーム単位の映像信号を水平8画
素・垂直8画素の合計64画素の標本値からなる小ブロ
ックに分割する。各小ブロックは大ブロック化器2で3
0個の小ブロックの集合毎に1つの大ブロック(輝度
(Y)信号20ブロック、色差信号R−Y(CR)及び
B−Y(CB)各5ブロック)を構成する。大ブロック
化器2は30個の小ブロックからなる大ブロック毎に、
Y→Y→Y→Y→CR→CB→・・・→Y→Y→Y→CR
→CBの順で直交変換器3に出力する。直交変換器3
は、入力される小ブロック化された標本値を水平及び垂
直方向に2次元の直交変換を行う。この直交変換器3で
はDCT演算後の信号を周波数の低い方向(DC信号)
から高い方向にジグザグスキャンして出力する。このよ
うにして2次元DCTされた小ブロック(DCTブロッ
ク)毎の直交成分は、量子化器4にビデオセグメント単
位(30DCTブロック)で出力される。量子化器4に
は、大ブロック化器2から入力されたY→Y→Y→Y→
CR→CBのDCTブロックの順に入力される。ここでD
CT No.0〜DCT No.5までがNo.0マクロブ
ロック、DCT No.6〜DCT No.11までがN
o.1マクロブロック・・・、DCT No.24〜DC
TNo.29までがNo.4マクロブロックである。
に書き込まれる位置を示す関係図である。以下に、本発
明の実施例の動作について説明する。最初に図1をもと
に記録時の全体の信号の流れを説明する。小ブロック化
器1は入力される1フレーム単位の映像信号を水平8画
素・垂直8画素の合計64画素の標本値からなる小ブロ
ックに分割する。各小ブロックは大ブロック化器2で3
0個の小ブロックの集合毎に1つの大ブロック(輝度
(Y)信号20ブロック、色差信号R−Y(CR)及び
B−Y(CB)各5ブロック)を構成する。大ブロック
化器2は30個の小ブロックからなる大ブロック毎に、
Y→Y→Y→Y→CR→CB→・・・→Y→Y→Y→CR
→CBの順で直交変換器3に出力する。直交変換器3
は、入力される小ブロック化された標本値を水平及び垂
直方向に2次元の直交変換を行う。この直交変換器3で
はDCT演算後の信号を周波数の低い方向(DC信号)
から高い方向にジグザグスキャンして出力する。このよ
うにして2次元DCTされた小ブロック(DCTブロッ
ク)毎の直交成分は、量子化器4にビデオセグメント単
位(30DCTブロック)で出力される。量子化器4に
は、大ブロック化器2から入力されたY→Y→Y→Y→
CR→CBのDCTブロックの順に入力される。ここでD
CT No.0〜DCT No.5までがNo.0マクロブ
ロック、DCT No.6〜DCT No.11までがN
o.1マクロブロック・・・、DCT No.24〜DC
TNo.29までがNo.4マクロブロックである。
【0027】量子化器4に入力された直交成分は、DC
信号を除いて量子化される。量子化された信号は、可変
長符号化器5に出力される。可変長符号化器5では、2
次元ハフマン符号等のアルゴリズムに従って、DC信号
以外の量子化データの0ラン長と振幅値をもとにそれぞ
れ可変長の符号語データに変換する。ここで、符号語デ
ータの最大長16ビット、最小3ビットである。ゼロラ
ン長を表す最大の符号長は15ビット、eobは6ビッ
トである。
信号を除いて量子化される。量子化された信号は、可変
長符号化器5に出力される。可変長符号化器5では、2
次元ハフマン符号等のアルゴリズムに従って、DC信号
以外の量子化データの0ラン長と振幅値をもとにそれぞ
れ可変長の符号語データに変換する。ここで、符号語デ
ータの最大長16ビット、最小3ビットである。ゼロラ
ン長を表す最大の符号長は15ビット、eobは6ビッ
トである。
【0028】可変長符号器5で符号化されたデータは、
後述する手法で第1のデータ制御器6、アドレス制御器
7、メモリ8、第2のデータ制御器13を用いて図17
に示す5つのシンクブロック(syncblock0〜syncblock
4)に予め定められた規則に従ってフォーマットされ
る。フォーマットされた信号は伝送器14によってエラ
ー訂正符号やID等の情報信号が付加された後、不図示
の変調器によって変調されてテープに記録される。
後述する手法で第1のデータ制御器6、アドレス制御器
7、メモリ8、第2のデータ制御器13を用いて図17
に示す5つのシンクブロック(syncblock0〜syncblock
4)に予め定められた規則に従ってフォーマットされ
る。フォーマットされた信号は伝送器14によってエラ
ー訂正符号やID等の情報信号が付加された後、不図示
の変調器によって変調されてテープに記録される。
【0029】次に可変長符号のシンクブロックへのフォ
ーマットについて説明する。5つのシンクブロックは図
17に示すように8ビットのデータ幅を持ち、各syncbl
ockは14バイトの輝度信号(Y信号)領域4個と10
バイトの色差信号(CR,CB信号)領域2個の76バイ
トの領域からなる。可変長符号器5で符号化された可変
長の符号語データは図17の5つのシンクブロック(sy
ncblock0〜syncblock4)に分けて書き込まれる。このブ
ロックにはその番号に対応したDCTブロックの符号語
データ(低域データ)を優先的に書き込むフォーマット
になっている。そして固定領域に隙間領域が存在する場
合は、同一のマクロブロックの高域データを詰め込み、
更に隙間領域が存在する場合に他のマクロブロックの高
域データのが書き込まれる。
ーマットについて説明する。5つのシンクブロックは図
17に示すように8ビットのデータ幅を持ち、各syncbl
ockは14バイトの輝度信号(Y信号)領域4個と10
バイトの色差信号(CR,CB信号)領域2個の76バイ
トの領域からなる。可変長符号器5で符号化された可変
長の符号語データは図17の5つのシンクブロック(sy
ncblock0〜syncblock4)に分けて書き込まれる。このブ
ロックにはその番号に対応したDCTブロックの符号語
データ(低域データ)を優先的に書き込むフォーマット
になっている。そして固定領域に隙間領域が存在する場
合は、同一のマクロブロックの高域データを詰め込み、
更に隙間領域が存在する場合に他のマクロブロックの高
域データのが書き込まれる。
【0030】次に図2に示す第1のデータ制御器6の動
作について詳細に説明する。今、あるDCTブロックの
データがDC信号から順に可変長符号化器5から出力さ
れる場合を例に挙げて説明する。このDCTブロックの
データはDC信号と図3に示すようなa,b,c,d,
e,fの6つの符号語からなり、それぞれaは6ビット
のサイン付き符号語(符号長 11,サインフラグ 1)、
bは10ビットのサイン無し符号語(符号長 10,サイン
フラグ 0)、cは8ビットのサイン付き符号語(符号長
7,サインフラグ 1)、dは12ビットのサイン付き符
号語(符号長 11,サインフラグ 1)、eは4ビットの
サイン無し符号語(符号長 4,サインフラグ 0)、f
は14ビットのサイン付き符号語(符号長 13,サインフ
ラグ 1)で、eobは6ビットのサイン無し符号語であ
るとする。
作について詳細に説明する。今、あるDCTブロックの
データがDC信号から順に可変長符号化器5から出力さ
れる場合を例に挙げて説明する。このDCTブロックの
データはDC信号と図3に示すようなa,b,c,d,
e,fの6つの符号語からなり、それぞれaは6ビット
のサイン付き符号語(符号長 11,サインフラグ 1)、
bは10ビットのサイン無し符号語(符号長 10,サイン
フラグ 0)、cは8ビットのサイン付き符号語(符号長
7,サインフラグ 1)、dは12ビットのサイン付き符
号語(符号長 11,サインフラグ 1)、eは4ビットの
サイン無し符号語(符号長 4,サインフラグ 0)、f
は14ビットのサイン付き符号語(符号長 13,サインフ
ラグ 1)で、eobは6ビットのサイン無し符号語であ
るとする。
【0031】第1のデータ制御器6からDC信号が出力
されてDRAM9に書き込まれた後、図3に示すように
最初の11ビットの符号語データaが時刻t0に可変長
符号化器5から入力される。すると、符号長テーブル2
0は符号長11を加算器3の一方の加算端子に、サイン
フラグ1を加算器21のキャリーイン(以下Cinとい
う)端子に出力する。加算器21の他方の加算端子に
は、レジスタ23の出力が加えられており、レジスタ2
3の出力は、DCTブロックの最初の符号語が入力され
る時刻t0では初期値”10”が設定される。従って加
算器21では、時刻t0で、11+10+1=21の加
算を行い、その結果をキャリーレジスタ22とレジスタ
23に出力する。即ち時刻t1におけるキャリーレジス
タ22の出力値は1、レジスタ23の出力値は5とな
る。
されてDRAM9に書き込まれた後、図3に示すように
最初の11ビットの符号語データaが時刻t0に可変長
符号化器5から入力される。すると、符号長テーブル2
0は符号長11を加算器3の一方の加算端子に、サイン
フラグ1を加算器21のキャリーイン(以下Cinとい
う)端子に出力する。加算器21の他方の加算端子に
は、レジスタ23の出力が加えられており、レジスタ2
3の出力は、DCTブロックの最初の符号語が入力され
る時刻t0では初期値”10”が設定される。従って加
算器21では、時刻t0で、11+10+1=21の加
算を行い、その結果をキャリーレジスタ22とレジスタ
23に出力する。即ち時刻t1におけるキャリーレジス
タ22の出力値は1、レジスタ23の出力値は5とな
る。
【0032】ここで理解し易いようにレジスタ26とレ
ジスタ27を連結してレジスタ26のlsbから各ビッ
ト位置に図3に示すように番号を付けする。するとレジ
スタ26の上位側及びレジスタ27の入力信号は、レジ
スタ23の出力値に+1した位置から上位ビット(ms
b側)に向かって、入力された符号語データ(レジスタ
23の出力値+1の位置に符号語データのlsbが入
る)となる。同時にレジスタ26の下位側(レジスタ2
3の出力が示す値からlsb側)には、キャリーレジス
タ22の出力が”0”の時はレジスタ26の同一ビット
位置の出力がフィードバックされ、またキャリーレジス
タ22の出力が”1”の時はレジスタ27の同一ビット
位置の出力が入力される。
ジスタ27を連結してレジスタ26のlsbから各ビッ
ト位置に図3に示すように番号を付けする。するとレジ
スタ26の上位側及びレジスタ27の入力信号は、レジ
スタ23の出力値に+1した位置から上位ビット(ms
b側)に向かって、入力された符号語データ(レジスタ
23の出力値+1の位置に符号語データのlsbが入
る)となる。同時にレジスタ26の下位側(レジスタ2
3の出力が示す値からlsb側)には、キャリーレジス
タ22の出力が”0”の時はレジスタ26の同一ビット
位置の出力がフィードバックされ、またキャリーレジス
タ22の出力が”1”の時はレジスタ27の同一ビット
位置の出力が入力される。
【0033】従って、上記した符号語データa,b,
c,・・・ が第1のデータ制御器6に入力されると、
図3に示すタイミング図でレジスタ26及び27に信号
が入力される。時刻t0では、レジスタ23の値は”1
0”、キャリーレジスタ22の値は”0”である。よっ
てレジスタ26のビット10の位置からmsbまで符号
語データaのlsbから6ビットが入力される。同時に
レジスタ27の下位側らビット27までに符号語データ
aの残りの6ビットが入力される。そしてその信号は時
刻t1に、レジスタ26及び27でラッチされ出力され
る。
c,・・・ が第1のデータ制御器6に入力されると、
図3に示すタイミング図でレジスタ26及び27に信号
が入力される。時刻t0では、レジスタ23の値は”1
0”、キャリーレジスタ22の値は”0”である。よっ
てレジスタ26のビット10の位置からmsbまで符号
語データaのlsbから6ビットが入力される。同時に
レジスタ27の下位側らビット27までに符号語データ
aの残りの6ビットが入力される。そしてその信号は時
刻t1に、レジスタ26及び27でラッチされ出力され
る。
【0034】時刻t1では、レジスタ23の値が”5”
で、キャリーレジスタ22の値が”1”である。よっ
て、レジスタ26のビット0〜5の位置にレジスタ27
のビット16〜21のデータ(符号語データaのmsb
から6ビットの符号データ)が入力され、レジスタ26
のビット6の位置から上位側には符号語データbが入力
される。そして、時刻t2にレジスタ26でラッチさ
れ、その信号が出力される。 時刻t2では、時刻t1に
おける加算器21での加算結果(10+5=15)か
ら、レジスタ23の値が”15”で、キャリーレジスタ
22の値が”0”になる。その為、レジスタ26のビッ
ト”15”の位置から下位側の入力信号はレジスタ26
のフィードバック値となる。同様に、レジスタ27のビ
ット”16”の位置から上位側の入力信号は、符号語デ
ータcである。よってその信号が時刻t 3にレジスタ2
6、レジスタ27でラッチされ出力される。
で、キャリーレジスタ22の値が”1”である。よっ
て、レジスタ26のビット0〜5の位置にレジスタ27
のビット16〜21のデータ(符号語データaのmsb
から6ビットの符号データ)が入力され、レジスタ26
のビット6の位置から上位側には符号語データbが入力
される。そして、時刻t2にレジスタ26でラッチさ
れ、その信号が出力される。 時刻t2では、時刻t1に
おける加算器21での加算結果(10+5=15)か
ら、レジスタ23の値が”15”で、キャリーレジスタ
22の値が”0”になる。その為、レジスタ26のビッ
ト”15”の位置から下位側の入力信号はレジスタ26
のフィードバック値となる。同様に、レジスタ27のビ
ット”16”の位置から上位側の入力信号は、符号語デ
ータcである。よってその信号が時刻t 3にレジスタ2
6、レジスタ27でラッチされ出力される。
【0035】データ制御器6では以上の動作を符号語デ
ータが入力される毎に上記規則に従って繰り返し、図3
に示すように、レジスタ26、27を使って符号語デー
タを16ビット毎に詰める動作を行う。また図3から分
かるようにキャリーレジスタ22の出力が”1”になる
と、レジスタ26は符号語データで16ビット全て詰ま
ったことを示す。よってこの信号で後記するVRAM1
1及びFRAM12のアドレスの更新を制御することが
可能となる。時刻t1において、レジスタ26には符号
語データで全て埋まっていないのにキャリーレジスタ2
2の出力は”1”になるが、これは新しいDCTブロッ
クに処理が移ったことを示すもので、やはりアドレスを
更新する信号に使用できる。(以下レジスタ26の出力
を符号データという。)以上のように、本実施例のよう
に、符号語データを16ビット単位で詰め込んで、FR
AM及びVRAMに書き込むことは、従来の1アドレス
毎に1符号語データを書き込む場合に比べ、例えば3ビ
ットの符号語データを16ビットのエリアを割り当てる
ようなことがない為、効率的である。即ちRAMの最低
必要量を考えるとき符号語数単位でなくビット単位で考
えられるので、RAMの容量を大幅に削減でき非常に効
果大なるものがある。
ータが入力される毎に上記規則に従って繰り返し、図3
に示すように、レジスタ26、27を使って符号語デー
タを16ビット毎に詰める動作を行う。また図3から分
かるようにキャリーレジスタ22の出力が”1”になる
と、レジスタ26は符号語データで16ビット全て詰ま
ったことを示す。よってこの信号で後記するVRAM1
1及びFRAM12のアドレスの更新を制御することが
可能となる。時刻t1において、レジスタ26には符号
語データで全て埋まっていないのにキャリーレジスタ2
2の出力は”1”になるが、これは新しいDCTブロッ
クに処理が移ったことを示すもので、やはりアドレスを
更新する信号に使用できる。(以下レジスタ26の出力
を符号データという。)以上のように、本実施例のよう
に、符号語データを16ビット単位で詰め込んで、FR
AM及びVRAMに書き込むことは、従来の1アドレス
毎に1符号語データを書き込む場合に比べ、例えば3ビ
ットの符号語データを16ビットのエリアを割り当てる
ようなことがない為、効率的である。即ちRAMの最低
必要量を考えるとき符号語数単位でなくビット単位で考
えられるので、RAMの容量を大幅に削減でき非常に効
果大なるものがある。
【0036】次に第1の実施例のVRAM,FRAMの
構成例について説明する。本実施例では予め定められた
フォーマット(低域データと高域データの詰め込み方)
に準拠した信号を伝送器14に出力する為、以下の手順
で符号データを格納する。尚本実施例ではメモリ8内の
DRAM9とポインタRAM10、VRAM12が2面
構成で、FRAM11が3面構成となっている。そして
図4に示すようにパイプライン処理を実現している。こ
こではサイクル1を例にとって説明する。サイクル1の
中では3個のステップが同時に行われる。
構成例について説明する。本実施例では予め定められた
フォーマット(低域データと高域データの詰め込み方)
に準拠した信号を伝送器14に出力する為、以下の手順
で符号データを格納する。尚本実施例ではメモリ8内の
DRAM9とポインタRAM10、VRAM12が2面
構成で、FRAM11が3面構成となっている。そして
図4に示すようにパイプライン処理を実現している。こ
こではサイクル1を例にとって説明する。サイクル1の
中では3個のステップが同時に行われる。
【0037】第1のステップが以下に示す低域データ
(LAC)のFRAM11への格納と高域データ(HA
C)のVRAM12への格納作業(VLC作業)であ
る。具体的には以下の3作業が存在する。 (1)第1のデータ制御器6から供給されたDC信号を
DRAM9aへ格納。 (2)第1のデータ制御器6から供給された低域データ
(LAC)をFRAM11aへ格納。同時に溢れた高域
データ(HAC)をVRAM12aへの格納。 (3)ポインタRAM10aに各DCTブロックのFR
AM11a及びVRAM12bへの格納位置情報を記憶
させる。
(LAC)のFRAM11への格納と高域データ(HA
C)のVRAM12への格納作業(VLC作業)であ
る。具体的には以下の3作業が存在する。 (1)第1のデータ制御器6から供給されたDC信号を
DRAM9aへ格納。 (2)第1のデータ制御器6から供給された低域データ
(LAC)をFRAM11aへ格納。同時に溢れた高域
データ(HAC)をVRAM12aへの格納。 (3)ポインタRAM10aに各DCTブロックのFR
AM11a及びVRAM12bへの格納位置情報を記憶
させる。
【0038】ステップ2は伝送フォーマットに準拠した
配置に可変長符号をシンクブロックにフォーマットする
作業(フォーマット作業)である。具体的は以下の3作
業である。 (1)第2のデータ制御器13によりDRAM9bに格
納されたDC信号をFRAM11bの各DCTブロック
に割り当てられた固定領域の先頭位置に格納する。 (2)第2のデータ制御器13がポインタRAM10b
の情報に基づいてVRAM12bに格納された高域デー
タ(HAC)を同一マクロブロックのLACが格納され
たシンクブロックの固定領域の隙間に格納する。 (3)第2のデータ制御器13がポインタRAM10b
の情報に基づいてVRAM12bに格納された高域デー
タ(HAC)を異なるマクロブロックのLACが格納さ
れたシンクブロックの固定領域の隙間に格納する。 そしてステップ3は記録する所定のファーマット形式が
格納されたFRAM11cから伝送器14への出力(出
力作業)である。
配置に可変長符号をシンクブロックにフォーマットする
作業(フォーマット作業)である。具体的は以下の3作
業である。 (1)第2のデータ制御器13によりDRAM9bに格
納されたDC信号をFRAM11bの各DCTブロック
に割り当てられた固定領域の先頭位置に格納する。 (2)第2のデータ制御器13がポインタRAM10b
の情報に基づいてVRAM12bに格納された高域デー
タ(HAC)を同一マクロブロックのLACが格納され
たシンクブロックの固定領域の隙間に格納する。 (3)第2のデータ制御器13がポインタRAM10b
の情報に基づいてVRAM12bに格納された高域デー
タ(HAC)を異なるマクロブロックのLACが格納さ
れたシンクブロックの固定領域の隙間に格納する。 そしてステップ3は記録する所定のファーマット形式が
格納されたFRAM11cから伝送器14への出力(出
力作業)である。
【0039】次にFRAM及びVRAMの構造について
説明する。図5に第1の実施例のFRAM11及びVR
AM12の構造を示す。FRAM11は記録フォーマッ
トに準拠して、各DCTブロック毎にそのDCTブロッ
クの低域の符号データを書き込む固定領域を設けてあ
る。固定領域は、Y信号に相当するDCTブロックに7
ワード、色差信号CR、CBに相当するDCTブロックに
5ワード割り当ててある。ステップ1で第1のデータ制
御器6から出力された符号データは直接このFRAM1
1に格納される。よって、可変長符号を一度バッファメ
モリに格納する必要がなく低域データの詰め込み作業を
1ステップで実現することが可能となりハード及びメモ
リ規模が低減できる。
説明する。図5に第1の実施例のFRAM11及びVR
AM12の構造を示す。FRAM11は記録フォーマッ
トに準拠して、各DCTブロック毎にそのDCTブロッ
クの低域の符号データを書き込む固定領域を設けてあ
る。固定領域は、Y信号に相当するDCTブロックに7
ワード、色差信号CR、CBに相当するDCTブロックに
5ワード割り当ててある。ステップ1で第1のデータ制
御器6から出力された符号データは直接このFRAM1
1に格納される。よって、可変長符号を一度バッファメ
モリに格納する必要がなく低域データの詰め込み作業を
1ステップで実現することが可能となりハード及びメモ
リ規模が低減できる。
【0040】次にVRAM12の構成について説明す
る。FRAM11への符号データの書き込みは、それぞ
れの固定ブロックの番号と同一の番号のDCTブロック
の符号データが優先される。しかし、そこに書き込めな
い符号データ(HAC)は各固定領域の隙間に書きこま
る。HACは5つのシンクブロックの許容(記録され
る)データ量(本実施例ではDC信号を除いて1ビデオ
セグメントで2740ビット)をオーバーした時点で、
後の符号データは破棄される。従って本実施例のように
ステップ1でFRAM11の各DCTブロックの固定ブ
ロックにLACを確保した後、書き込めなかったHAC
が最大何ビット発生するかを考えることによりVRAM
の容量を必要最小限に設計できる。その結果、従来に比
べ全体のRAMの容量を大幅に削減可能である。なお、
符号語の最大符号長は16ビットであり、処理速度を上
げる点から符号長の検出等の処理を1時刻(クロック)
で行うために、データ処理単位を16ビットとしてい
る。従ってVRAMの1ワードも16ビットにしてい
る。
る。FRAM11への符号データの書き込みは、それぞ
れの固定ブロックの番号と同一の番号のDCTブロック
の符号データが優先される。しかし、そこに書き込めな
い符号データ(HAC)は各固定領域の隙間に書きこま
る。HACは5つのシンクブロックの許容(記録され
る)データ量(本実施例ではDC信号を除いて1ビデオ
セグメントで2740ビット)をオーバーした時点で、
後の符号データは破棄される。従って本実施例のように
ステップ1でFRAM11の各DCTブロックの固定ブ
ロックにLACを確保した後、書き込めなかったHAC
が最大何ビット発生するかを考えることによりVRAM
の容量を必要最小限に設計できる。その結果、従来に比
べ全体のRAMの容量を大幅に削減可能である。なお、
符号語の最大符号長は16ビットであり、処理速度を上
げる点から符号長の検出等の処理を1時刻(クロック)
で行うために、データ処理単位を16ビットとしてい
る。従ってVRAMの1ワードも16ビットにしてい
る。
【0041】ではVRAM12の具体的容量について述
べる。VRAM12にはFRAM11のDCTブロック
の所定の格納領域から溢れたHACを格納するが、属す
るDCTブロックの番号の小さいものから順に先頭アド
レスから書き込んでいく規則がある。VRAMに必要な
ワード数は (1)ステップ1ではFRAM11の各DCTブロック
の格納領域にはは、それぞれ1つのDCTブロックのデ
ータしか書き込まない。 (2)FRAM11の各DCTブロックの格納領域の容
量はY信号に比べ、色差信号CR、CBの容量の方が少な
い。 (3)更に記録されるDC信号を除いた符号データ量が
2740ビットである。 の3つの条件から、VRAM12を1番多く使用する1
ビデオセグメント単位(30DCTブロック)の符号デ
ータのパターンは、色差信号の3つのDCTブロックの
データ量が非常に多く、それ以外の27個のDCTブロ
ックの符号データはeobだけというパターンである。
よってこのときのVRAM12の最大容量を求めれば良
い。この容量Wは以下の式で求められる。 W=(5シンクフ゛ロックの全容量)−(27DCTフ゛ロックのDC信号
とeobの容量)−(色差3DCTフ゛ロックの容量)+VRAMに
発生する隙間容量 つまり W=5[シンクフ゛ロック]×76[ハ゛イト]×8[ヒ゛ット] −(10[ヒ゛ット]+6
[ヒ゛ット])×27[DCTフ゛ロック] −10[ハ゛イト]×3[DCTフ゛
ロック]×8[ヒ゛ット]+3[ワ-ト゛]×16[ヒ゛ット]=151[ワ-ト゛]、即ち
151ワード必要になる。上の式でVRAM12に発生
する隙間容量として3ワード加算した理由は、VRAM
12にHACを格納する場合、各DCTブロックの最初
のHACは、常にアドレスの先頭(lsb)からワード
単位で格納した方がフォーマット作業がし易いからであ
る。
べる。VRAM12にはFRAM11のDCTブロック
の所定の格納領域から溢れたHACを格納するが、属す
るDCTブロックの番号の小さいものから順に先頭アド
レスから書き込んでいく規則がある。VRAMに必要な
ワード数は (1)ステップ1ではFRAM11の各DCTブロック
の格納領域にはは、それぞれ1つのDCTブロックのデ
ータしか書き込まない。 (2)FRAM11の各DCTブロックの格納領域の容
量はY信号に比べ、色差信号CR、CBの容量の方が少な
い。 (3)更に記録されるDC信号を除いた符号データ量が
2740ビットである。 の3つの条件から、VRAM12を1番多く使用する1
ビデオセグメント単位(30DCTブロック)の符号デ
ータのパターンは、色差信号の3つのDCTブロックの
データ量が非常に多く、それ以外の27個のDCTブロ
ックの符号データはeobだけというパターンである。
よってこのときのVRAM12の最大容量を求めれば良
い。この容量Wは以下の式で求められる。 W=(5シンクフ゛ロックの全容量)−(27DCTフ゛ロックのDC信号
とeobの容量)−(色差3DCTフ゛ロックの容量)+VRAMに
発生する隙間容量 つまり W=5[シンクフ゛ロック]×76[ハ゛イト]×8[ヒ゛ット] −(10[ヒ゛ット]+6
[ヒ゛ット])×27[DCTフ゛ロック] −10[ハ゛イト]×3[DCTフ゛
ロック]×8[ヒ゛ット]+3[ワ-ト゛]×16[ヒ゛ット]=151[ワ-ト゛]、即ち
151ワード必要になる。上の式でVRAM12に発生
する隙間容量として3ワード加算した理由は、VRAM
12にHACを格納する場合、各DCTブロックの最初
のHACは、常にアドレスの先頭(lsb)からワード
単位で格納した方がフォーマット作業がし易いからであ
る。
【0042】本実施例では、FRAM11aを図5に示
すように190ワード(3040ビット)用意し、VR
AM12aに151ワード(2416ビット)になる。
以上のように本実施例のRAM構成によれば、従来のメ
モリ(30720ビットのVRAMが2個、3040ビ
ットのFRAMが2個)に比べ約1/5のRAM容量に
なり、かなりの容量削減になる。
すように190ワード(3040ビット)用意し、VR
AM12aに151ワード(2416ビット)になる。
以上のように本実施例のRAM構成によれば、従来のメ
モリ(30720ビットのVRAMが2個、3040ビ
ットのFRAMが2個)に比べ約1/5のRAM容量に
なり、かなりの容量削減になる。
【0043】上記のように構成したFRAM11及びV
RAM12への書き込み方について、次に説明する。第
1のデータ制御器6で16ビット単位に詰められた符号
データは、図6に示すようにSW33を介してFRAM
11またはVRAM12に出力されるが、同時にeob
検出信号とキャリー信号をアドレス制御器7に出力す
る。
RAM12への書き込み方について、次に説明する。第
1のデータ制御器6で16ビット単位に詰められた符号
データは、図6に示すようにSW33を介してFRAM
11またはVRAM12に出力されるが、同時にeob
検出信号とキャリー信号をアドレス制御器7に出力す
る。
【0044】本実施例は先に図4で説明ようにFRAM
11a〜11c及びVRAM12a〜12bの書き込み
や読み出しはピンポン型の構成をとり、パイプライン処
理を実現している。今、SW34がa側に、SW35が
m側に、SW36がbとnの接続状態に、SW37がb
側に選択されているとして以下説明する。アドレス制御
器7は第1のデータ制御器6から出力されるeob検出
信号によって、1つのDCTブロックの符号データの処
理の終了を知り、そして次に入力されるキャリー信号
が”1”のときFRAM11aのアドレスが次に処理さ
れるDCTブロックの先頭アドレスになるように、先頭
値設定器30はアドレスコントローラ32の指示を受け
てアップカウンタ31を初期設定する。そして、アップ
カウンタ31はSW33を介してFRAM11aにアド
レスを与える。その後、先記したように第1のデータ制
御器7のレジスタ26に符号データが16ビット全て埋
まるとキャリー信号が”1”になる。よってキャリー信
号が”1”になる毎に、レジスタ26の出力をFRAM
11aに書き込み、同時にアドレスコントローラ14は
アップカウンタ13にアドレスを1更新させる。従っ
て、例えば図7(a)のようなDCTブロック1の符号
語データ列は、同図(b)に示すようにFRAMのアド
レス7番地から書き込まれる。もし更に符号データが存
在しFRAM11aの固定領域(7ワード)に書けない
ときは、アドレス制御器7はSW33をn側に切り換え
ると共に、VRAM12aのアドレスを設定する。その
結果、符号データはFRAM11aと連続する形でVR
AM12bに符号データを書き込むことになる。
11a〜11c及びVRAM12a〜12bの書き込み
や読み出しはピンポン型の構成をとり、パイプライン処
理を実現している。今、SW34がa側に、SW35が
m側に、SW36がbとnの接続状態に、SW37がb
側に選択されているとして以下説明する。アドレス制御
器7は第1のデータ制御器6から出力されるeob検出
信号によって、1つのDCTブロックの符号データの処
理の終了を知り、そして次に入力されるキャリー信号
が”1”のときFRAM11aのアドレスが次に処理さ
れるDCTブロックの先頭アドレスになるように、先頭
値設定器30はアドレスコントローラ32の指示を受け
てアップカウンタ31を初期設定する。そして、アップ
カウンタ31はSW33を介してFRAM11aにアド
レスを与える。その後、先記したように第1のデータ制
御器7のレジスタ26に符号データが16ビット全て埋
まるとキャリー信号が”1”になる。よってキャリー信
号が”1”になる毎に、レジスタ26の出力をFRAM
11aに書き込み、同時にアドレスコントローラ14は
アップカウンタ13にアドレスを1更新させる。従っ
て、例えば図7(a)のようなDCTブロック1の符号
語データ列は、同図(b)に示すようにFRAMのアド
レス7番地から書き込まれる。もし更に符号データが存
在しFRAM11aの固定領域(7ワード)に書けない
ときは、アドレス制御器7はSW33をn側に切り換え
ると共に、VRAM12aのアドレスを設定する。その
結果、符号データはFRAM11aと連続する形でVR
AM12bに符号データを書き込むことになる。
【0045】以上のように、本実施例によれば、符号語
データを16ビット単位毎に並び換え(詰め込んで)、
更にFRAM、VRAMに分けた構成にする事により、
従来に比べ大幅なRAMの容量の削減、回路規模の削減
が達成できる。次に本発明の第2の実施例について説明
する。図8は本装置におけるVRAMの構成の第2の実
施例を示す構成図である。
データを16ビット単位毎に並び換え(詰め込んで)、
更にFRAM、VRAMに分けた構成にする事により、
従来に比べ大幅なRAMの容量の削減、回路規模の削減
が達成できる。次に本発明の第2の実施例について説明
する。図8は本装置におけるVRAMの構成の第2の実
施例を示す構成図である。
【0046】図9は第2の実施例におけるFRAM11
及びVRAM12を用いた記録装置のアドレス制御器7
のブロック図である。図9において、50はアドレスの
先頭値を設定する先頭値設定器、51は先頭値設定器5
0で設定された値からアドレスをカウントアップするた
めのアップカウンタ、52は先頭値設定器50で設定さ
れた値からアドレスをカウントダウンするためのダウン
カウンタ、53はそれらの動作を制御するアドレスコン
トローラ、54はアドレスコントローラ53の制御でア
ップカウンタ51とダウンカウンタ52の出力を切り換
えるSWである。その他は図1及び図6の構成と同一で
ある。
及びVRAM12を用いた記録装置のアドレス制御器7
のブロック図である。図9において、50はアドレスの
先頭値を設定する先頭値設定器、51は先頭値設定器5
0で設定された値からアドレスをカウントアップするた
めのアップカウンタ、52は先頭値設定器50で設定さ
れた値からアドレスをカウントダウンするためのダウン
カウンタ、53はそれらの動作を制御するアドレスコン
トローラ、54はアドレスコントローラ53の制御でア
ップカウンタ51とダウンカウンタ52の出力を切り換
えるSWである。その他は図1及び図6の構成と同一で
ある。
【0047】先の実施例では実際に記録可能な総データ
量は決まっており、そこからHACの最大量(151ワ
ード)を求め、VRAM12の容量を決定した。しか
し、量子化器4の量子化幅は有限である。つまり量子化
器4で、可変長符号化後のデータ量が5シンクブロック
に格納できる2740ビット以内に納めることが不可能
である場合がまれにある(水平及び垂直の高周波成分を
画面全体に均一に分布させている画像信号等が入力され
た場合)。この場合、先の実施例では量子化器4で可変
長符号後のデータ量が2740ビット以内に納まる事を
前提にHACをVRAM12の先頭アドレスから順に格
納していた為、マクロブロックNo.大きいHACがV
RAM12から溢れ破棄される。しかし本実施例のフォ
ーマットでは、ステップ1で溢れたHACをまず優先的
に同一マクロブロックNo.のFRAM11の隙間に格
納する規則になっている(高域データの中でも周波数成
分の低い符号データを同一シンクブロックに格納する事
で、シンクブロック単位での修正特性を向上させる
為)。その為、マクロブロックNo.の大きいHACの
FRAM11の隙間への格納が不可能になり、しいては
フォーマットに準拠した信号系列を伝送器13に出力す
る事が不可能になる。第2の実施例はこの問題点を解決
するものである。
量は決まっており、そこからHACの最大量(151ワ
ード)を求め、VRAM12の容量を決定した。しか
し、量子化器4の量子化幅は有限である。つまり量子化
器4で、可変長符号化後のデータ量が5シンクブロック
に格納できる2740ビット以内に納めることが不可能
である場合がまれにある(水平及び垂直の高周波成分を
画面全体に均一に分布させている画像信号等が入力され
た場合)。この場合、先の実施例では量子化器4で可変
長符号後のデータ量が2740ビット以内に納まる事を
前提にHACをVRAM12の先頭アドレスから順に格
納していた為、マクロブロックNo.大きいHACがV
RAM12から溢れ破棄される。しかし本実施例のフォ
ーマットでは、ステップ1で溢れたHACをまず優先的
に同一マクロブロックNo.のFRAM11の隙間に格
納する規則になっている(高域データの中でも周波数成
分の低い符号データを同一シンクブロックに格納する事
で、シンクブロック単位での修正特性を向上させる
為)。その為、マクロブロックNo.の大きいHACの
FRAM11の隙間への格納が不可能になり、しいては
フォーマットに準拠した信号系列を伝送器13に出力す
る事が不可能になる。第2の実施例はこの問題点を解決
するものである。
【0048】図8に第2の実施例のFRAM及びVRA
Mの構成を示す。FRAM11及びVRAM12の容量
は第1の実施例と同一である。しかし、図5とはマクロ
ブロック単位でHACの先頭から末尾方向に向かった書
き込むHACの上限ワード値が設定せれている点が異な
る。この設定値を越えたHACはVRAMの末尾から先
頭アドレスに向かって書き込まれる。
Mの構成を示す。FRAM11及びVRAM12の容量
は第1の実施例と同一である。しかし、図5とはマクロ
ブロック単位でHACの先頭から末尾方向に向かった書
き込むHACの上限ワード値が設定せれている点が異な
る。この設定値を越えたHACはVRAMの末尾から先
頭アドレスに向かって書き込まれる。
【0049】今、1シンクブロックに格納できるデータ
量の内で、FRAMの固定領域から溢れてVRAMに格
納される最大データ量Sを考える。なぜならば各マクロ
ブロックに対して最大S分のデータを確保できれば、フ
ォーマットに準拠した同一マクロブロックのHACを優
先してFRAMに格納することができるからである。最
大データ量Sはマクロブロック内の5DCTブロックが
DC信号とeobだけで、1DCTブロックに符号デー
タが集中している場合を設定すれば良い。よって以下の
式で求められる。 S=76[ハ゛イト]×8[ヒ゛ット] −(10[ヒ゛ット]+6[ヒ゛ット])×5[DCTフ゛ロック]−10[ハ゛イト]×8[ヒ゛ット] =28[ワ-ト゛]×16[ヒ゛ット] このように構成したVRAMへの符号データの書き込み
方は、先に述べた様に各マクロブロックのHACを先頭
アドレスから最大28ワード格納する。そして28ワー
ドを越えた分は末尾のアドレスから順に格納する。但し
先頭から格納するHACのアドレスとすでに末尾から格
納したHACのアドレスが一致した場合は、先頭から格
納するHACを優先して格納する。つまり、先頭から格
納するHACを既に末尾から格納したHACの上に重ね
て書く事になる。そして、それ以降は各マクロブロック
の28ワ−ドを越えたHACは破棄される(破棄された
信号は元々FRAM11に格納するスペースの無い符号
データである)。
量の内で、FRAMの固定領域から溢れてVRAMに格
納される最大データ量Sを考える。なぜならば各マクロ
ブロックに対して最大S分のデータを確保できれば、フ
ォーマットに準拠した同一マクロブロックのHACを優
先してFRAMに格納することができるからである。最
大データ量Sはマクロブロック内の5DCTブロックが
DC信号とeobだけで、1DCTブロックに符号デー
タが集中している場合を設定すれば良い。よって以下の
式で求められる。 S=76[ハ゛イト]×8[ヒ゛ット] −(10[ヒ゛ット]+6[ヒ゛ット])×5[DCTフ゛ロック]−10[ハ゛イト]×8[ヒ゛ット] =28[ワ-ト゛]×16[ヒ゛ット] このように構成したVRAMへの符号データの書き込み
方は、先に述べた様に各マクロブロックのHACを先頭
アドレスから最大28ワード格納する。そして28ワー
ドを越えた分は末尾のアドレスから順に格納する。但し
先頭から格納するHACのアドレスとすでに末尾から格
納したHACのアドレスが一致した場合は、先頭から格
納するHACを優先して格納する。つまり、先頭から格
納するHACを既に末尾から格納したHACの上に重ね
て書く事になる。そして、それ以降は各マクロブロック
の28ワ−ドを越えたHACは破棄される(破棄された
信号は元々FRAM11に格納するスペースの無い符号
データである)。
【0050】次にこのVRAM12への書き込み方につ
いて説明する。本実施例も先に図4で説明ようにFRA
M11a〜11c及びVRAM12a〜12bは書き込
み/読み出しをピンポン型構成をとってパイプライン処
理を実現している。今、SW34がa側に、SW35が
m側に、SW36がbとnの接続状態に、SW37がb
側に選択されているとして以下説明する。またFRAM
11aへのLACの格納法は前記第1の実施例と同一で
あるので省略し、VRAM12aへのHACの格納法に
ついて詳細に述べる。
いて説明する。本実施例も先に図4で説明ようにFRA
M11a〜11c及びVRAM12a〜12bは書き込
み/読み出しをピンポン型構成をとってパイプライン処
理を実現している。今、SW34がa側に、SW35が
m側に、SW36がbとnの接続状態に、SW37がb
側に選択されているとして以下説明する。またFRAM
11aへのLACの格納法は前記第1の実施例と同一で
あるので省略し、VRAM12aへのHACの格納法に
ついて詳細に述べる。
【0051】第1のデータ制御器6で16ビット単位に
詰められた符号データはVRAM12aに格納される
時、n側に切り替わったSW33を介して供給される。
その時、同時に第1のデータ制御器6はeob検出信号
とキャリー信号をアドレス制御器7に出力する。ここで
VRAM11aの固定領域がいっぱいになり、そして次
に入力されるキャリー信号が”1”になった時、アドレ
スコントローラ52は先頭値設定器50にVRAM12
aの先頭アドレス及び末尾アドレスを設定させる。そし
て、先頭値設定器50はアップカウンタ51及びダウン
カウンタ52に初期値を設定する。各マクロブロックの
HACのデータ量が28ワード以下の場合はアップカウ
ンタ51の出力信号をキャリーに基づいて1加算させ、
m側に切り換えられたSW54を介してVRAM12a
に供給する。またマクロブロックのHACのデータ量が
28ワードを越えた場合は、アップカウンタ51の動作
を停止し、ダウンカウンタ52の出力信号をキャリーに
基づいて1減算し、n側に切り換えられたSW54を介
してVRAM12aに供給する。
詰められた符号データはVRAM12aに格納される
時、n側に切り替わったSW33を介して供給される。
その時、同時に第1のデータ制御器6はeob検出信号
とキャリー信号をアドレス制御器7に出力する。ここで
VRAM11aの固定領域がいっぱいになり、そして次
に入力されるキャリー信号が”1”になった時、アドレ
スコントローラ52は先頭値設定器50にVRAM12
aの先頭アドレス及び末尾アドレスを設定させる。そし
て、先頭値設定器50はアップカウンタ51及びダウン
カウンタ52に初期値を設定する。各マクロブロックの
HACのデータ量が28ワード以下の場合はアップカウ
ンタ51の出力信号をキャリーに基づいて1加算させ、
m側に切り換えられたSW54を介してVRAM12a
に供給する。またマクロブロックのHACのデータ量が
28ワードを越えた場合は、アップカウンタ51の動作
を停止し、ダウンカウンタ52の出力信号をキャリーに
基づいて1減算し、n側に切り換えられたSW54を介
してVRAM12aに供給する。
【0052】以上のように本装置に本実施例のVRAM
構成を用いることにより、第1の実施例同様に、メモリ
の容量及び回路規模を、従来より大幅に削減可能にす
る。またFRAM11に最終的に格納できない符号デー
タが第1のデータ量制御器6から供給された場合でも、
VRAMの必要容量を変更することなくFRAMの格納
に最終的に必要なHACをバッファすることが可能にな
る。
構成を用いることにより、第1の実施例同様に、メモリ
の容量及び回路規模を、従来より大幅に削減可能にす
る。またFRAM11に最終的に格納できない符号デー
タが第1のデータ量制御器6から供給された場合でも、
VRAMの必要容量を変更することなくFRAMの格納
に最終的に必要なHACをバッファすることが可能にな
る。
【0053】次に再生時の動作について説明する。再生
時16ビット単位でFRAM11及びVRAM12に格
納された符号データを符号語データ単位に切り出す方法
について説明する。図10が上記したFRAM11及び
VRAM12から符号語データ単位に切り出す第1のデ
ータ制御器6のブロック図である。図11はこの第1の
データ制御器6での時刻毎の符号データの並び換えの様
子を示した状態図である。
時16ビット単位でFRAM11及びVRAM12に格
納された符号データを符号語データ単位に切り出す方法
について説明する。図10が上記したFRAM11及び
VRAM12から符号語データ単位に切り出す第1のデ
ータ制御器6のブロック図である。図11はこの第1の
データ制御器6での時刻毎の符号データの並び換えの様
子を示した状態図である。
【0054】図10において、60は加算器61のキャ
リー信号が”0”の時接点lが、”1”の時接点kが選
択されるSW、62はFRAM11及びVRAM12か
らの符号データをラッチするレジスタである。ここでF
RAM11及びVRAM12のアドレスは上記した記録
時のアドレス制御の動作と同様、キャリー信号が”1”
のとき次の時刻で更新される。63はSW60の切り換
えによって、キャリー信号が”1”の時レジスタ62の
出力を、キャリー信号が”0”のとき自分自身のフィー
ドバック出力を次の時刻でラッチするレジスタである。
64はレジスタ62及び63の計32ビットの出力を1
つにして、レジスタ63のlsbからレジスタ62のm
sbに向かって各ビット位置に図11のように番号を付
けた時、レジスタ65の出力値に+1したビット位置か
ら上位16ビットを選択するセレクタである。66はセ
レクタ64によって切り出され、lsb側から詰まって
いる符号語データからその符号長及びサインビットの有
無を示すサインフラグを出力し、更にeob符号で有れ
ばeob検出信号を”1”にする符号長テーブルある。
符号長テーブルは、DCTブロックの先頭では初期値と
して符号長”10”及びサインビット”0”を出力す
る。このeob検出信号は、記録時と同様次の時刻から
新しいDCTブロックの処理が開始されることを示すフ
ラグである。61はセレクタ64によって切り出された
符号語データの符号長とCinに入力されるサインフラグ
の出力信号を累積加算する4ビットの加算器、65は加
算器61の加算結果を次の時刻にラッチしするレジスタ
で、レジスタ65は各DCTブロックの先頭では初期
値”15”を出力するレジスタである。
リー信号が”0”の時接点lが、”1”の時接点kが選
択されるSW、62はFRAM11及びVRAM12か
らの符号データをラッチするレジスタである。ここでF
RAM11及びVRAM12のアドレスは上記した記録
時のアドレス制御の動作と同様、キャリー信号が”1”
のとき次の時刻で更新される。63はSW60の切り換
えによって、キャリー信号が”1”の時レジスタ62の
出力を、キャリー信号が”0”のとき自分自身のフィー
ドバック出力を次の時刻でラッチするレジスタである。
64はレジスタ62及び63の計32ビットの出力を1
つにして、レジスタ63のlsbからレジスタ62のm
sbに向かって各ビット位置に図11のように番号を付
けた時、レジスタ65の出力値に+1したビット位置か
ら上位16ビットを選択するセレクタである。66はセ
レクタ64によって切り出され、lsb側から詰まって
いる符号語データからその符号長及びサインビットの有
無を示すサインフラグを出力し、更にeob符号で有れ
ばeob検出信号を”1”にする符号長テーブルある。
符号長テーブルは、DCTブロックの先頭では初期値と
して符号長”10”及びサインビット”0”を出力す
る。このeob検出信号は、記録時と同様次の時刻から
新しいDCTブロックの処理が開始されることを示すフ
ラグである。61はセレクタ64によって切り出された
符号語データの符号長とCinに入力されるサインフラグ
の出力信号を累積加算する4ビットの加算器、65は加
算器61の加算結果を次の時刻にラッチしするレジスタ
で、レジスタ65は各DCTブロックの先頭では初期
値”15”を出力するレジスタである。
【0055】今、図7(b)のようにFRAM11に詰め
込まれた符号語データa,b,c,e,f,eobを切
り出すことを例に説明する。このDCTブロックの先頭
であるFRAM11の7番地の内容が、図11に示すよ
うに、最初時刻t0で、レジスタ62にラッチされると
レジスタ65の出力は初期値”15”であるのでセレク
タ64はレジスタ62のビット位置”16”から上位側
のビットを選択して、可変長符号復号器5と符号長テー
ブル66に出力する。このセレクタ64がレジスタ65
の示す値に+1したレジスタ62,63のビット位置か
ら上位側のビットを選択する事が即ち符号語の切り出し
を行うことである。図11に示すように時刻t0におい
て、DC信号が切り出されたことになる。この時、図1
1のようにセレクタ64の出力のlsbと符号語のls
bは必ず一致するようになる。可変長符号復号器5で
は、このように切り出された符号語からゼロランと振幅
値に復号する。符号長テーブル66はセレクタ64の出
力のlsb側から詰まっているDC信号の符号長”1
0”とサインフラグ”0”を加算器61に出力する。加
算器61は、この値とレジスタ65の出力値の加算、1
0+15+0=9を行い、キャリー信号及び4ビットの
加算結果を出力する。加算結果9は次の時刻t1でレジ
スタ65にラッチされる。
込まれた符号語データa,b,c,e,f,eobを切
り出すことを例に説明する。このDCTブロックの先頭
であるFRAM11の7番地の内容が、図11に示すよ
うに、最初時刻t0で、レジスタ62にラッチされると
レジスタ65の出力は初期値”15”であるのでセレク
タ64はレジスタ62のビット位置”16”から上位側
のビットを選択して、可変長符号復号器5と符号長テー
ブル66に出力する。このセレクタ64がレジスタ65
の示す値に+1したレジスタ62,63のビット位置か
ら上位側のビットを選択する事が即ち符号語の切り出し
を行うことである。図11に示すように時刻t0におい
て、DC信号が切り出されたことになる。この時、図1
1のようにセレクタ64の出力のlsbと符号語のls
bは必ず一致するようになる。可変長符号復号器5で
は、このように切り出された符号語からゼロランと振幅
値に復号する。符号長テーブル66はセレクタ64の出
力のlsb側から詰まっているDC信号の符号長”1
0”とサインフラグ”0”を加算器61に出力する。加
算器61は、この値とレジスタ65の出力値の加算、1
0+15+0=9を行い、キャリー信号及び4ビットの
加算結果を出力する。加算結果9は次の時刻t1でレジ
スタ65にラッチされる。
【0056】時刻t1では、時刻t0でキャリー信号が”
1”であったので、レジスタ62にはFRAM11の次
のアドレス8番地の内容がラッチされ、またレジスタ6
3にはレジスタ62の出力がラッチされる。この時レジ
スタ65の出力値は”9”を示しているので、セレクタ
64はレジスタ62,63のビット位置”10”から上
位16ビットを選択する事により、図11に示すように
符号語aが切り出されたことになる。符号長テーブル6
6は符号語aの符号長”11”及びサインビット”1”
を出力し、加算器61は11+9+1=5の計算を行
う。
1”であったので、レジスタ62にはFRAM11の次
のアドレス8番地の内容がラッチされ、またレジスタ6
3にはレジスタ62の出力がラッチされる。この時レジ
スタ65の出力値は”9”を示しているので、セレクタ
64はレジスタ62,63のビット位置”10”から上
位16ビットを選択する事により、図11に示すように
符号語aが切り出されたことになる。符号長テーブル6
6は符号語aの符号長”11”及びサインビット”1”
を出力し、加算器61は11+9+1=5の計算を行
う。
【0057】時刻t2では、時刻t1でのキャリー信号が”
1”であったのでセレクタ64はレジスタ62,63の
ビット位置6から上位16ビットを選択する事により、
符号語bが切り出されたことになる。符号長テーブル6
6は符号語bの符号長”10”を出力し、加算器61は
10+5=15の計算を行う。この時加算結果に桁上が
りがないのでキャリー信号は”0”である。この計算結
果”15”は次の時刻t2でレジスタ65にラッチされ
る。
1”であったのでセレクタ64はレジスタ62,63の
ビット位置6から上位16ビットを選択する事により、
符号語bが切り出されたことになる。符号長テーブル6
6は符号語bの符号長”10”を出力し、加算器61は
10+5=15の計算を行う。この時加算結果に桁上が
りがないのでキャリー信号は”0”である。この計算結
果”15”は次の時刻t2でレジスタ65にラッチされ
る。
【0058】時刻t3では、時刻t2でキャリー信号が”
0”であったので、FRAM11のアドレスは更新され
ずレジスタ62には8番地の内容が再度ラッチされ、ま
たレジスタ63にはSW60が接点lが選択されるので
自分自身のフィードバック値がラッチされる。この時レ
ジスタ65の出力値は”5”を示しており、セレクタ6
4はレジスタ62,63のビット位置16から上位16
ビットを選択する事により、図11に示すように符号語
cが切り出されたことになる。符号長テーブル33は符
号語cの符号長”7”とサインフラグ”1”を出力し、
加算器34は15+7+1=23の計算を行う。この時
加算結果に桁上がりが生じキャリー信号は”1”とな
る。この加算結果”7”は次の時刻t4でレジスタ65に
ラッチされる。以上の様な手順で本第1のデータ制御器
6は動作を繰り返し、時刻t6までに図11に示すよう
に符号語a,b,c,d,e,f,eobを順に切り出
し可変長符号復号器5に出力する。以上のように本実施
例を用いることにより、記録時図7(b)のように16ビ
ット単位に詰め込まれた符号データから容易に符号語デ
ータを切り出すことができる。ここで加算器61や符号
長テーブル66は、記録装置の符号長テーブル20や加
算器21と共有することも可能である。
0”であったので、FRAM11のアドレスは更新され
ずレジスタ62には8番地の内容が再度ラッチされ、ま
たレジスタ63にはSW60が接点lが選択されるので
自分自身のフィードバック値がラッチされる。この時レ
ジスタ65の出力値は”5”を示しており、セレクタ6
4はレジスタ62,63のビット位置16から上位16
ビットを選択する事により、図11に示すように符号語
cが切り出されたことになる。符号長テーブル33は符
号語cの符号長”7”とサインフラグ”1”を出力し、
加算器34は15+7+1=23の計算を行う。この時
加算結果に桁上がりが生じキャリー信号は”1”とな
る。この加算結果”7”は次の時刻t4でレジスタ65に
ラッチされる。以上の様な手順で本第1のデータ制御器
6は動作を繰り返し、時刻t6までに図11に示すよう
に符号語a,b,c,d,e,f,eobを順に切り出
し可変長符号復号器5に出力する。以上のように本実施
例を用いることにより、記録時図7(b)のように16ビ
ット単位に詰め込まれた符号データから容易に符号語デ
ータを切り出すことができる。ここで加算器61や符号
長テーブル66は、記録装置の符号長テーブル20や加
算器21と共有することも可能である。
【0059】以上の説明したように、第1の発明は符号
語を16ビット単位に詰め込むこと、規定のフォーマッ
ト信号を出力するFRAMに直接低域データ(LAC)
を書き込む構成にすること、最終的にFRAMに格納で
きるかつHAC(高域データ)の最大容量にVRAMの
容量を設定すること、符号語を16ビット単位に詰め込
まれた符号データから符号語を切り出すこと、により従
来に比べ大幅にメモリの容量を削減することができ、回
路規模の大幅な縮小化、コストの削減に寄与すること大
である。
語を16ビット単位に詰め込むこと、規定のフォーマッ
ト信号を出力するFRAMに直接低域データ(LAC)
を書き込む構成にすること、最終的にFRAMに格納で
きるかつHAC(高域データ)の最大容量にVRAMの
容量を設定すること、符号語を16ビット単位に詰め込
まれた符号データから符号語を切り出すこと、により従
来に比べ大幅にメモリの容量を削減することができ、回
路規模の大幅な縮小化、コストの削減に寄与すること大
である。
【0060】また第2の発明は符号語を16ビット単位
に詰め込むこと、規定のフォーマット信号を出力するF
RAMに直接低域データ(LAC)を書き込む構成にす
ること、最終的にFRAMに格納できるかつHAC(高
域データ)の最大容量にVRAMの容量を設定するこ
と、更にVRAMへの書き込み/読み出しを高域データ
(HAC)のマクロブロック単位で上限値を設け、上限
値範囲内外でメモリ空間のアドレス方向を逆にするこ
と、及び符号語を16ビット単位に詰め込まれた符号デ
ータから符号語を切り出すことで5シンクブロックに最
終的に格納できない符号データが入力された場合でも最
終的にシンクブロックに格納するデータを破棄すること
が無い。同時に第1の発明と同じ容量の従来に比べ大幅
少ないメモリの容量で実現でき、回路規模の大幅な縮小
化、コストの削減に寄与すること大である。
に詰め込むこと、規定のフォーマット信号を出力するF
RAMに直接低域データ(LAC)を書き込む構成にす
ること、最終的にFRAMに格納できるかつHAC(高
域データ)の最大容量にVRAMの容量を設定するこ
と、更にVRAMへの書き込み/読み出しを高域データ
(HAC)のマクロブロック単位で上限値を設け、上限
値範囲内外でメモリ空間のアドレス方向を逆にするこ
と、及び符号語を16ビット単位に詰め込まれた符号デ
ータから符号語を切り出すことで5シンクブロックに最
終的に格納できない符号データが入力された場合でも最
終的にシンクブロックに格納するデータを破棄すること
が無い。同時に第1の発明と同じ容量の従来に比べ大幅
少ないメモリの容量で実現でき、回路規模の大幅な縮小
化、コストの削減に寄与すること大である。
【0061】ところで、本実施例では、最大符号長が1
6ビットであると仮定したため、FRAM11やVRA
M12の1ワードや処理単位を16ビットにしたが、最
大符号長が16ビットで無い場合でも、それに合わせて
FRAMやVRAMのワード長や処理単位ビット長を変
更するだけで本発明が採用できるのは言うまでもないこ
とである。
6ビットであると仮定したため、FRAM11やVRA
M12の1ワードや処理単位を16ビットにしたが、最
大符号長が16ビットで無い場合でも、それに合わせて
FRAMやVRAMのワード長や処理単位ビット長を変
更するだけで本発明が採用できるのは言うまでもないこ
とである。
【0062】
【発明の効果】以上説明したように、本発明を用いるこ
とにより、可変長符号語を一時的に格納するバッファメ
モリの容量を従来に比べ大幅に削減可能で、そのためコ
スト的にも、回路面積的にも従来に比べ非常に有利な記
録・再生装置を提供することができ、その効果は大なる
ものがある。
とにより、可変長符号語を一時的に格納するバッファメ
モリの容量を従来に比べ大幅に削減可能で、そのためコ
スト的にも、回路面積的にも従来に比べ非常に有利な記
録・再生装置を提供することができ、その効果は大なる
ものがある。
【図1】本発明の一実施例における記録/再生装置の構
成を示すブロック図
成を示すブロック図
【図2】本発明の一実施例における記録系の第1のデー
タ制御器の構成を示すブロック図
タ制御器の構成を示すブロック図
【図3】同装置における時刻毎の符号語データの並び換
えの様子を示した状態図
えの様子を示した状態図
【図4】同装置におけるメモリの動作を説明するための
説明図
説明図
【図5】同装置における第1の実施例のFRAM及びV
RAMの構成を示す模式図
RAMの構成を示す模式図
【図6】同装置における第1の実施例のFRAM及びV
RAMを制御するアドレス制御器の構成を示すブロック
図
RAMを制御するアドレス制御器の構成を示すブロック
図
【図7】入力される符号語データとFRAMに書き込ま
れる位置関係を示す説明図
れる位置関係を示す説明図
【図8】同装置における第2の実施例のFRAM及びV
RAMの構成を示す説明図
RAMの構成を示す説明図
【図9】同装置における第2の実施例のFRAM及びV
RAMを制御するアドレス制御器の構成を示すブロック
図
RAMを制御するアドレス制御器の構成を示すブロック
図
【図10】本発明の一実施例における再生系の第1のデ
ータ制御器の構成を示すブロック図
ータ制御器の構成を示すブロック図
【図11】同装置における時刻毎の符号語データの並び
換えの様子を示した状態図
換えの様子を示した状態図
【図12】従来の記録装置の構成を示すブロック図
【図13】大ブロック化器の構成を示すブロック図
【図14】画像信号の1フレームとDCTブロックの関
係を示す模式図
係を示す模式図
【図15】DCTされた周波数成分の出力順を示す模式
図
図
【図16】ビデオセグメント化されたDCTブロックの
伝送順番を示す説明図
伝送順番を示す説明図
【図17】5つのシンクブロック(syncblock0〜syncbl
ock4)の構成を示す説明図
ock4)の構成を示す説明図
【図18】シンクブロックにおける固定領域(固定ブロ
ック)の構成を示す説明図
ック)の構成を示す説明図
【図19】シンクブロックへのデータの並び方の一例を
示した模式図
示した模式図
【図20】従来のVRAMの構成を示す説明図
【図21】従来の再生装置の構成を示すブロック図
1 小ブロック化器 2 大ブロック化器 3 直交変換/逆直交変換器 4 量子化/逆量子化器 5 可変長符号化/復号化器 6 第1のデ−タ制御器 7 アドレス制御器 8 メモリ 9 DRAM 10 ポインタRAM 11 FRAM 12 VRAM 13 第2のデータ制御器 14 伝送/受信器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H04N 5/91 - 5/956 H04N 7/24 - 7/68
Claims (2)
- 【請求項1】 入力信号の標本値を集めてm×nの画素
毎に小ブロックを構成する小ブロック化器と、 前記小ブロック器の出力信号をブロック毎に直交変換す
る直交変換器と、 前記直交変換器で得られた直交成分を量子化する量子化
器と、 前記量子化器の出力を可変長符号データに符号化する可
変長符号化器と、 所定の記録フォーマットの信号を出力する第1のメモリ
と、 前記第1のメモリの各小ブロックに割り当てられた固定
ワード長領域に格納しきれない前記可変長符号データを
格納し、かつ前記小ブロック全てに共有の格納領域を備
えた第2のメモリと、 前記可変長符号化器の出力信号を前記第1のメモリの各
小ブロック毎に割り当てられた固定ワード長の格納領域
に格納し、前記固定ワード長の格納領域を越えた可変長
符号データを前記第2のメモリに格納する第1のデータ
制御器と、 前記第1のメモリの未格納領域に前記第2のメモリに格
納された可変長符号データを格納する第2のデータ制御
器を備えたことを特徴とする記録再生装置。 - 【請求項2】入力信号の標本値を集めてm×nの画素毎
に小ブロックを構成する小ブロック化器と、 前記小ブロック器の出力信号をブロック毎に直交変換す
る直交変換器と、 前記直交変換器で得られた直交成分を量子化する量子化
器と、 前記量子化器の出力を可変長符号データに符号化する可
変長符号化器と、 所定の記録フォーマットの信号を出力する第1のメモリ
と、 前記第1のメモリの各小ブロックに割り当てられた固定
ワード長領域に格納しきれない前記可変長符号データを
格納し、かつ前記小ブロック全てに共有の格納領域を備
えた第2のメモリと、 前記可変長符号化手段の出力信号を前記第1のメモリの
各小ブロック毎に割り当てられた固定ワード長の格納領
域に格納し、前記固定ワード長の格納領域を越えた可変
長符号データを、前記可変長符号デ−タの同一のグルー
プ内のデータ量が所定の値内までは前記第2のメモリの
格納領域の先頭番地から最終番地に向かって格納し、値
を越えた場合は最終番地から前記先頭番地に向かって格
納する第1のデ−タ制御器と、 前記第1のメモリの未格納領域に前記第2のメモリに格
納された可変長符号データを詰め込む第2のデータ制御
器を備えたことを特徴とする記録再生装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8841693A JP3075008B2 (ja) | 1993-04-15 | 1993-04-15 | 記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8841693A JP3075008B2 (ja) | 1993-04-15 | 1993-04-15 | 記録再生装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06303571A JPH06303571A (ja) | 1994-10-28 |
JP3075008B2 true JP3075008B2 (ja) | 2000-08-07 |
Family
ID=13942195
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8841693A Expired - Fee Related JP3075008B2 (ja) | 1993-04-15 | 1993-04-15 | 記録再生装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP3075008B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5855777B2 (ja) * | 2015-01-28 | 2016-02-09 | 株式会社情報システム総合研究所 | データ圧縮装置、データ復号装置、データ圧縮方法、データ復号方法およびデータ圧縮および復号システム |
-
1993
- 1993-04-15 JP JP8841693A patent/JP3075008B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
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JPH06303571A (ja) | 1994-10-28 |
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