JP3072778B2 - オキシチタニウムフタロシアニン結晶の製造方法 - Google Patents
オキシチタニウムフタロシアニン結晶の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はオキシチタニウムフタロ
シアニン結晶の製造法に関し、詳しくはＣｕＫα特性Ｘ
線回折におけるブラック角２θ±０．２°が９．０°、
１４．２°、２３．９°および２７．１°に強いピーク
を有するオキシチタニウムフタロシアニン結晶、所謂Ｉ
型オキシチタニウムフタロシアニン結晶の製造方法に関
する。
シアニン結晶の製造法に関し、詳しくはＣｕＫα特性Ｘ
線回折におけるブラック角２θ±０．２°が９．０°、
１４．２°、２３．９°および２７．１°に強いピーク
を有するオキシチタニウムフタロシアニン結晶、所謂Ｉ
型オキシチタニウムフタロシアニン結晶の製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、フタロシアニン系顔料は塗料、イ
ンキ、樹脂の着色などの用途の他、触媒や電子写真感光
体、太陽電池、センサーなどに用いられる電子材料とし
て注目されてきた。
ンキ、樹脂の着色などの用途の他、触媒や電子写真感光
体、太陽電池、センサーなどに用いられる電子材料とし
て注目されてきた。
【０００３】オキシチタニウムフタロシアニンは製造条
件の微妙な違いによって種々の結晶形が得られる。例え
ば、特開昭５９−４９５４４号公報（ＵＳＰ４，４４
４，８６１）、特開昭５９−１６６９５９号公報、特開
昭６１−２３９２４８号公報（ＵＳＰ４，７２８，５９
２）、特開昭６２−６７０９４号公報（ＵＳＰ４，６６
４，９９７）、特開昭６３−３６６号公報、特開昭６３
−１１６１５８号公報、特開昭６３−１９８０６７号公
報および特開昭６４−１７０６６号公報に製造条件の違
いによる種々の異なる結晶形のオキシチタニウムフタロ
シアニンが示されている。これらの結晶形は通常混合物
として得られることが多く、多形混合物であるがために
製品の安定性に問題があった。このため、純粋な結晶形
のオキシチタニウムフタロシアニンを取得することが望
まれており、従来より多くの試みがなされてきた。例え
ば、特開昭６３−３６４号公報、特開昭６３−３６５号
公報、特開昭６３−３７１６３号公報、特開昭６３−５
７６７０号公報、特開昭６３−８０２６３号公報などが
それにあたり、Ａ型やＣ型オキシチタニウムフタロシア
ニン結晶の安定した製造法が確立されている。
件の微妙な違いによって種々の結晶形が得られる。例え
ば、特開昭５９−４９５４４号公報（ＵＳＰ４，４４
４，８６１）、特開昭５９−１６６９５９号公報、特開
昭６１−２３９２４８号公報（ＵＳＰ４，７２８，５９
２）、特開昭６２−６７０９４号公報（ＵＳＰ４，６６
４，９９７）、特開昭６３−３６６号公報、特開昭６３
−１１６１５８号公報、特開昭６３−１９８０６７号公
報および特開昭６４−１７０６６号公報に製造条件の違
いによる種々の異なる結晶形のオキシチタニウムフタロ
シアニンが示されている。これらの結晶形は通常混合物
として得られることが多く、多形混合物であるがために
製品の安定性に問題があった。このため、純粋な結晶形
のオキシチタニウムフタロシアニンを取得することが望
まれており、従来より多くの試みがなされてきた。例え
ば、特開昭６３−３６４号公報、特開昭６３−３６５号
公報、特開昭６３−３７１６３号公報、特開昭６３−５
７６７０号公報、特開昭６３−８０２６３号公報などが
それにあたり、Ａ型やＣ型オキシチタニウムフタロシア
ニン結晶の安定した製造法が確立されている。
【０００４】一方、特願平１−１８９２００号明細書に
は、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラック角２θ±
０．２°が９．０°、１４．２°、２３．９°および２
７．１°に強いピークを有するオキシチタニウムフタロ
シアニン結晶、所謂Ｉ型オキシチタニウムフタロシアニ
ン結晶が記載されているが、その製造方法は得られる結
晶の純度や簡便さの点では、必ずしも十分満足の出来る
ものではなかった。
は、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラック角２θ±
０．２°が９．０°、１４．２°、２３．９°および２
７．１°に強いピークを有するオキシチタニウムフタロ
シアニン結晶、所謂Ｉ型オキシチタニウムフタロシアニ
ン結晶が記載されているが、その製造方法は得られる結
晶の純度や簡便さの点では、必ずしも十分満足の出来る
ものではなかった。
【０００５】また、オキシチタニウムフタロシアニン結
晶を電子写真感光体用の電荷発生物質として用いる場
合、製造条件によっては得られる感光体の電子写真特性
が微妙に異なることもあった。
晶を電子写真感光体用の電荷発生物質として用いる場
合、製造条件によっては得られる感光体の電子写真特性
が微妙に異なることもあった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、簡便
なＩ型オキシチタニウムフタロシアニン結晶の製造方法
を提供することにある。
なＩ型オキシチタニウムフタロシアニン結晶の製造方法
を提供することにある。
【０００７】また本発明の目的は、電子写真感光体に用
いたときに安定して良好な特性を示すようなＩ型オキシ
チタニウムフタロシアニン結晶の製造方法を提供するこ
とにある。
いたときに安定して良好な特性を示すようなＩ型オキシ
チタニウムフタロシアニン結晶の製造方法を提供するこ
とにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、Ｃ
ｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラック角が２θ±０．２
°が９．０°、１４．２°、２３．９°および２７．１
°に強いピークを有するオキシチタニウムフタロシアニ
ン結晶の製造方法において、オキシチタニウムフタロシ
アニンの水ペーストとエーテル系化合物を混合した系
で、該オキシチタニウムフタロシアニンを分散メディア
を用いて分散処理することを特徴とするオキシチタニウ
ムフタロシアニン結晶の製造方法である。
ｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラック角が２θ±０．２
°が９．０°、１４．２°、２３．９°および２７．１
°に強いピークを有するオキシチタニウムフタロシアニ
ン結晶の製造方法において、オキシチタニウムフタロシ
アニンの水ペーストとエーテル系化合物を混合した系
で、該オキシチタニウムフタロシアニンを分散メディア
を用いて分散処理することを特徴とするオキシチタニウ
ムフタロシアニン結晶の製造方法である。
【０００９】本発明により製造されるオキシチタニウム
フタロシアニンの構造は
フタロシアニンの構造は
【００１０】
【外１】 で表わされる。
【００１１】ただし、Ｘ1，Ｘ2，Ｘ3，Ｘ4はＣｌまたは
Ｂｒを表わしｎ，ｍ，ｌ，ｋは０乃至４の整数を示す。
Ｂｒを表わしｎ，ｍ，ｌ，ｋは０乃至４の整数を示す。
【００１２】本発明に用いられるオキシチタニウムフタ
ロシアニンの水ペーストは、通常のアシッドペーシティ
ング法によって得られる水ペーストが好ましい。この水
ペーストは均一に水を含有していればよく、固形分の割
合は１５重量％乃至４５重量％であることが好ましい。
また、この水ペーストに用いられるオキシチタニウムフ
タロシアニンの結晶形は特に限定されるものではなく、
アシッドペーシティング処理に用いる硫酸量、水の量、
処理温度等の条件により種々のやや非晶質の結晶形また
は非晶質となるが、アシッドぺーシティング処理を施し
ているならばどのような非晶質、やや非晶質の結晶形、
またはそれらの混合物でもよい。
ロシアニンの水ペーストは、通常のアシッドペーシティ
ング法によって得られる水ペーストが好ましい。この水
ペーストは均一に水を含有していればよく、固形分の割
合は１５重量％乃至４５重量％であることが好ましい。
また、この水ペーストに用いられるオキシチタニウムフ
タロシアニンの結晶形は特に限定されるものではなく、
アシッドペーシティング処理に用いる硫酸量、水の量、
処理温度等の条件により種々のやや非晶質の結晶形また
は非晶質となるが、アシッドぺーシティング処理を施し
ているならばどのような非晶質、やや非晶質の結晶形、
またはそれらの混合物でもよい。
【００１３】本発明に用いられるエーテル系化合物とし
ては、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ｎ−プロ
ピルエーテル、ｎ−ブチルエーテル、ｉｓｏ−ブチルエ
ーテル、ｔ−ブチルエーテル、ｎ−アミルエーテル、ｎ
−ブチルメチルエーテル、ｎ−ブチルエチルエーテル、
テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメチルセロソルブ
およびジエチルセロソルブ等から１種以上選択すること
ができ、単独で用いても２種類以上を混合して用いても
よい。これらの中でも、水を混和する溶剤、例えばテト
ラヒドロフラン、ジオキサン、ジメチルセロソルブおよ
びジエチルセロソルブ等を用いることは、得られた結晶
の容器への付着がなく、取り出しが容易であり特に好ま
しい。
ては、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ｎ−プロ
ピルエーテル、ｎ−ブチルエーテル、ｉｓｏ−ブチルエ
ーテル、ｔ−ブチルエーテル、ｎ−アミルエーテル、ｎ
−ブチルメチルエーテル、ｎ−ブチルエチルエーテル、
テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメチルセロソルブ
およびジエチルセロソルブ等から１種以上選択すること
ができ、単独で用いても２種類以上を混合して用いても
よい。これらの中でも、水を混和する溶剤、例えばテト
ラヒドロフラン、ジオキサン、ジメチルセロソルブおよ
びジエチルセロソルブ等を用いることは、得られた結晶
の容器への付着がなく、取り出しが容易であり特に好ま
しい。
【００１４】また、エーテル系溶剤としてテトラヒドロ
フランを用いる場合、系内の水の割合を、系内の水およ
びテトラヒドロフランに対し、５重量％乃至２０重量％
とすると、特に優れた電子写真特性を有する電子写真感
光体を提供することのできるＩ型オキシチタニウムフタ
ロシアニン結晶を得ることができる。
フランを用いる場合、系内の水の割合を、系内の水およ
びテトラヒドロフランに対し、５重量％乃至２０重量％
とすると、特に優れた電子写真特性を有する電子写真感
光体を提供することのできるＩ型オキシチタニウムフタ
ロシアニン結晶を得ることができる。
【００１５】本発明において、Ｉ型オキシチタニウムフ
タロシアニン結晶は、例えば前記オキシチタニウムフタ
ロシアニンの水ペーストをガラスビーズ、スチールビー
ズ、アルミナビーズ等の分散メデイアと共にペイントシ
エイカー、サンドミル、ボールミル等のミリング装置を
用いて１時間以上、好ましくは５時間から３０時間、エ
ーテル系溶剤の存在の下に分散させることによって得ら
れる。その具体的なＸ線回折図は例えば図４に示すもの
である。
タロシアニン結晶は、例えば前記オキシチタニウムフタ
ロシアニンの水ペーストをガラスビーズ、スチールビー
ズ、アルミナビーズ等の分散メデイアと共にペイントシ
エイカー、サンドミル、ボールミル等のミリング装置を
用いて１時間以上、好ましくは５時間から３０時間、エ
ーテル系溶剤の存在の下に分散させることによって得ら
れる。その具体的なＸ線回折図は例えば図４に示すもの
である。
【００１６】分散処理に用いるエーテル系化合物の量は
任意に選択できるが、オキシチタニウムフタロシアニン
に対して５乃至４０倍（重量比）程度とすることが望ま
しい。溶剤量が少な過ぎると処理液の粘度が高くなるた
め、均一な処理が難くなる傾向があり、また多過ぎると
単位容積当りの処理量が少なくなるため、生産性が悪く
なる傾向がある。
任意に選択できるが、オキシチタニウムフタロシアニン
に対して５乃至４０倍（重量比）程度とすることが望ま
しい。溶剤量が少な過ぎると処理液の粘度が高くなるた
め、均一な処理が難くなる傾向があり、また多過ぎると
単位容積当りの処理量が少なくなるため、生産性が悪く
なる傾向がある。
【００１７】また、ミリング処理は室温下でも、加熱下
でもよい。
でもよい。
【００１８】以下に実施例、比較例を挙げて本発明を更
に具体的に説明する。
に具体的に説明する。
【００１９】
【実施例】（実施例１） 特開昭６１−２３９２４８号公報（ＵＳＰ４，７２８，
５９２）に開示されている製造例に従って、一般にＢ型
と呼ばれているオキシチタニウムフタロシアニン結晶を
得た。ＣｕＫα特性Ｘ線回折図を図５に示す。このＢ型
結晶２部（重量部、以下同様）を濃硫酸６０部中に５℃
以下でゆっくりと投入、溶解させ、６００部の氷水中に
３０分間で滴下した。得られた顔料を濾別、十分に水洗
してオキシチタニウムフタロシアニンの水ペースト（以
下水ペーストとする）を得た。なお、この水ペースト
の固形分の割合は２０重量％であった。この水ペースト
の一部を乾燥し、ＣｕＫα特性Ｘ線回折測定をした結果
を図１に示す。
５９２）に開示されている製造例に従って、一般にＢ型
と呼ばれているオキシチタニウムフタロシアニン結晶を
得た。ＣｕＫα特性Ｘ線回折図を図５に示す。このＢ型
結晶２部（重量部、以下同様）を濃硫酸６０部中に５℃
以下でゆっくりと投入、溶解させ、６００部の氷水中に
３０分間で滴下した。得られた顔料を濾別、十分に水洗
してオキシチタニウムフタロシアニンの水ペースト（以
下水ペーストとする）を得た。なお、この水ペースト
の固形分の割合は２０重量％であった。この水ペースト
の一部を乾燥し、ＣｕＫα特性Ｘ線回折測定をした結果
を図１に示す。
【００２０】水ペースト５部にテトラヒドロフラン２
０部を加え、１ｍｍφのガラスビーズと共にミリング処
理を２０℃で２０時間行った。この分散液より固形分を
取り出し、乾燥してオキシチタニウムフタロシアニン結
晶を得た。
０部を加え、１ｍｍφのガラスビーズと共にミリング処
理を２０℃で２０時間行った。この分散液より固形分を
取り出し、乾燥してオキシチタニウムフタロシアニン結
晶を得た。
【００２１】結果を表１に示し、このとき得られたオキ
シチタニウムフタロシアニン結晶のＣｕＫα特性Ｘ線回
折図を図４に示す。
シチタニウムフタロシアニン結晶のＣｕＫα特性Ｘ線回
折図を図４に示す。
【００２２】（実施例２〜１０） 処理化合物、処理時間および処理温度を表１のように変
えた他は実施例１と同様にしてオキシチタニウムフタロ
シアニン結晶を得た。
えた他は実施例１と同様にしてオキシチタニウムフタロ
シアニン結晶を得た。
【００２３】結果を表１に示す。
【００２４】
【表１】
【００２５】（実施例１１） 実施例１で用いたＢ型オキシチタニウムフタロシアニン
２部を濃硫酸６０部中に５℃以下でゆっくりと投入、溶
解させ、８００部の水中に２５℃で１５分間で滴下し
た。得られた顔料を濾別、十分に水洗してオキシチタニ
ウムフタロシアニンの水ペースト（以下水ペーストと
する）を得た。なお、この水ペーストの固形分の割合は
２４重量％であった。この水ペーストの一部を乾燥し、
Ｘ線回折測定をした結果を図２に示す。
２部を濃硫酸６０部中に５℃以下でゆっくりと投入、溶
解させ、８００部の水中に２５℃で１５分間で滴下し
た。得られた顔料を濾別、十分に水洗してオキシチタニ
ウムフタロシアニンの水ペースト（以下水ペーストと
する）を得た。なお、この水ペーストの固形分の割合は
２４重量％であった。この水ペーストの一部を乾燥し、
Ｘ線回折測定をした結果を図２に示す。
【００２６】水ペースト４．２部にテトラヒドロフラ
ン２０部を加え、１ｍｍφのガラスビーズと共にミリン
グ処理を２０℃で２０時間行った。この分散液より固形
分を取り出し、乾燥してオキシチタニウムフタロシアニ
ン結晶を得た。
ン２０部を加え、１ｍｍφのガラスビーズと共にミリン
グ処理を２０℃で２０時間行った。この分散液より固形
分を取り出し、乾燥してオキシチタニウムフタロシアニ
ン結晶を得た。
【００２７】結果を表２に示す。
【００２８】（実施例１２〜２１） 処理化合物、処理時間および処理温度を表１のように変
えた以外は実施例１１と同様にしてオキシチタニウムフ
タロシアニン結晶を得た。
えた以外は実施例１１と同様にしてオキシチタニウムフ
タロシアニン結晶を得た。
【００２９】結果を表２に示す。
【００３０】
【表２】
【００３１】 （実施例２２） 特開昭６２−６７０９４号公報（ＵＳＰ４，６６４，９
９７）に開示されている製造例に従ってＡ型オキシチタ
ニウムフタロシアニンを得た。ＣｕＫα特性Ｘ線回折図
を図６に示す。このＡ型結晶２部を濃硫酸８０部中に３
０℃以下でゆっくりと投入、溶解させ、８００部の水中
に３０℃で１０分かけて滴下した。得られた顔料を濾
別、十分に水洗してオキシチタニウムフタロシアニンの
水ペースト（以下水ペーストとする）を得た。なお、
この水ペーストの固形分の割合は２２重量％であった。
９７）に開示されている製造例に従ってＡ型オキシチタ
ニウムフタロシアニンを得た。ＣｕＫα特性Ｘ線回折図
を図６に示す。このＡ型結晶２部を濃硫酸８０部中に３
０℃以下でゆっくりと投入、溶解させ、８００部の水中
に３０℃で１０分かけて滴下した。得られた顔料を濾
別、十分に水洗してオキシチタニウムフタロシアニンの
水ペースト（以下水ペーストとする）を得た。なお、
この水ペーストの固形分の割合は２２重量％であった。
【００３２】この水ペーストの一部を乾燥し、Ｘ線回折
測定をした結果を図３に示す。
測定をした結果を図３に示す。
【００３３】水ペースト４．５部にテトラヒドロフラ
ン２０部を加え、１ｍｍφのガラスビーズと共にミリン
グ処理を２０℃で２０時間行った。この分散液より固形
分を取り出し、乾燥してオキシチタニウムフタロシアニ
ン結晶を得た。
ン２０部を加え、１ｍｍφのガラスビーズと共にミリン
グ処理を２０℃で２０時間行った。この分散液より固形
分を取り出し、乾燥してオキシチタニウムフタロシアニ
ン結晶を得た。
【００３４】結果を表３に示す。
【００３５】（実施例２３〜３２） 処理化合物、処理時間および処理温度を表３のように変
えた以外は実施例２２と同様にしてオキシチタニウムフ
タロシアニン結晶を得た。
えた以外は実施例２２と同様にしてオキシチタニウムフ
タロシアニン結晶を得た。
【００３６】結果を表３に示す。
【００３７】
【表３】
【００３８】（比較例１〜１２） 処理化合物、処理時間および処理温度を表４のように変
えた他は実施例１と同様にしてオキシチタニウムフタロ
シアニン結晶を得た。
えた他は実施例１と同様にしてオキシチタニウムフタロ
シアニン結晶を得た。
【００３９】結果を表４に示す。
【００４０】なお、用いたＢ型およびＡ型オキシチタニ
ウムフタロシアニンは、それぞれ実施例１および２２で
用いたものと同様の方法で製造したものである。
ウムフタロシアニンは、それぞれ実施例１および２２で
用いたものと同様の方法で製造したものである。
【００４１】
【表４】
【００４２】用いたオキシチタニウムフタロシアニン、
処理化合物、処理時間および処理温度を表５のように変
えた他は実施例１と同様にしてオキシチタニウムフタロ
シアニンを得た。
処理化合物、処理時間および処理温度を表５のように変
えた他は実施例１と同様にしてオキシチタニウムフタロ
シアニンを得た。
【００４３】結果を表５に示す。
【００４４】
【表５】
【００４５】（比較例２２〜３３） 用いたオキシチタニウムフタロシアニン、処理化合物、
処理時間および処理温度を表６のように変えた他は実施
例１と同様にしてオキシチタニウムフタロシアニン結晶
を得た。
処理時間および処理温度を表６のように変えた他は実施
例１と同様にしてオキシチタニウムフタロシアニン結晶
を得た。
【００４６】結果を表６に示す。
【００４７】なお、得られたオキシチタニウムフタロシ
アニン結晶のうちＣ型結晶のＣｕＫα特性Ｘ線回折図を
図７に示す。
アニン結晶のうちＣ型結晶のＣｕＫα特性Ｘ線回折図を
図７に示す。
【００４８】
【表６】
【００４９】（実施例３３） 実施例１で用いた水ペースト５部にテトラヒドロフラ
ン２１部を加えて、系内の水とテトラヒドロフランの総
量に対する系内の水の割合（以下水分値と称す）を１６
重量％とし、１ｍｍφのガラスビーズと共にミリング処
理を２０℃で２０時間行った。この分散液より固形分を
取り出し、乾燥してオキシチタニウムフタロシアニン結
晶を得た。
ン２１部を加えて、系内の水とテトラヒドロフランの総
量に対する系内の水の割合（以下水分値と称す）を１６
重量％とし、１ｍｍφのガラスビーズと共にミリング処
理を２０℃で２０時間行った。この分散液より固形分を
取り出し、乾燥してオキシチタニウムフタロシアニン結
晶を得た。
【００５０】結果を表７に示す。
【００５１】（実施例３４〜３９） 水ペーストの固形分の割合および水分値を表７のよう
にした他は実施例３３と同様にしてオキシチタニウムフ
タロシアニンを得た。
にした他は実施例３３と同様にしてオキシチタニウムフ
タロシアニンを得た。
【００５２】結果を表７に示す。
【００５３】
【表７】
【００５４】（実施例４０） 水ペーストのかわりに実施例１１で用いた水ペースト
を用いた他は実施例３４と同様にしてオキシチタニウ
ムフタロシアニン結晶を得た。
を用いた他は実施例３４と同様にしてオキシチタニウ
ムフタロシアニン結晶を得た。
【００５５】結果を表８に示す。
【００５６】（実施例４１〜４６） 水ペーストの固形分の割合および水分値を表８のよう
に変えた他は実施例４０と同様にしてオキシチタニウム
フタロシアニン結晶を得た。
に変えた他は実施例４０と同様にしてオキシチタニウム
フタロシアニン結晶を得た。
【００５７】結果を表８に示す。
【００５８】
【表８】
【００５９】（実施例４７） 水ペーストのかわりに実施例２２で用いた水ペースト
を用いた他は実施例３４と同様にしてオキシチタニウ
ムフタロシアニン結晶を得た。
を用いた他は実施例３４と同様にしてオキシチタニウ
ムフタロシアニン結晶を得た。
【００６０】結果を表９に示す。
【００６１】（実施例４８〜５３） 水ペーストの固形分の割合および水分値を表９のよう
に変えた他は実施例４７と同様にしてオキシチタニウム
フタロシアニン結晶を得た。
に変えた他は実施例４７と同様にしてオキシチタニウム
フタロシアニン結晶を得た。
【００６２】結果を表９に示す。
【００６３】
【表９】
【００６４】（実験例１） １０％の酸化アンチモンを含有する酸化スズで被覆した
酸化チタン粉体５０部、レゾール型フェノール樹脂２５
部、メチルセロソルブ２０部、メタノール５部およびシ
リコーンオイル（ポリジメチルシロキサンポリオキシア
ルキレン共重合体、平均分子量３０００）０．００２部
を１ｍｍφガラスビーズを用いたサンドミル装置で２時
間分散して導電層用塗料を調整した。
酸化チタン粉体５０部、レゾール型フェノール樹脂２５
部、メチルセロソルブ２０部、メタノール５部およびシ
リコーンオイル（ポリジメチルシロキサンポリオキシア
ルキレン共重合体、平均分子量３０００）０．００２部
を１ｍｍφガラスビーズを用いたサンドミル装置で２時
間分散して導電層用塗料を調整した。
【００６５】アルミニウムシリンダー（φ３０ｍｍ×２
６０ｍｍ）上に、上記塗料を浸漬塗布し、１４０℃で３
０分間乾燥させ、膜厚２０μｍの導電層を形成した。
６０ｍｍ）上に、上記塗料を浸漬塗布し、１４０℃で３
０分間乾燥させ、膜厚２０μｍの導電層を形成した。
【００６６】この上に６−６６−６１０−１２四元系ポ
リアミド共重合体樹脂５部をメタノール７０部とブタノ
ール２５部の混合溶媒に溶解した溶液をデイツピング法
で塗布乾燥して１μｍ厚の下引き層を設けた。
リアミド共重合体樹脂５部をメタノール７０部とブタノ
ール２５部の混合溶媒に溶解した溶液をデイツピング法
で塗布乾燥して１μｍ厚の下引き層を設けた。
【００６７】次に実施例３３で得られたオキシチタニウ
ムフタロシアニン結晶４部とポリビニルブチラール樹脂
２部をシクロヘキサノン１００部に添加し１ｍｍφのガ
ラスビーズを用いたサンドミルで３時間分散し、これに
１００部のメチルエチルケトンを加えて希釈し、これを
下引き層上に塗布した後、１１０℃で１０分間乾燥し
て、膜厚０．１５μｍの電荷発生層を形成した。
ムフタロシアニン結晶４部とポリビニルブチラール樹脂
２部をシクロヘキサノン１００部に添加し１ｍｍφのガ
ラスビーズを用いたサンドミルで３時間分散し、これに
１００部のメチルエチルケトンを加えて希釈し、これを
下引き層上に塗布した後、１１０℃で１０分間乾燥し
て、膜厚０．１５μｍの電荷発生層を形成した。
【００６８】次に下記構造式
【００６９】
【外２】 で示される電荷輸送材料１０部とビスフエノールＺ型ポ
リカーボネート樹脂１０部をモノクロルベンゼン６０部
に溶解した溶液を調整し、電荷発生層上にデイツピング
法により塗布した。これを１１０℃の温度で１時間乾燥
して２０μｍ厚の電荷転送層を形成することによって電
子写真感光体を作成した。
リカーボネート樹脂１０部をモノクロルベンゼン６０部
に溶解した溶液を調整し、電荷発生層上にデイツピング
法により塗布した。これを１１０℃の温度で１時間乾燥
して２０μｍ厚の電荷転送層を形成することによって電
子写真感光体を作成した。
【００７０】この電子写真感光体をレーザービームプリ
ンター（商品名：ＬＢＰ−ＳＸ、キヤノン製）に設置
し、暗部電位が−７００（Ｖ）になるように帯電設定
し、これに波長７７８ｎｍのレーザー光を照射して−７
００（Ｖ）の電位を−２００（Ｖ）まで下げるのに必要
な露光量、即ち感光体の感度を測定したところ０．２２
（μＪ／ｃｍ2）であった。次に、暗部電位が−７００
（Ｖ）になるように帯電設定し、これに波長７７８ｎｍ
のレーザー光を２．８（μＪ／ｃｍ2）の光量照射した
後の残留電位を測定したところ−５０（Ｖ）であった。
ンター（商品名：ＬＢＰ−ＳＸ、キヤノン製）に設置
し、暗部電位が−７００（Ｖ）になるように帯電設定
し、これに波長７７８ｎｍのレーザー光を照射して−７
００（Ｖ）の電位を−２００（Ｖ）まで下げるのに必要
な露光量、即ち感光体の感度を測定したところ０．２２
（μＪ／ｃｍ2）であった。次に、暗部電位が−７００
（Ｖ）になるように帯電設定し、これに波長７７８ｎｍ
のレーザー光を２．８（μＪ／ｃｍ2）の光量照射した
後の残留電位を測定したところ−５０（Ｖ）であった。
【００７１】（実験例２〜２１） 実施例３３で得られたオキシチタニウムフタロシアニン
結晶のかわりに、実施例３４〜５３で得られたオキシチ
タニウムフタロシアニン結晶を用いた他は実験例１と同
様にして電子写真感光体を作成し、評価した。
結晶のかわりに、実施例３４〜５３で得られたオキシチ
タニウムフタロシアニン結晶を用いた他は実験例１と同
様にして電子写真感光体を作成し、評価した。
【００７２】結果を表１０に示す。
【００７３】
【表１０】
【００７４】（実施例５４〜６２） 水分値を表１２のようにした他は、実施例３３（水ペー
スト）、実施例４１（水ペースト）および実施例４
８（水ペースト）と同様にしてオキシチタニウムフタ
ロシアニン結晶を得た。
スト）、実施例４１（水ペースト）および実施例４
８（水ペースト）と同様にしてオキシチタニウムフタ
ロシアニン結晶を得た。
【００７５】結果を表１１に示す。
【００７６】
【表１１】
【００７７】（実験例２２〜３０） 実施例３３で得られたオキシチタニウムフタロシアニン
結晶のかわりに実施例５４〜６２で得られたオキシチタ
ニウムフタロシアニン結晶を用いた他は実験例１と同様
にして電子写真感光体を作成し、評価した。
結晶のかわりに実施例５４〜６２で得られたオキシチタ
ニウムフタロシアニン結晶を用いた他は実験例１と同様
にして電子写真感光体を作成し、評価した。
【００７８】結果を表１２に示す。
【００７９】
【表１２】
【００８０】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば簡便にＩ
型オキシチタニウムフタロシアニン結晶が得られ、更に
は、電子写真感光体用の電荷発生物質として用いても優
れた電子写真特性を示すＩ型オキシチタニウムフタロシ
アニン結晶を得ることができる。
型オキシチタニウムフタロシアニン結晶が得られ、更に
は、電子写真感光体用の電荷発生物質として用いても優
れた電子写真特性を示すＩ型オキシチタニウムフタロシ
アニン結晶を得ることができる。
【図１】水ペーストの乾燥品のＣｕＫα特性Ｘ線回折
図である。
図である。
【図２】水ペーストの乾燥品のＣｕＫα特性Ｘ線回折
図である。
図である。
【図３】水ペーストの乾燥品のＣｕＫα特性Ｘ線回折
図である。
図である。
【図４】実施例１で得られたＩ型オキシチタニウムフタ
ロシアニン結晶のＣｕＫα特性Ｘ線回折図である。
ロシアニン結晶のＣｕＫα特性Ｘ線回折図である。
【図５】実施例および比較例で用いたＢ型オキシチタニ
ウムフタロシアニンのＣｕＫα特性Ｘ線回折図である。
ウムフタロシアニンのＣｕＫα特性Ｘ線回折図である。
【図６】実施例および比較例で用いたＡ型オキシチタニ
ウムフタロシアニンのＣｕＫα特性Ｘ線回折図である。
ウムフタロシアニンのＣｕＫα特性Ｘ線回折図である。
【図７】比較例で得られたＣ型オキシチタニウムフタロ
シアニンのＣｕＫα特性Ｘ線回折図である。
シアニンのＣｕＫα特性Ｘ線回折図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井内 一史 北海道江別市大麻園町27−７ (72)発明者 宮崎 元 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤ ノン株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−28265（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−35064（ＪＰ，Ａ) 特許2502404（ＪＰ，Ｂ２) 特許2911613（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C09B 67/50 C09B 47/00 - 47/32 C09B 67/12 C07D 487/00 G03G 5/06 371
Claims (6)
- 【請求項１】 ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラック
角２θ±０．２°の９．０°、１４．２°、２３．９°
および２７．１°に強いピークを有するオキシチタニウ
ムフタロシアニン結晶の製造方法において、オキシチタ
ニウムフタロシアニンの水ペーストとエーテル系化合物
を混合した系で、該オキシチタニウムフタロシアニンを
分散メディアを用いて分散処理することを特徴とするオ
キシチタニウムフタロシアニン結晶の製造方法。 - 【請求項２】 前記系内のエーテル系化合物が、テトラ
ヒドロフラン、ジオキサン、ジメチルセロソルブおよび
ジエチルセロソルブからなる群より選ばれる少なくとも
ひとつの溶剤である請求項１に記載のオキシチタニウム
フタロシアニン結晶の製造方法。 - 【請求項３】 前記系内のエーテル系化合物が、テトラ
ヒドロフランである請求項２に記載のオキシチタニウム
フタロシアニン結晶の製造方法。 - 【請求項４】 前記系内の水の割合が、該系内の水およ
びテトラヒドロフランに対し、５重量％乃至２０重量％
である請求項３に記載のオキシチタニウムフタロシアニ
ン結晶の製造方法。 - 【請求項５】 前記分散処理が、ミリング処理である請
求項１乃至４のいずれかに記載のオキシチタニウムフタ
ロシアニン結晶の製造方法。 - 【請求項６】 前記オキシチタニウムフタロシアニンの
水ペーストが、オキシチタニウムフタロシアニンをアシ
ッドペーシティング処理して得られる水ペーストである
請求項１乃至５のいずれかに記載のオキシチタニウムフ
タロシアニン結晶の製造方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-46288 | 1990-02-26 | ||
| JP4628890 | 1990-02-26 | ||
| JP2-287563 | 1990-10-24 | ||
| JP28756390 | 1990-10-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04211460A JPH04211460A (ja) | 1992-08-03 |
| JP3072778B2 true JP3072778B2 (ja) | 2000-08-07 |
Family
ID=26386401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03030766A Expired - Lifetime JP3072778B2 (ja) | 1990-02-26 | 1991-02-26 | オキシチタニウムフタロシアニン結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3072778B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2907121B2 (ja) * | 1996-05-29 | 1999-06-21 | 日本電気株式会社 | オキシチタニウムフタロシアニン結晶、その製造方法およびそれを用いた電子写真感光体 |
| US6485658B1 (en) * | 1999-04-28 | 2002-11-26 | Mitsubishi Paper Mills, Limited | Phthalocyanine, process for producing the same and electrophotographic photoreceptor using the same |
-
1991
- 1991-02-26 JP JP03030766A patent/JP3072778B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04211460A (ja) | 1992-08-03 |
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