JP3072749B2 - フレキシブルプリント基板用ベース材料 - Google Patents

フレキシブルプリント基板用ベース材料

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JP3072749B2
JP3072749B2 JP03339627A JP33962791A JP3072749B2 JP 3072749 B2 JP3072749 B2 JP 3072749B2 JP 03339627 A JP03339627 A JP 03339627A JP 33962791 A JP33962791 A JP 33962791A JP 3072749 B2 JP3072749 B2 JP 3072749B2
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裕史 伊藤
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  • Laminated Bodies (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はフレキシブルプリント基
板用ベース材料に関し、更に詳しくは、耐熱性、加工性
及び電気特性をバランス良く備えたフレキシブルプリン
ト基板用ベース材料に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、電子機器は小型化、軽量化され、
その中に用いられている電子部品あるいは配線材料に関
しても小型化、高密度化が要求されている。リジッドな
プリント基板に対して薄く、柔軟な特徴を持つフレキシ
ブルプリント基板は、このような背景のもとで需要が増
加しつつある。現在使用されているフレキシブルプリン
ト基板は、一般に銅箔等の金属箔と有機ポリマー等の絶
縁フィルムをアクリル系、エポキシ系の接着剤等で接着
して製造されている。このためフレキシブルプリント基
板の耐熱性は接着剤によって左右されることとなり、ポ
リイミドベースフィルムが本来もっている優れた耐熱
性、難燃性等を充分発揮できていない。
【0003】これらを改善する例として特開昭60−1
75478や特開昭61−98782に示すような接着
剤を改良する方法や、特開昭62−208690に示す
ように対称型芳香族メタ置換第1級アミンと、対称型芳
香族パラ置換第1級アミンを使った共重合体を用いる方
法がある。しかし、耐熱性、加工性及び電気特性の全て
に優れたフレキシブルプリント基板は未だ存在しないの
が実情である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の実情
に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は接着剤層
としてポリイミド中間層を有する、耐熱性、加工性及び
電気特性をバランス良く備えたフレキシブルプリント基
板用ベース材料を提供する。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記課題を
解決するため鋭意検討を行った結果、本発明を完成する
に至った。即ち、本発明は、ポリイミド樹脂からなるベ
ースフィルム層と、下記一般式(I)
【0006】
【化5】
【0007】(式中、Ar1 は4価の芳香族有機基、A
2 は2価の芳香族有機基であり、nはポリマー濃度
0.5重量%のジメチルホルムアミド溶液を25℃で測
定したときの固有粘度が0.1dl/g以上にするに充分
な数である。)に示す繰り返し単位を有するポリイミド
樹脂中間層と、導体層とからなるフレキシブルプリント
基板用ベース材料を内容とするものである。
【0008】本発明においてベースフィルム層として使
用するポリイミド樹脂は、そのガラス転移転移温度が中
間層のポリイミド樹脂のガラス転移温度より高ければど
の様な構造をとっていてもよい。具体例としてはポリア
ミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミ
ド、その他共重合やモノマーの変性等によって修飾され
たポリイミドであるが、フレキシブルプリント基板に用
いるためには、柔軟性を持ち、かつ線膨張係数が金属の
それと近い物性を持つ、一般式(III)のポリイミドが好
ましい。
【0009】
【化6】
【0010】一般式(III)に示すポリイミドは、その前
駆体であるポリアミド酸をイミド化することによって得
られる。そして、このポリアミド酸はパラフェニレンジ
アミン及び4,4′−ジアミノジフェニルエーテルをピ
ロメリット酸二無水物と反応させることにより得ること
ができる。
【0011】また、本発明において用いられる中間層ポ
リイミド樹脂は、その前駆体であるポリアミド酸をイミ
ド化することにより得られる。中間層ポリイミド樹脂に
用いられるジアミン化合物は、式(IV)
【0012】
【化7】
【0013】において示される物であり、式(IV)中の
Ar2 はフェニレン、ナフタレン、ビフェニレン型等の
化合物を包含し、これらの全てが未置換であっても、ハ
ロゲン、ヒドロキシ、C1 〜C6 の低級アルキルもしく
はC1 〜C6 の低級アルコキシ基で環置換されていても
よい。より好適なジアミンは、式(V)
【0014】
【化8】
【0015】に示す構造のものである。中間層に用いら
れるポリイミド樹脂は、上記式(IV)のジアミンと下記
式(VI)の他のジアミンの1種以上との混合物を用いて
も得ることができる。 H2 N−Ar4 −NH2 (VI) 但し、(VI)中Ar4 はフェニレン、ナフタレンもしく
はビフェニレン型等の化合物であって、それは未置換も
しくはハロゲン、ヒドロキシ、C1 〜C10のアルキルま
たはC1 〜C10のアルコキシ基で置換されていてもよ
い。
【0016】前記(VI)のジアミンとしては下記のもの
が包含され、これらは単独又は2種以上組み合わせて用
いられる。 m−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、
1,3−ビス(4−アミノフェニル)プロパン、2,2
−ビス(4−アミノフェニル)プロパン、4,4′−ジ
アミノ−ジフェニルメタン、4,4′−ジアミノベンズ
アニリド、1,2−ビス(4−アミノフェニル)メタ
ン、1,1−ビス(4−アミノフェニル)エタン、2,
2−ジアミノ−ジエチルスルフィド、ビス(4−アミノ
フェニル)スルフィド、2,4′−ジアミノ−ジフェニ
ルスルフィド、ビス(3−アミノフェニル)スルホン、
ビス(4−アミノフェニル)スルホン、4,4′−ジア
ミノ−ジベンジルスルホキシド、ビス(4−アミノフェ
ニル)エーテル、ビス(3−アミノフェニル)エーテ
ル、ビス(4−アミノフェニル)ジエチルシラン、ビス
(4−アミノフェニル)ジフェニルシラン、ビス(4−
アミノフェニル)エチルホスフィンオキシド、ビス(4
−アミノフェニル)フェニルホスフィンオキシド、ビス
(4−アミノフェニル)−N−フェニルアミン、ビス
(4−アミノフェニル)−N−メチルアミン、1,2−
ジアミノ−ナフタレン、1,4−ジアミノ−ナフタレ
ン、1,5−ジアミノ−ナフタレン、1,6−ジアミノ
−ナフタレン、1,7−ジアミノ−ナフタレン、1,8
−ジアミノ−ナフタレン、2,3−ジアミノ−ナフタレ
ン、2,6−ジアミノ−ナフタレン、1,4−ジアミノ
−2−メチル−ナフタレン、1,5−ジアミノ−2−メ
チル−ナフタレン、1,3−ジアミノ−2−メチル−ナ
フタレン、4,4′−ジアミノ−ビフェニル、3,3′
−ジアミノ−ビフェニル、3,3′−ジクロロ−4,
4′−ジアミノ−ビフェニル、3,3′−ジメチル−
4,4′−ジアミノ−ビフェニル、3,4′−ジメチル
−4,4′−ジアミノ−ビフェニル、3,3′−ジメト
キシ−4,4′−ジアミノ−ビフェニル、4,4′−ビ
ス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、2,4−ジア
ミノ−トルエン、2,5−ジアミノ−トルエン、2,6
−ジアミノ−トルエン、3,5−ジアミノ−トルエン、
1,3−ジアミノ−2,5−ジクロロ−ベンゼン、1,
4−ジアミノ−2,5−ジクロロ−ベンゼン、1−メト
キシ−2,4−ジアミノ−ベンゼン、1,4−ジアミノ
−2−メトキシ−5−メチルベンゼン、1,4−ジアミ
ノ−2,3,5,6−テトラメチルベンゼン、1,4−
ビス(2−メチル−4−アミノペンチル)−ベンゼン、
1,4−ビス(1,1−ジメチル−5−アミノペンチ
ル)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)
−ベンゼン、o−キシリレンジアミン、m−キシリレン
ジアミン、p−キシリレンジアミン、3,3′−ジアミ
ノ−ベンゾフェノン、4,4′−ジアミノ−ベンゾフェ
ノン、2,6−ジアミノ−ピリジン、3,5−ジアミノ
−ピリジン、1,3−ジアミノ−アダマンタン、ビス
〔2−(3−アミノフェニル)ヘキサフルオロイソプロ
ピル〕ジフェニルエーテル、ビス〔4−(4−アミノフ
ェノキシ)フェニル〕スルホン、ビス〔4−(3−アミ
ノフェノキシ)フェニル〕スルホン、ビス〔4−(4−
アミノフェノキシ)フェニル〕エーテル、3,3′−ジ
アミノ−1,1,1′−ジアダマンタン、N−(3−ア
ミノフェニル)−4−アミノベンズアミド、4−アミノ
フェニル−3−アミノベンゾエート、2,2−ビス(4
−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−
ビス(3−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
2−(3−アミノフェニル)−2−(4−アミノフェニ
ル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス〔4−(4
−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2−ビ
ス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕ヘキサフ
ルオロプロパン、2,2−ビス〔4−(2−クロロ−4
−アミノフェノキシ)フェニル〕ヘキサフルオロプロパ
ン、1,1−ビス(4−アミノフェノキシ)−1−フェ
ニル−2,2,2−トリフルオロエタン、1,1−ビス
〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕−1−フェ
ニル−2,2,2−トリフルオロエタン、1,4−ビス
(3−アミノフェニル)ブタ−1−エン−3−イン、
1,3−ビス(3−アミノフェニル)ヘキサフルオロプ
ロパン、1,5−ビス(3−アミノフェニル)デカフル
オロペンタン、4,4′−ビス〔2−(4−アミノフェ
ノキシフェニル)ヘキサフルオロイソプロピル〕ジフェ
ニルエーテル。また、中間層ポリイミド樹脂に使用され
る酸二無水物としては、一般式(VII)
【0017】
【化9】
【0018】(式中、Ar1 はフェニレン、ナフタレ
ン、またはビフェニレン型の化合物を包含し、これらの
全てが未置換であってもハロゲン、ヒドロキシ、C1
10の低級アルキルもしくはC1 〜C10の低級アルコキ
シで環置換されていてもよい。)で表される。
【0019】本発明に好適な酸二無水物は下記のものが
包含され、これらは単独又は2種以上組み合わせて用い
られる。 1,2,4,5−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、
1,2,3,4,−ベンゼンテトラカルボン酸二無水
物、1,4−ビス(2,3−ジカルボキシフェノキシ)
ベンゼン二無水物、1,3−ビス(3,4−ジカルボキ
シフェノキシ)ベンゼン二無水物、1,2,4,5−ナ
フタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,5,6−
ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8
−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,
7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,6−ジ
クロロナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸
二無水物、2,7−ジクロロナフタレン−1,4,5,
8−テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−テト
ラクロロナフタレン−1,4,5,6−テトラカルボン
酸二無水物、3,3′,4,4′−ジフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物、2,2′,3,3′−ジフェニルテ
トラカルボン酸二無水物、4,4′−ビス(3,4−ジ
カルボキシフェノキシ)ジフェニル二無水物、ビス
(2,3−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、
4,4′−ビス(2,3−ジカルボキシフェノキシ)ジ
フェニルエーテル二無水物、4,4′−ビス3,4−ジ
カルボキシフェノキシ)ジフェニルエーテル二無水物、
ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルフィド二無
水物、4,4′−ビス(2,3−ジカルボキシフェノキ
シ)ジフェニルスルフィド二無水物、4,4′−ビス
(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ジフェニルスルフ
ィド二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)
スルホン二無水物、4,4′−ビス(2,3−ジカルボ
キシフェノキシ)ジフェニルスルホン二無水物、4,
4′−ビス(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ジフェ
ニルスルホン二無水物、3,3′,4,4′−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2′,3,3′
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,
3′,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物、4,4′−ビス(3,4−ジカルボキシフェノキシ
ベンゾフェノン二無水物、ビス(2,3−ジカルボキシ
フェニル)メタン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキ
シフェニル)メタン二無水物、1,1−ビス(2,3−
ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,1−ビス
(3,4−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、
1,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エタン
二無水物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニ
ル)プロパン二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカル
ボキシフェニル)プロパン二無水物、2,2−ビス〔4
−(2,3−ジカルボキシフェノキシ)フェニル〕プロ
パン二無水物、2,2−ビス〔4−(3,4−ジカルボ
キシフェノキシ)フェニル〕プロパン二無水物、4−
(2,3−ジカルボキシフェノキシ)−4′−(3,4
−ジカルボキシフェノキシ)ジフェニル−2,2−プロ
パン二無水物、2,2−ビス〔4−(3,4−ジカルボ
キシフェノキシ−3,5−ジメチル)フェニル〕プロパ
ン二無水物、2,3,4,5−チオフェンテトラカルボ
ン酸二無水物、2,3,4,5−ピロリジンテトラカル
ボン酸二無水物、2,3,5,6−ピロリジンテトラカ
ルボン酸二無水物、1,8,9,10−フェナンスレン
テトラカルボン酸二無水物、3,4,9,10−フェナ
ンスレンテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス
(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロ
パン二無水物、1,3−ビス(3,4−ジカルボキシフ
ェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物、1,1−ビ
ス(3,4−ジカルボキシフェニル)−1−フェニル−
2,2,2−トリフルオロエタン二無水物、2,2−ビ
ス〔4−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニ
ル〕ヘキサフルオロプロパン二無水物、1,1−ビス
〔4−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル〕
−1−フェニル−2,2,2−トリフルオロエタン二無
水物、4,4′−ビス〔2−(3,4−ジカルボキシフ
ェニル)ヘキサフルオロイソプロピル〕ジフェニルエー
テル二無水物。
【0020】本発明の芳香族ポリイミドに特に好適な酸
二無水物は、ピロメリット酸二無水物、オキシフタル酸
二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、
2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサ
フルオロプロパン二無水物、およびビフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物である。
【0021】本発明のフレキシブルプリント基板用ベー
ス材料に用いるポリイミドを合成するには、ジアミンと
酸二無水物を有機溶媒中、例えばN−メチルピロリド
ン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチル
アセトアミド、ジメチルスルホキシド等の溶媒中で行な
われることが好ましい。
【0022】本発明のフレキシブルプリント基板用ベー
ス材料を得るためには、ポリイミド中間層をポリイミド
ベースフィルム上に形成させた後、導体を積層し加熱加
圧する方法などを採用することができる。ポリイミドベ
ースフィルム上にポリイミド中間層を形成させる方法と
して、ポリイミド前駆体であるポリアミド酸溶液をベー
スフィルム上に塗布し加熱乾燥、後イミド化させる方法
などを用いることができる。
【0023】ポリイミド中間層前駆体ポリアミド酸をベ
ースフィルム上に塗布する場合、塗布方法には特に限定
はないが、コンマコーター、ナイフコーター、ロールコ
ーター、リバースコーター等公知の塗布装置を使用する
ことができる。加熱乾燥時の加熱温度は、イミド化反応
を完結させるため150〜400℃で行なうことが好ま
しい。この時、化学閉環剤などを添加しておけば、イミ
ド化時間を短縮することができ、作業性を向上させるこ
とができる。昇温方法は、連続式であっても段階式であ
ってもかまわない。
【0024】次に、導体を積層し加熱加圧する。加熱加
圧の方法は、プレス、ロールによる方法を使用すること
ができる。加熱温度は、ポリイミド中間層のガラス転移
温度より高く、ポリイミドベースフィルムの熱分解温度
より低いことが望ましい。昇温方法は連続式でも段階式
でもよく、圧力は100Kgf/cm2 までとすることが望ま
しい。
【0025】ポリイミドベースフィルム層の厚さは任意
に選択可能であるが、通常10〜500μmの範囲であ
り、好ましくは10〜50μmの範囲内である。ポリイ
ミド中間層の厚さも任意に選択可能であり、通常10〜
500μmの範囲であり、好ましくは10〜50μmの
範囲内である。金属箔の厚さも任意に選択可能である
が、通常10〜500μmの範囲であり、好ましくは1
0〜50μmの範囲内である。
【0026】本発明で導体層として用いられる金属箔
は、銅、アルミニウム、鉄、金、銀、ニッケル、クロ
ム、モリブデン等が挙げられる。好ましくは銅であり、
電解銅箔が価格及び接着性の点で更に好ましい。
【0027】また金属箔に直接接しているポリイミド中
間層との接着力を大きくするために、金属箔上に金属単
体やその酸化物、合金、例えば金属箔が銅箔の場合には
銅単体や酸化銅、ニッケル−銅合金、亜鉛−銅合金等の
無機物を形成させることも望ましい。また無機物以外に
も、アミノシラン、エポキシシラン、メルカプトシラン
等のカップリング剤を金属箔上に形成したり、ポリイミ
ド中間層前駆体ポリアミド酸溶液中に上記カップリング
剤を混合することにより金属箔とポリイミド中間層との
接着力を向上させることも可能である。またポリイミド
ベースフィルム層とポリイミド中間層との接着力を大き
くするために、ベースフィルム層あるいは中間層表面に
プラズマ処理を行うことも望ましい。
【0028】ポリイミドベースフィルム層あるいは中間
層に本発明の目的を損なわない範囲で、酸化防止剤、熱
安定剤、紫外線吸収剤、難燃助材、帯電防止剤、滑材お
よび着色剤等の通常の添加剤を1種以上添加することも
できる。また、他の熱可塑性樹脂(例えば、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリカーボネート、
ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエ
ーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、変性ポ
リフェニレンオキシド、ポリフェニレンスルフィド
等)、熱硬化性樹脂(例えばフェノール樹脂、エポキシ
樹脂等)又は、ガラス繊維、炭素繊維、芳香族ポリアミ
ド繊維、アルミナ繊維、チタン酸カリウム繊維などの補
強剤やシリカ、グラファイト、アルミナ、炭酸カルシウ
ム等の充填剤もその目的に応じて適当量を配合すること
も可能である。
【0029】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものでは
ない。
【0030】フレキシブルプリント基板用ベース材料と
しての各種の性能は、次に示す方法で測定した。 ピール強度:JIS C 5016の方法に準じて測定
した。 線間絶縁抵抗:JIS C 5016に準じて測定し
た。 体積抵抗率:JIS C 6481に準じて測定した。 誘電率:JIS C 6481に準じて測定した。 吸水率:JIS C 5016に準じて測定した。
【0031】実施例1 A:ポリイミドベースフィルムの作製 N,N−ジメチルホルムアミド815gにODA(4,
4′−ジアミノジフェニルエーテル)70.28gを溶
解し、ここにPMDA(ピロメリット酸二無水物)10
2.07gを添加して1時間攪拌した後、p−PDA
(パラフェニレンジアミン)約12.65gを加え、粘
度を2500poise に調整した。このポリアミド酸溶液
をキャストした後、80℃、100℃、150℃、20
0℃、250℃、300℃、350℃、400℃及び4
50℃で各5分づつ加熱し、乾燥、イミド化させた。こ
れをベースフィルムとして使用した(膜厚25μm)。 B:4−(4−シアノフェノキシ)−1,3−ジアミノ
ベンゼン(CPDA)の合成 攪拌機、還流冷却機、温度計を備えた1リットルの4つ
口フラスコに無水アセトン400mlを入れた。その後
2,4−ジニトロクロロベンゼン40.52g(0.2
mol )とp−シアノフェノール23.82g(0.2mo
l )を加えた。その後、窒素を導入しながら鉱油中の6
0%サスペンジョンとされた水素化ナトリウム8g
(0.2mol )を加え、反応混合物を還流しながら10
時間攪拌した。その後、1500mlの水に投入し沈澱物
を濾過し、濾過物を水で洗浄、乾燥後、メタノールで2
回再結晶した。収量は48.8g(収率86%)であっ
た。次に、攪拌機、温度計を備えた1リットルの4つ口
フラスコに、ジオキサン400ml、先に得られたニトロ
化合物42gを入れ、塩化第一錫・2水和物224gを
塩酸224gに溶解した液を約2時間かけて滴下した。
氷水冷しながら内温を20〜40℃にコントロールし滴
下後、25〜35℃で3時間攪拌した。その後1500
mlの水に投入し、溶液をアルカリ性にして沈澱物を濾過
し、水で洗浄、乾燥後、メタノールで2回再結晶した。
収量は25.1g(収率76%)であった。このものの
構造は、IR及びNMRスペクトルで確認した。 C:ポリイミドベースフィルム上へのポリイミド中間層
の形成 温度計、攪拌機を備え、窒素パージされた2リットルの
セパラブルフラスコに上記Bで得られたCPDA15.
22gとジメチルホルムアミド(DMF)160gを窒
素雰囲気下で加えた。次に3,3′,4,4′−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸二無水物(BTDA)21.
78gを加え5時間攪拌した。このポリアミド酸溶液を
先のベースフィルムに塗布し、80℃、100℃、15
0℃、200℃、250℃、300℃で各5分間づつ加
熱し、乾燥イミド化させた(中間層15μm)。 D:フレキシブルプリント基板用ベース材料の作製 上記Cで得られたフィルムに電解銅箔(35μm)を重
ね合わせホットプレス機で加熱加圧した。プレス条件は
300℃、50kgf/cm2 で30分である。得られたフレ
キシブルプリント基板用ベース材料の特性を表1に示
す。
【0032】実施例2 18.80gのCPDAと25.89gのオキシフタル
酸二無水物(ODPA)を用いてポリイミド中間層を構
成する以外はすべて実施例1と同条件でフレキシブルプ
リント基板用ベース材料を得た。得られたフレキシブル
プリント基板用ベース材料の性質を表1に示す。
【0033】比較例1 市販ポリイミドフィルムにエポキシ系接着剤を塗布し、
銅箔を接着させたフレキシブルプリント基板用ベース材
料を作製した。特性を表1に示す。
【0034】
【表1】
【0035】
【発明の効果】表1の結果からもわかるように、本発明
のフレキシブルプリント基板用ベース材料は、従来得ら
れなかった、耐熱性、加工性、電気特性全てにバランス
のとれたフレキシブルプリント基板を提供し、産業上の
利用性は頗る大である。

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ポリイミド樹脂からなるベースフィルム
    層と、下記一般式(I) 【化1】 (式中、Ar1 は4価の芳香族有機基、Ar2 は2価の
    芳香族有機基であり、nはポリマー濃度0.5重量%の
    ジメチルホルムアミド溶液を25℃で測定したときの固
    有粘度が0.1dl/g以上にするに充分な数である。)
    に示す繰り返し単位を有するポリイミド樹脂中間層と、
    導体層とからなるフレキシブルプリント基板用ベース材
    料。
  2. 【請求項2】 ポリイミド樹脂中間層が、下記一般式
    (II) 【化2】 に示す繰り返し単位を有する請求項1記載のベース材
    料。(式中、Ar3 は下記の群から選ばれる少なくとも
    1種の基であり、nはポリマー濃度0.5重量%のジメ
    チルホルムアミド溶液を25℃で測定したときの固有粘
    度が約0.1dl/g以上にするに充分な数である。) 【化3】
  3. 【請求項3】 ベースフィルム層が、下記一般式(III) 【化4】 に示す単位構造を有するポリイミド樹脂からなる請求項
    1又は2記載のベース材料。
  4. 【請求項4】 一般式(III)中のm/nが1〜5の値で
    ある請求項3記載のベース材料。
  5. 【請求項5】 導体層が銅箔からなる請求項1乃至4記
    載のベース材料。
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