JP3067641B2 - 誘電体膜の製造方法 - Google Patents
誘電体膜の製造方法Info
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は誘電体膜の製造方法
に関し、特に特性の異なる誘電体膜を異なる領域に形成
するための製造方法に関するものである。
に関し、特に特性の異なる誘電体膜を異なる領域に形成
するための製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】誘電体薄膜は、例えば半導体装置の容量
部の容量絶縁膜として利用されているが、データの読み
書きがランダムにできる半導体メモリ装置であるＤＲＡ
Ｍは、１つのトランジスタと１つの常誘電体膜を用いた
誘電体容量部で構成されている。この場合、常誘電体の
かわりに強誘電体を用いることで、不揮発性の機能を持
たせることもできる。またアナログ処理を行う半導体装
置には常誘電体を用いた誘電体容量部が必須である。こ
のように半導体装置において、種々の回路を構成する場
合、異なる誘電体膜で構成される容量部を選択的に形成
することが要求される。
部の容量絶縁膜として利用されているが、データの読み
書きがランダムにできる半導体メモリ装置であるＤＲＡ
Ｍは、１つのトランジスタと１つの常誘電体膜を用いた
誘電体容量部で構成されている。この場合、常誘電体の
かわりに強誘電体を用いることで、不揮発性の機能を持
たせることもできる。またアナログ処理を行う半導体装
置には常誘電体を用いた誘電体容量部が必須である。こ
のように半導体装置において、種々の回路を構成する場
合、異なる誘電体膜で構成される容量部を選択的に形成
することが要求される。
【０００３】強誘電体や常誘電体を用いた誘電体容量を
局所的にかつ選択的に形成する場合の従来技術の一例を
示す。図５は従来の製造方法を工程順に示す断面図であ
る。先ず、図５（ａ）のように、シリコン基板５１のシ
リコン酸化膜５２上に導電膜を形成し、これを選択的に
パターニングして異なる特性の容量部を形成する箇所に
それぞれ下部電極５３Ａ，５３Ｂを形成する。そして、
その上にスパッタリング法やＣＶＤ法により第１の誘電
体膜５４を全面に形成する。その後、一方の容量部にの
み上部電極５５を選択的に形成する。そして、この上部
電極５５をマスクにして前記第１の誘電体膜５４を選択
エッチングすることで、図５（ｂ）のように、第１の誘
電体膜５４を容量絶縁膜とする第１の容量部が形成され
る。
局所的にかつ選択的に形成する場合の従来技術の一例を
示す。図５は従来の製造方法を工程順に示す断面図であ
る。先ず、図５（ａ）のように、シリコン基板５１のシ
リコン酸化膜５２上に導電膜を形成し、これを選択的に
パターニングして異なる特性の容量部を形成する箇所に
それぞれ下部電極５３Ａ，５３Ｂを形成する。そして、
その上にスパッタリング法やＣＶＤ法により第１の誘電
体膜５４を全面に形成する。その後、一方の容量部にの
み上部電極５５を選択的に形成する。そして、この上部
電極５５をマスクにして前記第１の誘電体膜５４を選択
エッチングすることで、図５（ｂ）のように、第１の誘
電体膜５４を容量絶縁膜とする第１の容量部が形成され
る。
【０００４】次いで、図５（ｃ）のように、全面に第２
の誘電体膜５６を形成する。そして、他方の容量部にお
ける前記第２の誘電体膜５６の上に上部電極５７を形成
する。そして、この上部電極５７をマスクとして第２の
誘電体膜５６を選択エッチングすることで、図５（ｄ）
のように、第２の誘電体膜５６を容量絶縁膜とする第２
の容量部が形成される。したがって、第１の誘電体膜５
４と第２の誘電体膜５６を異なる特性の誘電体膜で形成
すれば、形成される各容量部はその特性が相違されたも
のとなる。例えば、第１及び第２の誘電体膜を、常誘電
体膜と強誘電体膜とすれば、前記したようなメモリ素子
として或いはアナログ素子としての容量部を有する半導
体装置の製造が可能となる。
の誘電体膜５６を形成する。そして、他方の容量部にお
ける前記第２の誘電体膜５６の上に上部電極５７を形成
する。そして、この上部電極５７をマスクとして第２の
誘電体膜５６を選択エッチングすることで、図５（ｄ）
のように、第２の誘電体膜５６を容量絶縁膜とする第２
の容量部が形成される。したがって、第１の誘電体膜５
４と第２の誘電体膜５６を異なる特性の誘電体膜で形成
すれば、形成される各容量部はその特性が相違されたも
のとなる。例えば、第１及び第２の誘電体膜を、常誘電
体膜と強誘電体膜とすれば、前記したようなメモリ素子
として或いはアナログ素子としての容量部を有する半導
体装置の製造が可能となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
技術の技術では、異なる特性の誘電体膜をそれぞれ個別
に形成しているため、次のような問題が生じている。第
１の問題点は、複数種類の容量を形成するには工程数が
容量形成の工程数分増加し、製造に時間がかかることで
ある。第２の問題点は、第１の特性の誘電体膜を形成し
た後、第２以降の特性の誘電体膜を形成する際には、既
に形成されている容量による段差が存在し、段差に敏感
な膜形成法、例えばゾル−ゲル法等が使用できず、成膜
方法が制限されることである。第３の問題点は、先に形
成した誘電体膜が、次に形成する誘電体膜の形成時の処
理により特性に影響を受け、形成した時に比べ特性が変
化することである。例えば第１の誘電体膜の形成温度が
４００℃で第２の誘電体膜の形成温度が６００℃程度で
ある場合、第２の誘電体膜の形成中に第１の誘電体膜は
成膜時より高い温度の熱処理を受けていることになり、
構造変化や構成元素の膜外への拡散等により、特性が変
化してしまう。
技術の技術では、異なる特性の誘電体膜をそれぞれ個別
に形成しているため、次のような問題が生じている。第
１の問題点は、複数種類の容量を形成するには工程数が
容量形成の工程数分増加し、製造に時間がかかることで
ある。第２の問題点は、第１の特性の誘電体膜を形成し
た後、第２以降の特性の誘電体膜を形成する際には、既
に形成されている容量による段差が存在し、段差に敏感
な膜形成法、例えばゾル−ゲル法等が使用できず、成膜
方法が制限されることである。第３の問題点は、先に形
成した誘電体膜が、次に形成する誘電体膜の形成時の処
理により特性に影響を受け、形成した時に比べ特性が変
化することである。例えば第１の誘電体膜の形成温度が
４００℃で第２の誘電体膜の形成温度が６００℃程度で
ある場合、第２の誘電体膜の形成中に第１の誘電体膜は
成膜時より高い温度の熱処理を受けていることになり、
構造変化や構成元素の膜外への拡散等により、特性が変
化してしまう。
【０００６】本発明の目的は、特性の異なる誘電体膜
を、少ない工程でしかもその特性を変化させることなく
容易にかつ選択的に形成することを可能にした製造方法
を提供することにある。
を、少ない工程でしかもその特性を変化させることなく
容易にかつ選択的に形成することを可能にした製造方法
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の製造方法は、基
板上に一の特性の誘電体膜を形成する工程と、形成され
た前記誘電体膜を選択的に熱処理して他の特性に変質さ
せる工程を含んでいる。具体的には、誘電体膜を構成す
る粒径を大きくする工程を含んでいる。この場合、選択
的な熱処理を行う方法として、誘電体膜に局所的にレー
ザを照射して加熱する方法が採用できる。また、本発明
の製造方法は、基板上に異なる種類の導体膜をそれぞれ
選択的に形成する工程と、これら導体膜を覆うように一
の特性の誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜に対
して熱処理を行い前記異なる種類の各導体膜上の誘電体
膜の特性を相違させる工程とを含んでいる。この場合、
一の導体膜は異なる種類の導体膜を積層した構造であ
り、他の導体膜は単層構造としてもよい。また、誘電体
膜に対する熱処理は、誘電体膜を形成する際の熱処理で
あってもよい。さらに、本発明の製造方法は、基板上に
一の特性の誘電体膜を形成する工程と、形成された誘電
体膜上の異なる領域にそれぞれ異なる種類の導体膜を形
成する工程と、熱処理して前記異なる導体膜の直下の前
記誘電体膜の特性を相違させる工程とを含んでいる。
板上に一の特性の誘電体膜を形成する工程と、形成され
た前記誘電体膜を選択的に熱処理して他の特性に変質さ
せる工程を含んでいる。具体的には、誘電体膜を構成す
る粒径を大きくする工程を含んでいる。この場合、選択
的な熱処理を行う方法として、誘電体膜に局所的にレー
ザを照射して加熱する方法が採用できる。また、本発明
の製造方法は、基板上に異なる種類の導体膜をそれぞれ
選択的に形成する工程と、これら導体膜を覆うように一
の特性の誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜に対
して熱処理を行い前記異なる種類の各導体膜上の誘電体
膜の特性を相違させる工程とを含んでいる。この場合、
一の導体膜は異なる種類の導体膜を積層した構造であ
り、他の導体膜は単層構造としてもよい。また、誘電体
膜に対する熱処理は、誘電体膜を形成する際の熱処理で
あってもよい。さらに、本発明の製造方法は、基板上に
一の特性の誘電体膜を形成する工程と、形成された誘電
体膜上の異なる領域にそれぞれ異なる種類の導体膜を形
成する工程と、熱処理して前記異なる導体膜の直下の前
記誘電体膜の特性を相違させる工程とを含んでいる。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１は本発明の第１の実施形態を
工程順に示す断面図である。先ず、図１（ａ）のよう
に、シリコン基板１１上に形成したシリコン酸化膜１２
上に白金を成膜し、これを選択的にエッチングして各容
量部にそれぞれ下部電極１３Ａ，１３Ｂを形成する。次
いで、図１（ｂ）のように、全面に強誘電体であるＰＺ
Ｔ１４をゾル−ゲル法でスピンコートして６５０℃で焼
成し形成する。その後、図１（ｃ）のように、一方の下
部電極上のＰＺＴに対してレーザによる熱処理を行うこ
とにより、この領域１５の粒径を大きくでき、この領域
のＰＺＴ１４の特性をレーザの熱処理を行わない領域の
特性と相違させる。その後、図１（ｄ）のように、熱処
理を行った領域１５と行わない領域１６の上にそれぞれ
白金を選択形成して上部電極１７を形成する。これによ
り、各容量部では、容量絶縁膜の特性が異なり、それぞ
れ異なる特性を持つ容量部として形成される。
工程順に示す断面図である。先ず、図１（ａ）のよう
に、シリコン基板１１上に形成したシリコン酸化膜１２
上に白金を成膜し、これを選択的にエッチングして各容
量部にそれぞれ下部電極１３Ａ，１３Ｂを形成する。次
いで、図１（ｂ）のように、全面に強誘電体であるＰＺ
Ｔ１４をゾル−ゲル法でスピンコートして６５０℃で焼
成し形成する。その後、図１（ｃ）のように、一方の下
部電極上のＰＺＴに対してレーザによる熱処理を行うこ
とにより、この領域１５の粒径を大きくでき、この領域
のＰＺＴ１４の特性をレーザの熱処理を行わない領域の
特性と相違させる。その後、図１（ｄ）のように、熱処
理を行った領域１５と行わない領域１６の上にそれぞれ
白金を選択形成して上部電極１７を形成する。これによ
り、各容量部では、容量絶縁膜の特性が異なり、それぞ
れ異なる特性を持つ容量部として形成される。
【０００９】図２に本発明の第２の実施形態を工程順に
示す断面図である。先ず、図２（ａ）のように、シリコ
ン基板２１上のシリコン酸化膜２２上に白金を成膜し、
これを選択的にエッチングして下部電極２３を形成す
る。次いで、図２（ｂ）のように、これと異なる他の領
域にはＩｒ／ＩｒＯ2 の積層膜をスパッタ成膜し、かつ
前記白金の下部電極２３とは異なる領域を残すようにパ
ターニングして下部電極２４を形成する。しかる上で、
図２（ｃ）のように、全面に強誘電体であるＰＺＴ２５
をゾル−ゲル法でスピンコートし６５０℃で焼成する。
これにより、前記ＰＺＴ２５は、白金下部電極２３上に
おいてのみ誘電特性を持つＰＺＴ２６として形成され
る。これに対し、Ｉｒ／ＩｒＯ2 下部電極２４上ではこ
れと異なる特性のＰＺＴ２７となる。その後、図２
（ｄ）のように、白金下部電極２３上とＩｒ／ＩｒＯ2
下部電極２４の上にそれぞれ白金を選択形成して上部電
極２８を形成する。これにより、各容量部では、容量絶
縁膜の特性が異なり、それぞれ異なる特性を持つ容量部
として形成される。
示す断面図である。先ず、図２（ａ）のように、シリコ
ン基板２１上のシリコン酸化膜２２上に白金を成膜し、
これを選択的にエッチングして下部電極２３を形成す
る。次いで、図２（ｂ）のように、これと異なる他の領
域にはＩｒ／ＩｒＯ2 の積層膜をスパッタ成膜し、かつ
前記白金の下部電極２３とは異なる領域を残すようにパ
ターニングして下部電極２４を形成する。しかる上で、
図２（ｃ）のように、全面に強誘電体であるＰＺＴ２５
をゾル−ゲル法でスピンコートし６５０℃で焼成する。
これにより、前記ＰＺＴ２５は、白金下部電極２３上に
おいてのみ誘電特性を持つＰＺＴ２６として形成され
る。これに対し、Ｉｒ／ＩｒＯ2 下部電極２４上ではこ
れと異なる特性のＰＺＴ２７となる。その後、図２
（ｄ）のように、白金下部電極２３上とＩｒ／ＩｒＯ2
下部電極２４の上にそれぞれ白金を選択形成して上部電
極２８を形成する。これにより、各容量部では、容量絶
縁膜の特性が異なり、それぞれ異なる特性を持つ容量部
として形成される。
【００１０】なお、Ｉｒ／ＩｒＯ2 のかわりに多結晶シ
リコンを用いることで、同様に領域２６と領域２７で異
なる特性を得られ、さらにＰＺＴの形成中に多結晶シリ
コンの一部が酸化され、シリコン酸化膜ができ、ＰＺＴ
とシリコン酸化膜の積層構造になることで多結晶シリコ
ン上の誘電体を極端に小さくできる。
リコンを用いることで、同様に領域２６と領域２７で異
なる特性を得られ、さらにＰＺＴの形成中に多結晶シリ
コンの一部が酸化され、シリコン酸化膜ができ、ＰＺＴ
とシリコン酸化膜の積層構造になることで多結晶シリコ
ン上の誘電体を極端に小さくできる。
【００１１】図３は本発明の第３の実施形態を工程順に
示す断面図である。先ず、図３（ａ）のように、シリコ
ン基板３１のシリコン酸化膜３２上にチタンをスパッタ
リングした後、フォトリソグラフィ技術を用いてパター
ニングしチタン電極３３を形成する。その後、全面に白
金３４を形成し、これをパターニングすることで、図３
（ｂ）のように、チタン３３と白金３４の積層構造の下
部電極３５Ａと、白金のみの下部電極３５Ｂが形成され
る。次いで、図３（ｂ）のように、全面にＰＺＴ３６を
ゾルーゲル法によりスピンコートし、かつ焼成する。こ
れにより、チタン３３と白金３４の積層構造の下部電極
３５Ａ上の領域３７と、白金３４の下部電極３５Ｂ上の
領域３８で異なる特性を持つ強誘電体膜が形成される。
その後、図３（ｄ）のように、チタンと白金の積層構造
の下部電極３５Ａ上と白金のみの下部電極３５Ｂの上に
それぞれ白金を選択形成して上部電極３９を形成する。
これにより、各容量部では、容量絶縁膜の特性が異な
り、それぞれ異なる特性を持つ容量部として形成され
る。
示す断面図である。先ず、図３（ａ）のように、シリコ
ン基板３１のシリコン酸化膜３２上にチタンをスパッタ
リングした後、フォトリソグラフィ技術を用いてパター
ニングしチタン電極３３を形成する。その後、全面に白
金３４を形成し、これをパターニングすることで、図３
（ｂ）のように、チタン３３と白金３４の積層構造の下
部電極３５Ａと、白金のみの下部電極３５Ｂが形成され
る。次いで、図３（ｂ）のように、全面にＰＺＴ３６を
ゾルーゲル法によりスピンコートし、かつ焼成する。こ
れにより、チタン３３と白金３４の積層構造の下部電極
３５Ａ上の領域３７と、白金３４の下部電極３５Ｂ上の
領域３８で異なる特性を持つ強誘電体膜が形成される。
その後、図３（ｄ）のように、チタンと白金の積層構造
の下部電極３５Ａ上と白金のみの下部電極３５Ｂの上に
それぞれ白金を選択形成して上部電極３９を形成する。
これにより、各容量部では、容量絶縁膜の特性が異な
り、それぞれ異なる特性を持つ容量部として形成され
る。
【００１２】なお、この実施形態では、ＰＺＴ１５のか
わりにＰｂＴｉＯ3 とＰＺＴの積層構造の誘電体を形成
しても、同様に領域３７と領域３８で異なる特性を持つ
強誘電体を形成でき、どちらの領域も誘電率を小さくす
ることができる。
わりにＰｂＴｉＯ3 とＰＺＴの積層構造の誘電体を形成
しても、同様に領域３７と領域３８で異なる特性を持つ
強誘電体を形成でき、どちらの領域も誘電率を小さくす
ることができる。
【００１３】図４は本発明の第４の実施形態を工程順に
示す断面図である。先ず、図４（ａ）のように、シリコ
ン基板４１のシリコン酸化膜４２上に白金４３を全面に
スパッタリングで形成した後、その上にＰＺＴ４４をス
パッタリング法で形成する。次いで、図４（ｂ）のよう
に、この上に白金をスパッタリング法とフォトリソグラ
フィ技術で選択形成して白金上部電極４５を形成し、ま
た他の領域には金をスパッタリング法とフォトリソグラ
フィ技術で選択形成して金上部電極４６を形成する。こ
れら上部電極を形成することにより、その際における熱
処理により、図４（ｃ）のように、白金上部電極４５の
直下の領域４７と、金上部電極４６の直下の領域とで前
記ＰＺＴ４４の特性が相違され、それぞれ異なる強誘電
体特性を持つ容量部が形成される。
示す断面図である。先ず、図４（ａ）のように、シリコ
ン基板４１のシリコン酸化膜４２上に白金４３を全面に
スパッタリングで形成した後、その上にＰＺＴ４４をス
パッタリング法で形成する。次いで、図４（ｂ）のよう
に、この上に白金をスパッタリング法とフォトリソグラ
フィ技術で選択形成して白金上部電極４５を形成し、ま
た他の領域には金をスパッタリング法とフォトリソグラ
フィ技術で選択形成して金上部電極４６を形成する。こ
れら上部電極を形成することにより、その際における熱
処理により、図４（ｃ）のように、白金上部電極４５の
直下の領域４７と、金上部電極４６の直下の領域とで前
記ＰＺＴ４４の特性が相違され、それぞれ異なる強誘電
体特性を持つ容量部が形成される。
【００１４】なお、前記した各実施形態では、本発明を
半導体基板上の誘電体容量を形成する例として示してい
るが、特に第１の実施形態の製造方法では、単に異なる
特性の誘電体膜を選択的に形成するような場合に適用で
きることは言うまでもない。
半導体基板上の誘電体容量を形成する例として示してい
るが、特に第１の実施形態の製造方法では、単に異なる
特性の誘電体膜を選択的に形成するような場合に適用で
きることは言うまでもない。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、一の特性
の誘電体膜に対して選択的に熱処理し、あるいは異なる
種類の導体膜上に誘電体膜を形成して熱処理し、さらに
は誘電体膜上に異なる種類の導体膜を形成して熱処理す
ることで、例えば誘電体膜を構成する粒径を大きくする
等のように、それぞれにおける誘電体膜を変質させ、そ
の特性を選択的に相違させることができるので、一の誘
電体膜を形成するだけで異なる特性の誘電体膜を得るこ
とができる。これにより、製造工程を簡略化することが
できるとともに、誘電体膜をゾル−ゲル法等の容易な方
法で形成することが可能となり、しかも誘電体膜におけ
る熱履歴を解消して特性の安定した誘電体膜をそれぞれ
任意の領域に局所的に製造することが可能となる。
の誘電体膜に対して選択的に熱処理し、あるいは異なる
種類の導体膜上に誘電体膜を形成して熱処理し、さらに
は誘電体膜上に異なる種類の導体膜を形成して熱処理す
ることで、例えば誘電体膜を構成する粒径を大きくする
等のように、それぞれにおける誘電体膜を変質させ、そ
の特性を選択的に相違させることができるので、一の誘
電体膜を形成するだけで異なる特性の誘電体膜を得るこ
とができる。これにより、製造工程を簡略化することが
できるとともに、誘電体膜をゾル−ゲル法等の容易な方
法で形成することが可能となり、しかも誘電体膜におけ
る熱履歴を解消して特性の安定した誘電体膜をそれぞれ
任意の領域に局所的に製造することが可能となる。
【図１】本発明の第１の実施形態を製造工程順に示す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態を製造工程順に示す断
面図である。
面図である。
【図３】本発明の第３の実施形態を製造工程順に示す断
面図である。
面図である。
【図４】本発明の第４の実施形態を製造工程順に示す断
面図である。
面図である。
【図５】従来の製造方法の一例を製造工程順に示す断面
図である。
図である。
１１ シリコン基板 １２ シリコン酸化膜 １３Ａ，１３Ｂ 下部電極 １４ ＰＺＴ １５，１６ 領域 １７ 上部電極 ２１ シリコン基板 ２２ シリコン酸化膜 ２３ 白金下部電極 ２４ Ｉｒ／ＩｒＯ2 下部電極 ２５ ＰＺＴ ２６，２７ 領域 ２８ 上部電極 ３１ シリコン基板 ３２ シリコン酸化膜 ３３ チタン ３４ 白金 ３５Ａ，３５Ｂ 下部電極 ３６ ＰＺＴ ３７，３８ 領域 ３９ 上部電極 ４１ シリコン基板 ４２ シリコン酸化膜 ４３ 白金 ４４ ＰＺＴ ４５ 白金上部電極 ４６ 金上部電極 ４７，４８ 領域
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/8247 27/108 29/788 29/792 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 27/04 H01L 21/268 H01L 21/316 H01L 21/822 H01L 21/8242 H01L 21/8247 H01L 27/108 H01L 29/788 H01L 29/792
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上に誘電体膜を形成する工程と、形
成された前記誘電体膜を選択的に熱処理して当該誘電体
膜を構成する粒径を大きくする工程を含むことを特徴と
する誘電体膜の製造方法。 - 【請求項２】 前記選択的な熱処理を行う方法として、
前記誘電体膜に局所的にレーザを照射して加熱する請求
項１に記載の誘電体膜の製造方法。 - 【請求項３】 基板上に異なる種類の導体膜をそれぞれ
選択的に形成する工程と、これら導体膜を覆うように一
の特性の誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜に対
して熱処理を行い前記異なる種類の各導体膜上の誘電体
膜の特性を相違させる工程とを含むことを特徴とする誘
電体膜の製造方法。 - 【請求項４】 前記一の導体膜は異なる種類の導体膜を
積層した構造であり、他の導体膜は単層構造である請求
項３に記載の誘電体膜の製造方法。 - 【請求項５】 前記誘電体膜に対する熱処理は、誘電体
膜を形成する際の熱処理である請求項３又は４に記載の
誘電体膜の製造方法。 - 【請求項６】 基板上に一の特性の誘電体膜を形成する
工程と、形成された誘電体膜上の異なる領域にそれぞれ
異なる種類の導体膜を形成する工程と、熱処理して前記
異なる導体膜の直下の前記誘電体膜の特性を相違させる
工程とを含むことを特徴とする誘電体膜の製造方法。
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