JP3065217B2 - フォトレジストパターンの形成方法 - Google Patents
フォトレジストパターンの形成方法Info
- Publication number
- JP3065217B2 JP3065217B2 JP6290150A JP29015094A JP3065217B2 JP 3065217 B2 JP3065217 B2 JP 3065217B2 JP 6290150 A JP6290150 A JP 6290150A JP 29015094 A JP29015094 A JP 29015094A JP 3065217 B2 JP3065217 B2 JP 3065217B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reflectance
- line width
- thickness
- exposure
- photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の製造工程
においてフォトレジストパターンを形成する方法に関
し、特にフォトレジスト露光におけるフォトレジスト面
の反射率の違いを考慮して露光時間を設定することによ
り、パターン間の線幅（臨界寸法）の均一化（uniformi
ty）を図ったフォトレジストパターンの形成方法に関す
るものである。
においてフォトレジストパターンを形成する方法に関
し、特にフォトレジスト露光におけるフォトレジスト面
の反射率の違いを考慮して露光時間を設定することによ
り、パターン間の線幅（臨界寸法）の均一化（uniformi
ty）を図ったフォトレジストパターンの形成方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のフォトレジストパターン形成のた
めの露光時間設定技術は、ロット単位（１ロットは、通
常ウェハ２４枚または４８枚からなる）の臨界寸法であ
る微細線幅を形成する際、１枚の試験ウェハを用いて図
１に示されているような露光限界曲線を作成し、この露
光限界曲線に基づいて露光時間を求め、全体のウェハの
露光をこの露光時間で行う方法である。
めの露光時間設定技術は、ロット単位（１ロットは、通
常ウェハ２４枚または４８枚からなる）の臨界寸法であ
る微細線幅を形成する際、１枚の試験ウェハを用いて図
１に示されているような露光限界曲線を作成し、この露
光限界曲線に基づいて露光時間を求め、全体のウェハの
露光をこの露光時間で行う方法である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】したがって、ロット間
またはウェハ間において、塗布された膜の厚みの差や基
板の反射条件の違いによってパターンが不均一に形成さ
れて、出来上がりの線幅が不均一になるといった問題点
が生じていた。
またはウェハ間において、塗布された膜の厚みの差や基
板の反射条件の違いによってパターンが不均一に形成さ
れて、出来上がりの線幅が不均一になるといった問題点
が生じていた。
【０００４】
【発明の目的】上記のような従来の技術の問題点を解決
するためになされた本発明は、微細パターンの形成時に
おいて、ウェハ間またはロット間の微細線幅の差を減少
させて均一性を向上させるために、反射率を考慮してフ
ォトレジストの露光時間を設定するフォトレジストパタ
ーン形成方法を提供することを目的とする。
するためになされた本発明は、微細パターンの形成時に
おいて、ウェハ間またはロット間の微細線幅の差を減少
させて均一性を向上させるために、反射率を考慮してフ
ォトレジストの露光時間を設定するフォトレジストパタ
ーン形成方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、多数のウェハを１単位としてフォトリソ
グラフィ工程を進める場合のフォトレジストパターンの
形成方法において、フォトレジスト面の反射率の違いに
応じて露光時間を異ならせてパターンを形成することを
特徴とする。さらに具体的に述べると、フォトレジスト
の或る厚さのところの第一の反射率を測定するとともに
第一の反射率の露光限界曲線を求め、次いで別の厚さの
ところの第二の反射率を測定するとともに第二の反射率
の露光限界曲線を求め、さらにそれら第一および第二の
露光限界曲線に関して所望のフォトレジストパターンの
線幅の範囲を定め、その定められた線幅の範囲内の所望
の線幅について前記第一および第二の反射率における第
一および第二の露光時間を求め、新たにフォトリソグラ
フィ工程を進めようとする所望の線幅のところのフォト
レジスト面の反射率に対して、前記第一の反射率に対す
る第一の露光時間および前記第二の反射率に対する第二
の露光時間の関係に基づいて新たな露光時間を定めて行
うことを特徴とする方法である。
成するために、多数のウェハを１単位としてフォトリソ
グラフィ工程を進める場合のフォトレジストパターンの
形成方法において、フォトレジスト面の反射率の違いに
応じて露光時間を異ならせてパターンを形成することを
特徴とする。さらに具体的に述べると、フォトレジスト
の或る厚さのところの第一の反射率を測定するとともに
第一の反射率の露光限界曲線を求め、次いで別の厚さの
ところの第二の反射率を測定するとともに第二の反射率
の露光限界曲線を求め、さらにそれら第一および第二の
露光限界曲線に関して所望のフォトレジストパターンの
線幅の範囲を定め、その定められた線幅の範囲内の所望
の線幅について前記第一および第二の反射率における第
一および第二の露光時間を求め、新たにフォトリソグラ
フィ工程を進めようとする所望の線幅のところのフォト
レジスト面の反射率に対して、前記第一の反射率に対す
る第一の露光時間および前記第二の反射率に対する第二
の露光時間の関係に基づいて新たな露光時間を定めて行
うことを特徴とする方法である。
【０００６】
【実施例】以下、図面を参照して本発明を詳述する。
【０００７】本発明は、図２に示されるように、フォト
レジストの厚さに対する線幅変化曲線（Ｎ）が反射率変
化曲線（Ｍ）と比例する原理を利用して、反射率をロッ
トまたはウェハ単位にあらかじめ測定しておいて、それ
により計算された露光時間で露光させる技術であって、
フォトレジスト面の反射率はフォトレジストの厚さの変
化、基板の反射条件の変化、およびその他全ての変動情
報を含んでいるため、これを基準とする線幅設定は、正
確な結果を導き出すことができるのである。
レジストの厚さに対する線幅変化曲線（Ｎ）が反射率変
化曲線（Ｍ）と比例する原理を利用して、反射率をロッ
トまたはウェハ単位にあらかじめ測定しておいて、それ
により計算された露光時間で露光させる技術であって、
フォトレジスト面の反射率はフォトレジストの厚さの変
化、基板の反射条件の変化、およびその他全ての変動情
報を含んでいるため、これを基準とする線幅設定は、正
確な結果を導き出すことができるのである。
【０００８】反射率に対する露光時間の関係の設定方法
は次のとおりである。
は次のとおりである。
【０００９】まず、図３（Ａ）に示すように、反射率が
最も小さいところｂにおけるフォトレジストの厚さを基
準厚さＴとし、参考とする別のところｃのフォトレジス
トの厚さを、フォトレジスト厚さ対反射率の測定曲線の
半周期内で工程余裕度△Ｔを含んだ厚さ調整限界より大
きいＴ’とする。この場合、上記基準厚さＴは、反射率
が最も小さいところにおける厚さに限らず、図３（Ｂ）
に示すように、反射率が最も大きいところｂにおける厚
さを基準として定めることを妨げない。
最も小さいところｂにおけるフォトレジストの厚さを基
準厚さＴとし、参考とする別のところｃのフォトレジス
トの厚さを、フォトレジスト厚さ対反射率の測定曲線の
半周期内で工程余裕度△Ｔを含んだ厚さ調整限界より大
きいＴ’とする。この場合、上記基準厚さＴは、反射率
が最も小さいところにおける厚さに限らず、図３（Ｂ）
に示すように、反射率が最も大きいところｂにおける厚
さを基準として定めることを妨げない。
【００１０】次に、図４に示すように、上記厚さがそれ
ぞれにＴ、Ｔ’である二つの膜の反射率α、βを測定し
て、それぞれに対する露光限界曲線を作成する。例え
ば、所望の線幅Ｂを形成するための露光時間は、反射率
がαである場合にはＸ、反射率がβである場合にはＹと
なる。上記図面においてＵＣＬは最大調整限界を、ＬＣ
Ｌは最小調整限界をそれぞれ示す。
ぞれにＴ、Ｔ’である二つの膜の反射率α、βを測定し
て、それぞれに対する露光限界曲線を作成する。例え
ば、所望の線幅Ｂを形成するための露光時間は、反射率
がαである場合にはＸ、反射率がβである場合にはＹと
なる。上記図面においてＵＣＬは最大調整限界を、ＬＣ
Ｌは最小調整限界をそれぞれ示す。
【００１１】かりに、従来の方法と同様に、厚さＴ、反
射率αにおいて目標とする微細線幅を合わせるための露
光時間がＸミリ秒であるとき、反射率が変わってγとな
れば、同じＸミリ秒の間露光すると、微細線幅は点Ａで
表す線幅になって、上記露光限界曲線上から上側調整限
界範囲ＵＣＬを外れることになる。したがって、この場
合、本発明において提案する方法を適用して、露光時間
をＺミリ秒に変えなければ、目標とする線幅Ｂを得るこ
とができない。反射率γの変化は、フォトレジストの厚
さが変化するため、またはフォトレジストの厚さが一定
であっても基板の反射条件が変わりうるため、両者とも
フォトレジストが変わるのと同じような変化形態を示
す。
射率αにおいて目標とする微細線幅を合わせるための露
光時間がＸミリ秒であるとき、反射率が変わってγとな
れば、同じＸミリ秒の間露光すると、微細線幅は点Ａで
表す線幅になって、上記露光限界曲線上から上側調整限
界範囲ＵＣＬを外れることになる。したがって、この場
合、本発明において提案する方法を適用して、露光時間
をＺミリ秒に変えなければ、目標とする線幅Ｂを得るこ
とができない。反射率γの変化は、フォトレジストの厚
さが変化するため、またはフォトレジストの厚さが一定
であっても基板の反射条件が変わりうるため、両者とも
フォトレジストが変わるのと同じような変化形態を示
す。
【００１２】反射率γに対する適正な露光時間Ｚは、微
細線幅が反射率と比例関係にあるため、図４に示された
露光限界曲線上でＸとＹの間に設定される。変化した反
射率γと上記基準反射率αとの差（γ−α）と、上記比
較露光時間Ｙと基準露光時間Ｘとの差Ｙ−Ｘを乗じた値
を、上記比較反射率βと基準反射率αとの差（β−α）
で割った値に基準露光時間Ｘを加えた時間を新たな露光
時間Ｚとする。この関係式を数１に示す。
細線幅が反射率と比例関係にあるため、図４に示された
露光限界曲線上でＸとＹの間に設定される。変化した反
射率γと上記基準反射率αとの差（γ−α）と、上記比
較露光時間Ｙと基準露光時間Ｘとの差Ｙ−Ｘを乗じた値
を、上記比較反射率βと基準反射率αとの差（β−α）
で割った値に基準露光時間Ｘを加えた時間を新たな露光
時間Ｚとする。この関係式を数１に示す。
【００１３】
【数１】 Ｚ＝Ｘ＋（γ−α）×（Ｙ−Ｘ）／（β−α） ロット単位ごとに工程を進めて、最初の１枚を用いて測
定して、反射率γに対して全体のウェハについての新た
な露光時間Ｚを求め、その時間Ｚだけ露光させる。この
場合、ロット間の微細線幅のばらつきはほとんどなくな
り、それぞれのロットごとに条件を設定する必要がなく
なる。結局、微細線幅測定周期を減少させながらも均一
な微細パターンを調整することを可能にする。このと
き、反射率をステッパ装置の整列（アラインメント）待
機時に測定すれば、所用時間が余分にかかることはな
く、線幅測定時に主として利用される装置である走査型
電子顕微鏡のところでのボトルネック現象を減少させる
ことができる。
定して、反射率γに対して全体のウェハについての新た
な露光時間Ｚを求め、その時間Ｚだけ露光させる。この
場合、ロット間の微細線幅のばらつきはほとんどなくな
り、それぞれのロットごとに条件を設定する必要がなく
なる。結局、微細線幅測定周期を減少させながらも均一
な微細パターンを調整することを可能にする。このと
き、反射率をステッパ装置の整列（アラインメント）待
機時に測定すれば、所用時間が余分にかかることはな
く、線幅測定時に主として利用される装置である走査型
電子顕微鏡のところでのボトルネック現象を減少させる
ことができる。
【００１４】反射率が最小値のところを基準とした場合
（図３（Ａ）参照）には、測定した反射率γは、αより
小さいことはなく、曲線上のγ1，γ2，γ3のうちのい
ずれかの点に位置する。位置する点が異なっていても、
厚さＴ’の設定が基準になって、ｂ点ｃ点間の傾き、即
ち反射率変化量に対する露光時間変化量（Ｙ−Ｘ）／
（β−α）が単位になり、測定した反射率の変化
（γ1，γ2，γ3−α）を乗じて修正しているため、そ
の位置の違いは問題とはならない。
（図３（Ａ）参照）には、測定した反射率γは、αより
小さいことはなく、曲線上のγ1，γ2，γ3のうちのい
ずれかの点に位置する。位置する点が異なっていても、
厚さＴ’の設定が基準になって、ｂ点ｃ点間の傾き、即
ち反射率変化量に対する露光時間変化量（Ｙ−Ｘ）／
（β−α）が単位になり、測定した反射率の変化
（γ1，γ2，γ3−α）を乗じて修正しているため、そ
の位置の違いは問題とはならない。
【００１５】Ｙは、ａの左側またはｄの右側のＴ’につ
いて求めたものであっても、反射率βから見ればａとｄ
の内側にあるＴ’についてのＹと同じ値が存在するた
め、上記の関係式は、曲線上の全ポイントに対して計算
できてしまう。しかし、それでは比例区間での計算近似
が当てはまらなくなるので、最初のＴ’の設定が重要で
ある。実際の作業範囲は、斜線で示す部分であるから、
Ｔ＋△ＴやＴ−△Ｔに近いほど正確である。そして、こ
の設定は、ａの左側やｄの右側へ越えるようになると、
近似計算用の傾きに誤りが生じてくる。
いて求めたものであっても、反射率βから見ればａとｄ
の内側にあるＴ’についてのＹと同じ値が存在するた
め、上記の関係式は、曲線上の全ポイントに対して計算
できてしまう。しかし、それでは比例区間での計算近似
が当てはまらなくなるので、最初のＴ’の設定が重要で
ある。実際の作業範囲は、斜線で示す部分であるから、
Ｔ＋△ＴやＴ−△Ｔに近いほど正確である。そして、こ
の設定は、ａの左側やｄの右側へ越えるようになると、
近似計算用の傾きに誤りが生じてくる。
【００１６】より具体的に例を示すと、厚さＴの場合に
α＝３０％、Ｘ＝２００ミリ秒、厚さＴ’の場合にβ＝
５０％、Ｙ＝３００msecが求められると、反射率１％の
増分に対する露光時間の増分は、（３００−２００）／
（５０−３０）＝５ミリ秒である。ここで、測定した反
射率が３７％であったならば、新たな厚さにコーティン
グされた条件下での所要露光時間Ｚは、Ｘ＝２００ミリ
秒に（γ−α＝３７−３０＝７％）×５ミリ秒＝３５ミ
リ秒を加えた２３５ミリ秒になる。
α＝３０％、Ｘ＝２００ミリ秒、厚さＴ’の場合にβ＝
５０％、Ｙ＝３００msecが求められると、反射率１％の
増分に対する露光時間の増分は、（３００−２００）／
（５０−３０）＝５ミリ秒である。ここで、測定した反
射率が３７％であったならば、新たな厚さにコーティン
グされた条件下での所要露光時間Ｚは、Ｘ＝２００ミリ
秒に（γ−α＝３７−３０＝７％）×５ミリ秒＝３５ミ
リ秒を加えた２３５ミリ秒になる。
【００１７】ここでは、全部ＣＤバー（微細線幅の標本
平均）を基準とした結果である。したがって、反射率が
増加すると、図２に示すように線幅も大きくなることが
予想されるので、それにも拘わらず従前の露光時間で作
業すると、露光限界を外れるようになる。これを防止す
るためには、露光時間を増加させなければならないが、
この結果は上記実施例で求めたようにならなければなら
ないことを示す。
平均）を基準とした結果である。したがって、反射率が
増加すると、図２に示すように線幅も大きくなることが
予想されるので、それにも拘わらず従前の露光時間で作
業すると、露光限界を外れるようになる。これを防止す
るためには、露光時間を増加させなければならないが、
この結果は上記実施例で求めたようにならなければなら
ないことを示す。
【００１８】上記において説明したとおり、基準厚さＴ
は、反射率が最も大きいところに設定してもよい（その
場合、ａとｄの間でＹ＜Ｘである、図３（Ｂ）参照）
が、この場合は測定した反射率γに応じて露光時間Ｚが
減少する場合であって、（Ｙ−Ｘ）／（β−α）は正の
値であり、（γ−α）が負の値であるため、ＺはＸより
減少することになるのである。したがって、この場合
も、前記の露光時間設定のための式は、基準厚さＴを反
射率の最小値のところに取った場合と一致する。したが
って、グラフにおいて、単にα，βの値の大小関係が変
わるだけである。
は、反射率が最も大きいところに設定してもよい（その
場合、ａとｄの間でＹ＜Ｘである、図３（Ｂ）参照）
が、この場合は測定した反射率γに応じて露光時間Ｚが
減少する場合であって、（Ｙ−Ｘ）／（β−α）は正の
値であり、（γ−α）が負の値であるため、ＺはＸより
減少することになるのである。したがって、この場合
も、前記の露光時間設定のための式は、基準厚さＴを反
射率の最小値のところに取った場合と一致する。したが
って、グラフにおいて、単にα，βの値の大小関係が変
わるだけである。
【００１９】
【発明の効果】上記のように構成された本発明は、次の
ような効果を有している。第１番目としては、基板の変
化、洗浄やフォトレジスト塗布前の処理に伴う反射条件
の変化に対して、反射率をあらかじめ測定してこれを基
準として修正して露光することにより、均一な線幅を得
ることができる。第２番目としては、均一な線幅を得る
ための線幅測定を行う回数を減らすことによって、工程
を短縮しかつ生産性を向上させることができる。
ような効果を有している。第１番目としては、基板の変
化、洗浄やフォトレジスト塗布前の処理に伴う反射条件
の変化に対して、反射率をあらかじめ測定してこれを基
準として修正して露光することにより、均一な線幅を得
ることができる。第２番目としては、均一な線幅を得る
ための線幅測定を行う回数を減らすことによって、工程
を短縮しかつ生産性を向上させることができる。
【図１】 従来の方法におけるフォトレジストパターン
形成のための露光時間設定方法に用いる露光限界曲線で
ある。
形成のための露光時間設定方法に用いる露光限界曲線で
ある。
【図２】 フォトレジストの厚さに対する微細線幅およ
び反射率の変化具合を示すグラフである。
び反射率の変化具合を示すグラフである。
【図３】 （Ａ）および（Ｂ）は、本発明におけるフォ
トレジストの厚みに対する反射率の関係を示すグラフで
ある。
トレジストの厚みに対する反射率の関係を示すグラフで
ある。
【図４】 本発明に用いる露光限界曲線図である。
α，β，γ…反射率、 Ｘ，Ｙ，Ｚ…露光時間、 Ｎ…線幅変化曲線、Ｍ…反射率変化曲線、 Ａ…反射率γに対してＸミリ秒間露光した場合の線幅 Ｂ…反射率γに対してＺミリ秒間露光した場合の線幅
（目的とする線幅）
（目的とする線幅）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 イ ドゥヒ 大韓民国 467−860 キョウンキド イ チヨンクン ブバリュブ アミ−リ サ ン 136−１ ヒュンダイ エレクトロ ニクス インダストリイズ カンパニー リミテッド セミコンダクタ ラボラ トリ内 (72)発明者 ユク ヒョンソン 大韓民国 467−860 キョウンキド イ チヨンクン ブバリュブ アミ−リ サ ン 136−１ ヒュンダイ エレクトロ ニクス インダストリイズ カンパニー リミテッド セミコンダクタ ラボラ トリ内 (72)発明者 ホン ホンギ 大韓民国 467−860 キョウンキド イ チヨンクン ブバリュブ アミ−リ サ ン 136−１ ヒュンダイ エレクトロ ニクス インダストリイズ カンパニー リミテッド セミコンダクタ ラボラ トリ内 (72)発明者 グ ヨンモ 大韓民国 467−860 キョウンキド イ チヨンクン ブバリュブ アミ−リ サ ン 136−１ ヒュンダイ エレクトロ ニクス インダストリイズ カンパニー リミテッド セミコンダクタ ラボラ トリ内 (56)参考文献 特開 平２−231706（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−177623（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−284811（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20 521
Claims (3)
- 【請求項１】 多数のウェハを１単位としてフォトリソ
グラフィ工程を進める場合のフォトレジストパターンの
形成方法において、前記多数のウェハの中の一つのウェハの第一の領域での
コーティングされたフォトレジスト膜の第一の厚さにお
ける第一の反射率を求めるとともに前記第一の反射率の
露光限界曲線を求めるステップと、 前記一つのウェハの第二の領域でのコーティングされた
フォトレジスト膜の第二の厚さにおける第二の反射率を
求めるとともに前記第二の反射率の露光限界曲線を求め
るステップと、 前記第一および第二の露光限界曲線を利用して所望のフ
ォトレジストパターンの線幅の範囲を定めるステップ
と、 前記定められた線幅の範囲内の任意の線幅に対する前記
第一および第二の反射率における第一および第二の露光
時間を求めるステップと、 前記任意の線幅に対して反射率が変動されることによっ
て、前記変動される反射率に対する露光時間を、前記第
一および第二の反射率と前記第一および第二の露光時間
を利用して求めて フォトレジストパターンを形成するス
テップとを含むことを特徴とするフォトレジストパター
ンの形成方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載のフォトレジストパター
ンの形成方法であって、前記任意の線幅に対する露光時間は、前記第一の厚さに
おける第一の反射率をα、前記第二の厚さにおける第二
の反射率をβ、前記第一および第二の反射率 αおよびβ
における前記第一および第二の露光時間をそれぞれＸ，
Ｙとして、前記任意の線幅に対する 反射率がγのところに対してＺ
＝Ｘ＋（γ−α）×（Ｙ−Ｘ）／（β−α）の式により
求めた露光時間Ｚで行うことを特徴とする方法。 - 【請求項３】 請求項２に記載のフォトレジストパター
ンの形成方法であって、 上記フォトレジストの第二の厚さＴ’は、第一の厚さＴ
に工程余裕度（△Ｔ）を加えた値より大きい値を有する
ように選定したことを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930025304A KR970006931B1 (ko) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | 포토레지스트 패턴 형성방법 |
| KR1993-25304 | 1993-11-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07263333A JPH07263333A (ja) | 1995-10-13 |
| JP3065217B2 true JP3065217B2 (ja) | 2000-07-17 |
Family
ID=19368955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6290150A Expired - Fee Related JP3065217B2 (ja) | 1993-11-25 | 1994-11-24 | フォトレジストパターンの形成方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5858590A (ja) |
| JP (1) | JP3065217B2 (ja) |
| KR (1) | KR970006931B1 (ja) |
| CN (1) | CN1079548C (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR980005334A (ko) * | 1996-06-04 | 1998-03-30 | 고노 시게오 | 노광 방법 및 노광 장치 |
| JPH10256149A (ja) * | 1997-03-14 | 1998-09-25 | Nec Corp | レジストパターンの形成方法 |
| US7917244B2 (en) * | 2007-03-14 | 2011-03-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and system for reducing critical dimension side-to-side tilting error |
| US20090029286A1 (en) * | 2007-07-23 | 2009-01-29 | Jae Hyun Kang | Method for Fabricating Photoresist Pattern |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2257507B (en) * | 1991-06-26 | 1995-03-01 | Digital Equipment Corp | Semiconductor wafer processing with across-wafer critical dimension monitoring using optical endpoint detection |
| FR2693565B1 (fr) * | 1992-07-10 | 1994-09-23 | France Telecom | Procédé de réglage d'une machine d'exposition photolithographique et dispositif associé. |
-
1993
- 1993-11-25 KR KR1019930025304A patent/KR970006931B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1994
- 1994-11-24 JP JP6290150A patent/JP3065217B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1994-11-25 CN CN94120086A patent/CN1079548C/zh not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-10-24 US US08/959,961 patent/US5858590A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5858590A (en) | 1999-01-12 |
| KR950014982A (ko) | 1995-06-16 |
| KR970006931B1 (ko) | 1997-04-30 |
| CN1079548C (zh) | 2002-02-20 |
| CN1115409A (zh) | 1996-01-24 |
| JPH07263333A (ja) | 1995-10-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100216143B1 (ko) | 개량된 포토리소그래피용 마스크 | |
| CN101432658B (zh) | 半导体处理中控制形成在晶片上的结构的临界尺寸的方法和系统 | |
| US5585925A (en) | Alignment method | |
| JP4118585B2 (ja) | マスクブランクの製造方法 | |
| JP3065217B2 (ja) | フォトレジストパターンの形成方法 | |
| US6426174B1 (en) | Method for manufacture semiconductor devices | |
| JP4508457B2 (ja) | 露光時間調節システム | |
| US7785755B2 (en) | Exposure system, exposure method, and method for manufacturing semiconductor device | |
| US4738910A (en) | Method of applying a resist | |
| US5916716A (en) | Emulation methodology for critical dimension control in E-Beam lithography | |
| JP2998651B2 (ja) | 露光用設計パターンの修正方法 | |
| JPH04282820A (ja) | パタン形成方法 | |
| JPH0423816B2 (ja) | ||
| US20050243309A1 (en) | Apparatus and process for determination of dynamic lens field curvature | |
| JP2001093803A (ja) | リソグラフィーにおけるボケ量の算出方法及びリソグラフィー方法 | |
| JP2711107B2 (ja) | 露光方法 | |
| JPH10256149A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JP3013393B2 (ja) | フォトレジスト塗布手段 | |
| JPH0897123A (ja) | 位置合わせ方法 | |
| US7643126B2 (en) | Method of setting focus condition at time of exposure, apparatus for setting focus condition at time of exposure, program, and computer readable recording medium | |
| JPH05251318A (ja) | 荷電粒子ビーム描画によるパターン形成方法 | |
| JP3320298B2 (ja) | 半導体露光装置およびこの装置を用いた半導体露光方法 | |
| JP2806307B2 (ja) | レンズディストーションの測定用レチクル及びその測定方法 | |
| KR100576442B1 (ko) | 반도체의 오버레이 마크 이미지 개선방법 | |
| JPH07181667A (ja) | 露光法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990831 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000418 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090512 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100512 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100512 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110512 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |