JP3057693B2 - 半導体メモリ - Google Patents

半導体メモリ

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JP3057693B2
JP3057693B2 JP1194667A JP19466789A JP3057693B2 JP 3057693 B2 JP3057693 B2 JP 3057693B2 JP 1194667 A JP1194667 A JP 1194667A JP 19466789 A JP19466789 A JP 19466789A JP 3057693 B2 JP3057693 B2 JP 3057693B2
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和久 佐保
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日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は半導体メモリに関し、特にフラッシュライト
機能を有する半導体メモリに関する。
[従来の技術] 従来、同一のデータを選択されたワード線に接続され
た複数のメモリセルに同時に書き込むことのできるフラ
ッシュライト機能を有する半導体メモリが製造されてい
る。このフラッシュライト機能を実現するには、データ
の入力バッファから複数のビット線に同時にデータを転
送する必要があり、そのために、通常の入力モードで使
用するカラムスイッチ,データ線等とは別に、フラッシ
ュライトデータを複数のビット線に伝えるための専用バ
ス,専用スイッチ等を具備していた。
[発明が解決しようとする問題点] しかしながら、上記従来のフラッシュライト機能を有
する半導体メモリにあっては、通常モードで使用するカ
ラムスイッチ等の他にフラッシュライト機能の実現に専
用のデータバス,スイッチさらにこれらに付随するコン
タクト等が必要であり、チップ面積が増大するという欠
点があった。
[問題点を解決するための手段] 本発明の要旨は、複数のワード線と、複数のビット線
と、前記複数のワード線と複数のビット線の交点に接続
されたメモリセルと、前記複数のビット線が接続される
ビット線プリチャージ電位供給源とを有する半導体メモ
リにおいて、前記ビット線のプリチャージ電位を出力す
るプリチャージ電位供給源と、選択したワード線に接続
された複数のメモリセルに同時に書き込むためのデータ
を出力するデータ供給源とを有し、前記プリチャージ電
位供給源及びデータ供給源は、各々、スイッチを介して
前記ビット線プリチャージ電位供給源と接続されている
ことである。
[発明の作用] 上述のように、フラッシュライト機能実現時には、ス
イッチがフラッシュライト供給源をビット線プリチャー
ジ電位供給源に接続し、選択されたメモリセルにフラッ
シュライトを同時に書き込む。
[実施例] 次に本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
第1図は本発明の一実施例の回路図であり、その回路
動作について第2図のタイミングチャートを利用して構
成および機能を説明する。図において1はフラッシュラ
イトデータ供給源、2はプリチャージ電位供給源、3は
ビット線プリチャージ電位供給源、4はメモリセル群、
5はセンスアンプ、6はビット線群、7はカラムアドレ
スデコーダ、WLはワード線、I/Oは入出力バスをそれぞ
れ示している。φ1はビット線プリチャージ電位供給源
にフラッシュライトする情報を伝えるトランスファース
イッチを開閉させる信号、φ2はビット線群をプリチャ
ージしバランスさせるトランスファースイッチを開閉さ
せる信号、φ3はビット線群にプリチャージ電位,フラ
ッシュライトデータを伝えるトランスファースイッチを
開閉させる信号、φ4はセンスアンプ活性化信号であ
る。
第1図に示す通り従来のビット線プリチャージ電位供
給源3は信号φ1によって開閉されるトランスファース
イッチを介してフラッシュライトデータ供給源1と接続
する。また、信号φ2によって開閉するトランスファー
スイッチを介してプリチャージ電源2とも接続する。
まず第2図において信号φ1=信号WL=信号φ4=低
レベル、信号φ2=信号φ3=高レベルの時ビット線群
は1/2VCCまでプリチャージされている。
次に信号φ1=信号φ2=信号φ3=信号WL=信号φ
4=低レベルにより、ビット線6はフローティング状態
となる。
信号φ2=信号φ4=低レベル、信号φ1=信号φ3
=信号WL=高レベルになると、片側のビット線に、そし
てセルにフラッシュライトデータが伝わる。
信号φ1=信号φ2=信号φ3=信号φ4=低レベ
ル、WL=高レベルでビット線はフローティング。信号φ
1=信号φ2=信号φ3=低レベル、信号WL=信号φ4
=高レベルでセンスアンプが活性化する。セルにフラッ
シュライトデータが書き込まれる。
最後に信号WL=信号φ4=低レベルでセルはフローテ
ィング状態となり、データを保持する。信号φ2=信号
φ3=高レベルとなり、ビット線は再び1/2VCCまでプリ
チャージされ初期状態となる。
[発明の効果] 以上説明したように本発明は、ビット線のプリチャー
ジレベルとフラッシュライトデータを1つの信号線によ
ってビット線に供給できるので、フラッシュライトデー
タバス、それに付随するゲート,コンタクト等の追加に
よるチップサイズの増加を抑制できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2図は一実
施例の動作タイミングチャート(逆データ書き込み時)
である。 1……フラッシュライトデータ供給源、 2……プリチャージ電位供給源、 3……ビット線プリチャージ電位供給源、 4……メモリセル群、 5……センスアンプ、 6……ビット線群、 7……カラムアドレスデコーダ、 WL……ワード線、 I/O……I/Oバス、 φ1……ビット線プリチャージ電位供給源にフラッシュ
ライトする情報を伝えるトランスファースイッチを開閉
させる信号、 φ2……ビット線群をプリチャージしバランスさせるト
ランスファースイッチを開閉させる信号、 φ3……ビット線群にプリチャージ電位,フラッシュラ
イトデータを伝えるトランスファースイッチを開閉させ
る信号、 φ4……センスアンプ活性化信号。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−217596(JP,A) 特開 昭59−116986(JP,A) 特開 昭56−44193(JP,A)

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】複数のワード線と、複数のビット線と、前
    記複数のワード線と複数のビット線の交点に接続された
    メモリセルと、前記複数のビット線が接続されるビット
    線プリチャージ電位供給源とを有する半導体メモリにお
    いて、前記ビット線のプリチャージ電位を出力するプリ
    チャージ電位供給源と、選択したワード線に接続された
    複数のメモリセルに同時に書き込むためのデータを出力
    するデータ供給源とを有し、前記プリチャージ電位供給
    源及びデータ供給源は、各々、スイッチを介して前記ビ
    ット線プリチャージ電位供給源と接続されていることを
    特徴とする半導体メモリ。
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JPH0612612B2 (ja) * 1987-03-06 1994-02-16 株式会社東芝 半導体記憶装置
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JPH0752577B2 (ja) * 1988-01-07 1995-06-05 株式会社東芝 半導体メモリ

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