JP3050604B2 - バイポーラエレクトロルミネセンス装置 - Google Patents
バイポーラエレクトロルミネセンス装置Info
- Publication number
- JP3050604B2 JP3050604B2 JP8526399A JP52639996A JP3050604B2 JP 3050604 B2 JP3050604 B2 JP 3050604B2 JP 8526399 A JP8526399 A JP 8526399A JP 52639996 A JP52639996 A JP 52639996A JP 3050604 B2 JP3050604 B2 JP 3050604B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bipolar
- electrode
- electroluminescent device
- polymer
- insulating material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract description 35
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- -1 polyphenylene Polymers 0.000 claims description 30
- 229920000775 emeraldine polymer Polymers 0.000 claims description 28
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 16
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 11
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N pyridine Substances C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 8
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 claims description 8
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 6
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 claims description 5
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 claims description 5
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 claims description 5
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920000592 inorganic polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 3
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 claims description 3
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 claims description 3
- CRGSMSNUTNRNQM-UHFFFAOYSA-N 2-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=CO1 CRGSMSNUTNRNQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 claims description 2
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 claims 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims 2
- 239000012671 ceramic insulating material Substances 0.000 claims 1
- 229920000417 polynaphthalene Polymers 0.000 claims 1
- 125000004424 polypyridyl Polymers 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 22
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 19
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 12
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 3
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 3
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000001194 electroluminescence spectrum Methods 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 125000006575 electron-withdrawing group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N (S)-camphorsulfonic acid Chemical compound C1C[C@@]2(CS(O)(=O)=O)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N 0.000 description 1
- HSAOVLDFJCYOPX-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(1,3-benzothiazol-2-yl)phenyl]-1,3-benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC=C(C=C3)C=3SC4=CC=CC=C4N=3)=NC2=C1 HSAOVLDFJCYOPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 2-dodecylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMMZCWZIJXAGKW-UHFFFAOYSA-N 2-methylpent-2-ene Chemical compound CCC=C(C)C JMMZCWZIJXAGKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NYZGMENMNUBUFC-UHFFFAOYSA-N P.[S-2].[Zn+2] Chemical compound P.[S-2].[Zn+2] NYZGMENMNUBUFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical class [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N acrylonitrile butadiene styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000003467 diminishing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 229940060296 dodecylbenzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000013401 experimental design Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 230000001404 mediated effect Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005375 photometry Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical compound [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043267 rhodamine b Drugs 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000527 sonication Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/841—Applying alternating current [AC] during manufacturing or treatment
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/917—Electroluminescent
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31678—Of metal
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Description
れは拡くエレクトロルミネセンス装置と言われている。
特定的には、この発明は、正又は負の電界のいずれによ
っても駆動することができる有機エレクトロルミネセン
ス材料を有するエレクトロルミネセンス装置に関する。
即ち、この装置は、順方向又は逆方向のいずれの電流で
も用いることができる。最も特定的には、この発明は、
交流電界により駆動することができるエレクトロルミネ
センス有機材料装置に関する。即ち、このエレクトロル
ミネセンス有機材料装置は、交流電流に伴う交流電圧に
より駆動することができる。
装置が発見された。Destriauは、銅を少量添加して活性
化させた、好適に調製された無機の硫化亜鉛燐光物質の
粉末を、絶縁体及びコンデンサー様電極で印加した強い
交流電界(15kV)中に懸濁させると、光を発することを
認めた。エレクトロルミネセンスの研究は、1940年代後
半には、酸化錫(SnO2)を基剤とする透明導電電極の出
現で更なる弾みをつけた。典型的には、初期の装置は、
少量の銅又はマンガンでドープされた硫化亜鉛の如き無
機の燐光物質で含浸したプラスチック又はセラミックシ
ートの相対する側に載せられた、電極としての役目を果
たす導電性材料の2枚のシートから構成され、その1枚
は薄い導電バッキングで他方の1枚は透明な導電性フィ
ルムであった。この透明な導電性シートの次に配置され
た透明なガラスシートが最も外側の保護基体としての役
目を果たした。それら電極に交流電圧を印加すると、電
界が生じて燐光物質に加わった。電界が変化する毎に、
可視光の波長が発生した。交流エレクトロルミネセンス
装置に関して数多くの研究及び検討が行われたが、その
装置は、当初は室内光源として盛んに宣伝されたとはい
え実用的用途には決して到達しなかった。不運にも、高
い明度レベルでは、そのACエレクトロルミネセンス装置
は非常に短い寿命しか示さなかった。そして、凡そ1963
年以後、ACエレクトロルミネセンス装置への殆どの研究
は大きく縮小された。この分野における最も最近の努力
は、分子状炭素(fullerene−60)システムに向けられ
てきた。高電圧駆動要件、駆動回路部品に関連する高い
コスト、安定性の乏しさ、及び色彩調節能の欠如が、こ
れら装置をコスト的に困難なものにしている。
半導体発光ダイオード(LED)及び2)蛍光イオンでド
ープされた無機半導体薄膜装置は、それらの起源を50年
代中頃にさかのぼる。順方向バイアス化無機半導体p−
n接点に基づく発光ダイオードは、色彩、効率、及びコ
スト上の制限の結果として、狭い分野での応用に限られ
る。他方の無機装置、つまり、蛍光の、イオンでドープ
された、無機の、半導体薄膜装置は、蛍光イオンセンタ
ーを励起又はイオン化するためには、電子又は正孔を十
分なエネルギーにまで加速するのに高い作動電圧を必要
とする。このような高い作動電圧は、薄膜を不安定にす
ると共にそのような装置を故障させる。
レクトロルミネセンス装置に興味が持たれている。種々
の有機の分子及び複合ポリマー、コポリマー、及びそれ
らの混合物が、エレクトロルミネセンス特性を示すこと
が見出された。これら材料を組み込んだ発光ダイオード
は、ディスプレー用途に要求される全ての必要な色彩
(赤、緑及び青)を示した。しかしながら、装置作動電
圧を低くしかつそれらの光発生(出力)効率を高める必
要性が存在し続けている。更に、電荷注入及び電荷輸送
の釣り合いを改善することも必要である。装置形状の非
対称性のために、効率的な電荷注入は一方向でしか起こ
らない(順方向DCバイアス)。逆方向バイアスでは、殆
どの装置は、急速に劣化するか又は非常に乏しい性能し
か示さないかのいずれかである。カルシウム又はマグネ
シウムの如き低仕事関数電極の使用及び負電荷(電子)
注入を向上させるための電子輸送材料の使用により、電
荷注入効率を向上させる努力がなされてきたが、そのよ
うな装置は一方向でのみ作動性であり続けている。同じ
く、インジウム錫酸化物(ITO)又は金の如き高仕事関
数電極の使用及び正電荷(正孔)注入を向上させるため
の正孔輸送材料の使用により、電荷注入効率を向上させ
る努力がなされてきた。そのような装置も一方向でのみ
作動性であり続けている。低い起動及び作動電圧、柔軟
性、大面積、高い作動(光出力)効率及び低い生産コス
トを有するバイポーラ装置を開発する必要性が存在し続
けているのである。
ス装置を提供することである。
クトロルミネセンス装置を提供することである。
レクトロルミネセンス有機材料を用いるエレクトロルミ
ネセンス装置を提供することである。
ス装置を提供することである。
積装置を提供することである。
ることである。
ミネセンス装置を提供することである。本発明の目的
は、周波数が変調された光出力を提供することである。
ことである。
機材料装置の本発明で達成された。本装置は、第1電気
絶縁材料と第2絶縁材料の間に挟まれたエレクトロルミ
ネセンス有機材料を特徴としている。即ち、第1絶縁材
料と第2絶縁材料が、サンドイッチ様式でエレクトロル
ミネセンス材料の相対する側に接触している。第1絶縁
材料は第1電極と電気的に接触しており、第2絶縁材料
は第2電極と電気的に接触している。第1電極と第2電
極は、どちらかの方向で電圧源(電位差)に接続されて
いる。即ち、第1電極を正電位(アノード)に接続する
一方で第2電極を負電位(カソード)に接続してもよ
く、また、それら接続を逆にしてもよい。つまり、第1
電極を負電位に接続する一方で第2電極を正電位に接続
してもよい(反対電流方向)。本装置は類似の出力効率
でいずれの電流方向でも作動できるので、バイポーラ装
置と言われる。このようなエレクトロルミネセンス材料
の配置、第1及び第2絶縁材料、並びに第1及び第2電
極は、本装置が交流電圧で駆動するのを可能にする、即
ち、本装置が交流電流で用いられることができまた好ま
しくは用いられるという点で特別な利益のあるものであ
る。
(発光)有機材料、絶縁材料及び電極が用いられる。好
ましくは、これら層は、サンドイッチ型装置内の層とし
て形成されかつ配置されている。即ち、有機発光体が2
層の絶縁層により囲まれた中央に位置しており、それら
絶縁層は順繰りに電極材料により囲まれており、それら
電極材料はいずれかの極性で電圧源に、好ましくは、交
流電流に伴う交流電圧源に接続されている。
ポリマー形態の両方が含まれる。これら材料には、ポリ
(p−ピリジン)の如き発光ポリマー性ポリピリジン、
ポリ(フェニレンビニレンピリジルビニレン)の如きコ
ポリマー及び8−ヒドロキシキノリンの如き分子状発光
物質が含まれる。絶縁材料には、酸化アルミニウムの如
き多種多様なセラミックス及び、ポリシラン、ポリメタ
クリル酸メチル、ナイロン、エメラルジンベース(emer
aldine base)(一種の絶縁性ポリアニリンポリマー)
の如き無機及び有機材料、及び2−(4−ビフェニル)
−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサ
ジアゾールの如き有機分子が含まれる。電極は、1)イ
ンジウム錫酸化物、2)金、アルミニウム、カルシウ
ム、銀、銅、インジウムの如き金属、3)マグネシウム
−銀の如き合金、4)炭素繊維の如き導電性繊維、及び
5)高導電性ドープドポリアニリン及び高導電性ドープ
ドポリピロールの如き高導電性有機ポリマーを含むがこ
れらに限定されない多種多様な導電材料を含む、あらゆ
る好適な導体から作ることができる。
用途においては、少なくとも1の電極は、インジウム錫
酸化物の如き透明材料又は高導電性ドープポリアニリン
の如き部分的透明材料から作られる。発光材料とこの透
明又は部分的透明電極の間の絶縁体も透明か又は部分的
に透明であって、ポリメタクリル酸メチルの如き光学的
に明澄な絶縁性ポリマー又はポリアニリンの絶縁性エメ
ラルジンベース形態の如き部分的透明絶縁性ポリマーか
ら作られる。部分的に透明な電極及び絶縁体を用いて、
有機発光体から出る不要な光の部分(周波数)をフィル
ターし又は摘み取るという利益を得ることができる。
を保護して典型的には絶縁する役割をも担う基体上に装
置を形成することが好ましい。装置が照明および表示目
的のために使用される場合には、ガラスまたは透明な絶
縁プラスチックが好ましい。AC駆動対称装置は、装置の
両面からの光放出にとっては特に好適であり、この場
合、絶縁体および電極は共に少なくとも部分的には透明
であり、片方または両方の電極と一緒に使用してもよい
絶縁基体も同様である。
透明である必要がないことは注目される。絶縁体および
電極が放出光に対して不透明な場合、装置の端からの光
の放出は、例えば、装置を光ファイバーに結合させると
いうような結合への応用において利用することができ
る。装置はAC駆動されるので、それは、変調した光出力
を周波数を変調した形態または振幅を変調した形態で運
搬するという利点を有している。
び作動ACまたはDC電圧を特徴とする。さらに好ましく
は、約12ボルト未満および約6ボルト未満という起動お
よび作動電圧が達成されている。ある場合には、約5ボ
ルト未満の起動および作動電圧が達成されている。これ
らの低い電圧のために、これらの装置は、玩具において
の使用、航空機および劇場において見られるような商業
用照明ストリップとして、標識として、並びにコンピュ
ーターおよびテレビ用のフラットパネルディスプレイと
しての使用において、特に有利となる。
にされるであろうが、そこでは、本発明の1以上の好ま
しい態様が詳細に説明され、添付する図面中に例示され
ている。操作、処理、構造的特徴、部品の配置、実験上
の設計、成分、組成、化合物、および要素の変更が、本
発明の範囲から離れることなく、または本発明のいかな
る利点を損なうことなく当業者にとって自明であること
が意図される。
/ポリ(p−ピリジン)/エメラルジンベース/アルミ
ニウムの装置のエレクトロルミネセンススペクトルであ
り、水平軸上には波長をナノメートルで、垂直軸上には
エレクトロルミネセンス強度を任意単位(a.u.)で示
す。
/ポリ(p−ピリジン)/エメラルジンベース/アルミ
ニウムの装置についての電流電圧(I−V)曲線であ
り、水平軸上には電圧をボルト(V)で、垂直軸上には
電流をミリアンペア(mA)で示す。
/ポリ(p−ピリジン)/エメラルジンベース/アルミ
ニウムの装置についての、時間の関数としての光強度お
よびAC電圧を示す図である。ボルト(V)でのAC電圧が
左の垂直軸上に示され、任意単位(a.u.)での光強度が
右の垂直軸上に示され、ミリ秒(ms)での時間が水平軸
上に示される。
る際には、特定の専門用語が明確さのために採用されて
いる。しかしながら、本発明がそのように選択された特
定の用語に限定されることは意図されておらず、各々の
特定の用語は同様の様式で作動して同様の目的を達成す
る全ての技術的均等物を包含しているということが理解
されるべきである。
が、例示かつ説明された構造における多様な変更と修正
を、本発明の基礎をなす基本原理から離れることなく行
うことできるということが理解される。従って、この種
の変更と修正は、本発明の精神および範囲によって境界
をつけられるとみなされるが、但し、本発明は添付する
請求の範囲またはその合理的均等物によって必ず修正さ
れる場合がある。
最良の形態 図1に示されるように、番号10によって一般的に示さ
れる本発明は、その基本的形態においては、エレクトロ
ルミネセンス有機物質上、即ち有機発光体12、有機光エ
ミッター12と接触している第1の電気絶縁体14、同じく
有機発光体12と接触しかつ第1の絶縁体14から発光体12
の反対側上にある第2の電気絶縁体16とから成る。第1
の電極18は、第1の絶縁体14と電気的に接触しており、
第2の電極22は、第2の絶縁体16と電気的に接触してい
る。第1の電極18および第2の電極22は電気コネクター
26によって電圧源24に連結している。電圧源24は、いず
れかの方向に連結された、即ち、順方向または反対方向
のいずれかに流れる電流を生み出すように連結された直
流電圧源であればよい。好ましくは電圧源24は交流を生
み出す交流電圧源である。
エネルギーを電磁気放射線に変換する任意のエレクトロ
ルミネセンス有機材料のことを言う。典型的には、出力
電磁気放射線(光)の波長は紫外線から近赤外線の範
囲、即ち、約250ナノメートルから約2500ナノメートル
の範囲内である。好ましくは、出力放射線の波長は約30
0から約1200ナノメートルの範囲内である。
分子性およびポリマー性発光材料の両方を包含する多種
多様な有機発光材料から選択することができる。そのよ
うな物質の製造と使用は当業者に周知である。本書中で
使用する場合、ポリマー性材料という用語は、例えば、
H−(C6H4)n−H(ポリ(フェニレン))などのよう
な化学構造中に繰り返し構造単位を有する材料のために
使用される一方、分子性材料という用語は、例えば、C9
H7NOH(8−ヒドロキシキノリン)などのような一つだ
けの構造単位を有する材料のために使用される。代表的
なポリマー性有機発光基は、ポリピリジン、ポリピリジ
ルビニレン、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフ
ェニレンビニレン、硬質細枝ポリマー(ポリフェニレン
ベンゾビスチアゾールおよびポリベンズイミダゾベンゾ
フェナントロリンなど)、ポリフルオレン、ポリビニル
カルバゾール、ポリナフタレンビニレン、ポリチエニレ
ンビニレン、ポリフェニレンアセチレン、ポリフェニレ
ンジアセチレンおよびポリシアノテレフタリリデンなど
のような基を包含するが、これらに限定されない。基本
構造に対する修飾の結果として、典型的には合成有機化
学の当業者に周知の技術による電子供与基と電子吸引基
の置換の結果として、多種多様な特定の物質(誘導体)
をこれらの基の各々において見い出すことができる。上
記の発光体の構造の上で置換することができる電子供与
基としては、−R、−OR−、ハロゲン(共鳴効果による
電子供与)、−NR2、−NHCOR、−OH、−O−、SR、−O
R、および−OCOR(式中、Rはアルキル、アリールまた
はアリールアルキル基である)が挙げられるが、これら
に限定されない。電子吸引基としては、ハロゲン(誘導
効果による電子吸引)、−NO2、−COOH、−COOR、−CO
R、−CHO、および−CNが挙げられる。電子供与基の場合
と同様に、Rはアルキル、アリールまたはアリールアル
キル基である。窒素含有発光基としてはまた、第4級化
した形態の窒素原子が挙げられる。さらに、これらの物
質を、他の発光ポリマーおよび分子並びに非発光ポリマ
ーおよび分子と共重合または混合して、広範囲な発色放
出、光放出効率、寿命、並びに柔軟性および製造の容易
性などの機械的性質を含む広範囲の性質を有する多種多
様な物質を得ることができる。多様な発光ポリマー基由
来の例示的な特定のポリマー誘導体としては、ポリピリ
ジン(ポリ(p−ピリジン));ポリピリジルビニレン
(ポリ(p−ピリジルビニレン));ポリフェニレン
(ポリ(p−フェニレン)、ポリフェニレンビニレン
(ポリ(p−フェニレンビニレン)、ポリ(2,5−ジメ
トキシ−p−フェニレンビニレン)、ポリ(2−メトキ
シ−5−(2′エチルヘキソキシ)−p−フェニレンビ
ニレン)、およびポリ(2,5−ビス(コレスタノキシ)
−p−フェニレンビニレン));ポリフェニレンベンゾ
ビスチアゾール(ポリ(p−フェニレンベンゾビスチア
ゾール));ポリチオフェン(ポリ(3−アルキル)チ
オフェンおよび特にはポリ(3−ヘキシルチオフェ
ン));ポリフルオレン(ポリ(9−アルキルフルオレ
ン));ポリビニルカルバゾール(ポリ(N−ビニルカ
ルバゾール);およびポリナフタレンビニレン(1,4−
ナフタレンビニレン)が挙げられる。代表的なエレクト
ロルミネセンス発光分子としては、8−ヒドロキシキノ
リン、ナフトスチリルアミン、ペリレン、アントラセ
ン、コロネン、ローダミンB、および12−フタロペリネ
ンが挙げられる。ポリマー材料の場合と同様に、これら
の材料を他の発光分子およびポリマーまたは非発光分子
およびポリマーと混合して、多様な発光材料を得ること
ができる。
絶縁体または電気絶縁体という用語は、電気の貧弱な導
体である材料のことを言う。典型的には、絶縁材料の固
有抵抗は、約105オーム−cmより大きい。好ましい固有
抵抗の範囲は、約108から約1013オーム−cmである。慣
用のセラミック、有機物質および無機ポリマーを含む、
多様な電気絶縁材料(絶縁体)を本発明において使用す
ることができる。セラミック材料としては、例えば、ガ
ラス、アルミナ、ベリリア、磁器、ジルコニア、カーバ
イド、窒化物および窒化ケイ素が挙げられる。有機絶縁
材料としては、アクリロニトリル−ブタジエンスチレ
ン、アセタール、アクリル系誘導体、塩素化ポリエーテ
ル、ポリビニルカルバゾール、フルオロカーボン、ナイ
ロン、パリレン(ポリパラキシリレン)、フェノキシ樹
脂、ポリアミド−イミド、ポリイミド、ポリカーボネー
ト、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレ
フタレート、ポリフェニレンオキシド、ポリスチレン、
ポリスルホン、共役ポリマー、それらのコポリマーおよ
びそれらの混合物が挙げられる。本明細書中で使用する
場合、混合物という用語はまた、配合物および分散物を
も包含する。共役ポリマーとしては、ポリチオフェン、
および約0.4から約2.5のアミンに対するイミンの比を有
するエメラルジンベースなどのようなポリアニリンの絶
縁形態、および米国特許5,079,334にさらに十分に記載
されているような多様な誘導体などの物質が挙げられ、
これらは全て引用により本明細書中に取り込まれる。2
−(4−ビフェニル)−5−(4−tert−ブチルフェニ
ル)−1,3,4−オキサジアゾールなどの絶縁有機分子も
また絶縁材料として使用することができる。そのような
絶縁有機分子の使用を容易にするために、それらは絶縁
エメラルジンベースまたはポリビニルカルバゾールなど
のホストポリマー中に分散されることが多い。無機ポリ
マーには、シロキサン、ホスファゼン、およびシリコー
ンなどの純粋無機および無機有機ポリマーの両方が含ま
れる。これらの物質は互いに共重合または混合して、絶
縁特性、柔軟性または堅固性、および加工可能性を含む
拡大な範囲の特性を有する多種多様な物質を得ることが
できる。
ルミニウム、インジウム、金、銅、銀をはじめとする金
属、(3)マグネシウム/銀のような合金、(4)炭素
及びグラファイト繊維及びフィラメントのような導電性
非金属、及び(5)ショウノウスルホン酸、塩酸、トシ
ル酸及びドデシルベンゼンスルホン酸のようなドーパン
トでドープされたポリアニリン、及びリンヘキサフルオ
リド及びp−トルエンスルホネートでドープされたポリ
ピロールのような高導電性ポリマーを含む広範囲の電極
材料を、本発明装置の電極として用いることができる。
本明細書中で用いる「高導電性ポリマー」とは、約10-2
S/cmを超え、好ましくは約10-1S/cmを超える導電度を有
するポリマーである。
透明電極及びポリメチルメタクリレートのような透明絶
縁体を用いることが望ましい。好適な基体28を用いた装
置を製造することがしばしば好ましい。通常、基体は、
プラスチック又はガラスのような絶縁材料である。光透
過性が望まれる場合には、ガラス及びポリメチルメタク
リレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、メチルペ
ンテン及び種々のコポリマー及び混合物のような光学プ
ラスチックを用いることができる。
積層構造体を製造する。装置10の操作のためには必要で
はないが、装置の製造においてかかる基体を用いること
が好都合である。更に、基体は、隣接する電極のための
保護表面として機能する。更に、第2の基体(図示せ
ず)を第2の電極と組み合わせて用いることができる。
基体は、通常、装置の用途に大きく依存する特性を有す
る非導電性材料である。保護基体は、放射光に対して、
不透明、透明又は部分的に透明であってよく、広範囲の
セラミック、無機及び有機材料から製造することができ
る。特に装置を照明のために又はディスプレイ装置とし
て用いる場合には、透明な基体を有することが好ましい
ことが極めて多い。そのような場合、光学的に清澄な材
料を有することが好ましい。絶縁体14及び16として用い
る材料の多くは、基体材料として用いることもできる。
広範囲の材料を利用することができ、製造の容易性のた
めにプラスチックが特に有用である。更なる詳細は、En
gineered Materials Handbook,vol.2,“Engineering Pl
astics"及び特にp.460のElectric Properties"の章及び
p.481の“Optical Properties"の章のような多くの参照
文献においてみることができる。
て製造する。第1に、インジウムスズ酸化物で被覆され
た商業的に入手できるガラス基材を、エッチングによっ
てパターン形成して電極18を形成する。エッチングの
後、インジウムスズ酸化物電極及び基体を、イソプロピ
ルアルコール中で超音波洗浄し、窒素で吹き付け乾燥
し、UV−オゾン室内で約20分照射する。次に、スピンキ
ャスト法を用いて絶縁材料の層を電極上に被覆する。こ
の方法は、絶縁材料を好適な溶媒中に溶解し、電極で被
覆された基材上に数滴を配置し、商業滴に入手できるス
ピンキャスト装置を用いて基体をスピニングする工程を
包含する。絶縁材料を動的減圧中で乾燥した後、次に再
びスピンキャスト法を用いて、発光体材料を好適な溶媒
中に溶解し、絶縁材料上に配置し、スピンキャスト装置
でスピニングして、発光体の層を絶縁体層上に被覆す
る。先に堆積した材料14が溶解するのを防ぐように溶媒
を選択することに注意を払わなければならないことに注
意すべきである。有機発光体層12を乾燥した後、第2の
絶縁体の溶液を有機発光体層12上に配置し、同様にスピ
ンキャストする。乾燥後、通常の減圧蒸着法を用いて約
10-6トールにおいて好適な電極22を絶縁体層上に蒸着す
る。電極蒸着工程中の絶縁体及び有機光エミッターへの
損傷を防ぐために、電極22の蒸着中は装置を冷却表面上
に載置する。通常、装置中にみられる有機材料への損傷
を防ぐには水冷表面で十分である。
あり周知である。ドクターブレード塗布、浸漬コーティ
ング、化学気相蒸着、物理気相蒸着、スパッタリング及
びラングミュアーブロジェット法をはじめとする広範囲
の他の周知方法を用いて、図1に示す層状構造体を得る
ことができる。製造の容易性及び得られる薄膜の均一性
のためにスピンキャスト法が好ましい。
性を与えるのに十分な厚さのものである。絶縁材料の厚
さは、約0.5nm〜約10,000noの範囲である。Al2O3のよう
な高抵抗絶縁材料に関しては、約1〜約300nmの絶縁材
料厚さを有することが好ましく、一方、エメラルジンベ
ースのような低抵抗材料に関しては、好ましい厚さは約
10〜約10,000nmの範囲である。概して、光発光材料は、
約10〜約1000nmの厚さを有し、約20nm〜約200nmの厚さ
が好ましい。
よって電源24に接続される。これらの電気コネクター又
は接点は、当該技術において通常的なものであり、リー
ド線、印刷回路コネクター、スプリングクリップ、スナ
ップ、ハンダ、ラップポスト、導電性接着剤等が挙げら
れる。また、電気コネクター又は接点26は、電極18及び
22それ自体であってもよいことを理解すべきである。即
ち、電位差24を直接電極に印加してもよく、この場合に
は、電極18及び22は電気接点又はコネクターになる。
流電源であっても、或いは交流(AC)を生成する交流電
源であってもよい。概して、図1に示す装置は、直流電
源を用いて順方向又は逆方向に、或いは交流電源によっ
て駆動することができることが見出された。いずれの場
合においても、起動電圧は、約24V未満、通常は約12V未
満、典型的には約6V未満、そして約5V未満であってもよ
いことが見出された。このように、本装置は、広範囲の
半導体及び低電圧用途において、幅広い用途が見出され
る。
−ピリジン)/エメラルジンベース/アルミニウム 装
置 Delta Technologies,Ltd.,Stillwater,MNから入手し
たインジウムスズ酸化物(ITO)被覆ガラス基材を、写
真平版法を用いてエッチングして、パターン形成された
第1の電極を製造した。エッチングが完了したら、エッ
チングされたITOガラスを、イソプロピルアルコール中
で20〜30分超音波処理することによって洗浄した。エッ
チングされたITOガラスを、N2で吹き付け乾燥した後、U
V−オゾン室内で10分間照射した。
ミン比を有するEB 0.5mgを混合することによって、N
−メチルピロリドン(NMP)中のポリアニリンのエメラ
ルドジンベース(EB)フォオームの0.5%溶液を調製し
た。所望の場合には、得られた溶液を超音波処理し、濾
過した。Faraday Discussion Chemical Society,88,317
−332(1989)において開示されているMacDiarmidらの
方法によってエメラルジンベースを調製した。PPy粉末1
0.5mgにギ酸1mlを加えることによって、ポリ(p−ピリ
ジン)(PPy)の溶液を調製した。PPyは、Chemistry Le
tters,153−154(1988)においてYamamotoらによって記
載された還元性金属媒介カップリング重合法によって合
成した。
ガラス上にEB及びPPyの薄膜をスピンコートした。EB/NM
P溶液数滴(3〜5滴)をエッチングされたITOガラス基
体上に配置し、基体を、Headway Reserach,Inc.,Garlan
d,TXによって製造されたフォトレジストスピンナー(Ph
oto Resist Spinner)(EC101DT)を用いて、200rpmで1
5秒間スピニングした。得られた絶縁体フィルムを、動
的減圧内で10-3トールにおいて乾燥した。乾燥後、PPy
ギ酸溶液3〜5滴を、EBフィルム被覆ITOガラス上に配
置し、基体を2000rpmで15秒間スピニングして、有機発
光エレクトロルミネセンス材料の層を形成した。第1の
フィルムと同様のEB絶縁材料の第2のフィルムを、エレ
クトロルミネセンスPPyフィルムの頂部上にスピニング
した。最終的なITO/EB/PPy/EB基体を、動的減圧下、10
-3トールで再度乾燥した。次に、通常の減圧蒸着法を用
いて約4×10-6トル以下の圧力で、アルミニウム(Al)
を第2のEB絶縁体層上に蒸着して、第2の電極を形成し
た。銀ペースト(Wilmington,DEのDuPont Companyによ
って製造されたDuPont Conductor Composition #500
7)を用いて銅細線をITO電極及びAl電極に接続した。ペ
ーストを約12〜24時間乾燥させた。
ルチメーターを用いて測定された。一つのマルチメータ
ーは電圧を測定するために調節され、もう一つのマルチ
メーターは電流を記録するために調節された。キースレ
イ式マルチメーターの出力は、IBM互換性486DX−66 MHz
コンピューターにナショナル インスツルメンツ社(オ
ースチン、テキサス)製の汎用インターフェイスバス
(genaral purpose interface bus)(GPIB)カードを
経由して記録された。接地線と正極電線を電源につなぎ
変える以外は、同様の方法が逆バイアスを試験するため
にも用いられた。電圧は、順バイアス接続の場合0ボル
ト乃至20ボルトの範囲で、逆バイアス接続の場合0ボル
ト乃至−20ボルトの範囲で変化させた。装置によって生
じる光は、人間の目には白っぽい青色に見えてきて、順
バイアス接続では+4ボルトで、逆バイアス接続では−
4ボルトで見えるようになる。
分光器(インスツルメンツ社、S.a.,ロンジュモ、フラ
ンス)及び電荷結合デバイス(charged coupled devic
e)(CCD;モデル200E,フォトメトリーズ社、トゥーソ
ン、アリゾナ)を用いて測定され、GPIBを装備したコン
ピューターで記録された。最大強度ピークは約630nmに
観測された。二つ目のより小さいピークは約540nmに示
された。そのスペクトルを図2に示す。
電圧特性を表す。試験された特定の装置に対する作動電
圧は、順バイアスで+4Vであり、逆バイアスで−4Vであ
った。電流−電圧(I−V)曲線の対称性は、順及び逆
DCデバイスにおいて、電極が異なる作業関数を持つとい
う事実にも関わらず、装置が等しく機能することを示
す。
機能発生器(Function Generator)(ヒューストン、テ
キサス)を用いて、ACモードにおいてもまた試験され
た。出力光は、機能発生器の周波数の倍の周波数におい
て観測された。光は、高圧電源(PS350スタンフォード
リサーチシステム社製、パロアルト、カルフォルニア)
によって稼働される、増倍型光学管(photomultiplie
r)(PMT)(タイプ R928、ハママツフォトニクス社、
K.R.シムカンソ、日本)及び、オシロスコープ(モデル
2430A、テクトロニクス社、ビーバートン、オレゴ
ン)によって測定された。電圧は、同じオシロスコープ
によって、同時に測定された。データは、GPIBカードを
装備したコンピューターを用いて記録された。
AC電圧は、周波数60Hzにおいて、約+7ボルト乃至−7
ボルトの範囲で変化させる。+7ボルト及び−7ボルト
の両方の光強度のピークは等強度であり、ここでまた光
強度が電極の機能関数に依存しないことが明らかにされ
ている。デバイスは、約1Hz乃至100Khzの範囲で機能す
る。光出力は、1000KHz以上ではかなり減少する。
−ピリジルビニレン)/エメラルジンベース/アルミニ
ウム 装置 PPy溶液がポリ(p−ピリジルビニレン)(PPyV)溶
液に置き換えられた以外は、実施例1の方法に従った。
PPyV溶液は1mlの蟻酸を20mgのPPyVに加えることにより
調製された。PPyVはMarsillaら、Polymer Preprints,33
(1),1196(1993).の方法に従い調製された。生じ
た溶液は、物質の溶解を確実にするため超音波処理され
た。
された。DC起動電圧は、順バイアスに対して約+5ボル
ト、逆バイアスに対して約−5ボルトであった。AC作動
電圧もまた±5ボルトであった。装置は約1Hz乃至約10K
hzの周波数範囲で機能した。装置は、人間の目に可視で
あるオレンジ色の光を放射した。AC及びDC起動電圧を、
表1に示す。
−ピリジルビニレン)/エメラルジンベース/金 装置 装置は、アルミニウム(Al)電極を金(Au)電極に置
き換えたこと以外、実施例1の方法に従って製造され
た。動作特性は、起動電圧がより高いこと以外は、実施
例1と同様であった。DC起動電圧は±10ボルト(順及び
逆バイアスに対して)であり、AC電圧もまた±10ボルト
であった。動作周波数及び光出力は、実施例1のものと
同様であった。
−ピリジルビニレン)/エメラルジンベース/金 装置 装置は、アルミニウム電極を金(Au)電極に置き換え
たこと以外、実施例1の方法に従って製造された。動作
試験の結果は、DC起動電圧が±11ボルト(順及び逆バイ
アス)で測定されたこと以外は、実施例2と同様であ
り、AC電圧もまた±11ボルトであった。動作周波数及び
光出力は、実施例2のものと同様であった。
リ(p−ピリジン)/ポリメチルメタクリレート/アル
ミニウム 装置 実施例1におけるEB溶液を、ポリメチルメタクリレー
ト(PMMA)溶液と置き換えた。溶液は、1mlのクロロフ
ォルム(CHCl3)を0.5mgのPMMAに加えることによって作
られた。PMMAはアルドリッチ社(ミルウォーキー、ウィ
スコンシン)より購入した。動作周波数及び光出力は、
実施例1のものと同様であった。DC及びAC起動電圧は±
15ボルトであった。
(4−ビフェニル)−5−(4−tert−ブチルフェニ
ル)−1,3,4−オキサジアゾール/ポリ(p−ピリジ
ン)/エメラルジンベース及び2−(4−tert−ブチル
フェニル)−1,3,4−オキサジアゾール/アルミニウム
装置 実施例1の方法に従って調製されたエメラルジンベー
ス(EB)溶液が、EBとポリブチルジアミン(poly−buty
l diamine)(PBD)との混合物から作られた溶液と置き
換えられた。最初に、N−メチルピロリドン(N−meth
ylpyrrolidone)(NMP)中の0.1%EB溶液が、1mgのEB粉
末と1mlのNMPとを混合することにより作られた。次に、
5%のPBD溶液が、50mgのPBDを1mlのNMPに混合すること
により作られた。最終的なEBとPBDの溶液は、50滴のEB
溶液を2滴のPBD溶液と混合することにより作られた。P
BDはアルドリッチ社(ミルウォーキー、ウィスコンシ
ン)より購入した。動作周波数及び光出力は、実施例1
のものと同様であった。DC及びAC作動電圧は、±12ボル
トであった。
リ(p−ピリジン)/エメラルジンベース/アルミニウ
ム 装置 エメラルジンベース(EB)絶縁体の対称な層の一つが
ポリメチルメタクリレート(PMMA)層に置き換えられる
ことによって、二つの極めて異なる絶縁材料が用いられ
ている構造を形成していること以外は、実施例1の方法
に従った。PMMA溶液は、2mlのクロロフォルムを50mgの
商業的に入手可能なPMMA粉末(アルドリッチ社;実施例
5参照)に加えることによって作られた。光出力及び動
作周波数(ACモード)は、実施例1のものと同様であっ
た。DC起動電圧は、順バイアスに対して約+8ボルト、
逆バイアスに対して約−8ボルトであった。以外なこと
に、非対称な電極を用いているにも関わらず、装置の動
作特性は対称で、異なる絶縁材料を用いた装置の対称的
な動作から明らかなように、絶縁材料の性質への依存は
現れない。
を用いることは可能であるが、それはかかる変換が好ま
しく典型的であると示された場合である。本発明の精神
から逸脱することなく、構成要素を互いに固定する様々
な手段を用いても良い。
示されているが、サイジング及び形状に関する改良は、
当業者にとっては明らかであり、そのような改良及び変
形は、開示された本発明及び添付する請求の範囲の領域
と同等であり、並びにかかる領域の範囲内であるとみな
される、とそれゆえに理解される。
開示されているが、実験方法の設計の改良は、当業者に
とっては明らかであり、そのような改良及び変形は、本
発明及び添付する請求の範囲の領域の範囲内であるとみ
なされる、ということも理解されるべきである。上記の
明細書に含まれる全ての事項は、例証として解釈され限
定的な意味ではない、ということもまた理解されなくて
はいけない。上記の明細書によってよりもむしろ添付の
請求の範囲によって示される本発明の領域、並びに請求
の範囲と同等の意義と範囲内にある全ての変化は、それ
ゆえにかかる領域に包含されるべきである。つまり、下
記の請求の範囲は、本明細書に記載の本発明の全ての包
括的及び特定の性質、並びに、言葉として、かかる請求
の範囲に含まれる本発明の領域の全ての言明、を包むも
のと解釈される。さらには、下記の請求の範囲におい
て、個別に列挙された構成要素又は化合物は、常識の範
囲内で、それぞれの作用に影響を及ぼさないかかる構成
要素の混合物を含むと解釈されることも、理解されるべ
きである。
Claims (24)
- 【請求項1】順方向及び逆方向の双方向で作動可能なバ
イポーラエレクトロルミネセンス装置であって: 1)エレクトロルミネセンス有機発光材料と; 2)前記エレクトロルミネセンス有機発光材料の一方の
側と接触する第1の電気絶縁延材料と; 3)前記エレクトロルミネセンス有機発光材料の他方の
側と接触する第2の電気絶縁材料と; 4)前記第1の電気絶縁材料と電気的に接触する第1の
電極と; 5)前記第2の電気絶縁材料と電気的に接触する第2の
電極と; 6)前記第1の電極と前記第2の電極とをいずれかの方
向に電源に電気的に接続する接続手段とを有する前記装
置。 - 【請求項2】前記第1の絶縁材料、前記第2の絶縁材
料、前記第1の電極、及び前記第2の電極の1つ以上が
少なくとも部分的に透明である請求項1記載のバイポー
ラエレクトロルミネセンス装置。 - 【請求項3】前記第1の電極又は前記第2の電極に接触
する基体をさらに有する請求項1又は請求項2記載のバ
イポーラエレクトロルミネセンス装置。 - 【請求項4】前記基体が少なくとも部分的に透明である
請求項3記載のバイポーラエレクトロミネセンス装置。 - 【請求項5】前記基体が、電気的に非導電性の材料から
形成される請求項3又は請求項4記載のバイポーラエレ
クトロルミネセンス装置。 - 【請求項6】前記電気的に非導電性の材料が、ガラス又
はプラスチックである請求項5記載のバイポーラエレク
トロルミネセンス装置。 - 【請求項7】前記第1の絶縁材料又は前記第2の絶縁材
料又は双方が、 1)セラミック絶縁材料、 2)有機絶縁材料又は 3)無機ポリマー絶縁材料 の1つ以上を有する請求項1乃至請求項6のいずれか1
項に記載のバイポーラエレクトロルミネセンス装置。 - 【請求項8】前記有機絶縁材料が、 a)共役ポリマー、 b)アクリルポリマー、 c)ナイロンポリマー、 d)ポリビニルカルバゾール、 e)コポリマー、 f)絶縁有機分子、 g)ホストポリマー内に分散されている絶縁有機分子、
又は h)有機絶縁材料の混合物、 の1つ以上を有する請求項7記載のバイポーラエレクト
ロルミネセンス装置。 - 【請求項9】前記共役ポリマーがポリアニリンポリマー
である請求項8記載のバイポーラエレクトロルミネセン
ス装置。 - 【請求項10】前記ポリアニリンポリマーがポリアニリ
ンエメラルジンベースである請求項9記載のバイポーラ
エレクトロルミネセンス装置。 - 【請求項11】前記アクリルポリマーがポリメチルメタ
クリレートである請求項8記載のバイポーラエレクトロ
ルミネセンス装置。 - 【請求項12】前記絶縁有機分子が2−(4−ビフェニ
ル)−5−(4−tert−ブチルフェニル−1,3,4−オキ
サジアゾール)である請求項8記載のバイポーラエレク
トロルミネセンス装置。 - 【請求項13】前記ホストポリマーがエメラルジンベー
ス又はポリビニルカルバゾールである請求項8記載のバ
イポーラエレクトロルミネセンス装置。 - 【請求項14】前記エレクトロルミネセンス有機発光材
料が、 1)エレクトロルミネセンス有機発光分子又は 2)エレクトロルミネセンス有機発光ポリマーである 請求項1乃至請求項13のいずれか1項に記載のバイポー
ラエレクトロルミネセンス装置。 - 【請求項15】前記エレクトロルミネセンス有機発光ポ
リマーが、 a)ポリピリジン、 b)ポリピリジルビニレン、 c)ポリフェニレン d)ポリフェニレンビニレン、 e)ポリチオフェン、 f)ポリビニルカルバゾール、 g)ポリフルオレン、 h)ポリナフタレンビニレン、 i)ポリフェニレンアセチレン、 j)ポリフェニレンジアセチレン、 k)ポリシアノテレフタリリデン、 l)ポリフェニレンベンゾビスチアゾール、 m)ポリベンズイミダゾベンゾフェナントロリン、 n)発光ポリマーのコポリマー、又は o)発光ポリマーの混合物 の1つ以上を含む請求項14に記載のバイポーラエレクト
ロルミネセンス装置。 - 【請求項16】前記ポリピリジンがポリ(p−ピリジ
ン)である請求項15に記載のバイポーラエレクトロルミ
ネセンス装置。 - 【請求項17】前記ポリフェニレンビニレンがポリ(p
−フェニレンビニレン)である請求項15に記載のバイポ
ーラエレクトロルミネセンス装置。 - 【請求項18】前記コポリマーがポリ(フェニレンビニ
レンピリジルビニレン)である請求項15に記載のバイポ
ーラエレクトロルミネセンス装置。 - 【請求項19】前記第1の電極又は前記第2の電極又は
双方が、 1)In−SnO2、 2)金属、 3)合金、 4)非金属導電体、又は 5)導電性有機ポリマー の1つ以上を含む請求項1乃至請求項18のいずれか1項
に記載のバイポーラエレクトロルミネセンス装置。 - 【請求項20】24ボルト未満の起動電圧を有する請求項
1乃至請求項19のいずれか1項に記載のバイポーラエレ
クトロルミネセンス装置。 - 【請求項21】6ボルト未満の起動電圧を有する請求項
1乃至請求項19のいずれか1項に記載のバイポーラエレ
クトロルミネセンス装置。 - 【請求項22】変調された光出力を有する請求項1乃至
請求項21のいずれか1項に記載のバイポーラエレクトロ
ルミネセンス装置。 - 【請求項23】前記変調された光出力が周波数が変調さ
れた光出力又は振幅が変調された光出力である請求項22
に記載のバイポーラエレクトロルミネセンス装置。 - 【請求項24】前記電源が交流電源である請求項1乃至
請求項23のいずれか1項に記載のバイポーラエレクトロ
ルミネセンス装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US396,465 | 1995-03-02 | ||
US08/396,465 US5858561A (en) | 1995-03-02 | 1995-03-02 | Bipolar electroluminescent device |
PCT/US1996/002721 WO1996026830A1 (en) | 1995-03-02 | 1996-02-29 | Bipolar electroluminescent device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10513603A JPH10513603A (ja) | 1998-12-22 |
JP3050604B2 true JP3050604B2 (ja) | 2000-06-12 |
Family
ID=23567281
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8526399A Expired - Fee Related JP3050604B2 (ja) | 1995-03-02 | 1996-02-29 | バイポーラエレクトロルミネセンス装置 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5858561A (ja) |
EP (1) | EP0812260B1 (ja) |
JP (1) | JP3050604B2 (ja) |
AT (1) | ATE231438T1 (ja) |
AU (1) | AU706846B2 (ja) |
CA (1) | CA2214437C (ja) |
DE (1) | DE69625895T2 (ja) |
DK (1) | DK0812260T3 (ja) |
ES (1) | ES2188745T3 (ja) |
WO (1) | WO1996026830A1 (ja) |
Families Citing this family (63)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5663573A (en) * | 1995-03-17 | 1997-09-02 | The Ohio State University | Bipolar electroluminescent device |
WO1996033593A1 (en) * | 1995-04-18 | 1996-10-24 | Cambridge Display Technology Limited | Manufacture of organic light emitting devices |
DE19539355A1 (de) * | 1995-10-23 | 1997-04-24 | Giesecke & Devrient Gmbh | Verfahren zur Echtheitsprüfung eines Datenträgers |
US6433355B1 (en) * | 1996-06-05 | 2002-08-13 | International Business Machines Corporation | Non-degenerate wide bandgap semiconductors as injection layers and/or contact electrodes for organic electroluminescent devices |
US6623870B1 (en) | 1996-08-02 | 2003-09-23 | The Ohio State University | Electroluminescence in light emitting polymers featuring deaggregated polymers |
JPH10199674A (ja) * | 1996-11-15 | 1998-07-31 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動方法、有機エレクトロルミネッセンス装置及び表示装置 |
ATE323749T1 (de) * | 1997-03-11 | 2006-05-15 | Univ Ohio State Res Found | Bipolare/ac lichtemittierende vorrichtungen mit variabler farbe |
GB9713074D0 (en) * | 1997-06-21 | 1997-08-27 | Cambridge Display Tech Ltd | Electrically-conducting colour filters for use in organic light-emitting displays |
GB9718393D0 (en) | 1997-08-29 | 1997-11-05 | Cambridge Display Tech Ltd | Electroluminescent Device |
EP0975027A2 (en) * | 1998-07-23 | 2000-01-26 | Sony Corporation | Light emitting device and process for producing the same |
JP3692844B2 (ja) * | 1998-07-24 | 2005-09-07 | セイコーエプソン株式会社 | 電界発光素子、及び電子機器 |
JP2000068065A (ja) * | 1998-08-13 | 2000-03-03 | Tdk Corp | 有機el素子 |
EP1116260A1 (en) * | 1998-09-04 | 2001-07-18 | Fed Corporation | Fabrication method for high resolution full color organic led displays |
GB9907120D0 (en) | 1998-12-16 | 1999-05-19 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic light-emissive devices |
JP2000215985A (ja) * | 1999-01-21 | 2000-08-04 | Tdk Corp | 有機el素子 |
JP2000268968A (ja) * | 1999-03-16 | 2000-09-29 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
GB2348316A (en) * | 1999-03-26 | 2000-09-27 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic opto-electronic device |
JP4252665B2 (ja) * | 1999-04-08 | 2009-04-08 | アイファイヤー アイピー コーポレイション | El素子 |
GB9913449D0 (en) | 1999-06-09 | 1999-08-11 | Cambridge Display Tech Ltd | Light-emitting devices |
JP2003504857A (ja) * | 1999-07-02 | 2003-02-04 | プレジデント・アンド・フェローズ・オブ・ハーバード・カレッジ | ナノスコピックワイヤを用いる装置、アレイおよびその製造方法 |
US6593690B1 (en) | 1999-09-03 | 2003-07-15 | 3M Innovative Properties Company | Large area organic electronic devices having conducting polymer buffer layers and methods of making same |
US20020036291A1 (en) * | 2000-06-20 | 2002-03-28 | Parker Ian D. | Multilayer structures as stable hole-injecting electrodes for use in high efficiency organic electronic devices |
US20020031602A1 (en) * | 2000-06-20 | 2002-03-14 | Chi Zhang | Thermal treatment of solution-processed organic electroactive layer in organic electronic device |
US6777532B2 (en) * | 2001-03-13 | 2004-08-17 | The Ohio State University | Polymers and oligomers, their synthesis, and electronic devices incorporating same |
US6459211B1 (en) * | 2001-08-28 | 2002-10-01 | Wintek Corporation | Damping/muffling structure for electroluminescent cell |
SG114514A1 (en) * | 2001-11-28 | 2005-09-28 | Univ Singapore | Organic light emitting diode (oled) |
SG176316A1 (en) | 2001-12-05 | 2011-12-29 | Semiconductor Energy Lab | Organic semiconductor element |
US7378124B2 (en) * | 2002-03-01 | 2008-05-27 | John James Daniels | Organic and inorganic light active devices and methods for making the same |
EP1367659B1 (en) * | 2002-05-21 | 2012-09-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic field effect transistor |
JP4454258B2 (ja) * | 2002-06-28 | 2010-04-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及び電気器具 |
SG119187A1 (en) * | 2002-06-28 | 2006-02-28 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and manufacturing method therefor |
US7034470B2 (en) * | 2002-08-07 | 2006-04-25 | Eastman Kodak Company | Serially connecting OLED devices for area illumination |
JP4493951B2 (ja) * | 2002-08-09 | 2010-06-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
TWI272874B (en) * | 2002-08-09 | 2007-02-01 | Semiconductor Energy Lab | Organic electroluminescent device |
EP1388903B1 (en) * | 2002-08-09 | 2016-03-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
US7015640B2 (en) * | 2002-09-11 | 2006-03-21 | General Electric Company | Diffusion barrier coatings having graded compositions and devices incorporating the same |
US7256427B2 (en) | 2002-11-19 | 2007-08-14 | Articulated Technologies, Llc | Organic light active devices with particulated light active material in a carrier matrix |
US7799369B2 (en) * | 2002-11-19 | 2010-09-21 | Daniels John J | Organic and inorganic light active devices and methods for making the same |
US6869698B2 (en) * | 2002-12-04 | 2005-03-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic light-emitting device using paracyclophane |
TWI229827B (en) * | 2003-02-10 | 2005-03-21 | Kwang-Hyun Hwang | Decorative illuminating apparatus |
US7511421B2 (en) * | 2003-08-25 | 2009-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Mixed metal and organic electrode for organic device |
US7217956B2 (en) * | 2004-03-29 | 2007-05-15 | Articulated Technologies, Llc. | Light active sheet material |
US7858994B2 (en) * | 2006-06-16 | 2010-12-28 | Articulated Technologies, Llc | Solid state light sheet and bare die semiconductor circuits with series connected bare die circuit elements |
US7259030B2 (en) * | 2004-03-29 | 2007-08-21 | Articulated Technologies, Llc | Roll-to-roll fabricated light sheet and encapsulated semiconductor circuit devices |
US7294961B2 (en) * | 2004-03-29 | 2007-11-13 | Articulated Technologies, Llc | Photo-radiation source provided with emissive particles dispersed in a charge-transport matrix |
US7427782B2 (en) | 2004-03-29 | 2008-09-23 | Articulated Technologies, Llc | Roll-to-roll fabricated light sheet and encapsulated semiconductor circuit devices |
US7052924B2 (en) * | 2004-03-29 | 2006-05-30 | Articulated Technologies, Llc | Light active sheet and methods for making the same |
KR20050108177A (ko) * | 2004-05-12 | 2005-11-16 | 삼성전기주식회사 | 맥동 전류를 이용하여 엘이디 소자의 광출력을 증가시키는방법 및 상기 방법을 이용한 엘이디 소자의 구동유닛 |
US20050282307A1 (en) * | 2004-06-21 | 2005-12-22 | Daniels John J | Particulate for organic and inorganic light active devices and methods for fabricating the same |
US7812522B2 (en) * | 2004-07-22 | 2010-10-12 | Ifire Ip Corporation | Aluminum oxide and aluminum oxynitride layers for use with phosphors for electroluminescent displays |
JP2006164708A (ja) | 2004-12-06 | 2006-06-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子機器および発光装置 |
TWI256855B (en) * | 2005-02-16 | 2006-06-11 | Au Optronics Corp | Silane compound, organic electroluminescent device and displaying panel using the same |
JP4462081B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2010-05-12 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el装置及びその駆動方法並びに電子機器 |
US8741442B2 (en) * | 2005-04-15 | 2014-06-03 | General Electric Company | Modified electrodes using functional organic materials and electronic devices therefrom |
US7476603B2 (en) * | 2005-06-07 | 2009-01-13 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Printing conductive patterns using LEP |
US20070128465A1 (en) * | 2005-12-05 | 2007-06-07 | General Electric Company | Transparent electrode for organic electronic devices |
WO2008131531A1 (en) * | 2007-04-30 | 2008-11-06 | Ifire Ip Corporation | Laminated thick film dielectric structure for thick film dielectric electroluminescent displays |
US8598788B2 (en) * | 2008-09-10 | 2013-12-03 | Chimei Innolux Corporation | System for displaying images |
US8277074B2 (en) * | 2009-01-21 | 2012-10-02 | Wells William K | Portable light apparatus and method of attachment |
JP5478147B2 (ja) * | 2009-08-19 | 2014-04-23 | リンテック株式会社 | 発光シート及びその製造方法 |
CN105161629B (zh) * | 2015-08-18 | 2018-07-03 | Tcl集团股份有限公司 | 交流驱动qled及其制备方法 |
CN111257582A (zh) | 2016-03-18 | 2020-06-09 | 深圳迈瑞生物医疗电子股份有限公司 | 样本分析仪及其样本分析方法 |
CN107623079B (zh) * | 2017-10-31 | 2021-01-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled器件及其制备方法、oled显示基板和装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4439910A (en) * | 1980-09-29 | 1984-04-03 | Hughes Aircraft Company | Process for fabrication of monolithic transistor coupled electroluminescent diode |
US4613793A (en) * | 1984-08-06 | 1986-09-23 | Sigmatron Nova, Inc. | Light emission enhancing dielectric layer for EL panel |
US5079334A (en) * | 1988-05-13 | 1992-01-07 | The Ohio State University Research Foundation | Electromagnetic radiation absorbers and modulators comprising polyaniline |
JPH0750632B2 (ja) * | 1988-06-10 | 1995-05-31 | シャープ株式会社 | 薄膜el素子 |
US4967251A (en) * | 1988-08-12 | 1990-10-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film electroluminescent device containing gadolinium and rare earth elements |
US5027040A (en) * | 1988-09-14 | 1991-06-25 | Daichi Company, Ltd. | EL operating power supply circuit |
CA1302547C (en) * | 1988-12-02 | 1992-06-02 | Jerzy A. Dobrowolski | Optical interference electroluminescent device having low reflectance |
JP3300069B2 (ja) * | 1992-11-19 | 2002-07-08 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US5504323A (en) * | 1993-12-07 | 1996-04-02 | The Regents Of The University Of California | Dual function conducting polymer diodes |
US5663573A (en) * | 1995-03-17 | 1997-09-02 | The Ohio State University | Bipolar electroluminescent device |
-
1995
- 1995-03-02 US US08/396,465 patent/US5858561A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-02-29 AT AT96908566T patent/ATE231438T1/de not_active IP Right Cessation
- 1996-02-29 WO PCT/US1996/002721 patent/WO1996026830A1/en active IP Right Grant
- 1996-02-29 AU AU51771/96A patent/AU706846B2/en not_active Ceased
- 1996-02-29 ES ES96908566T patent/ES2188745T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1996-02-29 JP JP8526399A patent/JP3050604B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-02-29 DE DE69625895T patent/DE69625895T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-02-29 DK DK96908566T patent/DK0812260T3/da active
- 1996-02-29 CA CA002214437A patent/CA2214437C/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-02-29 EP EP96908566A patent/EP0812260B1/en not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
POLYMER,Vol24,p748−754(1983) |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA2214437A1 (en) | 1996-09-06 |
EP0812260B1 (en) | 2003-01-22 |
DE69625895T2 (de) | 2003-11-20 |
ES2188745T3 (es) | 2003-07-01 |
CA2214437C (en) | 2000-08-01 |
ATE231438T1 (de) | 2003-02-15 |
DE69625895D1 (de) | 2003-02-27 |
WO1996026830A1 (en) | 1996-09-06 |
EP0812260A4 (en) | 1998-06-10 |
JPH10513603A (ja) | 1998-12-22 |
AU706846B2 (en) | 1999-06-24 |
DK0812260T3 (da) | 2003-05-05 |
EP0812260A1 (en) | 1997-12-17 |
AU5177196A (en) | 1996-09-18 |
US5858561A (en) | 1999-01-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3050604B2 (ja) | バイポーラエレクトロルミネセンス装置 | |
JP3050605B2 (ja) | バイポーラエレクトロルミネセンス装置 | |
KR101215280B1 (ko) | 조명 장치 | |
EP1010359B1 (en) | Color variable bipolar/ac light-emitting devices | |
Yu et al. | Blue polymer light-emitting diodes from poly (9, 9-dihexylfluorene-alt-co-2, 5-didecyloxy-para-phenylene) | |
JP4112007B2 (ja) | フォトルミネセンスおよびエレクトロルミネセンス用材料としてのポリフルオレン | |
KR20010041913A (ko) | 전자발광 장치 및 그 제조방법 | |
JP2004095546A (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子 | |
WO1997032452A1 (en) | Long operating life for polymer light-emitting diodes | |
Yu et al. | Planar light-emitting devices fabricated with luminescent electrochemical polyblends | |
JP2005537348A (ja) | 高効率の画素化高分子エレクトロルミネセンス・デバイス用の高抵抗ポリアニリン・ブレンド | |
JP2004095549A (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子 | |
Edwards et al. | Blue photo-and electroluminescence from poly (benzoyl-1, 4-phenylene) | |
AU690446C (en) | Bipolar electroluminescent device | |
KR100263756B1 (ko) | 고성능폴리이미드를이용한적색유기전기발광소자의제조방법 | |
AU6554898A (en) | Bilayer polymer electroluminescent device featuring interface electroluminescence | |
Inganäs | Making polymer light emitting diodes with polythiophenes | |
JP4341393B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080331 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090331 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100331 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110331 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120331 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120331 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130331 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140331 Year of fee payment: 14 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |