JP4454258B2

JP4454258B2 - 発光装置及び電気器具

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Publication number: JP4454258B2
Application number: JP2003183327A
Authority: JP
Inventors: 哲史瀬尾; 寛子山崎
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2002-06-28
Filing date: 2003-06-26
Publication date: 2010-04-21
Anticipated expiration: 2023-06-26
Also published as: JP2004087477A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一対の電極間に有機化合物を含む膜（以下、「電界発光膜」と記す）を設けた素子に電界を加えることで、蛍光又は燐光が得られる発光素子を用いた発光装置及びその作製方法に関する。尚、本発明における発光装置とは、発光素子を用いた画像表示デバイス、発光デバイスもしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光素子にコネクター、例えばＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）もしくはＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープもしくはＴＣＰ（Tape Carrier Package）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にＣＯＧ（Chip On Glass）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。
【０００２】
【従来の技術】
薄型軽量、高速応答性、直流低電圧駆動などの特徴を有する材料を発光体として用いた発光素子は、次世代のフラットパネルディスプレイへの応用が期待されている。特に、発光素子をマトリクス状に配置した発光装置は、従来の液晶表示装置と比較して、視野角が広く視認性が優れる点に優位性があると考えられている。
【０００３】
発光素子の発光機構は、一対の電極間に電界発光膜を挟んで電圧を印加することにより、陰極から注入された電子および陽極から注入された正孔が電界発光膜中の発光中心で再結合して分子励起子を形成し、その分子励起子が基底状態に戻る際にエネルギーを放出して発光するといわれている。励起状態には一重項励起と三重項励起が知られ、発光はどちらの励起状態を経ても可能であると考えられている。
【０００４】
このような発光装置には、パッシブマトリクス駆動（単純マトリクス型）とアクティブマトリクス駆動（アクティブマトリクス型）といった駆動方法を用いることが可能である。しかし、画素密度が増えた場合には、画素（又は１ドット）毎にスイッチが設けられているアクティブマトリクス型の方が低電圧駆動できるので有利であると考えられている。
【０００５】
アクティブマトリクス型の発光装置としては、絶縁表面上に薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴとよぶ）を形成した後、ＴＦＴ上に形成された層間絶縁膜を介してＴＦＴと電気的に接続された発光素子が形成されるのが一般的である。なお、発光素子は陽極、電界発光膜および陰極とから形成されている。
【０００６】
また、これまでアクティブマトリクス型の発光装置としては、ＴＦＴと電気的に接続された電極は陽極であり、陽極上に電界発光膜、陰極を順次積層して形成される発光素子（順積み型）において、電界発光膜において生じた光を陽極からＴＦＴ側（すなわち基板側）へ取り出す構造（下面出射構造）が主流である。従って、この場合における陽極材料としては、イオン化ポテンシャル（金属の場合は仕事関数と同値）が大きい上に可視光を透過する導電性材料が用いられており、代表的には、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）がある。
【０００７】
しかし、この構造においては、解像度を向上させようとすると画素部におけるＴＦＴ及び配線等の配置により開口率が制限されるという問題が生じることから近年、陰極側（基板と反対側であって、電界発光膜上に後から形成される電極側）から光を取り出すという構造（上面出射構造）が注目されつつある（例えば、特許文献１参照。）。
【０００８】
【特許文献１】
特開２００１−４３９８０号公報。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上面出射構造の発光装置の作製において、先に説明したような順積み型を形成する場合に発光素子の陽極材料として適するＩＴＯ等の透明導電膜を用いると、可視光を透過するがゆえに基板側で光漏れを起こしてしまう等の問題が生じる。従って、イオン化ポテンシャルが大きく導電性があるというメリットを理由に、順積み型の上面出射型素子の陽極として透明導電膜を用いる場合は、その下に光を透過しない材料を成膜するなどの光の遮断が必要となり、プロセスは煩雑になってしまう。
【００１０】
また、順積み型の上面出射構造を有する発光素子の陽極として金属膜を用いる場合には、光を遮断することはできるが、ＩＴＯほどイオン化ポテンシャルが大きい材料となると金や白金のような貴金属になるため、コスト的に問題が生じる。また、金属と電界発光膜を形成する材料との密着性が悪いといった問題がある。
【００１１】
一方、ＴＦＴと電気的に接続された電極が陰極であり、陰極上に電界発光膜、陽極を順次積層して形成される発光素子（逆積み型）で上面出射構造を形成すれば、陽極にはＩＴＯを用いればよいため、上面から光を取り出すことに関しては容易となる。しかしながらこの場合、陰極としてはイオン化ポテンシャルの小さい金属を使用することになるため、電界発光膜を形成する材料との密着性が悪く、電子注入が行われにくいといった問題がある。
【００１２】
つまり、上面出射構造を有する発光素子においては、順積み・逆積みいずれの場合においても、電極のイオン化ポテンシャルという制限のために上述したような困難が生じている。
【００１３】
そこで本発明では、上面出射構造を有する発光素子において、電極（特に基板に接している側の電極）のイオン化ポテンシャルを考慮することなく、容易に作製される発光素子およびその作製方法を提供することを目的とする。また、この発光素子を利用し、高効率で、かつ安価に作製できる発光装置を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明者は、図１（Ａ）に示すように仕事関数を問題とすることなく遮光性または反射性を有する汎用金属（具体的にはＴｉやＡｌなどの配線材料）により形成された第１の電極１０１と、第１の電極１０１上に導電性を有する高分子材料を塗布して形成された導電性高分子層１０２と、導電性高分子層１０２と接して形成された電界発光膜１０３と、電界発光膜１０３上に形成された透光性を有する第２の電極１０４とからなる上面出射構造の発光装置を考えた。
【００１５】
なお、本発明では導電性高分子層１０２を形成する材料として、導電性高分子層１０２と接する第１の電極１０１からキャリアを引き抜く機能を有するレドックスポリマー（酸化還元性高分子）や、キャリアの存在確率を高めるためにドーパント（ドナーまたはアクセプター）がドーピングされたポリマーを用いることを特徴とする。
【００１６】
なお、導電性高分子層１０２にレドックスポリマーを用いた場合には、図１（Ｂ）に示すような反応が第１の電極１０１との界面において生じる。まず、第１の電極１０１が陽極の場合には、レドックスポリマーが還元剤として機能するため、第１の電極１０１との界面において、第１の電極からホール（正孔）を引き抜くように（言い換えれば、電子を放出するように）働き、自身はキャリア（ホール）として存在することになる。一方、第１の電極１０１が陰極の場合には、レドックスポリマーが酸化剤として機能するため、第１の電極１０１との界面において、第１の電極１０１から電子を引き抜くように働き、自身はキャリア（電子）として存在することになる。従って、第１の電極１０１が陽極または陰極のいずれの場合であっても、レドックスポリマーが第１の電極１０１からキャリアを引き抜くために働くので、第１の電極１０１からのキャリアの注入性を高めることができる。
【００１７】
また、導電性高分子層１０２にドーパントがドープされたポリマーを用いる場合において、第１の電極１０１が陽極の場合には、ドーパントとしてアクセプター性分子がドープされたポリマーを用い、第１の電極１０１が陰極の場合には、ドーパントとしてドナー性分子がドープされたポリマーを用いる。
【００１８】
図１（Ｃ）には、導電性高分子層１０２にアクセプター性分子がドープされた場合の概念図を示す。この場合、第１の電極（陽極）１０１は、導電性高分子中に存在するアクセプター準位から電子の引き抜きを行い、同時にアクセプター準位にホールを導電性高分子層中に注入する。なお、注入されたホールは、導電性高分子層におけるＨＯＭＯ準位に移動し、さらに、電界発光膜１０３のＨＯＭＯ準位に移動する。なお、この場合において、第１の電極１０１から導電性高分子層への移動は、エネルギー差がほとんどないところで行われるために容易に行われる。また、注入されたホールがアクセプター準位から電界発光膜１０３のＨＯＭＯ準位へ移動する場合も直接第１の電極１０１から注入される場合に比べてエネルギー差が緩和されているので、第１の電極からのホールの注入性を向上させることができる。
【００１９】
また、図１（Ｄ）には、導電性高分子層１０２にドナー性分子がドープされた場合の概念図を示す。この場合、第１の電極（陰極）１０１から導電性高分子層１０２中に存在するドナー準位に電子の注入が行われる。なお、注入された電子は、導電性高分子層１０２におけるＬＵＭＯ準位に移動し、さらに、電界発光膜１０３のＬＵＭＯ準位に移動する。なお、この場合において、第１の電極１０１から導電性高分子層への移動は、エネルギー差がほとんどないところで行われるために容易に行われる。また、注入された電子が導電性高分子層１０２におけるＬＵＭＯ準位から電界発光膜１０３のＬＵＭＯ準位へ移動する場合も直接第１の電極１０１から注入される場合に比べてエネルギー差が緩和されているので第１の電極からの電子の注入性を向上させることができる。
【００２０】
なお、本発明の構成は、第１の電極、導電性高分子層、電界発光膜、および第２の電極を有する発光装置であって、前記導電性高分子層は、レドックスポリマーからなり、かつ前記第１の電極及び前記電界発光膜の間に接して形成され、前記第２の電極は透明性導電膜からなることを特徴とする発光装置である。
【００２１】
なお、上記構成において、前記第１の電極を陽極として機能させる場合には、電界発光膜を構成する正孔輸送層および電子輸送層のうち、正孔輸送層が導電性高分子層と接する構造を有し、前記第２の電極を仕事関数の小さい材料（具体的には、仕事関数が３．５ｅＶ以下が好ましい）で形成することを特徴とする。
【００２２】
また、上記構成において、前記第１の電極を陰極として機能させる場合には、電界発光膜を構成する正孔輸送層および電子輸送層のうち、電子輸送層が導電性高分子層と接する構造を有し、前記第２の電極を仕事関数の大きい材料（具体的には、仕事関数が４．０ｅＶ以上が好ましい）で形成することを特徴とする。
【００２３】
さらに本発明の他の構成は、第１の電極、導電性高分子層、電界発光膜、および第２の電極からなる発光素子を有する発光装置であって、前記第１の電極は陽極として機能し、前記導電性高分子層は、アクセプター材料がドーピングされた導電性高分子材料からなり、かつ前記第１の電極及び前記電界発光膜の間に接して形成され、前記第２の電極は透明性導電膜からなることを特徴とする発光装置である。
【００２４】
なお、上記構成において、前記第１の電極を陽極として機能させる場合には、第１の電極を仕事関数の大きい材料で形成することが好ましく、電界発光膜を構成する正孔輸送層および電子輸送層のうち、電子輸送層が導電性高分子層と接する構造を有し、前記第２の電極を仕事関数の小さい材料で形成することを特徴とする。
【００２５】
さらに本発明の他の構成は、第１の電極、導電性高分子層、電界発光膜、および第２の電極からなる発光素子を有する発光装置であって、前記第１の電極は陰極として機能し、前記導電性高分子層は、ドナー材料がドーピングされた導電性高分子材料からなり、かつ前記第１の電極及び前記電界発光膜の間に接して形成され、前記第２の電極は透明性導電膜からなることを特徴とする発光装置である。
【００２６】
なお、上記構成において、前記第１の電極を陰極として機能させる場合には、第１の電極を仕事関数の小さい材料で形成することが好ましく、電界発光膜を構成する正孔輸送層および電子輸送層のうち、正孔輸送層が導電性高分子層と接する構造を有し、前記第２の電極を仕事関数の大きい材料で形成することを特徴とする。
【００２７】
上記各構成において、電界発光膜は、公知の材料を用いることができ、低分子系または高分子系の有機材料、および無機材料を単層もしくは複数組み合わせて積層することにより形成される。
【００２８】
以上のような構成とすることで、導電性高分子層と接して形成される電極材料の仕事関数を従来のように気にすることなく発光素子を形成することができるので、電極材料の選択の幅を広げることができる。例えば、ＴＦＴと接続された発光素子を有する発光装置を作製する場合には、ＴＦＴと発光素子を電気的に接続するための配線を発光素子の電極として用いることもできるため、電極を配線と別工程で作製する場合に比べて、プロセスを簡略化することができるので低コスト化を実現すると共に、歩留まりの向上が可能となる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態について説明する。
（実施の形態１）
本実施の形態１においては、図２（Ａ）に示すように第１の電極２０１上に導電性高分子層としてレドックスポリマーからなるレドックスポリマー層２０２が形成され、レドックスポリマー層２０２上に電界発光膜２０３が形成され、その上に第２の電極２０４が形成される場合について説明する。
【００３０】
なお、第１の電極２０１は陽極として機能する電極であるため、通常は仕事関数の大きい陽極材料で形成されるが、ここでは第１の電極２０１がレドックスポリマー層２０２と接して形成されるため、特に仕事関数の大きい材料を用いる必要はないが、本発明において、第１の電極２０１に遮光性、もしくは反射性を持たせるような金属材料を用いることが好ましい。具体的には、図２（Ｂ）で示すようにＡｌを１２０ｎｍ程度の膜厚で形成することができる。
【００３１】
次に、第１の電極２０１上にレドックスポリマー層２０２が形成される。なお、レドックスポリマー層２０２を形成する材料としては、エメラルディン・ベース・ポリアニリン（以下、ＥＢ−ＰＡｎｉと示す）を用いることができ、２０〜５０ｎｍ（好ましくは３０ｎｍ）の膜厚で形成される。なお、その他、公知のレドックスポリマーを用いることも可能である。
【００３２】
次に、レドックスポリマー層２０２上に電界発光膜２０３が形成される。電界発光膜２０３は、単一の材料で形成されていても良いが、複数の材料によって形成された積層構造としても良い。
【００３３】
なお、積層構造の場合には、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層（ブロッキング層）、電子輸送層、電子注入層などの各機能を有する層を組み合わせて、少なくとも発光性を有する層を含む構成にすればよい。
【００３４】
本実施の形態１では、図２（Ｂ）に示すように電界発光膜２０３を正孔輸送層２１１および電子輸送層２１２との積層構造で形成することとする。具体的には、正孔輸送層２１１は正孔輸送性の材料である４，４'−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（以下、α−ＮＰＤと示す）を５０ｎｍの膜厚とし、電子輸送層２１２を電子輸送性の材料であるトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（以下、Ａｌｑ₃と示す）を５０ｎｍの膜厚とすることにより形成する。なお、この積層構造の場合には、電子輸送層２１２を形成するＡｌｑ₃が発光性を有する。
【００３５】
次に、電界発光膜２０３上に第２の電極２０４が形成される。なお、第２の電極２０４は陰極として機能する電極であるため仕事関数の小さい陰極材料で形成される。なお、陰極２０４は、単一の材料で形成された単層構造であっても良いが、複数の材料からなる積層構造で形成されていても良い。本実施の形態１では、図２（Ｂ）に示すようにフッ化リチウム（ＬｉＦ）を２ｎｍ、アルミニウム（Ａｌ）を２０ｎｍの膜厚としたものを積層することにより陰極２０４が形成される場合について示す。なお、この場合には、ＬｉＦを用いることにより陰極２０４の仕事関数を小さくすることができると共に、Ａｌを用いることにより陰極２０４の導電性を高めるという複数の機能を兼ね備えた電極形成が実現される。なお、陰極材料としては、仕事関数の小さい公知の材料を自由に組み合わせて用いることができる。
【００３６】
また、ここで形成される第２の電極２０４は電界発光膜２０３で生じた光を透過して、外部に放出させる必要があることから、可視光が透過する程度の透過率を確保する必要がある。具体的には、可視光の透過率が３０％以上であることが好ましい。
【００３７】
（実施の形態２）
本実施の形態２では、図３（Ａ）に示すように第１の電極３０１上に導電性高分子層としてポリマーにドーパントがドープされたドーピング層３０２が形成され、その上に第２の電極３０４が形成される場合について説明する。
【００３８】
本実施の形態２においても実施の形態１と同様に第１の電極３０１は陽極として機能する電極である。なお、第１の電極３０１を形成する材料としては、仕事関数の大きい材料（具体的には、仕事関数が４．０ｅＶ以上の材料）を用いることが好ましい。
【００３９】
次に、第１の電極３０１上にドーピング層３０２が形成される。なお、本実施の形態２におけるドーピング層３０２は、ｐ型であり、高分子材料とアクセプター性分子であるドーパントを用いて形成する。具体的には、高分子材料であるポリエチレンジオキシチオフェン（以下、ＰＥＤＯＴと示す）にポリスチレンスルホン酸（以下、ＰＳＳと示す）をドーピングしたものを用いることができ、２０〜５０ｎｍ（好ましくは、３０ｎｍ）の膜厚で形成される。なお、高分子材料およびアクセプター性分子であるドーパントとしてその他の公知の材料を用いることも可能である。
【００４０】
次にドーピング層３０２上に電界発光膜３０３が形成される。電界発光膜３０３は、単一の材料で形成されていても良いが、複数の材料によって形成された積層構造としても良い。
【００４１】
なお、積層構造の場合には、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層（ブロッキング層）、電子輸送層、電子注入層などの各機能を有する層を組み合わせて、少なくとも発光性を有する層を含む構成にすればよい。
【００４２】
本実施の形態２では、図３（Ｂ）に示すように電界発光膜３０３を正孔輸送層３１１および電子輸送層３１２との積層構造で形成することとする。具体的には、正孔輸送層３１１は正孔輸送性の材料であるα−ＮＰＤを５０ｎｍの膜厚とし、電子輸送層３１２を電子輸送性の材料であるＡｌｑ₃を５０ｎｍの膜厚とすることにより形成する。なお、この積層構造の場合には、電子輸送層３１２を形成するＡｌｑ₃が発光性を有する。
【００４３】
次に、電界発光膜３０３上に第２の電極３０４が形成される。なお、第２の電極３０４は陰極として機能する電極であるため仕事関数の小さい陰極材料で形成される。なお、陰極３０４は、単一の材料で形成された単層構造であっても良いが、複数の材料からなる積層構造で形成されていても良い。本実施の形態２では、図３（Ｂ）に示すようにＬｉＦを２ｎｍ、Ａｌを２０ｎｍの膜厚としたものを積層することにより陰極３０４が形成される場合について示す。この場合には、ＬｉＦを用いることにより陰極３０４の仕事関数を小さくすることができると共に、Ａｌを用いることにより陰極３０４の導電性を高めるという複数の機能を兼ね備えた電極形成が実現される。なお、陰極材料としては、仕事関数の小さい公知の材料を自由に組み合わせて用いることができる。
【００４４】
また、ここで形成される第２の電極３０４は電界発光膜で生じた光を透過して、外部に放出させる必要があることから、可視光が透過する程度の透過率を確保する必要がある。具体的には、可視光の透過率が３０％以上であることが好ましい。
【００４５】
（実施の形態３）
本実施の形態３においては、図４（Ａ）に示すように第１の電極４０１上に導電性高分子層としてレドックスポリマーからなるレドックスポリマー層４０２が形成され、レドックスポリマー層４０２上に電界発光膜４０３が形成され、その上に第２の電極４０４が形成される場合について説明する。
【００４６】
なお、第１の電極４０１は陰極として機能する電極であるため、通常は仕事関数の小さい陰極材料で形成されるが、ここでは第１の電極４０１がレドックスポリマー層４０２と接して形成されるため、特に仕事関数の小さい材料を用いる必要はないが、本発明において、第１の電極４０１に遮光性、もしくは反射性を持たせるような金属材料を用いることが好ましい。具体的には、図４（Ｂ）で示すようにＡｌを１２０ｎｍ程度の膜厚で形成することができる。
【００４７】
次に、第１の電極４０１上にレドックスポリマー層４０２が形成される。なお、レドックスポリマー層４０２を形成する材料としては、ＥＢ−ＰＡｎｉを用いることができ、２０〜５０ｎｍ（好ましくは３０ｎｍ）の膜厚で形成される。なお、その他、公知のレドックスポリマーを用いることも可能である。
【００４８】
次に、レドックスポリマー層４０２上に電界発光膜４０３が形成される。電界発光膜４０３は、単一の材料で形成されていても良いが、複数の材料によって形成された積層構造としても良い。
【００４９】
なお、積層構造の場合には、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層（ブロッキング層）、電子輸送層、電子注入層などの各機能を有する層を組み合わせて、少なくとも発光性を有する層を含む構成にすればよい。
【００５０】
本実施の形態３では、図４（Ｂ）に示すように電界発光膜４０３を電子輸送層４１１、正孔輸送層４１２、および正孔注入層４１３との積層構造で形成することとする。具体的には、電子輸送層４１１は電子輸送性の材料であるＡｌｑ₃を５０ｎｍの膜厚とし、正孔輸送層４１２は正孔輸送性の材料であるα−ＮＰＤを３０ｎｍの膜厚とし、正孔注入層４３は正孔輸送性の材料である銅フタロシアニン（以下、Ｃｕ−Ｐｃと示す）を２０ｎｍの膜厚とすることにより形成する。なお、この積層構造の場合には、電子輸送層４１１を形成するＡｌｑ₃が発光性を有する。
【００５１】
次に、電界発光膜４０３上に第２の電極４０４が形成される。なお、第２の電極４０４は陽極として機能する電極であるため仕事関数の大きい陽極材料で形成される。なお、第２の電極４０４は、単一の材料で形成された単層構造であっても良いが、複数の材料からなる積層構造で形成されていても良い。本実施の形態３では、図４（Ｂ）に示すように金（Ａｕ）を２０ｎｍの膜厚としたものを積層することにより第２の電極４０４が形成される場合について示す。なお、第２の電極４０４に用いる陽極材料としては、仕事関数の大きい公知の材料を自由に組み合わせて用いることができる。
【００５２】
また、ここで形成される第２の電極４０４は電界発光膜４０３で生じた光を透過して、外部に放出させる必要があることから、可視光が透過する程度の透過率を確保する必要がある。具体的には、可視光の透過率が３０％以上であることが好ましい。
【００５３】
（実施の形態４）
本実施の形態４では、図５（Ａ）に示すように第１の電極５０１上に導電性高分子層としてポリマーにドーパントがドープされたドーピング層５０２が形成され、その上に第２の電極５０４が形成される場合について説明する。
【００５４】
本実施の形態４においても実施の形態３と同様に第１の電極５０１は陰極として機能する電極である。なお、第１の電極５０１を形成する材料としては、仕事関数の小さい材料（具体的には、仕事関数が３．５ｅＶ以下の材料）を用いることが好ましい。
【００５５】
次に、第１の電極５０１上にドーピング層５０２が形成される。なお、本実施の形態４におけるドーピング層５０２は、ｎ型であり、高分子材料とドナー性分子であるドーパントを用いて形成する。具体的には、高分子材料でありレドックスポリマーでもあるＥＢ−ＰＡｎｉにテトラチアフルバレン（以下、ＴＴＦと示す）をドーピングしたものを用いることができ、２０〜５０ｎｍ（好ましくは、３０ｎｍ）の膜厚で形成される。なお、高分子材料およびドナー性分子であるドーパントとしてその他の公知の材料を用いることも可能である。
【００５６】
次にドーピング層５０２上に電界発光膜５０３が形成される。電界発光膜５０３は、単一の材料で形成されていても良いが、複数の材料によって形成された積層構造としても良い。
【００５７】
なお、積層構造の場合には、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層（ブロッキング層）、電子輸送層、電子注入層などの各機能を有する層を組み合わせて、少なくとも発光性を有する層を含む構成にすればよい。
【００５８】
本実施の形態４では、図５（Ｂ）に示すように電界発光膜５０３を電子輸送層５１１、正孔輸送層５１２、および正孔注入層５１３との積層構造で形成することとする。具体的には、電子輸送層５１１は電子輸送性の材料であるＡｌｑ₃を５０ｎｍの膜厚とし、正孔輸送層５１２は正孔輸送性の材料であるα−ＮＰＤを３０ｎｍの膜厚とし、正孔注入層５１３は正孔注入性の材料であるＣｕ−Ｐｃを２０ｎｍの膜厚とすることにより形成する。なお、この積層構造の場合には、電子輸送層５１１を形成するＡｌｑ₃が発光性を有する。
【００５９】
次に、電界発光膜５０３上に第２の電極５０４が形成される。なお、第２の電極５０４は陽極として機能する電極であるため仕事関数の大きい陽極材料で形成される。なお、第２の電極５０４は、単一の材料で形成された単層構造であっても良いが、複数の材料からなる積層構造で形成されていても良い。本実施の形態４では、図５（Ｂ）に示すようにＡｕを２０ｎｍの膜厚とすることにより形成される。
【００６０】
また、ここで形成される第２の電極５０４は電界発光膜５０３で生じた光を透過して、外部に放出させる必要があることから、可視光が透過する程度の透過率を確保する必要がある。具体的には、可視光の透過率が３０％以上であることが好ましい。
【００６１】
【実施例】
以下に、本発明の実施例について説明する。
【００６２】
（実施例１）
本実施例では、絶縁表面を有する基板上に形成されたＴＦＴと発光素子が接続された発光パネルを作製する例を図６に示す。本実施例では画素部において発光素子と接続される一つのＴＦＴの断面図を示す。
【００６３】
まず、絶縁表面を有する基板６０１上に半導体層を形成する。なお、ここでは図示しないが基板６０１上に酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜などの絶縁膜の積層からなる下地絶縁膜を形成することもできる。
【００６４】
半導体層は、非晶質構造を有する半導体膜を公知の手段（スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等）により成膜した後、公知の結晶化処理（レーザー結晶化法、熱結晶化法、またはニッケルなどの触媒を用いた熱結晶化法等）を行って得られた結晶質半導体膜を所望の形状にパターニングして形成する。この半導体層の厚さは２５〜８０ｎｍ（好ましくは３０〜６０ｎｍ）の厚さで形成する。結晶質半導体膜の材料に限定はないが、好ましくはシリコンまたはシリコンゲルマニウム合金などで形成すると良い。
【００６５】
また、レーザー結晶化法で結晶質半導体膜を作製する場合には、パルス発振型または連続発光型のエキシマレーザーやＹＡＧレーザー、ＹＶＯ₄レーザーを用いることができる。これらのレーザーを用いる場合には、レーザー発振器から放射されたレーザー光を光学系で線状に集光し半導体膜に照射する方法を用いると良い。結晶化の条件は実施者が適宣選択するものであるが、エキシマレーザーを用いる場合はパルス発振周波数３０Ｈｚとし、レーザーエネルギー密度を１００〜４００ｍＪ／ｃｍ²（代表的には２００〜３００ｍＪ／ｃｍ²）とする。また、ＹＡＧレーザーを用いる場合にはその第２高調波を用いパルス発振周波数１〜１０ｋＨｚとし、レーザーエネルギー密度を３００〜６００ｍＪ／ｃｍ²（代表的には３５０〜５００ｍＪ／ｃｍ²）とすると良い。そして幅１００〜１０００μｍ、例えば４００μｍで線状に集光したレーザー光を基板全面に渡って照射し、この時の線状レーザー光の重ね合わせ率（オーバーラップ率）を８０〜９８％として行えばよい。
【００６６】
次いで、半導体層の表面をフッ酸を含むエッチャントで洗浄し、半導体層を覆うゲート絶縁膜６０５を形成する。ゲート絶縁膜６０５はプラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを４０〜１５０ｎｍとしてシリコンを含む絶縁膜で形成する。本実施例では、プラズマＣＶＤ法により１１５ｎｍの厚さで酸化窒化シリコン膜（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝５９％、Ｎ＝７％、Ｈ＝２％）で形成する。勿論、ゲート絶縁膜は酸化窒化シリコン膜に限定されるものでなく、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。
【００６７】
次いで、ゲート絶縁膜６０５の表面を洗浄した後、ゲート電極６０６を形成し、さらに半導体にｐ型を付与する不純物元素（Ｂ：ボロンなど）、ここではボロンを適宜添加して、ソース領域６０３及びドレイン領域６０４を形成する。なお、不純物元素を添加した後、不純物元素を活性化するために加熱処理、強光の照射、またはレーザー光の照射を行う。また、活性化と同時にゲート絶縁膜へのプラズマダメージやゲート絶縁膜と半導体層との界面へのプラズマダメージを回復することができる。特に、室温〜３００℃の雰囲気中において、表面または裏面からＹＡＧレーザーの第２高調波を照射して不純物元素を活性化させることは非常に有効である。ＹＡＧレーザーはメンテナンスが少ないため好ましい活性化手段である。
【００６８】
次いで、有機材料または無機材料からなる層間絶縁膜６０８を形成する。なお、ここでは、層間絶縁膜６０８を非感光性の有機樹脂膜で形成した後、窒化珪素膜からなる保護膜６０９を形成する場合について示す。
【００６９】
次いで、ソース領域６０３、またはドレイン領域６０４に達するコンタクトホールを形成する。次いで、ソース領域６０３またはドレイン領域６０４と接続された配線６０７を形成してＴＦＴ６２２（ｐチャネル型ＴＦＴ）を完成させる。このＴＦＴ６２２が発光素子６１６に供給する電流を制御するＴＦＴとなる。なお、本実施例においては、ドレイン領域６０４と接続された配線は、次に形成される発光素子６１６の第１の電極６１１としての機能も有する。
【００７０】
この第１の電極６１１は、発光素子６１６の陽極または陰極となる。次いで、第１の電極６１１の端部を覆う絶縁層（バンク、隔壁、障壁、土手などと呼ばれる）６１２を形成する。なお、絶縁層６１２は、感光性の有機樹脂により形成される。次いで、第１の電極６１１上に導電性高分子層６１３を形成し、その上に電界発光膜６１４を形成し、さらに第２の電極６１５を形成して発光素子６１６を完成させる。この第２の電極６１５は、発光素子６１６の陰極または陽極となるが、第１の電極６１１とは異なる極性を示す。
【００７１】
なお、本発明において、第１の電極６１１は、導電性高分子層６１３と接して形成されるので、第１の電極６１１を形成する電極材料は、導電性材料であり、さらに、光の取り出し効率を高めるために遮光性または反射性が要求されるが、これらの特性を備えつつ陽極として機能する場合には、仕事関数が大きく（具体的には仕事関数が４．０ｅＶ以上）、陰極として機能する場合には、仕事関数が小さい（具体的には仕事関数が３．５ｅＶ以下）材料であることがさらに好ましい。
【００７２】
このように第１の電極６１１に用いる上記機能を備えた材料としては、具体的には、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、銀（Ａｇ）から選ばれた元素、もしくはこれらを含む合金を用いることができ、特に仕事関数も大きいものとしては、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、窒化ジルコニウム（ＺｒＮ）、窒化モリブデン（ＭｏＮ）、窒化クロム（ＣｒＮ）、窒化タングステン（ＷＮ）、炭化チタン（ＴｉＣ）、炭化タンタル（ＴａＣ）、炭化ジルコニウム（ＺｒＣ）、炭化モリブデン（ＭｏＣ）等の元素周期律の第４族、第５族、または第６族に属する元素の窒化物または炭化物が挙げられ、また、特に仕事関数も小さいものとしては、アルカリ金属やアルカリ金属を一部に含む金属材料を用いることができる。例えば、アルミニウム・リチウム合金（Ａｌ：Ｌｉ）や、マグネシウム・銀合金（Ｍｇ：Ａｇ）の他、ＡｌとＬｉＦを積層させたものを用いることができる。
【００７３】
また、導電性高分子層６１３において、実施の形態１や実施の形態３で示したようにレドックスポリマー層を形成する場合には、ＥＢ−ＰＡｎｉやその他公知のレドックスポリマー（酸化還元性高分子材料）を用いて形成し、実施の形態２や実施の形態４で示したようにドーピング層を形成する場合には、ＰＥＤＯＴにＰＳＳをドーピングしたもの（ｐ−ドープポリマー）や、ＥＢ−ＰＡｎｉにＴＴＦをドーピングしたもの（ｎ−ドープポリマー）を用いて形成することができる。なお、これらの導電性高分子層６１３の形成に用いる溶媒としては、水、ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）等の極性溶媒を用い、これらに各種材料を溶解させて溶液としたものを塗布法、スピンコート法により成膜する。
【００７４】
電界発光膜６１４の形成には、公知の低分子系もしくは高分子系の電界発光材料を用いることができる。なお、本実施例では、低分子系の電界発光材料を用いて蒸着法により成膜する場合について説明する。電界発光膜６１４は、単一の材料からなる単層構造としても良いが、複数の材料を用いた積層構造とすることもできる。積層構造とする場合には、正孔輸送性材料からなる正孔輸送層、発光性材料からなる発光層、電子輸送性材料からなる電子輸送層を積層することにより形成される。なお、本発明における有機化合物層の積層構造は、ここで示す構成に限られることはなく、その他にも正孔注入材料からなる正孔注入層や、正孔阻止性材料からなるブロッキング層（正孔阻止層）を含めた積層構造とすることも可能である。以下に好適な材料をそれぞれ列挙する。ただし、本発明の電界発光膜６１４に用いる材料は、これらに限定されない。
【００７５】
正孔輸送層を形成する正孔輸送材料としては、芳香族アミン系（すなわち、ベンゼン環−窒素の結合を有するもの）の化合物が好適である。広く用いられている材料として、例えば、先に述べたＴＰＤの他、その誘導体であるα−ＮＰＤや、４，４'，４''−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）−トリフェニルアミン（以下、ＴＤＡＴＡと示す）、４，４'，４''−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−トリフェニルアミン（以下、ＭＴＤＡＴＡと示す）などのスターバースト型芳香族アミン化合物が挙げられる。
【００７６】
発光層を形成する発光材料としては、具体的には、Ａｌｑ₃、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（以下、Ａｌｍｑ₃と示す）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）ベリリウム（以下、ＢｅＢｑ₂と示す）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−（４−ヒドロキシ−ビフェニリル）−アルミニウム（以下、ＢＡｌｑと示す）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾオキサゾラト］亜鉛（以下、Ｚｎ（ＢＯＸ）₂と示す）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾチアゾラト］亜鉛（以下、Ｚｎ（ＢＴＺ）₂と示す）などの金属錯体の他、各種蛍光色素が有効である。また、三重項発光材料も可能であり、白金ないしはイリジウムを中心金属とする錯体が主体である。三重項発光材料としては、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（以下、Ｉｒ（ｐｐｙ）₃と示す）、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン−白金（以下、ＰｔＯＥＰと示す）などが知られている。
【００７７】
電子輸送層を形成する電子輸送材料としては、金属錯体がよく用いられ、先に述べたＡｌｑ₃、Ａｌｍｑ₃、ＢｅＢｑ₂などのキノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体や、混合配位子錯体であるＢＡｌｑなどが好適である。また、Ｚｎ（ＢＯＸ）₂、Ｚｎ（ＢＴＺ）₂などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体もある。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（以下、ＰＢＤと示す）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（以下、ＯＸＤ−７と示す）などのオキサジアゾール誘導体、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（以下、ＴＡＺと示す）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（以下、ｐ−ＥｔＴＡＺと示す）などのトリアゾール誘導体、バソフェナントロリン（以下、ＢＰｈｅｎと示す）、バソキュプロイン（以下、ＢＣＰと示す）などのフェナントロリン誘導体が電子輸送性を有する。
【００７８】
なお、以上の材料を積層する場合には、陽極として機能する電極側から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層の順で積層する必要がある。但し、全ての層を必ずしも選択する必要はなく適宜選択して組み合わせることができる。なお、発光層に関しては、その他の層が発光性を示す場合には、積層構造に含めなくてもよい。
【００７９】
また、第２の電極６１５は、本発明において電界発光膜６１４において生じた光を外部に出射するための電極であるため、透光性を有する材料で形成される必要がある。具体的には、透明性導電膜を用いたり、導電膜を薄膜化することにより可視光に対する透過率が３０％以上となるようにする。また、第２の電極６１５も陽極、または陰極として機能するが、第１の電極６１１とは極性が異なる。
【００８０】
第２の電極６１５が陰極として機能する場合には、第１の電極６１１に用いることができる材料として説明したように仕事関数の小さい（具体的には仕事関数が３．５ｅＶ以下）アルカリ金属やアルカリ金属を一部に含む金属材料を１０〜２０ｎｍ程度の薄膜で用いることができる。例えば、アルミニウム・リチウム合金（Ａｌ：Ｌｉ）や、マグネシウム・銀合金（Ｍｇ：Ａｇ）の他、ＡｌとＬｉＦの積層膜を用いることができる。
【００８１】
これに対して、第２の電極６１５が陽極として機能する場合には、仕事関数の大きい（具体的には仕事関数が４．０ｅＶ以上）透明導電膜を用いることができる。例えば、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ：ｉｎｄｉｕｍｔｉｎｏｘｉｄｅ）膜や酸化インジウムに２〜２０[％]の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した透明導電膜、およびＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍｚｉｎｃｏｘｉｄｅ）を用いることができる。また、第２の電極６１５は、電界発光膜６１４上に形成されることから蒸着法により形成される。
【００８２】
以上により、基板上のＴＦＴと接続された発光素子を備えた発光パネルが完成する。
【００８３】
（実施例２）
本実施例では、実施例１で説明した発光パネルをアクティブマトリクス型の発光装置として完成させた際の全体の外観図について図７に説明する。なお、図７（Ａ）は、発光装置を示す上面図、図７（Ｂ）は図７（Ａ）をＡ−Ａ’で切断した断面図である。点線で示された７０１はソース側駆動回路、７０２は画素部、７０３はゲート側駆動回路である。また、７０４は封止基板、７０５はシール剤であり、シール剤７０５で囲まれた内側７０７は、空間または樹脂（シール剤）になっている。
【００８４】
なお、７０８はソース側駆動回路７０１及びゲート側駆動回路７０３に入力される信号を伝送するための接続配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）７０９からビデオ信号やクロック信号を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
【００８５】
次に、断面構造について図７（Ｂ）を用いて説明する。基板７１０上には駆動回路及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路としてソース側駆動回路７０１と画素部７０２が示されている。
【００８６】
なお、ソース側駆動回路７０１はｎチャネル型ＴＦＴ７２３とｐチャネル型ＴＦＴ７２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。また、駆動回路を形成するＴＦＴは、公知のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施例では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に形成することもできる。
【００８７】
また、画素部７０２はスイッチング用ＴＦＴ７１１と、電流制御用ＴＦＴ７１２とそのドレインに電気的に接続された第１の電極（陽極）７１３とを含む複数の画素により形成される。なお、第１の電極（陽極）７１３の端部を覆って絶縁層７１４が形成されている。
【００８８】
第１の電極７１３上には、本発明の導電性高分子層７１５、電界発光膜７１６および第２の電極（陰極）７１７がそれぞれ形成されている。なお、具体的な構成については、実施例１を参照すればよい。
【００８９】
また、第２の電極７１７は全画素に共通の配線としても機能し、接続配線７０８を経由してＦＰＣ７０９に電気的に接続されている。
【００９０】
また、基板７１０上に形成された発光素子７１８を封止するためにシール剤７０５により封止基板７０４を貼り合わせる。なお、封止基板７０４と発光素子７１８との間隔を確保するために樹脂膜からなるスペーサを設けても良い。そして、シール剤７０５の内側７０７は空間になっている。なお、シール剤７０５としてはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、シール剤７０５はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。
【００９１】
また、本実施例では封止基板７０４を構成する材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Fiberglass-Reinforced Plastics）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、マイラー、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。また、シール剤７０５を用いて封止基板７０４を接着した後、さらに側面（露呈面）を覆うようにシール剤で封止することも可能である。
【００９２】
以上のようにして発光素子７１８を空間７０７に封入することにより、発光素子を外部から完全に遮断することができ、外部から水分や酸素といった有機化合物層の劣化を促す物質が侵入することを防ぐことができる。従って、信頼性の高い発光装置を得ることができる。
【００９３】
なお、本実施例は実施の形態１乃至４、および実施例１と自由に組み合わせることができる。
【００９４】
（実施例３）
発光素子を用いた発光装置は自発光型であるため、液晶表示装置に比べ、明るい場所での視認性に優れ、視野角が広い。従って、本発明の発光装置を用いて様々な電気器具を完成させることができる。
【００９５】
本発明により作製した発光装置を用いて作製された電気器具として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはデジタルビデオディスク（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置）などが挙げられる。特に、斜め方向から画面を見る機会が多い携帯情報端末は、視野角の広さが重要視されるため、発光素子を有する発光装置を用いることが好ましい。それら電気器具の具体例を図８に示す。
【００９６】
図８（Ａ）は表示装置であり、筐体２００１、支持台２００２、表示部２００３、スピーカー部２００４、ビデオ入力端子２００５等を含む。本発明により作製した発光装置をその表示部２００３に用いることにより作製される。発光素子を有する発光装置は自発光型であるためバックライトが必要なく、液晶表示装置よりも薄い表示部とすることができる。なお、表示装置は、パソコン用、ＴＶ放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用表示装置が含まれる。
【００９７】
図８（Ｂ）はデジタルスチルカメラであり、本体２１０１、表示部２１０２、受像部２１０３、操作キー２１０４、外部接続ポート２１０５、シャッター２１０６等を含む。本発明により作製した発光装置をその表示部２１０２に用いることにより作製される。
【００９８】
図８（Ｃ）はノート型パーソナルコンピュータであり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部２２０３、キーボード２２０４、外部接続ポート２２０５、ポインティングマウス２２０６等を含む。本発明により作製した発光装置をその表示部２２０３に用いることにより作製される。
【００９９】
図８（Ｄ）はモバイルコンピュータであり、本体２３０１、表示部２３０２、スイッチ２３０３、操作キー２３０４、赤外線ポート２３０５等を含む。本発明により作製した発光装置をその表示部２３０２に用いることにより作製される。
【０１００】
図８（Ｅ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体２４０１、筐体２４０２、表示部Ａ２４０３、表示部Ｂ２４０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部２４０５、操作キー２４０６、スピーカー部２４０７等を含む。表示部Ａ２４０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ２４０４は主として文字情報を表示するが、本発明により作製した発光装置をこれら表示部Ａ、Ｂ２４０３、２４０４に用いることにより作製される。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。
【０１０１】
図８（Ｆ）はゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）であり、本体２５０１、表示部２５０２、アーム部２５０３を含む。本発明により作製した発光装置をその表示部２５０２に用いることにより作製される。
【０１０２】
図８（Ｇ）はビデオカメラであり、本体２６０１、表示部２６０２、筐体２６０３、外部接続ポート２６０４、リモコン受信部２６０５、受像部２６０６、バッテリー２６０７、音声入力部２６０８、操作キー２６０９、接眼部２６１０等を含む。本発明により作製した発光装置をその表示部２６０２に用いることにより作製される。
【０１０３】
ここで図８（Ｈ）は携帯電話であり、本体２７０１、筐体２７０２、表示部２７０３、音声入力部２７０４、音声出力部２７０５、操作キー２７０６、外部接続ポート２７０７、アンテナ２７０８等を含む。本発明により作製した発光装置をその表示部２７０３に用いることにより作製される。なお、表示部２７０３は黒色の背景に白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力を抑えることができる。
【０１０４】
なお、将来的に有機材料の発光輝度が高くなれば、出力した画像情報を含む光をレンズ等で拡大投影してフロント型若しくはリア型のプロジェクターに用いることも可能となる。
【０１０５】
また、上記電気器具はインターネットやＣＡＴＶ（ケーブルテレビ）などの電子通信回線を通じて配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情報を表示する機会が増してきている。有機材料の応答速度は非常に高いため、発光装置は動画表示に好ましい。
【０１０６】
また、発光装置は発光している部分が電力を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報を表示することが好ましい。従って、携帯情報端末、特に携帯電話や音響再生装置のような文字情報を主とする表示部に発光装置を用いる場合には、非発光部分を背景として文字情報を発光部分で形成するように駆動することが好ましい。
【０１０７】
以上の様に、本発明により作製された発光装置の適用範囲は極めて広く、本発明の発光装置をあらゆる分野の電気器具に適用することが可能である。また、本実施例の電気器具は実施の形態１〜実施の形態４、実施例１および実施例２を実施して作製された発光装置を用いることにより完成させることができる。
【０１０８】
【発明の効果】
本発明を実施することにより、アクティブマトリクス型の発光装置において開口率を問題としない上面出射構造の発光装置を作製することができる。また、発光装置が有する発光素子の第１の電極と接して導電性高分子層を形成することにより、第１の電極からのキャリアの注入性を向上させることができるので、第１の電極材料の選択においてイオン化ポテンシャルを特に考慮することなく作製することができる。そのため、材料選択の幅が広がるため、安価で、かつ高効率な発光装置を作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の発光素子の素子構造について説明する図。
【図２】第１の電極が陽極である発光素子の素子構造について説明する図。
【図３】第１の電極が陽極である発光素子の素子構造について説明する図。
【図４】第１の電極が陰極である発光素子の素子構造について説明する図。
【図５】第１の電極が陰極である発光素子の素子構造について説明する図。
【図６】ＴＦＴと接続された発光素子の構造について説明する断面図。
【図７】発光装置について説明する図。
【図８】電気器具について説明する図。
【符号の説明】
１０１第１の電極
１０２導電性高分子層
１０３電界発光膜
１０４第２の電極

Claims

第１の電極、導電性高分子層、電界発光膜、および第２の電極が、順次積層された発光素子を有する発光装置であって、
前記第１の電極は、遮光性または反射性を有する金属からなり、かつ陰極として機能し、
前記導電性高分子層は、テトラチアフルバレンがドーピングされたエメラルディン・ベース・ポリアニリンからなり、かつ前記第１の電極及び前記電界発光膜の間にそれぞれ接して形成され、
前記第２の電極は、透明性導電膜からなり、かつ陽極として機能することを特徴とする発光装置。
請求項１において、
前記第１の電極は、前記薄膜トランジスタと、前記発光素子とを電気的に接続する配線として機能することを特徴とする発光装置。
請求項１または２において、
前記第１の電極は、アルミニウム、タンタル、タングステン、チタン、モリブデン、ニッケル、銅、クロム、銀、窒化チタン、窒化タンタル、窒化ジルコニウム、窒化モリブデン、窒化クロム、または窒化タングステンを有することを特徴とする発光装置。
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第２の電極は、可視光の透過率が３０％以上であることを特徴とする発光装置。
請求項１乃至４のいずれか一に記載の発光装置を表示部に含む電気器具。
請求項５において、前記電気器具は、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ヘッドマウントディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末、携帯電話機、携帯型ゲーム機、電子書籍、または画像再生装置であることを特徴とする電気器具。