JP3044732B2 - ビスマス系酸化物超電導体の製造方法 - Google Patents
ビスマス系酸化物超電導体の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、ビスマス系酸化物超電導体の製造方法に
関するもので、特に、臨界電流密度の磁場特性の優れた
ビスマス系酸化物超電導体を製造する方法に関するもの
である。
関するもので、特に、臨界電流密度の磁場特性の優れた
ビスマス系酸化物超電導体を製造する方法に関するもの
である。
[従来の技術] 近年、より高い臨界温度を示す超電導材料として、セ
ラミック系のもの、すなわち酸化物超電導材料が注目さ
れている。
ラミック系のもの、すなわち酸化物超電導材料が注目さ
れている。
たとえば、ビスマス系酸化物超電導体は、110K程度の
高い臨界温度を有し、その実用化が期待されている。
高い臨界温度を有し、その実用化が期待されている。
ビスマス系酸化物超電導体には、臨界温度が110Kの相
と、臨界温度が80Kおよび10Kの相とがあることが知られ
ている。また、特に110K相の超電導体を製造しようとす
るとき、非超電導相が一部において現われることも知ら
れている。
と、臨界温度が80Kおよび10Kの相とがあることが知られ
ている。また、特に110K相の超電導体を製造しようとす
るとき、非超電導相が一部において現われることも知ら
れている。
また、ビスマス系酸化物超電導体において、110K相
は、Bi-Sr-Ca-Cuまたは(Bi,Pb)−Sr-Ca-Cuの組成にお
ける2223組成を有し、他方、80K相は、同組成における2
212組成を有していることが知られている。
は、Bi-Sr-Ca-Cuまたは(Bi,Pb)−Sr-Ca-Cuの組成にお
ける2223組成を有し、他方、80K相は、同組成における2
212組成を有していることが知られている。
[発明が解決しようとする課題] 超電導体をケーブルやマグネットに応用しようとする
には、高い臨界温度に加えて、高い臨界電流密度を有し
ていることが必要である。特に、使用する磁場におい
て、必要な臨界電流密度を確保しなければならない。
には、高い臨界温度に加えて、高い臨界電流密度を有し
ていることが必要である。特に、使用する磁場におい
て、必要な臨界電流密度を確保しなければならない。
しかしながら、従来のビスマス系酸化物超電導体で
は、臨界電流密度の磁場特性がそれほど良好ではなく、
特にc軸に対して平行に磁場が印加された場合、臨界電
流密度が大きく低下するという欠点があった。
は、臨界電流密度の磁場特性がそれほど良好ではなく、
特にc軸に対して平行に磁場が印加された場合、臨界電
流密度が大きく低下するという欠点があった。
それゆえに、この発明の目的は、磁場下での臨界電流
密度が向上され得るビスマス系酸化物超電導体の製造方
法を提供しようとすることである。
密度が向上され得るビスマス系酸化物超電導体の製造方
法を提供しようとすることである。
[課題を解決するための手段] 金属シースにて被覆された状態にあるビスマス系酸化
物超電導体において、110K相である2223相が、そのa−
b面を長手方向に配向させているとともに、80K相であ
る2212相を主体とする超電導相および/または非超電導
相が、2223相内のa−b面に沿って分散しているもの
が、臨界電流密度の磁場特性が著しく優れていることが
見い出された。
物超電導体において、110K相である2223相が、そのa−
b面を長手方向に配向させているとともに、80K相であ
る2212相を主体とする超電導相および/または非超電導
相が、2223相内のa−b面に沿って分散しているもの
が、臨界電流密度の磁場特性が著しく優れていることが
見い出された。
そこで、この発明は、このような構成を有するビスマ
ス系酸化物超電導体を製造しようとするものである。
ス系酸化物超電導体を製造しようとするものである。
すなわち、この発明によるビスマス系酸化物超電導体
の製造方法は、 配合組成に関しては、Bi-Sr-Ca-Cuまたは(Bi,Pb)−
Sr-Ca-Cuにおける2223組成を基本としながら、すなわ
ち、組成比として2:2:2:3という比率で近似され、結晶
構造に関しては、2212相を主体とする超電導相および非
超電導相を分散させた状態の原料を準備し、 前記原料を金属シースにて被覆し、 前記原料を被覆した前記金属シースに対して塑性加工
および熱処理を施す、 各ステップを備え、 前記熱処理を施すステップは、前記原料の部分溶融反
応の終了点温度で実施される。
の製造方法は、 配合組成に関しては、Bi-Sr-Ca-Cuまたは(Bi,Pb)−
Sr-Ca-Cuにおける2223組成を基本としながら、すなわ
ち、組成比として2:2:2:3という比率で近似され、結晶
構造に関しては、2212相を主体とする超電導相および非
超電導相を分散させた状態の原料を準備し、 前記原料を金属シースにて被覆し、 前記原料を被覆した前記金属シースに対して塑性加工
および熱処理を施す、 各ステップを備え、 前記熱処理を施すステップは、前記原料の部分溶融反
応の終了点温度で実施される。
好ましくは、前記塑性加工および熱処理を施すステッ
プは、複数回繰返される。
プは、複数回繰返される。
一般に、金属被覆されたビスマス系酸化物超電導材料
を昇温させて溶融させるとき、吸熱のピークから判断し
て、3種類の溶融反応が順に観察される。この発明で
は、これら3種類の溶融反応のうち、最初に現われる溶
融反応、すなわち部分溶融反応が用いられる。また、こ
の部分溶融反応において、一例について説明すると、そ
の開始点が840℃であり、その終了点が850℃であると
き、この発明では、終了点温度である850℃が熱処理を
施すステップにおいて適用される。
を昇温させて溶融させるとき、吸熱のピークから判断し
て、3種類の溶融反応が順に観察される。この発明で
は、これら3種類の溶融反応のうち、最初に現われる溶
融反応、すなわち部分溶融反応が用いられる。また、こ
の部分溶融反応において、一例について説明すると、そ
の開始点が840℃であり、その終了点が850℃であると
き、この発明では、終了点温度である850℃が熱処理を
施すステップにおいて適用される。
なお、従来は、通常、熱処理を施すステップにおい
て、部分溶融反応の開始点と終了点との中間の温度を用
いていた。この場合には、この発明が目指すようなビス
マス系酸化物超電導体が得られず、ほとんどが110K相す
なわち2223相の超電導体しか得られず、このような超電
導体においては、その臨界電流密度の磁場特性を著しく
向上させる効果のある2212相を主体とする超電導相や非
超電導相が2223相のa−b面に沿って分散していない。
て、部分溶融反応の開始点と終了点との中間の温度を用
いていた。この場合には、この発明が目指すようなビス
マス系酸化物超電導体が得られず、ほとんどが110K相す
なわち2223相の超電導体しか得られず、このような超電
導体においては、その臨界電流密度の磁場特性を著しく
向上させる効果のある2212相を主体とする超電導相や非
超電導相が2223相のa−b面に沿って分散していない。
[作用] この発明によれば、前述したように、110K相である22
23相が、a−b面を長手方向に配向させているととも
に、80K相である2212相を主体とする超電導相および/
または非超電導相が、2223相のa−b面に沿って分散さ
れた、ビスマス系酸化物超電導体が得られる。
23相が、a−b面を長手方向に配向させているととも
に、80K相である2212相を主体とする超電導相および/
または非超電導相が、2223相のa−b面に沿って分散さ
れた、ビスマス系酸化物超電導体が得られる。
上述した非超電導相としては、Sr-Ca-Cu-O、Ca−(P
b,Sr)−O、Ca-Cu-Oのような組成を有するものがあ
り、これらのものは、いずれも、2223相が生成されると
き、ここに分散された状態で同時に(すなわち、in-Sit
uに)生成される。
b,Sr)−O、Ca-Cu-Oのような組成を有するものがあ
り、これらのものは、いずれも、2223相が生成されると
き、ここに分散された状態で同時に(すなわち、in-Sit
uに)生成される。
[発明の効果] したがって、この発明によれば、2223相のa−b面に
沿って分散された2212相を主体とする超電導相および/
または非超電導相によって臨界電流密度の磁場特性が著
しく向上されたビスマス系酸化物超電導体が得られる。
それゆえに、このような超電導体を、ケーブルやマグネ
ットに問題なく応用することが可能になる。
沿って分散された2212相を主体とする超電導相および/
または非超電導相によって臨界電流密度の磁場特性が著
しく向上されたビスマス系酸化物超電導体が得られる。
それゆえに、このような超電導体を、ケーブルやマグネ
ットに問題なく応用することが可能になる。
[実施例] この発明に係る製造方法は、たとえば、次のように実
施される。
施される。
2212相を主体とする超電導相および非超電導相を分散
させた状態の、2223組成を基本とする、すなわち、組成
比として2:2:2:3という比率で近似されたBi-Sr-Ca-Cuま
たは(Bi,Pb)−Sr-Ca-Cuの成分を有する原料がまず準
備される。
させた状態の、2223組成を基本とする、すなわち、組成
比として2:2:2:3という比率で近似されたBi-Sr-Ca-Cuま
たは(Bi,Pb)−Sr-Ca-Cuの成分を有する原料がまず準
備される。
この原料を、たとえば銀パイプに充填し、伸線加工と
圧延加工とを施し、次いで、熱処理を加え、再度、圧延
加工と熱処理とを施すことにより、目的とするビスマス
系酸化物超電導体が得られる。最終の熱処理の前に実施
される圧延加工に代えて、伸線加工を行なってもよい。
圧延加工とを施し、次いで、熱処理を加え、再度、圧延
加工と熱処理とを施すことにより、目的とするビスマス
系酸化物超電導体が得られる。最終の熱処理の前に実施
される圧延加工に代えて、伸線加工を行なってもよい。
上述した熱処理の温度は、ビスマス系酸化物超電導体
の原料の部分溶融反応の終了点温度に選ばれる。これに
よって、原料中の2212相および/または非超電導相が残
存した構造のビスマス系酸化物超電導体が得られる。こ
の温度条件は、2223相を支配的に作製する温度よりも、
若干高めである。なお、銀パイプに充填される原料は、
サブミクロンの粉末としておくことが、分散される超電
導相および/または非超電導相が微細になる点で好まし
い。
の原料の部分溶融反応の終了点温度に選ばれる。これに
よって、原料中の2212相および/または非超電導相が残
存した構造のビスマス系酸化物超電導体が得られる。こ
の温度条件は、2223相を支配的に作製する温度よりも、
若干高めである。なお、銀パイプに充填される原料は、
サブミクロンの粉末としておくことが、分散される超電
導相および/または非超電導相が微細になる点で好まし
い。
熱処理温度は、熱処理雰囲気により最適な温度が選択
されるので、一義的に定めることはできない。たとえ
ば、熱処理雰囲気の酸素分圧を低くする場合、部分溶融
反応温度は、広い温度範囲となり、温度コントロールが
たやすくなるとともに、終了点温度は低めとなる。
されるので、一義的に定めることはできない。たとえ
ば、熱処理雰囲気の酸素分圧を低くする場合、部分溶融
反応温度は、広い温度範囲となり、温度コントロールが
たやすくなるとともに、終了点温度は低めとなる。
金属シースは、超電導材料と反応せず、かつ加工性が
良好である、という条件を満足する材料であれば、どの
ような材料から構成されてもよい。たとえば、上述した
銀のほか、銀合金、金、または金合金からなる金属シー
スが用いられる。また、超電導材料と接触する面のみが
これらの金属のいずれかからなる層で被覆された金属シ
ースを用いてもよい。また、金属シースは、超電導体の
使用条件で安定化材として機能するものが望ましい。
良好である、という条件を満足する材料であれば、どの
ような材料から構成されてもよい。たとえば、上述した
銀のほか、銀合金、金、または金合金からなる金属シー
スが用いられる。また、超電導材料と接触する面のみが
これらの金属のいずれかからなる層で被覆された金属シ
ースを用いてもよい。また、金属シースは、超電導体の
使用条件で安定化材として機能するものが望ましい。
塑性加工には、たとえば、伸線加工、圧延加工などが
ある。臨界電流密度を向上させるためには、伸線加工に
おいては、その加工度が80%以上であることが望まし
く、圧延加工においても、その加工度が80%以上である
ことが望ましい。このような塑性加工ステップおよび熱
処理ステップは、複数回繰返されることが、臨界電流密
度の向上に効果的である。たとえば圧延加工が複数回実
施される場合、1パスの加工度が40%以上であることが
望ましい。熱処理が実施された後、再度、圧延加工また
は伸線加工が行なわれる場合、このような加工における
加工度は、10%ないし30%程度で十分である。圧延加工
は、たとえば、ロールまたはプレスを用いて実施され
る。
ある。臨界電流密度を向上させるためには、伸線加工に
おいては、その加工度が80%以上であることが望まし
く、圧延加工においても、その加工度が80%以上である
ことが望ましい。このような塑性加工ステップおよび熱
処理ステップは、複数回繰返されることが、臨界電流密
度の向上に効果的である。たとえば圧延加工が複数回実
施される場合、1パスの加工度が40%以上であることが
望ましい。熱処理が実施された後、再度、圧延加工また
は伸線加工が行なわれる場合、このような加工における
加工度は、10%ないし30%程度で十分である。圧延加工
は、たとえば、ロールまたはプレスを用いて実施され
る。
以下に、この発明に基づき行なった実験例について説
明する。
明する。
Bi2O3、PbO、SrCO3、CaCO3およびCuOを用いて、Bi:P
b:Sr:Ca:Cu=1.80:0.38:1.96:2:21:3.02の組成比になる
ように、これらを配合した。この配合したものを、大気
中において、700℃で12時間、次いで800℃で8時間、さ
らに、減圧雰囲気1Torrにおいて、760℃で8時間、の順
に熱処理した。なお、各熱処理後において、それぞれ、
粉砕を行なった。このような熱処理を経て得られた粉末
を、さらに、ボールミルにより粉砕し、サブミクロンの
粉末を得た。この粉末に対して、減圧雰囲気において、
800℃で10分間、脱ガス処理を行なった。
b:Sr:Ca:Cu=1.80:0.38:1.96:2:21:3.02の組成比になる
ように、これらを配合した。この配合したものを、大気
中において、700℃で12時間、次いで800℃で8時間、さ
らに、減圧雰囲気1Torrにおいて、760℃で8時間、の順
に熱処理した。なお、各熱処理後において、それぞれ、
粉砕を行なった。このような熱処理を経て得られた粉末
を、さらに、ボールミルにより粉砕し、サブミクロンの
粉末を得た。この粉末に対して、減圧雰囲気において、
800℃で10分間、脱ガス処理を行なった。
得られた粉末を、直径(外径)12mmの銀パイプに充填
し、直径1mmにまで伸線加工し、さらに、厚さ0.17mmに
なるように圧延加工を施した。
し、直径1mmにまで伸線加工し、さらに、厚さ0.17mmに
なるように圧延加工を施した。
次いで、上述の圧延加工により得られたテープ状線材
を、原料粉末の部分溶融反応の終了点温度である850℃
で50時間、熱処理した。この熱処理により、低い臨界温
度を有する相の一部および非超電導相を残存させなが
ら、低い臨界温度を有する相の残部が高い臨界温度を有
する相に変態する。
を、原料粉末の部分溶融反応の終了点温度である850℃
で50時間、熱処理した。この熱処理により、低い臨界温
度を有する相の一部および非超電導相を残存させなが
ら、低い臨界温度を有する相の残部が高い臨界温度を有
する相に変態する。
次いで、厚さ0.13mmになるまで、再度、圧延加工を施
した後、845℃で50時間の熱処理を施した。この段階で
の熱処理で、高い臨界温度を有する相の結晶粒の成長が
生じ、結晶粒がその粒界を介して融合される。
した後、845℃で50時間の熱処理を施した。この段階で
の熱処理で、高い臨界温度を有する相の結晶粒の成長が
生じ、結晶粒がその粒界を介して融合される。
このようにして得られたテープ状線材の臨界電流密度
は、外部磁場を印加しない状態では、38000A/cm2であ
り、テープ面に垂直に0.4テスラの磁場を印加した場
合、13000A/cm2であった。
は、外部磁場を印加しない状態では、38000A/cm2であ
り、テープ面に垂直に0.4テスラの磁場を印加した場
合、13000A/cm2であった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01B 13/00 H01B 12/00 - 12/16
Claims (2)
- 【請求項1】配合組成に関しては、Bi-Sr-Ca-Cuまたは
(Bi,Pb)−Sr-Ca-Cuにおける組成比として2:2:2:3とい
う比率で近似され、結晶構造に関しては、2212相を主体
とする超電導相および非超電導相を分散させた状態の原
料を準備し、 前記原料を金属シースにて被覆し、 前記原料を被覆した前記金属シースに対して塑性加工お
よび熱処理を施す、各ステップを備え、 前記熱処理を施すステップは、前記原料の部分溶融反応
の終了点温度で実施される、 ビスマス系酸化物超電導体の製造方法。 - 【請求項2】前記塑性加工および熱処理を施すステップ
は、複数回繰返される、請求項1に記載のビスマス系酸
化物超電導体の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2080421A JP3044732B2 (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | ビスマス系酸化物超電導体の製造方法 |
EP19910104065 EP0447994A3 (en) | 1990-03-16 | 1991-03-15 | Bismuth oxide superconductor and method of preparing the same |
FI911313A FI911313A (fi) | 1990-03-16 | 1991-03-18 | Vismutoxidsuperledare och foerfarande foer framstaellning av denna. |
US08/283,498 US5670459A (en) | 1990-03-16 | 1994-08-01 | Bismuth oxide superconductor of preparing the same |
US08/858,842 US5910222A (en) | 1990-03-16 | 1997-05-19 | Bismuth oxide superconductor and method of preparing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2080421A JP3044732B2 (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | ビスマス系酸化物超電導体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03280308A JPH03280308A (ja) | 1991-12-11 |
JP3044732B2 true JP3044732B2 (ja) | 2000-05-22 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2080421A Expired - Fee Related JP3044732B2 (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-27 | ビスマス系酸化物超電導体の製造方法 |
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---|---|
JP (1) | JP3044732B2 (ja) |
-
1990
- 1990-03-27 JP JP2080421A patent/JP3044732B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JPH03280308A (ja) | 1991-12-11 |
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