JP3043398B2 - 高周波光電フロントエンド - Google Patents
高周波光電フロントエンドInfo
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 17
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/60—Receivers
- H04B10/66—Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
- H04B10/69—Electrical arrangements in the receiver
- H04B10/697—Arrangements for reducing noise and distortion
- H04B10/6973—Arrangements for reducing noise and distortion using noise matching networks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02016—Circuit arrangements of general character for the devices
- H01L31/02019—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
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-
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- H04B—TRANSMISSION
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- H04B10/60—Receivers
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- H04B10/691—Arrangements for optimizing the photodetector in the receiver
- H04B10/6911—Photodiode bias control, e.g. for compensating temperature variations
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電流源として配置されたフォトダイオード
によって光信号を電気信号に変換するための高周波光電
フロントエンドに関するものである。該ダイオードは、
キャパシタによって、フィードバック増幅器として配置
されたバイポーラトランジスタのベース・エミッタ間接
合と並列に接続されており、このトランジスタの主電極
はフロントエンドの信号出力端を形成する信号抵抗の一
方端に接続される。
によって光信号を電気信号に変換するための高周波光電
フロントエンドに関するものである。該ダイオードは、
キャパシタによって、フィードバック増幅器として配置
されたバイポーラトランジスタのベース・エミッタ間接
合と並列に接続されており、このトランジスタの主電極
はフロントエンドの信号出力端を形成する信号抵抗の一
方端に接続される。
〔従来の技術〕 こうした光電フロントエンドは、IEEEジャーナル オ
ブ クアンタム エレクトロニクス（IEEE Journal of
Qantum Electronics）のQE−18巻、10号、1982年10月，
第1547〜1558頁の“光学的デジタル高速伝送：一般的考
察と実験結果”という表題の論文、より明確には、1552
頁の図７により知られている。
ブ クアンタム エレクトロニクス（IEEE Journal of
Qantum Electronics）のQE−18巻、10号、1982年10月，
第1547〜1558頁の“光学的デジタル高速伝送：一般的考
察と実験結果”という表題の論文、より明確には、1552
頁の図７により知られている。
この論文に記載された光電フロントエンドにおいて、
フォトダイオードの陰極はバイポーラトランジスタのベ
ースにキャパシタを介して接続されており、陽極はこの
トランジスタのエミッタに接続されている。このフォト
ダイオードは、阻止構成に配列されているので電流源と
して作用する。この構成において、トランジスタのコレ
クタは信号抵抗によって電圧源に接続され、エミッタは
基準電位に接続される。このトランジスタは、小さなキ
ャパシタンスと並列に接続されたベース・コレクタ間抵
抗によるフィードバックを有する。この小さなキャパシ
タンスは周波数に依存したフィードバックを実現するた
めに存在している。
フォトダイオードの陰極はバイポーラトランジスタのベ
ースにキャパシタを介して接続されており、陽極はこの
トランジスタのエミッタに接続されている。このフォト
ダイオードは、阻止構成に配列されているので電流源と
して作用する。この構成において、トランジスタのコレ
クタは信号抵抗によって電圧源に接続され、エミッタは
基準電位に接続される。このトランジスタは、小さなキ
ャパシタンスと並列に接続されたベース・コレクタ間抵
抗によるフィードバックを有する。この小さなキャパシ
タンスは周波数に依存したフィードバックを実現するた
めに存在している。
この先行技術たる光電フロントエンドの直流構造は上
述の論文から推論出来ない。これは、ベース・コレクタ
間抵抗と信号抵抗が同程度の値を有するとすると、ベー
ス・コレクタ間抵抗を流れる直流ベース電流に起因する
直流電圧差は信号抵抗を流れる直流コレクタ電流に起因
する直流電圧差よりもずっと少ない（約1:1000）という
事実から簡単に理解することが出来る。その結果とし
て、コレクタ電圧はベース電圧よりも高くなることはめ
ったになく、それ故、コレクタでは極めて小さい交流電
圧の振れのみが起こり得る。
述の論文から推論出来ない。これは、ベース・コレクタ
間抵抗と信号抵抗が同程度の値を有するとすると、ベー
ス・コレクタ間抵抗を流れる直流ベース電流に起因する
直流電圧差は信号抵抗を流れる直流コレクタ電流に起因
する直流電圧差よりもずっと少ない（約1:1000）という
事実から簡単に理解することが出来る。その結果とし
て、コレクタ電圧はベース電圧よりも高くなることはめ
ったになく、それ故、コレクタでは極めて小さい交流電
圧の振れのみが起こり得る。
この先行技術のフロントエンドの直流構造は２つの先
行技術の型で考えられる。
行技術の型で考えられる。
第一の通例の直流構造は、トランジスタの電圧源に接
続され、出力端がベースに接続された抵抗分圧器を用い
ることによって考えられる。この場合、エミッタはエミ
ッタ抵抗と大きな減結合キャパシタの並列接続を経由し
て接地に接続されなければならず、そして、阻止キャパ
シタは、直流構造がこのベース・コレクタ間抵抗と信号
抵抗を経由して作用するのでベース・コレクタ抵抗と直
列に接続されなければならないであろう。
続され、出力端がベースに接続された抵抗分圧器を用い
ることによって考えられる。この場合、エミッタはエミ
ッタ抵抗と大きな減結合キャパシタの並列接続を経由し
て接地に接続されなければならず、そして、阻止キャパ
シタは、直流構造がこのベース・コレクタ間抵抗と信号
抵抗を経由して作用するのでベース・コレクタ抵抗と直
列に接続されなければならないであろう。
この考えられる構成の欠点は、抵抗分圧器の抵抗自体
に発生するノイズ電流を低いレベルに保つために抵抗値
を大きくしなければならないということである。その様
な大きな抵抗はそれ等の漂遊キャパシタンスの為に貧弱
なノイズ特性を与える。更に、抵抗分圧器を流れる直流
電流は直流構造における個々のトランジスタの変動の効
果を限定するために直流ベース電流よりもずっと大きい
（例えば、10倍）ことが要求されると仮定すれば、高い
供給電圧が必要とされよう。加えて、キャパシタは集積
度を上げられない。更に、フィードバックグループの物
理的長さは阻止キャパシタ（約1GHzの高周波数で数ナノ
秒の時間遅延の追加はもはや無視できない位相シフトと
なる）によって拡大され、そして上記減結合キャパシタ
は高い周波数における変換に影響を与える寄生インダク
タンスを常に有するという問題がある。
に発生するノイズ電流を低いレベルに保つために抵抗値
を大きくしなければならないということである。その様
な大きな抵抗はそれ等の漂遊キャパシタンスの為に貧弱
なノイズ特性を与える。更に、抵抗分圧器を流れる直流
電流は直流構造における個々のトランジスタの変動の効
果を限定するために直流ベース電流よりもずっと大きい
（例えば、10倍）ことが要求されると仮定すれば、高い
供給電圧が必要とされよう。加えて、キャパシタは集積
度を上げられない。更に、フィードバックグループの物
理的長さは阻止キャパシタ（約1GHzの高周波数で数ナノ
秒の時間遅延の追加はもはや無視できない位相シフトと
なる）によって拡大され、そして上記減結合キャパシタ
は高い周波数における変換に影響を与える寄生インダク
タンスを常に有するという問題がある。
第二の通例の直流構造は、設定抵抗とベース・コレク
タ間抵抗に直列な減結合キャパシタとの並列接続するこ
とによって実行可能である。フィードバックは、設定抵
抗が減結合キャパシタを経由する交流信号に対して短絡
されるので、やはり元のベース・コレクタ間抵抗によっ
て決定される。
タ間抵抗に直列な減結合キャパシタとの並列接続するこ
とによって実行可能である。フィードバックは、設定抵
抗が減結合キャパシタを経由する交流信号に対して短絡
されるので、やはり元のベース・コレクタ間抵抗によっ
て決定される。
上記構造の好ましくない影響は、トランジスタの電流
変換比は個々のトランジスタの変動に従って変化すると
いう事実から、回路毎の設定抵抗は望ましい直流構造を
得るために調整されなければならないということであ
る。加えて、並列接続を用いるとき、フィードバックル
ープの物理的長さは拡大される。大きな値を有する設定
抵抗と減結合キャパシタは更に集積度を上げられない。
変換比は個々のトランジスタの変動に従って変化すると
いう事実から、回路毎の設定抵抗は望ましい直流構造を
得るために調整されなければならないということであ
る。加えて、並列接続を用いるとき、フィードバックル
ープの物理的長さは拡大される。大きな値を有する設定
抵抗と減結合キャパシタは更に集積度を上げられない。
この発明の目的は、直流構造が総合的なノイズレベル
に無視できる程度のわずかな影響しか与えず、前述し
た、付加的なキャパシタや、通例より高い供給電圧や、
調整が必要とされる設定抵抗を必要とするというような
好ましくない影響を有しない光電フロントエンドを提供
することである。
に無視できる程度のわずかな影響しか与えず、前述し
た、付加的なキャパシタや、通例より高い供給電圧や、
調整が必要とされる設定抵抗を必要とするというような
好ましくない影響を有しない光電フロントエンドを提供
することである。
上記目的を達成するため、本発明の高周波光電フロン
トエンドは、電流源として配置されたフォトダイオード
と、エミッタ、ベース及びコレクタを有するバイポーラ
トランジスタと、フィードバック増幅器を構成するよう
に、キャパシタを介して前記トランジスタの前記ベース
及び前記エミッタと並列に前記フォトダイオードが接続
されている、前記キャパシタと、前記フロントエンドの
出力端子を構成するように、前記トランジスタのエミッ
タに第１の端子が接続された第１の抵抗と、第２の抵抗
及び第３の抵抗によって構成される分圧器であって、こ
の分圧器の第１の端子が前記第１の抵抗の第２の端子に
接続され、前記分圧器の第２の端子が前記トランジスタ
の前記コレクタに接続されており、前記トランジスタの
ベースに前記分圧器の出力端子が接続されている、前記
分圧器とを備えることを特徴としている。
トエンドは、電流源として配置されたフォトダイオード
と、エミッタ、ベース及びコレクタを有するバイポーラ
トランジスタと、フィードバック増幅器を構成するよう
に、キャパシタを介して前記トランジスタの前記ベース
及び前記エミッタと並列に前記フォトダイオードが接続
されている、前記キャパシタと、前記フロントエンドの
出力端子を構成するように、前記トランジスタのエミッ
タに第１の端子が接続された第１の抵抗と、第２の抵抗
及び第３の抵抗によって構成される分圧器であって、こ
の分圧器の第１の端子が前記第１の抵抗の第２の端子に
接続され、前記分圧器の第２の端子が前記トランジスタ
の前記コレクタに接続されており、前記トランジスタの
ベースに前記分圧器の出力端子が接続されている、前記
分圧器とを備えることを特徴としている。
本発明にかかる光電フロントエンドは、第１の抵抗
（信号抵抗）の第１の端子がバイポーラトランジスタの
エミッタに接続されており、また、分圧器の第２の端子
がトランジスタのコレクタに接続され、分圧器の第１の
端子が第１の抵抗の第２の端子に接続され、分圧器の出
力端子がトランジスタのベースに接続されているという
点で特徴付けられる。
（信号抵抗）の第１の端子がバイポーラトランジスタの
エミッタに接続されており、また、分圧器の第２の端子
がトランジスタのコレクタに接続され、分圧器の第１の
端子が第１の抵抗の第２の端子に接続され、分圧器の出
力端子がトランジスタのベースに接続されているという
点で特徴付けられる。
本発明にかかるフロントエンドにおいては交流変換の
ためにすでに必要とされた各抵抗は直流構造のためにも
また用いられるので、付加ノイズの原因となる付加抵抗
をこの目的のために選択する必要がない。
ためにすでに必要とされた各抵抗は直流構造のためにも
また用いられるので、付加ノイズの原因となる付加抵抗
をこの目的のために選択する必要がない。
本発明に係るフロントエンドのベースとコレクタ間に
配置された分圧器の抵抗は、先行技術のフロントエンド
のベース・コレクタ間抵抗と異なる値を有し、そこから
異なる機能を持つ。これは、前述の抵抗はフロントエン
ドへの入力端と電圧源との間に配置され、これに対し後
述の抵抗はフロントエンドへの入力端と信号出力端間に
配置されるということから簡単に理解される。
配置された分圧器の抵抗は、先行技術のフロントエンド
のベース・コレクタ間抵抗と異なる値を有し、そこから
異なる機能を持つ。これは、前述の抵抗はフロントエン
ドへの入力端と電圧源との間に配置され、これに対し後
述の抵抗はフロントエンドへの入力端と信号出力端間に
配置されるということから簡単に理解される。
もし、抵抗分圧器の２つの抵抗の並列接続抵抗値がベ
ース・コレクタ間抵抗に等しいとすれば、簡単な計算で
前述の両フロントエンドは同じ交流変換を持つことが判
る。
ース・コレクタ間抵抗に等しいとすれば、簡単な計算で
前述の両フロントエンドは同じ交流変換を持つことが判
る。
本発明に係るフロントエンドにおいてフォトダイオー
ド（信号源）はトランジスタのベースとエミッタに接続
されているということ観察されるべきである。従ってこ
の回路は、信号源がベースとエミッタ抵抗の接地側端に
接続されるエミッタフォロア回路ではない。
ド（信号源）はトランジスタのベースとエミッタに接続
されているということ観察されるべきである。従ってこ
の回路は、信号源がベースとエミッタ抵抗の接地側端に
接続されるエミッタフォロア回路ではない。
本発明は更に図面に表現された実施例を参照して説明
される。
される。
図示されたフロントエンドは、コレクタが正電圧源２
に接続されたバイポーラNPNトランジスタ１を含む。電
圧源２と接地間には直列に接続された抵抗４及び５から
なる抵抗分圧器３が挿入される。分圧器３の出力端（抵
抗４と５の接続点）はトランジスタ１のベースに接続さ
れる。フォトダイオード６の陰極もまたベースに接続さ
れるが、フォトダイオード６の陽極はキャパシタ７によ
ってトランジスタ１のエミッタに接続される。このエミ
ッタはフロントエンドの信号出力端８を形成し、信号抵
抗９によって接地に接続される。設定抵抗10によってフ
ォトダイオード６のアノードは、ダイオード６が阻止状
態で配置され、結果的に電流源として配置されるような
値と極性の設定電位11に接続される。
に接続されたバイポーラNPNトランジスタ１を含む。電
圧源２と接地間には直列に接続された抵抗４及び５から
なる抵抗分圧器３が挿入される。分圧器３の出力端（抵
抗４と５の接続点）はトランジスタ１のベースに接続さ
れる。フォトダイオード６の陰極もまたベースに接続さ
れるが、フォトダイオード６の陽極はキャパシタ７によ
ってトランジスタ１のエミッタに接続される。このエミ
ッタはフロントエンドの信号出力端８を形成し、信号抵
抗９によって接地に接続される。設定抵抗10によってフ
ォトダイオード６のアノードは、ダイオード６が阻止状
態で配置され、結果的に電流源として配置されるような
値と極性の設定電位11に接続される。
本発明にかかる図示されたフロントエンドは、もし信
号抵抗９が前述したIEEEジャーナル オブ クアンタム
エレクトロニクスのフロントエンドのコレクタ抵抗と
同じ値を有しかつ並列接続された抵抗４及び５の値がIE
EEジャーナルのフロントエンドのベース・コレクタ間抵
抗の値に等しいならばIEEEジャーナルのフロントエンド
とおなじ交流変換有する。開ループ電圧利得はトランジ
スタのエミッタの内部抵抗の値で信号抵抗を割った値に
略等しい。
号抵抗９が前述したIEEEジャーナル オブ クアンタム
エレクトロニクスのフロントエンドのコレクタ抵抗と
同じ値を有しかつ並列接続された抵抗４及び５の値がIE
EEジャーナルのフロントエンドのベース・コレクタ間抵
抗の値に等しいならばIEEEジャーナルのフロントエンド
とおなじ交流変換有する。開ループ電圧利得はトランジ
スタのエミッタの内部抵抗の値で信号抵抗を割った値に
略等しい。
図示されたフロントエンドは直流電圧のために調整さ
れることが有利である。すなわち、抵抗4,5及び９は全
部交流機能（フィードバック及び信号抵抗）を有し、同
様に直流機能（トランジスタの直流構造）を有する。そ
の結果、物理的ディメンジョンの結果として付加ノイズ
の原因となりあるいは位相シフトをもたらすような付加
要素を直流構造のために必要としない。
れることが有利である。すなわち、抵抗4,5及び９は全
部交流機能（フィードバック及び信号抵抗）を有し、同
様に直流機能（トランジスタの直流構造）を有する。そ
の結果、物理的ディメンジョンの結果として付加ノイズ
の原因となりあるいは位相シフトをもたらすような付加
要素を直流構造のために必要としない。
なお、上記構造は一方の端子を接地しないことにより
トライステート構造にフォトダイオードを用いることが
可能である。
トライステート構造にフォトダイオードを用いることが
可能である。
第一図は本発明の実施例を示す回路図である。主要部分
の符号の説明 １……トランジスタ１、２……正電圧源２、３……抵抗
分圧器３、６……フォトダイオード６、11……設定電位
11。
の符号の説明 １……トランジスタ１、２……正電圧源２、３……抵抗
分圧器３、６……フォトダイオード６、11……設定電位
11。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０４Ｂ 10/26 10/28 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03F 3/08 H04B 10/06 H01L 31/10
Claims (1)
- 【請求項１】高周波光電フロントエンドにおいて、 電流源として配置されたフォトダイオードと、 エミッタ、ベース及びコレクタを有するバイポーラトラ
ンジスタと、 フィードバック増幅器を構成するように、キャパシタを
介して前記トランジスタの前記ベース及び前記エミッタ
と並列に前記フォトダイオードが接続されている、前記
キャパシタと、 前記フロントエンドの出力端子を構成するように、前記
トランジスタのエミッタに第１の端子が接続された第１
の抵抗と、 第２の抵抗及び第３の抵抗によって構成される分圧器で
あって、この分圧器の第１の端子が前記第１の抵抗の第
２の端子に接続され、前記分圧器の第２の端子が前記ト
ランジスタの前記コレクタに接続されており、前記トラ
ンジスタのベースに前記分圧器の出力端子が接続されて
いる、前記分圧器と、 を備えることを特徴とする高周波光電フロントエンド。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8902992A NL8902992A (nl) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | Hoogfrequent opto-elektrisch front-end. |
| NL8902992 | 1989-12-05 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03195203A JPH03195203A (ja) | 1991-08-26 |
| JP3043398B2 true JP3043398B2 (ja) | 2000-05-22 |
Family
ID=19855742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2336909A Expired - Lifetime JP3043398B2 (ja) | 1989-12-05 | 1990-11-30 | 高周波光電フロントエンド |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5091641A (ja) |
| EP (1) | EP0431687B1 (ja) |
| JP (1) | JP3043398B2 (ja) |
| DE (1) | DE69000973T2 (ja) |
| NL (1) | NL8902992A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100486902C (zh) * | 2005-03-22 | 2009-05-13 | 刘京生 | 内外循环式饮用水处理方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3488506A (en) * | 1966-05-17 | 1970-01-06 | Dickson Electronics Corp | Solar cell delay with transistor feedbacks |
| DE1623420B2 (de) * | 1967-06-28 | 1971-09-30 | Eltro GmbH & Co Gesellschaft fur Strahlungstechnik, 6900 Heidelberg | Verfahren und schaltungsanordnung zur einstellung des ver staerkungsfaktors eines fotomultipliers in laser entfernungs messgeraeten |
| US4110608A (en) * | 1976-11-04 | 1978-08-29 | Electronics Corporation Of America | Two-terminal photodetectors with inherent AC amplification properties |
| US4197471A (en) * | 1977-09-29 | 1980-04-08 | Texas Instruments Incorporated | Circuit for interfacing between an external signal and control apparatus |
| US4306145A (en) * | 1979-12-28 | 1981-12-15 | Sperry Corporation | High stability no feedback optical transistor amplifier system |
| US4818896A (en) * | 1987-08-28 | 1989-04-04 | Hewlett-Packard Company | Optical transmitter driver with current peaking |
| US4982082A (en) * | 1989-11-21 | 1991-01-01 | Hughes Aircraft Company | Frequency detector for discriminating multi-longitudinal mode laser operation |
-
1989
- 1989-12-05 NL NL8902992A patent/NL8902992A/nl not_active Application Discontinuation
-
1990
- 1990-11-27 US US07/619,634 patent/US5091641A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-11-30 EP EP90203160A patent/EP0431687B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-11-30 JP JP2336909A patent/JP3043398B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1990-11-30 DE DE9090203160T patent/DE69000973T2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100486902C (zh) * | 2005-03-22 | 2009-05-13 | 刘京生 | 内外循环式饮用水处理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69000973T2 (de) | 1993-08-19 |
| NL8902992A (nl) | 1991-07-01 |
| US5091641A (en) | 1992-02-25 |
| EP0431687B1 (en) | 1993-02-24 |
| DE69000973D1 (de) | 1993-04-01 |
| JPH03195203A (ja) | 1991-08-26 |
| EP0431687A1 (en) | 1991-06-12 |
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