KR940002235Y1 - 고주파용 차동 증폭기 - Google Patents

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KR940002235Y1
KR940002235Y1 KR2019890012312U KR890012312U KR940002235Y1 KR 940002235 Y1 KR940002235 Y1 KR 940002235Y1 KR 2019890012312 U KR2019890012312 U KR 2019890012312U KR 890012312 U KR890012312 U KR 890012312U KR 940002235 Y1 KR940002235 Y1 KR 940002235Y1
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박철영
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금성일렉트론 주식회사
문정환
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

고주파용 차동 증폭기
제 1 도는 종래 차동 증폭기 회로도.
제 2 도는 본 고안 고주파용 차동 증폭기 회로도.
제 3 도는 차동 증폭회로의 주파수 특성도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
Q1∼Q4: 트랜지스터 R1∼R4: 저항
VA, VB: 바이어스 전압 Vin: 입력전압
CP: 기생 캐패시턴스
본 고안은 차동 증폭기에 관한 것으로서 특히 고주파 회로에 적당하도록 고주파용 차동 증폭기에 관한 것이다.
종래 차동증폭기는 제 1 도에서 보는 바와같이 트랜지스터(Q1, Q2)의 에미터는 저항(R2)에 묶여서 차동 증폭단을 구성하고 트랜지스터(Q1, Q2)의 베이스 사이에는 입력전압(Vin)이 연결되고 입력전압(Vin)은 직류(DC) 바이어스 전압(VA)에 연결되고 트랜지스터(Q1)의 콜렉터는 전원(Vcc)에 연결되고, 트랜지스터(Q2)의 콜렉터는 저항(R1)을 거쳐 전원(Vcc)에 연결되며 트랜지스터(Q1, Q2)의 각 에미터는 트랜지스터(Q3, Q4)의 콜렉터와 각각 연결되고 트랜지스터(Q3, Q4)의 베이스는 바이어스 전압(VB)와 연결되고 각 에미터는 저항(R3, R4)을 각각 거쳐 접지(GND)로 연결되는 구성이다.
상기 구성회로의 동작상태를 설명하면, 바이어스 전압(VA)이 차동 증폭단을 구성하는 트랜지스터(Q1, Q2)에 인가되고 입력신호(Vin)가 트랜지스터(Q1, Q2)의 베이스사이에 인가되어 게인은 G=R1/R2가 되는 기본적인 차동증폭기이다.
트랜지스터(Q1, Q2)의 에미터 전류는 트랜지스터(Q3, Q4)에 의해 구성되는 전류원에 의해 흐르고 있다.
그런데 상기와 같은 차동 증폭기는 차동단 트랜지스터(Q1, Q2)의 전류원이 트랜지스(Q3, Q4)에 의해 구성되므로 트랜지스터(Q1)의 베이스에 신호가 인가되면 트랜지스터(Q3)의 콜렉터베이스사이의 기생 캐패시턴스(Cp)에 의해 트랜지스(Q1, Q3)의 바이어스 라인에 입력신호의 영향이 나타나고 특히 입력신호가 고주파 일경우는 입력신호의 영향이 바이어스 라인에 더욱 크게 나타나고 주파수 특성이 떨어지는 단점이 있었다.
본 고안은 이러한 단점을 해결하기 위해 안출된 것으로 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
먼저 제 2 도에서 그 구성을 설명하면, 트랜지스터(Q1, Q2)의 에미터는 저항(R2)의 양단에 접속되어 차동단을 이루고 또 트랜지스터(Q1)의 에미터는 저항(R3)을 통하여 접지(GND)로 연결되고 트랜지스터(Q2)의 에미터는 저항(R4)을 거쳐 접지로 연결되며 트랜지스터(Q3)의 베이스 사이에는 입력전압(VB)과 연결되고 트랜지스터(Q1, Q2)의 베이스 사이에는 입력전압(Vin)이 연결되고 입력전압(Vin)의 한쪽은 바이어스 전압(VA)과 연결되는 구성이다.
상기 구성회로의 동작상태를 설명하면, 트랜지스터(Q1, Q2)의 베이스에는 바이어스 전압(VA)이 인가되고 입력신호(Vin)가 트랜지스터(Q1, Q2)의 베이스 사이에 인가되는데 이때 게인 G=R1/R2이다. 트랜지스터(Q1)의 에미터 전류는 저항(R3)에 의해 접지로 흐르고 트랜지스터(Q2)의 에미터 전류는 트랜지스터(Q3)와 저항(R4)에 의해 접지로 흐른다.
제 3 도는 주파수 특성도로서 실선부분은 종래 회로에 따른 주파수 특성을 타나내고 피선부분은 본 고안 회로에 따른 주파수 특성을 나타낸다.
따라서 본 고안은 트랜지스터(Q1)의 에미터 전류원을 저항(R3)에 의해 구성하였으므로 기생 캐패시턴트(Cp)가 없어 입력신호(Vin)의 영향이 바이어스라인(line)에 나타나지 않는 효과가 있고 또 본 고안은 입력신호의 영향이 바이어스 라인에 나타나지 않으므로 주파수 특성이 향상되어 고주파 차동 증폭기를 필요로 하는 많은 종류의 전자 회로에 범용으로 사용 될 수 있다.

Claims (1)

  1. 저항(R2)의 양단에 에미터가 접속되고 베이스로 바이어스 전압(VA)이 인가되며 각 베이스 사이에는 입력전압(Vin)이 연결되어 차동단을 이루는 트랜지스터(Q1, Q2)와, 상기 트랜지스터(Q2)의 콜렉터를 전원(Vcc)단에 연결하는 저항(R1)과, 상기 트랜지스터(Q1)의 에미터 전류를 흐르게 하는 저항(R3)과, 상기 트랜지스터(Q2)의 에미터 전류를 흐르게 하는 트랜지스터(Q3) 저항(Rv)과, 트랜지스터(Q3)의 베이스로 인가되는 바이어스 전압(VB)으로 구성된 것을 특징으로 하는 고주파용 차동 증폭기.
KR2019890012312U 1989-08-23 1989-08-23 고주파용 차동 증폭기 KR940002235Y1 (ko)

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