JP3038210B2

JP3038210B2 - ビアホ―ル充填用導電体ペ―スト組成物並びにそれを用いた両面及び多層プリント基板とその製造方法

Info

Publication number: JP3038210B2
Application number: JP12445499A
Authority: JP
Inventors: 和則面屋; 武鈴木; 立夫小川; 孝志大林
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1998-05-08
Filing date: 1999-04-30
Publication date: 2000-05-08
Anticipated expiration: 2019-04-30
Also published as: JP2000030533A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はビアホール充填用導
電体ペースト組成物と、それを用いた両面プリント基板
および多層プリント基板並びにこれらの製造方法に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の高性能化、小型化に伴
い、回路基板には高多層、高密度化が求められている。
ＩＣ間や部品間を最短距離で結合できる基板の層間の接
続方式としてインナビアホール接続によって、高密度化
が図れることが知られている。一般のガラスエポキシ多
層基板に用いられるようなスルーホール接続において
は、貫通孔にメッキすることで接続を行うため、必要な
層間のみの接続は困難であり、また基板最上層に電極の
ランドを有する構成のため、その部分に表面実装部品の
電極ランドを構成することができないことからこれらの
制約により実装密度を上げることは難しい。これらを解
決する方法として貫通孔でなく、基板の半分までの孔を
開け貫通孔を減らす方法や、スルーホールに導電体ペー
ストを充填し更にメッキする工程にて基板最上層の孔を
塞ぎ、実装密度を向上させる方法などが行われている
が、製造工程が複雑になりコストならびに量産性が課題
となる。

【０００３】これに対して、インナビアホール接続で
は、必要な各層間のみの接続が可能であり、さらに基板
最上層にも貫通孔がなく実装性も優れている。

【０００４】しかしこの接続方式を樹脂基板（例えば、
ガラスエポキシ基板）に適用した例では、両面基板では
低粘度の溶剤型銀ペーストを貫通孔に印刷法を用いて埋
め込み、乾燥硬化させ導通をとる基板があるが、その接
続抵抗値は１０ｍΩ・ｃｍ程度と高く、またヒートサイ
クル等の耐熱衝撃における信頼性が乏しい。また導電体
ペーストの貫通孔への埋め込み性を高めるためペースト
の低粘度化手段としては、導電体粒子量を少なく用いた
り、低沸点の溶剤あるいは反応性希釈剤を添加する方法
が行われていた。

【０００５】しかし、導電体粒子の添加量を減らすこと
は、フィラー同士の接触点が少なくなりビアホール接続
抵抗値が大きくなり、またヒートサイクル等の熱応力が
発生する試験では信頼性が確保できない問題があった。
また、低沸点の溶剤または反応性希釈剤を添加する方法
では、熱プレスの硬化中にこれら成分の揮発による重量
減少が大きく、この揮発成分のために基材に膨れが生じ
たり、または配線銅箔との接着力が弱くなる問題があっ
た。

【０００６】これらの課題を克服した例としては、導電
体粒子を高濃度で含有しつつリノールダイマー酸グリシ
ジルエステルエポキシ樹脂を主成分とすることで無溶剤
で低粘度、高導電性、耐熱衝撃導電接続信頼性の導電体
ペーストを実現したものがある（特開平７−１７６８４
６号公報）。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、前記従来の例
ではリノールダイマー酸グリシジルエステルエポキシ樹
脂を主成分としており、樹脂の架橋密度が低くなるため
低粘度で熱衝撃には強いものの、吸水率が高く高湿度試
験において導電接続信頼性が不足であった。またリノー
ルダイマー酸グリシジルエステルエポキシ樹脂はエポキ
シ樹脂の中では接着強度も低レベルにあるため、これを
主成分に用いた導電体ペーストをビアホールに使用した
場合配線銅箔との接着力が不十分であるという問題があ
った。

【０００８】一般にエポキシ樹脂の吸水率を低減し接着
強度を高めるには、架橋密度がより高められるエポキシ
当量が低い、例えばビスフェノール型エポキシ樹脂など
を配合する手段が知られている。しかし吸水率を低減し
接着強度を高められるこれら低エポキシ当量の樹脂はリ
ノールダイマー酸グリシジルエステルエポキシ樹脂など
に比較し高粘度であり、結果ビアホール充填ができない
導電体ペーストとなる。

【０００９】本発明は上記課題点に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、インナビアホール接
続による電極層間の電気的接続ならびに高耐熱衝撃性、
高耐湿性、高接続強度が得られる、低粘度で低揮発性の
導電体ペースト組成物を得ることにあり、またこのペー
ストを用いたインナビアホール接続を含んだ両面プリン
ト基板から多層プリント基板を得ることにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、導電体ペース
トの粘度を決定づける因子として樹脂粘度の他にエポキ
シ化合物中に含まれる水酸基、アミノ基、カルボキシル
基の存在があることを解明し、その知見を基に低吸水率
で高接着強度が得られかつビアホール充填作業性も高め
られる無溶剤低粘度導電体ペースト組成物及びこのペー
ストを用いたインナビアホール接続を含んだ両面プリン
ト基板、多層プリント基板を得るに至ったものである。
前記アミノ基は、第１アミン及び第２アミン等に含まれ
るアミノ基である。

【００１１】本発明の導電体ペースト組成物は、（ａ）
平均粒径が０．５〜２０μｍで、その比表面積が０．０
５〜１．５ｍ²／ｇの導電体粒子；３０〜７０体積％
と、（ｂ）一分子中に１つ以上のエポキシ基を有し、か
つ水酸基、アミノ基及びカルボキシル基の合計量がエポ
キシ基の５モル％以下であり、エポキシ当量が１００〜
３５０ｇ／ｅｑであるエポキシ化合物を１０重量％以上
含む樹脂；７０〜３０体積％とを少なくとも含むもので
ある。前記において、水酸基、アミノ基及びカルボキシ
ル基の合計量は、エポキシ基の３モル％以下であること
がさらに好ましい。前記エポキシ化合物中の水酸基、ア
ミノ基及びカルボキシル基の合計量を少なくするには、
分子蒸留により低減する方法が一例として採用できる。
ここで、エポキシ当量とは、エポキシ基１つあたりのエ
ポキシ化合物の分子量である。

【００１２】前記ペースト組成物においては、導電体粒
子が、下記Ｉ〜ＩＶの群から選ばれる少なくとも一つの
粒子であることが好ましい。（Ｉ）金、白金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、
鉛、インジウムから選ばれる少なくとも一つの粒子。（II）金、白金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、
鉛、インジウム、亜鉛、クロムから選ばれる任意の組み
合わせの合金粒子。（III）導電性または非導電性粒子を核とし、金、白
金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、鉛、インジウ
ムから選ばれる少なくとも一つの金属で被覆された粒
子。（IV）導電性または非導電性粒子を核とし、金、白金、
銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、鉛、インジウム、
亜鉛、クロムから選ばれる任意の組み合わせの合金で被
覆された粒子。

【００１３】また前記ペースト組成物においては、導電
体粒子の表面酸素濃度が１．０重量％以下の銅を含むこ
とが好ましい。また前記ペースト組成物においては、エ
ポキシ化合物が、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、
グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン
型エポキシ樹脂および脂環式エポキシ樹脂から選ばれる
少なくとも一つのエポキシ樹脂であることが好ましい。

【００１４】また前記ペースト組成物においては、エポ
キシ化合物が、ビスフェノールグリシジルエーテル型エ
ポキシ樹脂であることが好ましい。また前記ペースト組
成物においては、エポキシ化合物が、重量平均分子量６
００〜１００００のエポキシオリゴマーを含むことが好
ましい。

【００１５】また前記ペースト組成物においては、エポ
キシ化合物が、（Ａ群）ビスフェノールグリシジルエー
テル型エポキシ樹脂９０〜２０重量％と、（Ｂ群）Ｃ８
以上の長鎖脂肪族アルコールグリシジルエーテル型エポ
キシ樹脂及びＣ８以上の長鎖脂肪酸グリシジルエステル
型エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも一つのエポキシ
樹脂１０〜８０重量％であることが好ましい。また前記
ペースト組成物においては、エポキシ化合物が、（Ａ
群）ビスフェノールグリシジルエーテル型エポキシ樹
脂；９０〜１９重量％と、（Ｂ群）炭素数（Ｃ）８以上
の長鎖脂肪族アルコールグリシジルエーテル型エポキシ
樹脂及び炭素数（Ｃ）８以上の長鎖脂肪酸グリシジルエ
ステル型エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも一つの樹
脂；９〜８０重量％と、（Ｃ群）重量平均分子量６００
〜１００００のエポキシオリゴマー；１〜３０重量％と
を少なくとも含むことが好ましい。また前記ペースト組
成物においては、ペースト組成物の粘度特性が、温度：
２５℃、１[1/sec]における粘度（Ａ）と、２[1/sec]に
おける粘度（Ｂ）の比（Ａ／Ｂ）が、１以下であること
が好ましい。

【００１６】次に本発明の両面プリント基板は、絶縁基
材内に開けられたビアホール中に、導電性樹脂組成物が
充填され、かつ前記絶縁基材表面の上下電極層が電気的
に接続されている両面プリント基板であって、前記導電
性樹脂組成物が（ａ）平均粒径が０．５〜２０μｍで、
その比表面積が０．０５〜１．５ｍ²／ｇの導電体粒
子；３０〜７０体積％と、（ｂ）一分子中に１つ以上の
エポキシ基を有し、かつ水酸基、アミノ基及びカルボキ
シル基の合計量がエポキシ基の５モル％以下であり、エ
ポキシ当量が１００〜３５０ｇ／ｅｑであるエポキシ化
合物を１０重量％以上含む樹脂；７０〜３０体積％とを
少なくとも含み、かつ前記導電性樹脂組成物が前記ビア
ホール中において硬化されていることを特徴とする。

【００１７】前記両面プリント基板においては、絶縁基
材が、アラミド繊維と熱硬化性樹脂の複合材であること
が好ましい。また前記両面プリント基板においては、絶
縁基材が、アラミド不織布に熱硬化性樹脂が含浸された
複合材であることが好ましい。

【００１８】次に本発明の多層プリント基板は、複数枚
の絶縁基材層と２つ以上の電極層をもち、各々の絶縁基
材内に開けられたビアホール中に、平均粒径が０．５〜
２０μｍで、その比表面積が０．０５〜１．５ｍ²／ｇ
の導電体粒子３０〜７０体積％と、一分子中に１つ以上
のエポキシ基を有し、かつ水酸基、アミノ基及びカルボ
キシル基の合計量がエポキシ基の５モル％以下であり、
エポキシ当量が１００〜３５０ｇ／ｅｑであるエポキシ
化合物を１０重量％以上含む樹脂を硬化した樹脂７０〜
３０体積％を少なくとも含む導電性樹脂組成物が充填さ
れ、各電極層が互いに電気的に接続された構造を持つも
のである。

【００１９】前記多層プリント基板においては、絶縁基
材が、アラミド繊維と熱硬化性樹脂の複合材であること
が好ましい。また前記多層プリント基板においては、絶
縁基材が、アラミド不織布に熱硬化性樹脂を含浸させた
複合材であることが好ましい。

【００２０】次に本発明の両面プリント基板の製造方法
は、プリント基板の製造に用いられるプリプレグにあら
かじめビアホールを形成し、このビアホールに、（ａ）
平均粒径が０．５〜２０μｍで、その比表面積が０．０
５〜１．５ｍ²／ｇの導電体粒子３０〜７０体積％、
（ｂ）一分子中に１つ以上のエポキシ基を有し、かつ水
酸基、アミノ基及びカルボキシル基の合計量がエポキシ
基の５モル％以下であり、エポキシ当量が１００〜３５
０ｇ／ｅｑであるエポキシ化合物を１０重量％以上含む
樹脂７０〜３０体積％を少なくとも含む導電体ペースト
組成物を充填した後、前記プリプレグの上下層に銅箔を
挟んで加熱加圧後、銅箔をエッチングすることにより電
気回路を形成するものである。

【００２１】前記両面プリント基板の製造方法において
は、プリプレグがアラミド繊維と熱硬化性樹脂の複合材
であることが好ましい。また前記両面プリント基板の製
造方法においては、プリプレグがアラミド不織布に熱硬
化性樹脂を含浸したシートであることが好ましい。また
前記両面プリント基板の製造方法においては、導電体粒
子が、下記Ｉ〜ＩＶの群から選ばれる少なくとも一つの
粒子であることが好ましい。（Ｉ）金、白金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、
鉛、インジウムから選ばれる少なくとも一つの粒子。（II）金、白金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、
鉛、インジウム、亜鉛、クロムから選ばれる任意の組み
合わせの合金粒子。（III）導電性または非導電性粒子を核とし、金、白
金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、鉛、インジウ
ムから選ばれる少なくとも一つの金属で被覆された粒
子。（IV）導電性または非導電性粒子を核とし、金、白金、
銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、鉛、インジウム、
亜鉛、クロムから選ばれる任意の組み合わせの合金で被
覆された粒子。

【００２２】また前記両面プリント基板の製造方法にお
いては、導電体粒子が、その表面酸素濃度が１．０重量
％以下の銅を含むことが好ましい。また前記両面プリン
ト基板の製造方法においては、エポキシ化合物が、グリ
シジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型
エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂および
脂環式エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも一つのエポ
キシ樹脂であることが好ましい。また前記両面プリント
基板の製造方法においては、エポキシ化合物がビスフェ
ノールグリシジルエーテル型エポキシ樹脂であることが
好ましい。

【００２３】また前記両面プリント基板の製造方法にお
いては、エポキシ化合物が、重量平均分子量６００〜１
００００のエポキシオリゴマーを含むことが好ましい。
また前記両面プリント基板の製造方法においては、エポ
キシ化合物が、（Ａ群）ビスフェノールグリシジルエー
テル型エポキシ樹脂９０〜２０重量％と、（Ｂ群）Ｃ８
以上の長鎖脂肪族アルコールグリシジルエーテル型エポ
キシ樹脂及びＣ８以上の長鎖脂肪酸グリシジルエステル
型エポキシ樹脂１０〜８０重量％とを含むことが好まし
い。また前記両面プリント基板の製造方法においては、
エポキシ化合物が、（Ａ群）ビスフェノールグリシジル
エーテル型エポキシ樹脂；９０〜１９重量％と、（Ｂ
群）炭素数（Ｃ）８以上の長鎖脂肪族アルコールグリシ
ジルエーテル型エポキシ樹脂及び炭素数（Ｃ）８以上の
長鎖脂肪酸グリシジルエステル型エポキシ樹脂から選ば
れる少なくとも一つの樹脂；９〜８０重量％と、（Ｃ
群）重量平均分子量６００〜１００００のエポキシオリ
ゴマー；１〜３０重量％とを少なくとも含むことが好ま
しい。また前記両面プリント基板の製造方法において
は、ペースト組成物の粘度特性が、１[1/sec]における
粘度（Ａ）と、２[1/sec]における粘度（Ｂ）の比（Ａ
／Ｂ）が、１以下であることが好ましい。

【００２４】次に本発明の多層プリント基板の製造方法
は、プリント基板の製造に用いられるプリプレグにあら
かじめビアホールを形成し、このビアホールに、（ａ）
平均粒径が０．５〜２０μｍで、その比表面積が０．０
５〜１．５ｍ²／ｇの導電体粒子３０〜７０体積％、
（ｂ）一分子中に１つ以上のエポキシ基を有し、かつ水
酸基、アミノ基及びカルボキシル基の合計量がエポキシ
基の５モル％以下であり、エポキシ当量が１００〜３５
０ｇ／ｅｑであるエポキシ化合物を１０重量％以上含む
樹脂７０〜３０体積％を少なくとも含む導電体ペースト
組成物を充填して基板中間体を形成し、さらに下記方法
（Ａ）および（Ｂ）から選ばれるいずれかの方法によ
り、前記基板中間体を含む多層プリント基板を形成する
ことを特徴とする多層基板プリント基板の製造方法。方法（Ａ）；前記基板中間体を両面プリント基板の上下
に配置し、さらに前記基板中間体の上下に銅箔を配置
し、前記基板中間体及び前記両面プリント基板を前記銅
箔と共に加熱加圧した後、銅箔をエッチングして回路を
形成する方法。方法（Ｂ）；両面プリント基板を前記基板中間体の上下
に配置し、前記基板中間体を前記両面プリント基板と共
に加熱加圧する方法。

【００２５】前記多層プリント基板の製造方法において
は、プリプレグがアラミド繊維と熱硬化性樹脂の複合材
であることが好ましい。また前記多層プリント基板の製
造方法においては、プリプレグがアラミド不織布に熱硬
化性樹脂を含浸したシートであることが好ましい。また
前記多層プリント基板の製造方法においては、導電体粒
子が、下記Ｉ〜ＩＶの群から選ばれる少なくとも一つの
粒子であることが好ましい。（Ｉ）金、白金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、
鉛、インジウムから選ばれる少なくとも一つの粒子。（II）金、白金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、
鉛、インジウム、亜鉛、クロムから選ばれる任意の組み
合わせの合金粒子。（III）導電性または非導電性粒子を核とし、金、白
金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、鉛、インジウ
ムから選ばれる少なくとも一つの金属で被覆された粒
子。（IV）導電性または非導電性粒子を核とし、金、白金、
銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、鉛、インジウム、
亜鉛、クロムから選ばれる任意の組み合わせの合金で被
覆された粒子。

【００２６】また前記多層プリント基板の製造方法にお
いては、導電体粒子が、その表面酸素濃度が１．０重量
％以下の銅を含むことが好ましい。また前記多層プリン
ト基板の製造方法においては、エポキシ化合物が、グリ
シジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型
エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂および
脂環式エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも一つのエポ
キシ樹脂であることが好ましい。また前記多層プリント
基板の製造方法においては、エポキシ化合物が、ビスフ
ェノールグリシジルエーテル型エポキシ樹脂であること
が好ましい。

【００２７】また前記多層プリント基板の製造方法にお
いては、エポキシ化合物が、重量平均分子量６００〜１
００００のエポキシオリゴマーを含むことが好ましい。
また前記多層プリント基板の製造方法においては、エポ
キシ化合物が、（Ａ群）ビスフェノールグリシジルエー
テル型エポキシ樹脂９０〜２０重量％と、（Ｂ群）Ｃ８
以上の長鎖脂肪族アルコールグリシジルエーテル型エポ
キシ樹脂及びＣ８以上の長鎖脂肪酸グリシジルエステル
型エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも一つのエポキシ
樹脂１０〜８０重量％であることが好ましい。また前記
多層プリント基板の製造方法においては、エポキシ化合
物が、（Ａ群）ビスフェノールグリシジルエーテル型エ
ポキシ樹脂；９０〜１９重量％と、（Ｂ群）炭素数
（Ｃ）８以上の長鎖脂肪族アルコールグリシジルエーテ
ル型エポキシ樹脂及び炭素数（Ｃ）８以上の長鎖脂肪酸
グリシジルエステル型エポキシ樹脂から選ばれる少なく
とも一つの樹脂；９〜８０重量％と、（Ｃ群）重量平均
分子量６００〜１００００のエポキシオリゴマー；１〜
３０重量％とを少なくとも含むことが好ましい。また前
記多層プリント基板の製造方法においては、ペースト組
成物の粘度特性が、１[1/sec]における粘度（Ａ）と、
２[1/sec]における粘度（Ｂ）の比（Ａ／Ｂ）が、１以
下であることが好ましい。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、本発明のビアホール充填用
導電体ペーストを用いた両面プリント基板およびその形
成方法ならびにそれを用いた多層プリント基板の実施例
を図面に基づき詳細に説明する。

【００２９】図１は本発明の両面プリント基板の一実施
例の構造断面図である。両面プリント基板１０４は積層
基材１０１、銅箔１０２（図の場合は配線パターンの銅
箔）、導電体ペーストが硬化した導電体ビアホール１０
３とからなっている。本発明のポイントは、導電体ペー
スト組成物が低粘度であることで充填が容易であり、高
含有量の導電体粒子が満たされた接続であることで、低
抵抗値・低熱膨張率であり、かつ導電体ペースト組成物
中の樹脂が低吸水率・高接着強度・無溶剤で低揮発性で
あることであらゆる環境試験においても高い接続信頼性
を有するインナビアホール基板が得られることにある。
なお、インナビアホール接続とは、両面、および多層プ
リント基板の各層間を任意の位置で接続を得る方法であ
る。

【００３０】導電体ビアホール１０３を形成する導電体
ペースト組成物中の導電体粒子は、導電体組成中に高濃
度に含有される必要がある。その理由は、前記したよう
に導電体粒子同士の接触確率を高めることによる接続ビ
アホールの低抵抗化および熱または機械的応力による基
板歪みが加わった際にも接続信頼性を保持する必要があ
るからである。導電体粒子を高濃度に分散させるために
は、導電体粒子の平均粒径が０．２〜２０μｍの範囲
で、その比表面積が小さい程よく、その値は０．０５〜
１．５ｍ²／ｇが適正である。平均粒径が０．２μｍ未
満であれば比表面積が１．５ｍ²／ｇを越え高濃度の分
散は不可能になり、２０μｍを越えると１つのビアホー
ルに充填される導電体ペースト中の導電体粒子個数が少
なすぎて接続信頼性が低下する。また比表面積は０．０
５ｍ²／ｇ未満では平均粒径を２０μｍ以下にすること
が困難で、１．５ｍ²／ｇを越えると導電体粒子の高濃
度の分散は不可能になるため好ましくない。また前記導
電体ペースト組成物は、ビアホールへの充填性を高める
ため、その粘度とＴＩ値は低いほどよく、ＴＩ値は１．
０以下が適正である。なおＴＩ値とは、粘度が剪断速度
依存性を持つペーストにおいて、異なる剪断速度におけ
る各粘度の相対比を表す。本発明においては、ＴＩ値
は、温度：２５℃、１[1/sec]における粘度（Ａ）と、
温度：２５℃、２[1/sec]における粘度（Ｂ）の比（Ａ
／Ｂ）である。また、粘度測定は、東機産業（株）製、
Ｅ型粘度計（ＤＶＵ−Ｅ型）を用いて２５℃でＲ＝１４
ｍｍ、３°コーン、０．５rpm（剪断速度１(1/s)に相
当）の条件で測定する。

【００３１】また導電体粒子の種類としては、金、白
金、銀、パラジウム等の貴金属のもの、または銅、ニッ
ケル、錫、鉛、インジウム等の卑金属等ほとんどのもの
が使用可能で、これら２種以上を併用することも出来
る。また、純粋な金属だけでなく合金やまたは、図５に
示すような金属または絶縁性の核に導電性の材料で覆っ
たものも使用可能である。図５において５０１は球形の
核であり、５０２は導電性材料であり核の表面を覆い導
電性フィラーとしての役割を果たす。また、導電体粒子
の形状については上記平均粒径、比表面積を有するもの
であれば特に制限はない。

【００３２】特に銅粉末を導電体粒子として用いること
は、マイグレーションの抑制、経済的供給と価格の安定
性の面から望ましい。しかし、銅粉末は一般に酸化され
易いため、本目的でビアホール充填用として用いる場合
には、銅粉末の酸化が導電性を阻害することとなるため
銅粉末の酸素濃度は１．０重量％以下であることが好ま
しい。

【００３３】次に、導電体ビアホール１０３を形成する
導電体ペースト中の樹脂について説明する。接続信頼性
の高いインナビアホール用の導電体組成物を形成するた
めには、樹脂としては無溶剤で低粘度・低吸水率・高接
着強度の樹脂が基本的に必要である。この物性を得るた
め樹脂の組成としては、一分子中に１つ以上のエポキシ
基を有し、かつ水酸基、アミノ基、カルボキシル基がエ
ポキシ基の５モル％以下であり、エポキシ当量が１００
〜３５０ｇ／ｅｑであるエポキシ化合物を１０重量％以
上含む樹脂が用いられる。エポキシ化合物を必須成分と
する理由は高接着強度を得るためである。このエポキシ
化合物において、水酸基、アミノ基、カルボキシル基を
エポキシ基の５モル％以下の低濃度にする理由は、これ
ら水素結合力の高い官能基があるとたとえ樹脂粘度が低
くても導電体ペースト粘度が高くなるためである。逆に
これら水素結合力の高い官能基がエポキシ基の５モル％
以下の低濃度であれば樹脂粘度が高くても低粘度の導電
体ペーストが得られる。なお水酸基、アミノ基、カルボ
キシル基とエポキシ基の比は化学定量分析で確認できる
が、簡易的に赤外分光分析における３５００ｃｍ^-1近傍
の吸光度（水酸基、アミノ基、カルボキシル基に起因）
と９１０ｃｍ^-1近傍の吸光度（エポキシ基に起因）の比
でも確認できる。このエポキシ化合物において、エポキ
シ当量を１００〜３５０ｇ／ｅｑにする理由は、３５０
ｇ／ｅｑ以上だと架橋密度が低すぎて吸水率が高く低接
着強度になるためで、１００ｇ／ｅｑ未満だと架橋密度
が高すぎて硬化収縮歪みが大きくなり接着強度低下を招
くためである。当該エポキシ化合物が樹脂中に１０重量
％以上含まれていれば低粘度・低吸水率・高接着強度の
導電体ペースト組成物が得られる。当該エポキシ化合物
以外の樹脂成分については無溶剤であれば特に制限はな
い。また必要に応じエポキシ化合物を反応硬化させるた
めのエポキシ硬化剤も配合される。なお導電体ペースト
粘度は２０００Ｐａ・ｓ以下、ＴＩ値は１以下が望まし
い。粘度が２０００Ｐａ・ｓ以上、ＴＩ値が１を越える
とビアホール充填作業が出来ないという不具合を生じ
る。また本発明において樹脂を無溶剤にする理由は、溶
剤が含まれていた場合、本導電体組成物はビアホールに
充填された後加熱圧縮される時、揮発成分が揮散してビ
アホール充填構造物中にボイドが発生したり、またはプ
リプレグの剥離が生じたりして接続が不安定になるため
である。

【００３４】使用に適したエポキシ化合物としては、グ
リシジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル
型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、脂
環式エポキシ樹脂等が使用される。中でも、ビスフェノ
ールグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、例えば、ビス
フェノールＡ型エポキシ樹脂（化１）、ビスフェノール
Ｆ型エポキシ樹脂（化２）、ビスフェノールＡＤ型（化
３）、水添ビスフェノール型エポキシ樹脂（化４）、ア
ルキレンオキシド変性ビスフェノール型エポキシ樹脂
（化５）、アルコキシ変性ビスフェノール型エポキシ樹
脂（化６）等を使用することで低粘度で低吸水率かつ高
接着強度が得られる。これらのビスフェノールグリシジ
ルエーテル型エポキシ樹脂は単独でも任意の組み合わせ
で使用しても有効である。

【００３５】

【化１】

【００３６】

【化２】

【００３７】

【化３】

【００３８】

【化４】

【００３９】

【化５】

【００４０】

【化６】

【００４１】また前記において、エポキシ化合物が、
（Ａ群）ビスフェノールグリシジルエーテル型エポキシ
樹脂９０〜２０重量％と、（Ｂ群）Ｃ８以上の長鎖脂肪
族アルコールグリシジルエーテル型エポキシ樹脂及びＣ
８以上の長鎖脂肪酸グリシジルエステル型エポキシ樹脂
から選ばれる少なくとも一方のエポキシ樹脂１０〜８０
重量％とで構成される樹脂は、特に低粘度で低吸水率か
つ高接着強度が得られ、かつ応力に対する緩和効果が大
きいためビアホールの接続信頼性が高くなる。ここで
（Ａ群）に含まれる樹脂例としては、前記のビスフェノ
ールＡ型エポキシ樹脂（化１）、ビスフェノールＦ型エ
ポキシ樹脂（化２）、ビスフェノールＡＤ型（化３）、
水添ビスフェノール型エポキシ樹脂（化４）、アルキレ
ンオキシド変性ビスフェノール型エポキシ樹脂（化
５）、アルコキシ変性ビスフェノール型エポキシ樹脂
（化６）等が使用できる。また（Ｂ群）に含まれる樹脂
例としては、リノールダイマー酸グリシジルエステル型
エポキシ樹脂（化７）、イソプレンカプロン酸ダイマー
グリシジルエステル型エポキシ樹脂（化８）バーサチッ
ク酸グリシジルエステル型エポキシ樹脂（化９）、ラウ
リルグリシジルエーテル型エポキシ樹脂（化１０）等を
使用することができる。これらＡ群Ｂ群の樹脂は単独で
も任意の組み合わせで使用しても有効である。

【００４２】

【化７】

【００４３】

【化８】

【００４４】

【化９】

【化１０】

【００４５】またこの他に使用に適したエポキシ化合物
としては、平均分子量６００〜１００００のエポキシオ
リゴマーがある。当該エポキシオリゴマーは、水酸基、
アミノ基、及びカルボキシル基量がエポキシ基量に対し
て非常に少ないこと、および導電体ペーストにした場合
樹脂分子量の増加に伴い粘度の剪断速度依存性（ＴＩ
値）が小さくなることから、低粘度の導電体ペーストが
得られる効果を有する。加えて当該エポキシオリゴマー
は、剥離接着強度を向上させる効果もある。

【００４６】また前記において、エポキシ化合物が、
（Ａ群）ビスフェノールグリシジルエーテル型エポキシ
樹脂９０〜１９重量％と、（Ｂ群）Ｃ８以上の長鎖脂肪
族アルコールグリシジルエーテル型エポキシ樹脂及び／
またはＣ８以上の長鎖脂肪酸グリシジルエステル型エポ
キシ樹脂９〜８０重量％と、（Ｃ群）平均分子量６００
〜１００００のエポキシオリゴマー１〜３０重量％とで
構成される樹脂は、特に低粘度で低吸水率かつ高接着強
度が得られ、かつ応力に対する緩和効果が大きいためビ
アホールの接続信頼性が高くなる。ここで（Ａ群）に含
まれる樹脂例としては、前記ビスフェノールＡ型エポキ
シ樹脂（化１）、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（化
２）、ビスフェノールＡＤ型（化３）、水添ビスフェノ
ール型エポキシ樹脂（化４）、アルキレンオキシド変性
ビスフェノール型エポキシ樹脂（化５）、アルコキシ変
性ビスフェノール型エポキシ樹脂（化６）等が使用でき
る。また（Ｂ群）に含まれる樹脂例としては、リノール
ダイマー酸グリシジルエステル型エポキシ樹脂（化
７）、イソプレンカプロン酸ダイマーグリシジルエステ
ル型エポキシ樹脂（化８）バーサチック酸グリシジルエ
ステル型エポキシ樹脂（化９）、ラウリルグリシジルエ
ーテル型エポキシ樹脂（化１０）等を使用することがで
きる。さらに（Ｂ群）に含まれる樹脂例としては、エポ
キシ化不飽和脂肪酸変性物（化１１）、エポキシ化ポリ
ブタジエン（化１２）、エポキシ化ポリスチレンブタジ
エン共重合体（化１３）等を使用することができる。こ
れらＡ群Ｂ群Ｃ群の樹脂は単独でも任意の組み合わせで
使用しても有効である。

【００４７】

【化１１】

【００４８】

【化１２】

【００４９】

【化１３】

【００５０】また導電体ペーストには必要に応じてエポ
キシ化合物以外の樹脂が加えられてもよい。使用に適し
た当該樹脂としては、例えば耐熱性向上を目的にイミド
樹脂、フェノール樹脂などが挙げられ、銅箔との剥離接
着強度向上を目的にポリオレフィン等のビニル重合体、
アクリル樹脂、ポリエーテル、ポリエステル、ポリアミ
ド、ポリウレタン等が用いられる。これら樹脂は単独で
も任意の組み合わせで使用しても有効である。

【００５１】また導電体ペーストには必要に応じてエポ
キシ硬化剤が配合されてもよい。エポキシ硬化剤につい
ては、１液性組成物として一般的に使用されている硬化
剤が使用可能である。例えばジシアンジアミド、カルボ
キシルヒドラジド等のアミン系硬化剤、ヘプタデシルイ
ミダゾール等のイミダゾール系硬化剤、３−（３，４−
ジクロロフェニル）−１、１−ジメチル尿素等の尿素系
硬化剤、無水メチルヘキサフタル酸、無水メチルナジッ
ク酸等の酸無水物系硬化剤、トリフェニルフォスフィン
等のフォスフィン系硬化剤、及びヘキサフルオロアンチ
モン塩等のルイス酸などが代表的に用いられる。これら
のうちでも、特に組成物の安定性および作業性の観点よ
り、潜在性硬化剤が望ましい。ここで潜在性硬化剤と
は、室温では反応が停止状態にあり長時間特性が変わる
ことなく保存可能で、所定の温度以上に加熱したときに
粒子が溶融、分解または溶解し、封じ込められていた活
性基が現れ、一斉に反応が開始され速やかに硬化する機
能を有するものをいう。

【００５２】また導電体ペーストには必要に応じて分散
剤が配合されてもよい。分散剤については、一般に使用
される分散剤が使用可能である。第一は、高級脂肪酸の
エチレンオキシド、プロピレンオキシド付加エステル化
物、ゾルビタンと脂肪酸のエステル化合物、ゾルビタン
等の多価アルコールのエチレンオキシド、プロピレンオ
キシド付加エーテル化合物、アルキルベンゼンのエチレ
ンオキシド、プロピレンオキシド付加物等の非イオン性
分散剤、第二には、アルキルベンゼンスルフォン酸アル
カリ塩、高級アルコール硫酸エステルアルカリ塩、リン
酸エステル化合物、高級脂肪酸、高級脂肪酸のエチレン
オキシド、プロピレンオキシド付加物のサルファートア
ルカリ塩等のアニオン系分散剤、第三に４級アンモニウ
ム塩タイプのカチオン系分散剤が代表的に用いられる。
ここにいう分散剤とは、ペースト中において金属粒子表
面とバインダとして配合される有機樹脂との親和性を増
すことによって、ペーストの低粘度化及び低ＴＩ値化を
促進する効果を持つ。

【００５３】積層基材１０１としては、プレス時にその
厚みがプリプレグより硬化後薄くなるものであれば制限
はなく現在知られているほとんどの積層基材が使える。
例えば、ガラスエポキシ基材、アラミドエポキシ基材、
ガラスイミド基材、紙フェノール基材等が使える。加熱
加圧する前はプリプレグといわれ、芯材のガラスクロス
または不織布に未硬化の樹脂を含浸してある。

【００５４】図２（ａ）〜（ｄ）は本発明の両面基板の
形成方法の工程図である。図２において積層基材２０１
はプリプレグである。このプリプレグに貫通孔を明け
る。一般にはドリルがよく使われるが、材料によっては
レーザビームなど他の加工法をとることも可能である。
図２（ｂ）は、図２（ａ）を銅箔２０２ではさんだ状態
を示している。図２（ｃ）は、図２（ｂ）に加熱加圧を
加えた後の状態を示している。図２（ｃ）は、プリプレ
グに開けた貫通孔に加熱加圧後に金属充填量が増えてい
る状態を示している。プリプレグは圧縮されて厚みが薄
くなり、且、樹脂が硬化している。導電体ペースト２０
３は圧縮された状態になっている。この状態の導電体１
０３が上下両面の電気的接続の役割を果たす。図２
（ｄ）は表面の銅箔２０２を加工（エッチング等）して
配線パターンを形成した後の状態を示している。加工後
の銅箔１０２は回路導電体となる。実用に供せられるプ
リント基板はこの後、半田レジストを塗布したり、文字
や記号を印刷したり、挿入部品用の穴を開けるなどの工
程があるが、ここでは本質ではないので省略する。

【００５５】図３（ａ）、（ｂ）は上記に述べた両面プ
リント基板の形成方法を繰り返し用いて多層プリント基
板を作る工程を示している。図３（ａ）は芯になる両面
プリント基板１０４の両側（上下面）に図２（ａ）の貫
通孔に導電体ペーストを充填したものを配置し、更に銅
箔２０２をおいた状態を示している。この状態で、上下
面から加熱加圧すれば図３（ｂ）の多層プリント基板が
得られ、すでにインナビアホール接続が出来上がってい
る。さらに上下面の銅箔をパターン状に加工すれば４層
の多層プリント基板が完成する。以後、この工程を繰り
返し、より層数の多い多層プリント基板を作ることが出
来る。

【００５６】図３の多層プリント基板の形成方法におい
て、芯の両面プリント基板は本発明の両面プリント基板
を用いたが、必ずしもその必要はなく、従来あるスルー
ホール両面プリント基板が使えることは容易にわかる。
この場合、スルーホールの貫通孔は前もって埋めておい
たほうがよい。ここでスルーホール基板とは、樹脂基板
のことをいう。スルーホール基板ばかりでなくセラミッ
クの基板等が使える。

【００５７】図４は多層プリント基板の他の形成方法を
示している。図４（ａ）においては、導電体ペースト２
０３を充填した加熱加圧前のプリプレグ２０１を２枚の
両面プリント基板１０４ではさんでいる。この状態で加
熱加圧し、図４（ｂ）の４層の多層プリント基板を得る
ことが出来る。４層ばかりでなく、複数枚の両面プリン
ト基板を用意し、前記の導電体粒子を充填した加熱加圧
前の積層基材を各両面プリント基板の間に挟んで加熱加
圧すればより多層の多層プリント基板を得ることが出来
る。

【００５８】図４の多層プリント基板の形成方法におい
て、両面プリント基板は本発明の両面プリント基板を用
いたが、必ずしもその必要はなく、従来あるスルーホー
ル両面プリント基板が使える。スルーホール基板ばかり
でなくセラミックの基板等が使える。

【００５９】

【実施例】以下実施例を用いて本発明をさらに具体的に
説明する。なお下記の実施例において、単に％と表示し
た場合は、重量％を意味する。またＰＣＴ試験(Pressur
e Cooker Test)は次の方法で測定した。図６に示すとお
り、密閉した圧力容器１の加湿水１２を加湿水ヒータ９
で加熱し、水蒸気で容器内を高圧に保ち、その水蒸気を
ヒーター４で再加熱し、撹拌ファン８より内筒２へ循環
させる。図６において、３は扉であり、試料１４を出し
入れするときに開閉する。６は撹拌用モータ、７は撹拌
用モータの回転力を撹拌ファン８に伝達するための磁気
カップリング、５は器内温度センサ、１０は加湿水温セ
ンサ、１１は湿球温度センサ、１３はクロスウィック
（繊維製吸水芯）である。また、矢印Ａは風の流れを示
す。この測定装置は、「ＨＡＳＴチャンバー、ＥＨＳ−
４１１型」（タバイエスペック社製）として市販されて
いる。前記測定装置を用いて、１２１℃、２気圧の飽和
水蒸気中に試料をさらした。また電気抵抗は時間ごとに
ＰＣＴ試験装置より取り出し、サンプルの水分をベンコ
ットンで拭き取り、２時間通常室内（２５℃、２３％相
対湿度）放置後、電気抵抗を４端子法で測定した。

【００６０】（実施例１）本発明の第１の実施例では図
１に示すようにプリプレグとしては２００μｍの厚みの
アラミド・エポキシシート（帝人（株）製ＴＡ−０１）
を使用し、このプリプレグの片面に厚み２０μｍのポリ
エチレンテレフタレートフィルムを接着剤を用いて貼り
合わせ、ドリルを用いてこの基材に直径０．２ｍｍの貫
通孔を形成した。この貫通孔にビアホール充填用とし
て、表１に示した組成物を三本ロールにて混練した導電
体ペーストを充填した。表１に導電体粒子の平均粒径お
よび比表面積とビアホール充填用導電体ペースト粘度値
を示す。なお以下の全て実施例における粘度データは、
Ｅ型粘度計を用い、剪断速度１［１／ｓｅｃ］、温度２
５℃で測定した値である。またＴＩ値は、Ｅ型粘度計を
用い、温度：２５℃で測定した剪断速度、１[1/sec]に
おける粘度（Ａ）と、２[1/sec]における粘度（Ｂ）の
比（Ａ／Ｂ）である。

【００６１】

【表１】

【００６２】各ペーストが充填されたプリプレグに、３
５μｍの銅箔１０２をプリプレグの上下面に貼り合わ
せ、これを熱プレスを用いてプレス温度１８０℃、圧力
５０Ｋｇ／ｃｍ²で６０分間加熱加圧して両面銅張板を
形成し、公知のエッチング技術を用いて電極パターンを
形成した。

【００６３】表１にそれぞれの導電体ペーストを用いた
ときの、インナビアホールの接続抵抗値および銅箔剥離
強度を示す。本発明の条件を満たした導電粒子を用いる
と、いずれのペーストを用いてもビアホールの体積抵抗
値は１００（μΩ・ｃｍ）以下である低抵抗の接続が得
られた。また銅箔剥離強度についても請求項記載の条件
を満たした導電粒子を用いればいずれのペーストを用い
た場合でも１．５ｋｇｆ／ｃｍ以上の高強度が得られ
た。

【００６４】一方、比較例の微小粒径の導電体粒子を用
いた場合には、非常に高粘度で高ＴＩ値のペーストが得
られ貫通孔への充填作業性が低く、銅箔剥離強度が低い
結果が得られた。また比較例の大粒径の導電体粒子を用
いた場合には、充填作業性と銅箔剥離強度は高いがビア
ホールの体積抵抗値は１３０（μΩ・ｃｍ）以上の高抵
抗値が得られた。

【００６５】（実施例２）第２の実施例では、平均粒径
２μｍの銅粉２５〜７５体積％と、第１の実施例と同じ
樹脂７５〜２５体積％を三本ロールにて混練して導電体
ペーストを得、これを第１の実施例と同様に直径０．２
ｍｍの貫通孔を形成したプリプレグに充填した。これら
の各ペーストが充填されたプリプレグに、銅箔１０２を
プリプレグの上下面に貼り合わせ、これを熱プレスを用
いてプレス温度１８０℃、圧力５０ｋｇ／ｃｍ²で６０
分間加熱加圧して両面銅張板を形成し、公知のエッチン
グ技術を用いて電極パターンを形成した。

【００６６】

【表２】

【００６７】表２に各ビアホール充填用導電体ペースト
の粘度値とＴＩ値、それぞれのペーストを用いたときの
インナビアホールの接続抵抗値および銅箔剥離強度を示
す。導電体粒子と樹脂を請求項の条件を満たした範囲で
配合した導電体ペーストはいずれもビアホールの体積抵
抗値は１００（μΩ・ｃｍ）以下である低抵抗の接続が
得られた。一方、導電体粒子の含有量が比較例である３
０体積％未満では、導電体粒子が不足しビアホール抵抗
値が大きい。また導電体粒子の含有量が比較例の７０体
積％を越えるとペースト粘度及びＴＩ値が高くなりビア
ホール充填作業性が困難であった。また銅箔剥離強度に
ついては導電体粒子の含有量が７０体積％以下であれば
いずれのペーストを用いた場合でも１．５ｋｇｆ／ｃｍ
以上の高強度が得られた。

【００６８】またインナビアホール接続の耐熱衝撃信頼
性を評価するため、各導電体ペーストをビアホールに充
填して作製した両面銅張板のヒートサイクル試験（−５
５℃〜１２５℃各３０分）をおこなった。評価はインナ
ビアホールの接続抵抗値が初期値の変化率１０％以内に
保持されるサイクル数で行った。なお以下の全ての実施
例における耐熱衝撃信頼性の評価は同様な方法で行っ
た。本実施例のビアホール接続の耐熱衝撃信頼性評価結
果は表２に示す。各導電体ペーストを充填したサンプル
のヒートサイクル試験におけるビアホール抵抗値の変化
は、本発明の条件を満たした範囲であれば数１００サイ
クル以上にわたり安定で、ビアホールの接続信頼性が損
なわれていない。一方、導電体粒子の含有量が比較例の
３０体積％未満の場合には、短時間で抵抗値が大きく上
昇し、やがて断線に至った。

【００６９】（実施例３）第３の実施例では、導電体粒
子として表面酸素濃度が異なる平均粒径２μｍの銅粉を
５０体積％と、表３に示した樹脂５０体積％を三本ロー
ルにて混練して導電体ペーストを得、第１の実施例と同
様に、直径０．２ｍｍの貫通孔を形成したプリプレグに
これを充填した。これらの各ペーストが充填されたプリ
プレグに、銅箔１０２をプリプレグの上下面に貼り合わ
せ、これを熱プレスを用いてプレス温度１８０℃、圧力
５０ｋｇ／ｃｍ²で６０分間加熱加圧して両面銅張板を
形成し、公知のエッチング技術を用いて電極パターンを
形成した。

【００７０】

【表３】

【００７１】表３に各ビアホール充填用導電体ペースト
の粘度とＴＩ値、それぞれのペーストを用いたときのイ
ンナビアホールの接続抵抗値を示す。銅の表面酸素濃度
が１．０重量％以下のペーストでは１００（μΩ・ｃ
ｍ）以下である低抵抗の接続が得られた。しかし表面酸
素濃度の増大とともに、ビアホール抵抗値が高くなり、
その量が１．０重量％を越えると急激に抵抗値が増大し
１００（μΩ・ｃｍ）以下である低抵抗の接続が得られ
ない。また表面酸素濃度の増大とともにペースト粘度及
びＴＩ値も高くなり充填しにくい導電体ペーストとなっ
た。

【００７２】（実施例４）第４の実施例では、表４に示
すようにエポキシ化合物中の水酸基・アミンノ基・カル
ボキシル基を分子蒸留にて低減したもの（本発明の範囲
内）と未処理の樹脂（比較例）との比較を行った。導電
体粒子として平均粒径２μｍの銅粉を５０体積％と、表
４に示した硬化剤を含んだグリシジルエーテル型エポキ
シ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジ
ルアミン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂の各樹脂
５０体積％を三本ロールにて混練し導電体ペーストを
得、第１の実施例と同様に、直径０．２ｍｍの貫通孔を
形成したプリプレグにこれを充填した。

【００７３】

【表４】ここで、表４中のＨ値は、水酸基、アミノ基およびカル
ボキシル基に起因する赤外吸収（３２００〜３６００ｃ
ｍ^-1）とエポキシ基に起因する赤外吸収（８８０〜９４
０ｃｍ^-1）の各極大吸光度の比である。なお、エポキシ
基に対する水酸基、アミノ基およびカルボキシル基の合
計量の比とＨ値との関係を調査するために、併せて、分
子構造が既知の各種化合物についてＨ値を測定した。そ
の結果、Ｈ値が１０のとき、上記の比は５％程度となる
ことが判明した。上記の３つの基の存在に起因する赤外
吸光のピークが、いずれも３２００〜３６００ｃｍ^-1に
あり、エポキシ基に起因する赤外吸光のピークが８８０
〜９４０ｃｍ^-1にあることからも明らかなように、Ｈ値
が１０を超えると、エポキシ基に対する、水酸基、アミ
ノ基およびカルボキシル基の合計量の比も５％を上回
る。

【００７４】表５に各ビアホール充填用導電体ペースト
の粘度とＴＩ値を示す。エポキシ化合物中の水酸基・ア
ミノ基・カルボキシル基を低減したものを用いた導電体
ペースト（表５−ａ２、ｂ２、ｃ２、ｄ２）では、いず
れのペーストを用いても低粘度かつ低ＴＩ値で充填作業
性の良い結果が得られた。一方、エポキシ化合物中の水
酸基・アミノ基・カルボキシル基が多い樹脂を用いた導
電体ペーストでは（表５−ａ１、ｂ１、ｃ１、ｄ１）非
常に高粘度かつ高ＴＩ値でビアホール充填作業性が低か
った。

【００７５】

【表５】

【００７６】これらの各ペーストが充填されたプリプレ
グに、銅箔１０２をプリプレグの上下面に貼り合わせ、
これを熱プレスを用いてプレス温度１８０℃、圧力５０
ｋｇ／ｃｍ²で６０分間加熱加圧して両面銅張板を形成
し、公知のエッチング技術を用いて電極パターンを形成
した。

【００７７】表５にそれぞれのペーストを用いたとき
の、インナビアホールの接続抵抗値および銅箔剥離強度
を示す。エポキシ化合物中の水酸基・アミノ基・カルボ
キシル基を本発明の範囲内に低減したもの（表５−ａ
２、ｂ２、ｃ２、ｄ２）はいずれのペーストを用いても
ビアホールの体積抵抗値は１００（μΩ・ｃｍ）以下で
ある低抵抗の接続が得られ、また銅箔剥離強度も１．５
ｋｇｆ／ｃｍ以上の高強度が得られた。一方、エポキシ
化合物中の水酸基・アミノ基・カルボキシル基が多い樹
脂を用いた導電体ペースト（表５−ａ１、ｂ１、ｃ１、
ｄ１）では、導電体ペーストがビアホールに十分に充填
されていないためか高抵抗でかつ低強度である結果が得
られた。

【００７８】またインナビアホール接続の耐熱衝撃信頼
性を評価するため、各導電体ペーストをビアホールに充
填して作製した両面銅張板のヒートサイクル試験（−５
５℃〜１２５℃各３０分）をおこなった。評価は第２の
実施例と同様な方法で行った。結果は表５に示す。各導
電体ペーストを充填したサンプルのヒートサイクル試験
におけるビアホール抵抗値の変化は、請求項の条件を満
たした範囲の導電体ペースト（表５−ａ２、ｂ２、ｃ
２、ｄ２）を使用した場合であれば１０００サイクル以
上にわたり安定で、ビアホールの接続信頼性が損なわれ
ていない。一方、エポキシ化合物中の水酸基・アミノ基
・カルボキシル基が本発明の範囲を越えて多い樹脂を用
いた導電体ペーストの場合には、短時間で抵抗値が大き
く上昇する結果が得られた。

【００７９】（実施例５）第５の実施例では、導電体粒
子として平均粒径２μｍの銅粉を５０体積％と、表６に
示した硬化剤を含んだ樹脂５０体積％を三本ロールにて
混練して導電体ペーストを得、第１の実施例と同様に、
直径０．２ｍｍの貫通孔を形成したプリプレグにこれを
を充填した。本実施例でも第４の実施例と同様にエポキ
シ化合物中の水酸基・アミノ基・カルボキシル基を分子
蒸留にて低減したもの（本発明の範囲内）と未処理の樹
脂（比較例）との比較、およびエポキシ当量が低いもの
（本発明の範囲内）と高いもの（比較例）との比較を行
った。

【００８０】

【表６】

【００８１】これらの各ペーストが充填されたプリプレ
グに、銅箔１０２をプリプレグの上下面に貼り合わせ、
これを熱プレスを用いてプレス温度１８０℃、圧力５０
ｋｇ／ｃｍ²で６０分間加熱加圧して両面銅張板を形成
し、公知のエッチング技術を用いて電極パターンを形成
した。

【００８２】表７に各ビアホール充填用導電体ペースト
の粘度とＴＩ値およびペースト硬化物の吸水率を示す。
吸水率は各導電体ペーストを直径２０ｍｍ厚さ１ｍｍの
円盤状の型に入れプレス温度１８０℃、圧力５０ｋｇ／
ｃｍ²で６０分間加熱加圧して成形した硬化物のＰＣＴ
試験（１２１℃、２気圧、５０Ｈｒ）での重量増加率で
評価した。またそれぞれのペーストを用いたときの、イ
ンナビアホールの接続抵抗値および銅箔剥離強度も表７
に示す。なお以下の全ての実施例におけるペースト硬化
物の吸水率の評価は同様な方法で行った。

【００８３】

【表７】

【００８４】エポキシ化合物中の水酸基・アミノ基・カ
ルボキシル基を請求項範囲内に低減、かつエポキシ当量
を請求項範囲内にした樹脂を用いた導電体ペーストは、
いずれのペーストを用いても低粘度かつ低ＴＩ値で充填
作業性の良いペーストが得られた。また導電体ペースト
硬化物のＰＣＴにおける吸水率についても、請求項範囲
のエポキシ化合物を用いた導電体ペーストは、１０重量
％以下の低吸水率を示した。さらにこれら請求項範囲内
のペーストはいずれを用いてもビアホールの体積抵抗値
は１００（μΩ・ｃｍ）以下である低抵抗の接続が得ら
れ、また銅箔剥離強度も１．５ｋｇｆ／ｃｍ以上の高強
度が得られた。

【００８５】一方、エポキシ化合物中の水酸基・アミノ
基・カルボキシル基が多い樹脂を用いた導電体ペースト
では、１種（表７−ｉ）をのぞき非常に高粘度かつ高Ｔ
Ｉ値でビアホール充填作業性が低く、ビアホールの体積
抵抗値も高い結果が得られた。また高エポキシ当量の樹
脂を用いた導電体ペーストでは（表７−ｉ、ｊ）、吸水
率が非常に高く銅箔剥離強度も低い結果が得られた。

【００８６】またインナビアホール接続の耐湿信頼性を
評価するため、各導電体ペーストをビアホールに充填し
て作製した両面銅張板のＰＣＴ試験をおこなった。試験
の評価はビアホール接続抵抗値が初期値の変化率１０％
以下に保持される時間で行った。その結果を表７に示す
が、比較例の（表７−ｅ１、ｉ、ｊ）は１００時間以内
で接続不良となるが、その他の本発明の範囲内のものは
いずれのペーストを用いても高い耐湿接続信頼性が得ら
れた。

【００８７】またインナビアホール接続の耐熱衝撃信頼
性を評価するため、各導電体ペーストをビアホールに充
填して作製した両面銅張板のヒートサイクル試験（−５
５℃〜１２５℃各３０分）をおこなった。評価は第２の
実施例と同様な方法で行った。結果は表７に示す。各導
電体ペーストを充填したサンプルのヒートサイクル試験
におけるビアホール抵抗値の変化は、請求項の条件を満
たした範囲であればいずれの導電体ペーストを使用した
場合でも１０００サイクル以上にわたり安定で、ビアホ
ールの接続信頼性が損なわれていない。一方、エポキシ
化合物中の水酸基・アミノ基・カルボキシル基が本発明
の範囲を越えて多い樹脂（表７−ａ１、ｅ１、ｇ１、ｈ
１）を用いた導電体ペーストの場合には、短時間で抵抗
値が大きく上昇する結果が得られた。

【００８８】（実施例６）第６の実施例では、導電体粒
子として平均粒径２μｍの銅粉を５０体積％と、表８に
示す硬化剤を含むエポキシ当量の異なるビスフェノール
Ｆ型エポキシ樹脂５０体積％を三本ロールにて混練して
導電体ペーストを得、第１の実施例と同様に、直径０．
２ｍｍの貫通孔を形成したプリプレグにこれを充填し
た。これらの各ペーストが充填されたプリプレグに、銅
箔１０２をプリプレグの上下面に貼り合わせ、これを熱
プレスを用いてプレス温度１８０℃、圧力５０ｋｇ／ｃ
ｍ²で６０分間加熱加圧して両面銅張板を形成し、公知
のエッチング技術を用いて電極パターンを形成した。

【００８９】

【表８】

【００９０】表８に各ビアホール充填用導電体ペースト
の粘度値とＴＩ値およびペースト硬化物の吸水率、それ
ぞれのペーストを用いたときのインナビアホールの接続
抵抗値および銅箔剥離強度を示す。エポキシ当量の増大
とともにペースト粘度及びＴＩ値も高くなり充填しにく
く、かつ吸水率の大きい導電体ペーストとなった。これ
はエポキシ当量が高まると、樹脂自身の粘度が高くなる
と同時にエポキシ化合物中の水酸基の増大および硬化架
橋密度低下が不可避であるためと考えられる。エポキシ
当量が請求項範囲内である樹脂を用いた導電体ペースト
は、いずれも低粘度かつ低ＴＩ値で充填作業性が良く、
さらに低吸水率で、その結果ビアホールの体積抵抗値は
１００（μΩ・ｃｍ）以下である低抵抗の接続で、かつ
銅箔剥離強度も１．５ｋｇｆ／ｃｍ以上の高強度が得ら
れた。

【００９１】（実施例７）第７の実施例では、導電体粒
子として平均粒径２μｍの銅粉を５０体積％と、表９に
あるＡ群（ビスフェノール型エポキシ樹脂）とＢ群の樹
脂およびアミン系硬化剤を配合した総量５０体積％から
なる組成物を、３本ロールにて混練して導電体ペースト
を得、第１の実施例と同様に、直径０．２ｍｍの貫通孔
を形成したプリプレグにこれを充填した。なお表９中の
(9)はエポキシ化合物以外の樹脂（ポリビニルブチラー
ル［略称ＰＶＢ］）が一部配合されている。

【００９２】

【表９】

【００９３】表１０にビアホール充填用導電体ペースト
の粘度とＴＩ値およびペースト硬化物の吸水率を示す。
エポキシ化合物中の水酸基・アミノ基・カルボキシル基
を本発明の範囲に低減し、かつエポキシ当量も請求項範
囲内にした樹脂を用いた導電体ペースト（表１０(1)〜
(9)）は、いずれのペーストを用いても低粘度かつ低Ｔ
Ｉ値で充填作業性の良いペーストが得られ、またペース
ト硬化物のＰＣＴにおける吸水率についても１０％以下
の低吸水率を示した。一方、エポキシ化合物中の水酸基
・アミノ基・カルボキシル基の合計量が本発明の範囲を
越えて多い樹脂を用いた導電体ペーストでは、１種（表
１０(10)）は高粘度かつ高ＴＩ値でプリプレグ貫通孔へ
の充填作業性が低く、１種（表１０(11)）は低粘度が得
られたがエポキシ当量が請求項範囲を越えて大きいこと
からペースト硬化物の吸水率は非常に高いものが得られ
た。

【００９４】

【表１０】

【００９５】これらの各ペーストが充填されたプリプレ
グに、銅箔１０２をプリプレグの上下面に貼り合わせ、
これを熱プレスを用いてプレス温度１８０℃、圧力５０
ｋｇ／ｃｍ²で６０分間加熱加圧して両面銅張板を形成
し、公知のエッチング技術を用いて電極パターンを形成
した。

【００９６】表１０にそれぞれのペーストを用いたとき
の、インナビアホールの接続抵抗値および銅箔剥離強度
を示す。エポキシ化合物中の水酸基・アミノ基・カルボ
キシル基を請求項範囲に低減し、かつエポキシ当量も請
求項範囲内にした樹脂を用いた導電体ペースト（表１０
(1)〜(9)）いずれのペーストを用いてもビアホールの体
積抵抗値は１００（μΩ・ｃｍ）以下である低抵抗の接
続が得られ、かつ銅箔剥離強度も１．５ｋｇｆ／ｃｍ以
上の高強度が得られた。エポキシ化合物以外の樹脂（Ｐ
ＶＢ）を配合した導電体ペースト（表１０(9)）でも、
低抵抗の接続が得られ、かつ銅箔剥離強度も２．５ｋｇ
ｆ／ｃｍ以上の高強度が得られた。一方、エポキシ化合
物中の水酸基・アミノ基・カルボキシル基が本発明の範
囲外である樹脂を使用した導電体ペーストでは、１種
（表１０(10)）はプリプレグ貫通孔への充填作業性が低
かったためか抵抗値が若干高く銅箔剥離強度も低かっ
た。また、もう１種（表１０(11)）は低抵抗値であった
がエポキシ当量が請求項範囲を越えて大きいことから銅
箔剥離強度が非常に低い結果が得られた。

【００９７】またインナビアホール接続の耐湿信頼性を
評価するため、各導電体ペーストをビアホールに充填し
て作製した両面銅張板のＰＣＴ試験をおこなった。試験
の評価は実施例５と同様の方法で行った。その結果を表
１０に示すが、比較例の（表１０(11)）は短時間で接続
不良となるが、その他の本発明の範囲内のものはいずれ
のペーストを用いても高い耐湿接続信頼性が得られた。

【００９８】またインナビアホール接続の耐熱衝撃信頼
性を評価するため、各導電体ペーストをビアホールに充
填して作製した両面銅張板のヒートサイクル試験（−５
５℃〜１２５℃各３０分）をおこなった。評価は実施２
と同様な方法で行った。結果は表１０に示す。各導電体
ペーストを充填したサンプルのヒートサイクル試験にお
けるビアホール抵抗値の変化は、本発明の範囲内であれ
ばいずれの導電体ペーストを使用した場合でも１０００
サイクル以上にわたり安定で、ビアホールの接続信頼性
が損なわれていない結果が得られた。

【００９９】（実施例８）第８の実施例では、Ａ群（ビ
スフェノール型エポキシ樹脂（ｇ２））とＢ群（リノー
ルダイマー酸エポキシ樹脂（ｉ））の樹脂の組成比の影
響について検討した。導電体粒子として平均粒径２μｍ
の銅粉を５０体積％と、表１１にあるＡ群とＢ群の樹脂
およびアミン系硬化剤を配合した総量５０体積％からな
る組成物を、３本ロールにて混練して導電体ペーストを
得、第１の実施例と同様に、直径０．２ｍｍの貫通孔を
形成したプリプレグにこれを充填した。

【０１００】

【表１１】

【０１０１】表１１にビアホール充填用導電体ペースト
の粘度とＴＩ値およびペースト硬化物の吸水率を示す。
エポキシ化合物中の水酸基・アミノ基・カルボキシル基
を請求項範囲に低減し、かつエポキシ当量も請求項範囲
内にしたＡ群の樹脂が４０％以上配合された導電体ペー
スト（表１１(7),(13)〜(15)）は、いずれのペーストを
用いても低粘度で充填作業性の良いペーストが得られ、
またペースト硬化物のＰＣＴにおける吸水率についても
１０％以下の低吸水率を示した。一方、エポキシ化合物
中の水酸基・アミノ基・カルボキシル基が請求項範囲を
越えて多く、エポキシ当量も請求項範囲より高い樹脂を
用いた導電体ペースト（表１１(11),(12)）では、低粘
度、低ＴＩ値は得られたものの硬化物の吸水率は非常に
高いものが得られた。

【０１０２】これらの各ペーストが充填されたプリプレ
グに、銅箔１０２をプリプレグの上下面に貼り合わせ、
これを熱プレスを用いてプレス温度１８０℃、圧力５０
ｋｇ／ｃｍ²で６０分間加熱加圧して両面銅張板を形成
し、公知のエッチング技術を用いて電極パターンを形成
した。

【０１０３】表１１にそれぞれのペーストを用いたとき
の、インナビアホールの接続抵抗値および銅箔剥離強度
を示す。インナビアホールの接続抵抗値については、い
ずれのペーストを用いてもビアホールの体積抵抗値は１
００（μΩ・ｃｍ）以下である低抵抗の接続が得られ
た。銅箔剥離強度については、エポキシ化合物中の水酸
基・アミノ基・カルボキシル基を本発明の範囲に低減
し、かつエポキシ当量も請求項範囲内にしたＡ群の樹脂
が４０％以上配合された導電体ペースト（表１１(7),(1
3)〜(15)）では、１．５ｋｇｆ／ｃｍ以上の高強度が得
られた。一方、Ａ群樹脂が２０％以下しか使用していな
い導電体ペーストでは、低粘度でプリプレグ貫通孔への
充填作業性が高かったにもかかわらず銅箔剥離強度は低
かった。

【０１０４】またインナビアホール接続の耐湿信頼性を
評価するため、各導電体ペーストをビアホールに充填し
て作製した両面銅張板のＰＣＴ試験をおこなった。試験
の評価は実施例５と同様の方法で行った。その結果を表
１１に示すが、比較例の（表１１(11),(12)）は短時間
で接続不良となるが、その他の本発明の範囲内のものは
いずれのペーストを用いても高い耐湿接続信頼性が得ら
れた。

【０１０５】（実施例９）第９の実施例では、導電体粒
子として平均粒径２μｍの銅粉を５０体積％と、表１２
にあるＡ群（ビスフェノール型エポキシ樹脂）とＢ群と
Ｃ群（オリゴマー）の樹脂およびアミン系硬化剤を配合
した総量５０体積％からなる組成物を、３本ロールにて
混練して導電体ペーストを得、第１の実施例と同様に、
直径０．２ｍｍの貫通孔を形成したプリプレグにこれを
充填した。

【０１０６】

【表１２】

【０１０７】表１３にビアホール充填用導電体ペースト
の粘度とＴＩ値およびペースト硬化物の吸水率を示す。
表１２にあるＣ群のエポキシオリゴマー樹脂が本発明の
範囲内の３０％以内である導電体ペーストでは（表１３
ア〜エ）、いずれのペーストを用いても低粘度かつ低Ｔ
Ｉ値で充填作業性の良いペーストが得られ、またペース
ト硬化物のＰＣＴにおける吸水率についても１０％以下
の低吸水率を示した。一方、Ｃ群樹脂が本発明の範囲の
３０％を越えて多い樹脂を用いた導電体ペースト（表１
３オ）では、低吸水率ではあったものの非常に高粘度か
つ高ＴＩ値のペーストが得られ、プリプレグ貫通孔への
充填作業性が低かった。

【０１０８】

【表１３】

【０１０９】これらの各ペーストが充填されたプリプレ
グに、銅箔１０２をプリプレグの上下面に貼り合わせ、
これを熱プレスを用いてプレス温度１８０℃、圧力５０
ｋｇ／ｃｍ²で６０分間加熱加圧して両面銅張板を形成
し、公知のエッチング技術を用いて電極パターンを形成
した。

【０１１０】表１３にそれぞれのペーストを用いたとき
の、インナビアホールの接続抵抗値および銅箔剥離強度
を示す。Ｃ群のエポキシオリゴマー樹脂が請求項の範囲
である３０％以内である導電体ペースト（表１３ア〜
エ）では、いずれのペーストを用いてもビアホールの体
積抵抗値は１００（μΩ・ｃｍ）以下である低抵抗の接
続が得られ、かつ銅箔剥離強度も２ｋｇｆ／ｃｍ以上で
非常に高強度が得られた。一方、Ｃ群樹脂が本発明の範
囲を越えて３０％以上である導電体ペーストでは、プリ
プレグ貫通孔への充填作業性が低かったためか抵抗値が
若干高く銅箔剥離強度も低かった。

【０１１１】またインナビアホール接続の耐熱衝撃信頼
性を評価するため、各導電体ペーストをビアホールに充
填して作製した両面銅張板のヒートサイクル試験（−５
５℃〜１２５℃各３０分）をおこなった。評価は実施２
と同様な方法で行った。結果は表１３に示す。各導電体
ペーストを充填したサンプルのヒートサイクル試験にお
けるビアホール抵抗値の変化は、本発明の範囲内の条件
を満たした範囲であればいずれの導電体ペーストを使用
した場合でも１０００サイクル以上にわたり安定で、ビ
アホールの接続信頼性が損なわれていない結果が得られ
た。

【０１１２】（実施例１０）導電体粒子として平均粒径
２μｍの銅粉を５０体積％と、表９(8)の樹脂と硬化剤
を配合したもの総量５０体積％とを三本ロールにて混練
した導電体ペーストを用いて、接続抵抗を測定するため
のパターンが形成されているアラミド・エポキシ両面基
板２枚の間に、上記のペーストを直径０．２ｍｍの貫通
孔を形成したプリプレグに充填したアラミド−エポキシ
プレプレグをはさみ、これを熱プレスを用いてプレス温
度１８０℃、圧力５０ｋｇ／ｃｍ²で６０分間加熱加圧
して４層プリント基板を形成した。

【０１１３】４層基板の２，３層間に形成されたインナ
ビアホールの接続抵抗は、実施例７の(8)と同様の抵抗
値を示した。同様に６層プリント基板においても、４層
と同じ接続抵抗値で、同様の信頼性が得られた。

【０１１４】また、上記のペーストを用いて実施例１と
同様の方法にて作製したアラミド・エポキシ両面基板１
枚の両側に、上記のペーストを直径０．２ｍｍの貫通孔
を形成したプリプレグに充填した２枚のアラミド−エポ
キシプレプレグをはさみ、これを熱プレスを用いてプレ
ス温度１８０℃、圧力５０ｋｇ／ｃｍ²で６０分間加熱
加圧して４層プリント基板を形成した方法においても、
同等のビアホールの接続抵抗が得られた。さらにこの方
法を用いて作製した６層プリント基板においても、同様
の信頼性が得られた。

【０１１５】また実施例１と同様の方法にて作製したア
ラミド・エポキシ両面基板の代わりに回路形成されたセ
ラミック基板を用いても同様のビアホール接続信頼性が
得られた。

【０１１６】

【発明の効果】以上に説明したように、本発明のビアホ
ール充填用導電体ペーストを用いた両面プリント基板と
その形成方法およびそれを用いた多層基板によればスル
ーホールメッキ技術を用いることなく簡便に高信頼性の
インナビアホールを備えた両面プリント基板を実現する
ことができ、その多層化も容易に実現することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例における両面プリント基板を
示す構造断面図。

【図２】同実施例における両面プリント基板の形成方法
の工程図。

【図３】同実施例における多層プリント基板の形成方法
の工程図。

【図４】同実施例における多層プリント基板の他の形成
方法の工程図。

【図５】同実施例におけるプリント基板に用いた導電性
粒子の構造図。

【図６】同実施例におけるＰＣＴ試験(Pressure Cooker
Test)測定装置の概念図。

【符号の説明】

１圧力容器２内筒３扉４ヒーター５器内温度センサ６撹拌用モータ７磁気カップリング８撹拌ファン９加湿水ヒータ１０加湿水温センサ１１湿球温度センサ１２加湿水１３クロスウィック（繊維製吸水芯）１０１積層基材１０２加工後の銅箔１０３導電体ビアホール１０４両面プリント基板２０１加熱加圧前の積層基材２０２銅箔２０３導電体ペースト５０１核５０２導電性材料

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩＨ０５Ｋ 3/40 Ｈ０５Ｋ 3/40 Ｋ 3/46 3/46 ＮＳ (72)発明者大林孝志大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (56)参考文献特開平７−176846（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01B 1/22 C09D 5/24 C09J 9/02 H05K 1/09 H05K 1/11 H05K 3/40 H05K 3/46

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】（ａ）平均粒径が０．５〜２０μｍで、
その比表面積が０．０５〜１．５ｍ²／ｇの導電体粒
子；３０〜７０体積％と、（ｂ）一分子中に１つ以上の
エポキシ基を有し、かつ水酸基、アミノ基及びカルボキ
シル基の合計量がエポキシ基の５モル％以下であり、エ
ポキシ当量が１００〜３５０ｇ／ｅｑであるエポキシ化
合物を１０重量％以上含む樹脂；７０〜３０体積％とを
少なくとも含むビアホール充填用導電体ペースト組成
物。
【請求項２】導電体粒子が、下記Ｉ〜ＩＶの群から選
ばれる少なくとも一つの粒子である請求項１に記載のビ
アホール充填用導電体ペースト組成物。（Ｉ）金、白金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、
鉛、インジウムから選ばれる少なくとも一つの粒子。（II）金、白金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、
鉛、インジウム、亜鉛、クロムから選ばれる任意の組み
合わせの合金粒子。（III）導電性または非導電性粒子を核とし、金、白
金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、鉛、インジウ
ムから選ばれる少なくとも一つの金属で被覆された粒
子。（IV）導電性または非導電性粒子を核とし、金、白金、
銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、鉛、インジウム、
亜鉛、クロムから選ばれる任意の組み合わせの合金で被
覆された粒子。
【請求項３】導電体粒子が、表面酸素濃度が１．０重
量％以下の銅を含む請求項１に記載のビアホール充填用
導電体ペースト組成物。
【請求項４】エポキシ化合物が、グリシジルエーテル
型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、
グリシジルアミン型エポキシ樹脂および脂環式エポキシ
樹脂から選ばれる少なくとも一つのエポキシ樹脂である
請求項１に記載のビアホール充填用導電体ペースト組成
物。
【請求項５】エポキシ化合物が、ビスフェノールグリ
シジルエーテル型エポキシ樹脂である請求項１に記載の
ビアホール充填用導電体ペースト組成物。
【請求項６】エポキシ化合物が、重量平均分子量６０
０〜１００００のエポキシオリゴマーを含む請求項１に
記載のビアホール充填用導電体ペースト組成物。
【請求項７】エポキシ化合物が、（Ａ群）ビスフェノ
ールグリシジルエーテル型エポキシ樹脂９０〜２０重量
％と、（Ｂ群）Ｃ８以上の長鎖脂肪族アルコールグリシ
ジルエーテル型エポキシ樹脂及びＣ８以上の長鎖脂肪酸
グリシジルエステル型エポキシ樹脂から選ばれる少なく
とも一つのエポキシ樹脂１０〜８０重量％とを含む請求
項１に記載のビアホール充填用導体ペースト組成物。
【請求項８】エポキシ化合物が、（Ａ群）ビスフェノ
ールグリシジルエーテル型エポキシ樹脂；９０〜１９重
量％と、（Ｂ群）炭素数（Ｃ）８以上の長鎖脂肪族アル
コールグリシジルエーテル型エポキシ樹脂及び炭素数
（Ｃ）８以上の長鎖脂肪酸グリシジルエステル型エポキ
シ樹脂から選ばれる少なくとも一つの樹脂；９〜８０重
量％と、（Ｃ群）重量平均分子量６００〜１００００の
エポキシオリゴマー；１〜３０重量％とを少なくとも含
む請求項１に記載のビアホール充填用導電体ペースト組
成物。
【請求項９】ペースト組成物の粘度特性が、温度：２
５℃、１[1/sec]における粘度（Ａ）と、２[1/sec]にお
ける粘度（Ｂ）の比（Ａ／Ｂ）が、１以下である請求項
１に記載のビアホール充填用導電体ペースト組成物。
【請求項１０】絶縁基材内に開けられたビアホール中
に、導電性樹脂組成物が充填され、かつ前記絶縁基材表
面の上下電極層が電気的に接続されている両面プリント
基板であって、前記導電性樹脂組成物が（ａ）平均粒径
が０．５〜２０μｍで、その比表面積が０．０５〜１．
５ｍ²／ｇの導電体粒子；３０〜７０体積％と、（ｂ）
一分子中に１つ以上のエポキシ基を有し、かつ水酸基、
アミノ基及びカルボキシル基の合計量がエポキシ基の５
モル％以下であり、エポキシ当量が１００〜３５０ｇ／
ｅｑであるエポキシ化合物を１０重量％以上含む樹脂；
７０〜３０体積％とを少なくとも含み、かつ前記導電性
樹脂組成物が前記ビアホール中において硬化されている
ことを特徴とする両面プリント基板。
【請求項１１】絶縁基材が、アラミド繊維と熱硬化性
樹脂の複合材である請求項１０に記載の両面プリント基
板。
【請求項１２】絶縁基材が、アラミド不織布に熱硬化
性樹脂が含浸された複合材である請求項１０に記載の両
面プリント基板。
【請求項１３】複数枚の絶縁基材層と２つ以上の電極
層をもち、各々の絶縁基材内に開けられたビアホール中
に、平均粒径が０．５〜２０μｍで、その比表面積が
０．０５〜１．５ｍ²／ｇの導電体粒子３０〜７０体積
％と、一分子中に１つ以上のエポキシ基を有し、かつ水
酸基、アミノ基及びカルボキシル基の合計量がエポキシ
基の５モル％以下であり、エポキシ当量が１００〜３５
０ｇ／ｅｑであるエポキシ化合物を１０重量％以上含む
樹脂を硬化した樹脂７０〜３０体積％を少なくとも含む
導電性樹脂組成物が充填され、各電極層が互いに電気的
に接続された構造を持つ多層プリント基板。
【請求項１４】絶縁基材が、アラミド繊維と熱硬化性
樹脂の複合材である請求項１３に記載の多層プリント基
板。
【請求項１５】絶縁基材が、アラミド不織布に熱硬化
性樹脂を含浸させた複合材である請求項１３に記載の多
層プリント基板。
【請求項１６】プリント基板の製造に用いられるプリ
プレグにあらかじめビアホールを形成し、このビアホー
ルに、（ａ）平均粒径が０．５〜２０μｍで、その比表
面積が０．０５〜１．５ｍ²／ｇの導電体粒子３０〜７
０体積％、（ｂ）一分子中に１つ以上のエポキシ基を有
し、かつ水酸基、アミノ基及びカルボキシル基の合計量
がエポキシ基の５モル％以下であり、エポキシ当量が１
００〜３５０ｇ／ｅｑであるエポキシ化合物を１０重量
％以上含む樹脂７０〜３０体積％を少なくとも含む導電
体ペースト組成物を充填した後、前記プリプレグの上下
層に銅箔を挟んで加熱加圧後、銅箔をエッチングするこ
とにより電気回路を形成する両面プリント基板の製造方
法。
【請求項１７】プリプレグがアラミド繊維と熱硬化性
樹脂の複合材である請求項１６に記載の両面プリント基
板の製造方法。
【請求項１８】プリプレグがアラミド不織布に熱硬化
性樹脂を含浸したシートである請求項１６に記載の両面
プリント基板の製造方法。
【請求項１９】導電体粒子が、下記Ｉ〜ＩＶの群から
選ばれる少なくとも一つの粒子である請求項１６に記載
の両面プリント基板の製造方法。（Ｉ）金、白金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、
鉛、インジウムから選ばれる少なくとも一つの粒子。（II）金、白金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、
鉛、インジウム、亜鉛、クロムから選ばれる任意の組み
合わせの合金粒子。（III）導電性または非導電性粒子を核とし、金、白
金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、鉛、インジウ
ムから選ばれる少なくとも一つの金属で被覆された粒
子。（IV）導電性または非導電性粒子を核とし、金、白金、
銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、鉛、インジウム、
亜鉛、クロムから選ばれる任意の組み合わせの合金で被
覆された粒子。
【請求項２０】導電体粒子が、表面酸素濃度が１．０
重量％以下の銅を含む請求項１６に記載の両面プリント
基板の製造方法。
【請求項２１】エポキシ化合物が、グリシジルエーテ
ル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹
脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂および脂環式エポ
キシ樹脂から選ばれる少なくとも一つのエポキシ樹脂で
ある請求項１６に記載の両面プリント基板の製造方法。
【請求項２２】エポキシ化合物が、ビスフェノールグ
リシジルエーテル型エポキシ樹脂である請求項１６に記
載の両面プリント基板の製造方法。
【請求項２３】エポキシ化合物が、重量平均分子量６
００〜１００００のエポキシオリゴマーを含む請求項１
６に記載の両面プリント基板の製造方法。
【請求項２４】エポキシ化合物が、（Ａ群）ビスフェ
ノールグリシジルエーテル型エポキシ樹脂９０〜２０重
量％と、（Ｂ群）Ｃ８以上の長鎖脂肪族アルコールグリ
シジルエーテル型エポキシ樹脂及びＣ８以上の長鎖脂肪
酸グリシジルエステル型エポキシ樹脂から選ばれる少な
くとも１つのエポキシ樹脂１０〜８０重量％とを含む請
求項１６に記載の両面プリント基板の製造方法。
【請求項２５】エポキシ化合物が、（Ａ群）ビスフェ
ノールグリシジルエーテル型エポキシ樹脂；９０〜１９
重量％と、（Ｂ群）炭素数（Ｃ）８以上の長鎖脂肪族ア
ルコールグリシジルエーテル型エポキシ樹脂及び炭素数
（Ｃ）８以上の長鎖脂肪酸グリシジルエステル型エポキ
シ樹脂から選ばれる少なくとも一つの樹脂；９〜８０重
量％と、（Ｃ群）重量平均分子量６００〜１００００の
エポキシオリゴマー；１〜３０重量％とを少なくとも含
む請求項１６に記載の両面プリント基板の製造方法。
【請求項２６】ペースト組成物の粘度特性が、１[1/s
ec]における粘度（Ａ）と、２[1/sec]における粘度
（Ｂ）の比（Ａ／Ｂ）が、１以下である請求項１６に記
載の両面プリント基板の製造方法。
【請求項２７】プリント基板の製造に用いられるプリ
プレグにあらかじめビアホールを形成し、このビアホー
ルに、（ａ）平均粒径が０．５〜２０μｍで、その比表
面積が０．０５〜１．５ｍ²／ｇの導電体粒子３０〜７
０体積％、（ｂ）一分子中に１つ以上のエポキシ基を有
し、かつ水酸基、アミノ基及びカルボキシル基の合計量
がエポキシ基の５モル％以下であり、エポキシ当量が１
００〜３５０ｇ／ｅｑであるエポキシ化合物を１０重量
％以上含む樹脂７０〜３０体積％を少なくとも含む導電
体ペースト組成物を充填して基板中間体を形成し、さらに下記方法（Ａ）および（Ｂ）から選ばれるいずれ
かの方法により、前記基板中間体を含む多層プリント基
板を形成することを特徴とする多層基板プリント基板の
製造方法。方法（Ａ）；前記基板中間体を両面プリント基板の上下
に配置し、さらに前記基板中間体の上下に銅箔を配置
し、前記基板中間体及び前記両面プリント基板を前記銅
箔と共に加熱加圧した後、銅箔をエッチングして回路を
形成する方法、方法（Ｂ）；両面プリント基板を前記基板中間体の上下
に配置し、前記基板中間体を前記両面プリント基板と共
に加熱加圧する方法。
【請求項２８】プリプレグがアラミド繊維と熱硬化性
樹脂の複合材である請求項２７に記載の多層プリント基
板の製造方法。
【請求項２９】プリプレグがアラミド不織布に熱硬化
性樹脂を含浸したシートである請求項２７に記載の多層
プリント基板の製造方法。
【請求項３０】導電体粒子が、下記Ｉ〜ＩＶの群から
選ばれる少なくとも一つの粒子である請求項２７に記載
の多層プリント基板の製造方法。（Ｉ）金、白金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、
鉛、インジウムから選ばれる少なくとも一つの粒子。（II）金、白金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、
鉛、インジウム、亜鉛、クロムから選ばれる任意の組み
合わせの合金粒子。（III）導電性または非導電性粒子を核とし、金、白
金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、鉛、インジウ
ムから選ばれる少なくとも一つの金属で被覆された粒
子。（IV）導電性または非導電性粒子を核とし、金、白金、
銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、鉛、インジウム、
亜鉛、クロムから選ばれる任意の組み合わせの合金で被
覆された粒子。
【請求項３１】導電体粒子が、表面酸素濃度が１．０
重量％以下の銅を含む請求項２７に記載の多層プリント
基板の製造方法。
【請求項３２】エポキシ化合物が、グリシジルエーテ
ル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹
脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂および脂環式エポ
キシ樹脂から選ばれる少なくとも一つのエポキシ樹脂で
ある請求項２７に記載の多層プリント基板の製造方法。
【請求項３３】エポキシ化合物が、ビスフェノールグ
リシジルエーテル型エポキシ樹脂である請求項２７に記
載の多層プリント基板の製造方法。
【請求項３４】エポキシ化合物が、重量平均分子量６
００〜１００００のエポキシオリゴマーを含む請求項２
７に記載の多層プリント基板の製造方法。
【請求項３５】エポキシ化合物が、（Ａ群）ビスフェ
ノールグリシジルエーテル型エポキシ樹脂９０〜２０重
量％と、（Ｂ群）Ｃ８以上の長鎖脂肪族アルコールグリ
シジルエーテル型エポキシ樹脂及びＣ８以上の長鎖脂肪
酸グリシジルエステル型エポキシ樹脂から選ばれる少な
くとも一つのエポキシ樹脂１０〜８０重量％とを含む請
求項２７に記載の多層プリント基板の製造方法。
【請求項３６】エポキシ化合物が、（Ａ群）ビスフェ
ノールグリシジルエーテル型エポキシ樹脂；９０〜１９
重量％と、（Ｂ群）炭素数（Ｃ）８以上の長鎖脂肪族ア
ルコールグリシジルエーテル型エポキシ樹脂及び炭素数
（Ｃ）８以上の長鎖脂肪酸グリシジルエステル型エポキ
シ樹脂から選ばれる少なくとも一つの樹脂；９〜８０重
量％と、（Ｃ群）重量平均分子量６００〜１００００の
エポキシオリゴマー；１〜３０重量％とを少なくとも含
む請求項２７に記載の多層プリント基板の製造方法。
【請求項３７】ペースト組成物の粘度特性が、１[1/s
ec]における粘度（Ａ）と、２[1/sec]における粘度
（Ｂ）の比（Ａ／Ｂ）が、１以下である請求項２７に記
載の多層プリント基板の製造方法。