JP3036876B2 - 光送信装置 - Google Patents
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Description
する光ファイバ通信に用いられる光送信装置に関する。
ザへの注入電流を情報信号によって直接強度変調し、こ
の直接変調信号光を光ファイバを用いて伝送した後にフ
ォトダイオードなどで受光して情報信号を検出する方式
が用いられている。この方式では、直接変調信号光に周
波数チャーピングが生じるために、条件によっては光フ
ァイバ伝送後に大きな品質劣化が生じることがある。こ
の問題を避けるために、近年、InGaAsP系半導体
やLiNbO3 などを材料とした外部光強度変調器を用
いる方式が開発されている(例えば、IEEEJournal of L
ightwave Technology誌、第8巻(1990年)、13
57−1362ページ)。また、Er添加光ファイバを
増幅媒質とした光ファイバ増幅器も活発に研究開発が進
められている(例えば、応用物理学会誌、第59巻(1
990年)、1175−1192ページを参照)。これ
らの技術開発によって、最近では、周波数チャーピング
がほとんどなく、かつ、出力20dBm以上の光送信装
置が実現できるようになった。
ァイバでは、コア径が細いことから、伝搬する信号光の
エネルギー密度が非常に高くなるために、誘導ブリュア
ン散乱が誘起されることが知られている(Applied Opti
cs誌、第11巻(1972年)、2489ページ、およ
びIEEE Journal of Lightwave Technology誌、第6巻
(1988年)、710ページ)。光ファイバのブリュ
アン利得帯域幅は、100MHz程度以下であるため、
誘導ブリュアン散乱は周波数チャーピングが少ない信号
光を入射させた場合に発生しやすい。この誘導ブリュア
ン散乱が発生すると、信号光の大部分が誘導ブリュアン
散乱光に変換されて光ファイバ入射端方向に後方散乱さ
れる。この結果、伝送可能な信号光パワーが制限される
という問題がある。これは、言い換えれば、いかに高い
パワーレベルの信号光を光ファイバに入射させても、光
受信器に到達する信号光パワーが増えず、伝送距離を伸
ばすことができないということを意味する。さらに、誘
導ブリュアン散乱光が生じることにより、受信される信
号光にレベル変動が生じるという欠点があった。したが
って、送信パワーレベルを高くして長距離光ファイバ通
信を実現するためには、誘導ブリュアン散乱光の発生を
抑制する必要がある。
しても上述の様な問題を引き起こす誘導ブリュアン散乱
の発生を抑止し、従来に比べて長い距離の光信号伝送に
適用できる光送信装置を提供することにある。
周波数変調手段を備えていて周波数変調されたCW信号
光を出力するCW発振信号光源と、前記CW信号光を情
報信号で強度変調して信号光パルスを生成する外部変調
器と、前記信号光パルスを伝送路である光ファイバに送
出する手段とを備えた光送信装置において、前記信号光
源のスペクトル幅Δνm 、および前記光送信部からの信
号光パルスのパワーPs が、それぞれ、
バで誘導ブリュアン散乱が発生するしきい値入力光パワ
ー ΔνB ;伝送用光ファイバのブリュアン利得帯域幅 ΔνS ;周波数変調しない時の信号光源スペクトル幅 の条件を満たされるように設定されていることを特徴と
する光送信装置。
源として半導体レーザ光源を用い、かつ、前記周波数変
調手段では前記半導体レーザ光源の印加電流を微小に変
調する直接周波数変調方式を用いることを特徴とする。
変調手段として光位相変調器で用いることを特徴とす
る。
信号光源のスペクトル幅をビットレートなどに関係なく
独立に変化させ得ることを利用して、信号光スペクトル
幅を周波数変調によって等価的に広くして、誘導ブリュ
アン散乱の発生を抑制する。以下に、その原理を説明す
る。
響フォノンによる光の散乱効果である。そして、信号光
がスペクトル幅ΔνS の強度変調光の場合、誘導ブリュ
アン散乱が発生し始める光ファイバ信号入力値Pthは、
近似的に次式で与えられる(Applied Optics誌、第11
巻(1972年)、2489ページ、およびIEEE Journ
al of Lightwave Technology誌、第6巻(1988
年)、710ページ)。
はK=2 ΔνB ;光ファイバのブリュアン利得帯域幅 M ;ビットレートに依存する定数で、100Mb/s
程度以下ではM=1、100Mb/s程度以上ではM=
2 である。また、※は、コンボルーションを表わし、通常
はΔνS とΔνB の足し算で近似してよい。
導ブリュアン散乱が顕著に発生するので、(1)式には
光ファイバ入力値の上限を表している。一方、信号光入
力がPth以下の場合には、誘導ブリュアン散乱の発生量
は極めて微量であり無視できる。
クトル幅をΔνmにすると、その時のしきい値Pth’
は、
ル幅Δνm を広くすればPth’は大きくなり、光ファイ
バの入力値の上限を大幅に大きくできることが判る。例
えば、ΔνB =100MHz、ΔνS =20MHzの時
を考えると、Δνm =1GHzまで周波数変調すれば、
Pth’=9Pthとなる。したがって、この例では最大送
信可能信号光パワー(=Pth’)を従来の値(=Pth)
の9倍以上にできる。一般には、送信信号光パワーPs
(>Pth)の場合にも、
散乱の発生を抑制できる。
1.3−1.6μm帯では0.5−0.2dB/kmで
あることから、誘導ブリュアン散乱は、信号光の光ファ
イバ入力端から数10km程度の領域で主に発生する。
このことから、周波数変調周期は、信号光がこの長さの
光ファイバを伝搬するのに要する時間(およそ0.1m
s)よりも短いことが必要である。すなわち、変調周波
数は10kHz以上に設定する必要がある。一方、周波
数変調度については、変調度を不用に大きくすると光フ
ァイバ分散によって伝送特性が劣化する恐れがある。し
たがって、変調度は、誘導ブリュアン散乱が抑制されて
いる範囲内で、できる限り最小限に押える方が好まし
い。ただし、実際上は、前述の様にΔνm を数GHzに
すれば、しきい値入力は周波数変調時の10倍以上にな
り、かつ、この程度では分散の影響はほとんど現れない
ことが期待できる。
について詳細に説明する。図1は、本発明による光送信
装置の第1の実施例とそれを用いた光ファイバ通信装置
の構成図である。この図において、1は光送信装置、2
は伝送用光ファイバ、3はは光受信装置である。この実
施例では、半導体レーザ12は、波長1.555μmの
InGaAsP/InP分布帰還型半導体レーザ、発振
器13は、周波数15MHzの正弦波発振器、光強度変
調器16は、変調帯域が約10GHzの進行波型LiN
bO3 光強度変調器、光ファイバ2は、長さ200k
m、波長1.555μmでの損失0.21dB/km、
分散が約1ps/nm/kmの分散シフト型単一モード
シリカ光ファイバ、受光素子32は、InGaAsアバ
ランシフォトダイオードを用いている。半導体レーザ1
2は、適切な周波数変調を与える為に、ミキサー15に
よって直流電流と15MHzの正弦波電流が重畳されて
印加されている。また、Er添加光ファイバ増幅器1
7,18は、いずれもコア径5μm、長さ30m、Er
濃度400ppmのEr添加単一モード光ファイバを、
波長1.48μm帯InGaAsP/InPファブリペ
ロ型半導体レーザで励起した光ファイバブースタ増幅器
である。ここで、それぞれのEr添加光ファイバへの最
大励起入力は、70mW、20mWである。
sP/InP分布帰還型半導体レーザから出力された信
号光は、情報信号入力端子11から5Gb/s、RZ符
号の電圧パルスが印加されたLiNbO3 光強度変調器
によって変調される。この変調器出力時5Gb/s信号
光パルスの平均パワーは、およそ−10dBmである
が、2段のEr添加光ファイバブースタ増幅器によって
20dBmまで増幅され分散シフト型単一モードシリカ
光ファイバに送出されている。そして、この伝送路光フ
ァイバを伝搬した信号光パルスは、光受信装置3内のI
nGaAsアバランシフォトダイオードで受光される。
その出力は、増幅後に識別回路で情報信号が復調され、
情報信号出力端子31より信号が取りだされる。
P/InP分布帰還型半導体レーザのスペクトル幅はΔ
νS =10MHz、分散シフト型単一モードシリカ光フ
ァイバのブリュアン利得帯域幅はΔνB =50MHzで
あり、周波数変調しない時の誘導ブリュアン散乱しきい
値はPth=8dBmであった。一方、この実施例での送
信出力は20dBmであるので、このレベルにおいても
誘導ブリュアン散乱が発生しないように、半導体レーザ
光源のスペクトル幅をΔνm =2GHzまで拡くした。
これに要した正弦波変調電流は約4mAであった。この
とき、(2)式から見積もられる誘導ブリュアン散乱し
きい値はPth’=23.3dBmであり、予測通り送信
出力20dBmでは誘導ブリュアン散乱の発生は観測さ
れなかった。
ファイバ通信装置のレベルダイヤグラムについて説明す
る。前述の様に、送信出力は20dBm、長さ200k
mの伝送路光ファイバの全損失は42dBである。ゆえ
に、InGaAsアバランシフォトダイオードで受光さ
れる信号光パワーは−22dBmであった。一方、光受
信装置の受信感度は誤り率10-11 で−27dBmであ
ったので、200km伝送時におけるマージンは5dB
であった。なお、上記受信感度は、光ファイバを伝送さ
せないときと比較して、何等劣化は見られなかった。
さない場合には、誘導ブリュアン散乱が強く発生したた
めに、200km伝送時の受信信号光パワーは−30d
Bm以下であり、10-9以下の誤り率は得られなかっ
た。
を用いた光ファイバ通信装置の構成図である。第1の実
施例と異なる点は、光分岐素子19によって後方散乱光
パワーを監視して、それに応じて周波数変調度を設定で
きるようにしていることである。図において、光分岐素
子19は、分岐比が20対1の単一モード光ファイバカ
ップラ、受光素子20はInGaAsフォトダイオード
を用いている。また、制御部21は、受光素子20の出
力に応じて、正弦波発振器13の出力を制御している。
その他の構成は、図1の実施例と同様であるので同一の
要素には同一の番号を付して示す。
を監視して、そのパワーが−30dBm以下になるよう
に正弦波発振器13の出力を制御している。したがっ
て、周波数変調度は誘導ブリュアン散乱を抑止するため
のほぼ最小値に設定される。この実施例では、この時Δ
νm =0.9GHzであった。この場合にも、第1の実
施例と同様に、マージンとして5dBを確保して200
kmの伝送を行なうことができた。
この第2の実施例で示した伝送距離が200kmの場合
には分散の影響が小さいので如実ではない。しかし、光
増幅器を複数個用いた1000km以上の光増幅伝送で
は、有効になると予測される。
施例を挙げて説明したが、本発明はこの実施例に限られ
ることなくいくつかの変形が考えられる。
では直接周波数変調方式を用いたが、LiNbO3 など
の光位相変調器を用いても実現できる。また、半導体レ
ーザの直接周波数変調は、実施例の15MHz正弦波電
流に限らず、基本的にはいかなる周波数、波形でも良
く、変調度も特に限定されない。また、信号光源は、半
導体レーザの他に固体レーザなども用いることができ、
波長は1.555μm以外のいかなる波長でもよい。さ
らに、伝送路光ファイバは、コア径、長さなどは任意の
サイズのもので良いし、本実施例に限定されない。ま
た、受光素子としては、ゲルマニウムアバランシフォト
ダイオード(Ge−APD)やPINフォトダイオード
を使用してもよいことは言うまでもない。
せるために光ブースタ増幅器としてEr添加光ファイバ
増幅器を用いたが、光増幅器は半導体レーザ増幅器や非
線形光学効果を用いることもできる。また、送信出力が
誘導ブリュアン散乱しきい値よりも十分に大きい場合に
は、光増幅器を特に用いる必要はない。
強度変調方式の光送信装置においては、CW発振信号光
源のスペクトル幅をビットレートなどに関係なく独立に
変化させ得ることを利用して、信号光スペクトル幅を周
波数変調によって等価的に広くして、誘導ブリュアン散
乱の発生を抑制している。この結果、送信パワーレベル
を高くしても誘導ブリュアン散乱が発生しないので、従
来に比べて長い距離の光ファイバ通信に適用できる光送
信装置が実現できるという利点がある。
バ通信装置の構成を示す図である。
バ通信装置の構成を示す図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 周波数変調手段を備えていて周波数変調
されたCW信号光を出力するCW発振信号光源と、前記
CW信号光を情報信号で強度変調して信号光パルスを生
成する外部変調器と、前記信号光パルスを伝送路である
光ファイバに送出する手段とを備えた光送信装置におい
て、前記信号光源のスペクトル幅Δνm、および前記光
ファイバに送出される信号光パルスのパワーPs が、そ
れぞれ、 【数1】 ただし、Pth;周波数変調しない時に、伝送路光ファイ
バで誘導ブリュアン散乱が発生するしきい値入力光パワ
ー ΔνB ;伝送用光ファイバのブリュアン利得帯域幅 ΔνS ;周波数変調しない時の信号光源スペクトル幅 の条件を満たされるように設定されていることを特徴と
する光送信装置。 - 【請求項2】 前記信号光源が半導体レーザ光源でな
り、前記周波数変調手段では前記半導体レーザ光源の印
加電流を微小に変調する直接周波数変調方式を用いるこ
とを特徴とする請求項1に記載の光送信装置。 - 【請求項3】 前記周波数変調手段が光位相変調器でな
ることを特徴とする請求項1に記載の光送信装置。
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EP (1) | EP0504834B1 (ja) |
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