JP3031851B2 - アルコール類の製造方法 - Google Patents
アルコール類の製造方法Info
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- JP3031851B2 JP3031851B2 JP7341333A JP34133395A JP3031851B2 JP 3031851 B2 JP3031851 B2 JP 3031851B2 JP 7341333 A JP7341333 A JP 7341333A JP 34133395 A JP34133395 A JP 34133395A JP 3031851 B2 JP3031851 B2 JP 3031851B2
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Catalysts (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般式［ＩＶ］
【０００２】
【化４】
【０００３】［式中、Ｒ3は低級アルキル基、置換もし
くは非置換のフェニル基または−ＣＯＯ−Ｒ10〔Ｒ10は
低級アルキル基を表す。〕を表し、Ｒ4は水素原子、低
級アルキル基または置換もしくは非置換のフェニル基を
表す。］で示されるアルコール類の製造方法に関するも
のである。上式［ＩＶ］で示されるアルコール類は、医
薬品、農薬あるいは各種機能材料などの製造中間体とし
て有用な化合物である。
くは非置換のフェニル基または−ＣＯＯ−Ｒ10〔Ｒ10は
低級アルキル基を表す。〕を表し、Ｒ4は水素原子、低
級アルキル基または置換もしくは非置換のフェニル基を
表す。］で示されるアルコール類の製造方法に関するも
のである。上式［ＩＶ］で示されるアルコール類は、医
薬品、農薬あるいは各種機能材料などの製造中間体とし
て有用な化合物である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来、アルコール類の
製造方法は、数多く知られている。それらの製造方法の
１つとして、アルデヒド類とオレフィン類の反応による
アルコール類の製造方法がある。
製造方法は、数多く知られている。それらの製造方法の
１つとして、アルデヒド類とオレフィン類の反応による
アルコール類の製造方法がある。
【０００５】このアルデヒド類とオレフィン類の反応に
よるアルコール類の製造方法においては、通常、触媒が
使用されるが、従来の触媒を使用した場合には充分な反
応速度を得ることができず、反応終了までに長時間を要
したり、反応速度を加速するために加熱する必要があ
り、アルコール類を効率よく製造することが困難である
という問題がある。
よるアルコール類の製造方法においては、通常、触媒が
使用されるが、従来の触媒を使用した場合には充分な反
応速度を得ることができず、反応終了までに長時間を要
したり、反応速度を加速するために加熱する必要があ
り、アルコール類を効率よく製造することが困難である
という問題がある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、かかる問
題点に鑑み、鋭意、検討を行なった結果、アルデヒド類
とオレフィン類の反応において、種々のパーフルオロア
ルカンスルホニルイミド基を有する化合物を触媒として
使用することにより、反応速度が飛躍的に加速され、さ
らには非常に高い選択率および収率でアルコール類を製
造することができることを見出し、本発明に到達した。
題点に鑑み、鋭意、検討を行なった結果、アルデヒド類
とオレフィン類の反応において、種々のパーフルオロア
ルカンスルホニルイミド基を有する化合物を触媒として
使用することにより、反応速度が飛躍的に加速され、さ
らには非常に高い選択率および収率でアルコール類を製
造することができることを見出し、本発明に到達した。
【０００７】すなわち、本発明の第一は、一般式［Ｉ］
【０００８】
【化５】
【０００９】［式中、Ｘは−Ｎ（Ｔf 1）Ｔf 2〔Ｔf 1は−
ＳＯ2Ｒf 1を表し、Ｔf 2は−ＳＯ2Ｒf 2（Ｒf 1およびＲf 2
はそれぞれ独立にフッ素原子または低級パーフルオロア
ルキル基を表す。）を表す。〕を表し、Ｒ1は置換もし
くは非置換のシクロペンタジエニル基、−ＯＲ5、−Ｎ
（Ｔf 3）Ｒ6または−Ｎ（Ｔf 4）Ｔf 5を表し、Ｒ2は置換
もしくは非置換のシクロペンタジエニル基、−ＯＲ7、
−Ｎ（Ｔf 6）Ｒ8または−Ｎ（Ｔf 7）Ｔf 8〔Ｔf 3は−Ｓ
Ｏ2Ｒf 3を表し、Ｔf 4は−ＳＯ2Ｒf 4を表し、Ｔf 5は−Ｓ
Ｏ2Ｒf 5を表し、Ｔf 6は−ＳＯ2Ｒf 6を表し、Ｔf 7は−Ｓ
Ｏ2Ｒf 7を表し、Ｔf 8は−ＳＯ2Ｒf 8（Ｒf 3、Ｒf 4、
Ｒf 5、Ｒf 6、Ｒf 7およびＲf 8はそれぞれ独立にフッ素原
子または低級パーフルオロアルキル基を表す。）を表
し、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8はそれぞれ独立に低級アル
キル基を表すか、または、Ｒ5およびＲ7、Ｒ5および
Ｒ8、Ｒ6およびＲ7、あるいは、Ｒ6およびＲ8がいっし
ょになって２価の基を形成する。〕を表し、Ｍはアルカ
リ金属、アルカリ土類金属、希土類元素、遷移金属、ホ
ウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウ
ム、ケイ素、ゲルマニウム、スズ、鉛、ヒ素、アンチモ
ン、ビスマス、セレンまたはテルルから選ばれる元素を
表し、ｍは０または１であり、ｐは０または１であり、
ｍ＝１かつｐ＝１の場合には、ｎは該当するＭの原子価
−２の整数を表し、ｍ＝１かつｐ＝０の場合およびｍ＝
０かつｐ＝１の場合には、ｎは該当するＭの原子価−１
の整数を表し、ｍ＝０かつｐ＝０の場合には、ｎは該当
するＭの原子価の整数を表し、−Ｎ（Ｔf 1）Ｔf 2、−Ｎ
（Ｔf 3）Ｒ6、−Ｎ（Ｔf 4）Ｔf 5、−Ｎ（Ｔf 6）Ｒ8また
は−Ｎ（Ｔf 7）Ｔf 8のうちの少なくとも１つを有す
る。］で示される化合物の存在下、一般式［ＩＩ］
ＳＯ2Ｒf 1を表し、Ｔf 2は−ＳＯ2Ｒf 2（Ｒf 1およびＲf 2
はそれぞれ独立にフッ素原子または低級パーフルオロア
ルキル基を表す。）を表す。〕を表し、Ｒ1は置換もし
くは非置換のシクロペンタジエニル基、−ＯＲ5、−Ｎ
（Ｔf 3）Ｒ6または−Ｎ（Ｔf 4）Ｔf 5を表し、Ｒ2は置換
もしくは非置換のシクロペンタジエニル基、−ＯＲ7、
−Ｎ（Ｔf 6）Ｒ8または−Ｎ（Ｔf 7）Ｔf 8〔Ｔf 3は−Ｓ
Ｏ2Ｒf 3を表し、Ｔf 4は−ＳＯ2Ｒf 4を表し、Ｔf 5は−Ｓ
Ｏ2Ｒf 5を表し、Ｔf 6は−ＳＯ2Ｒf 6を表し、Ｔf 7は−Ｓ
Ｏ2Ｒf 7を表し、Ｔf 8は−ＳＯ2Ｒf 8（Ｒf 3、Ｒf 4、
Ｒf 5、Ｒf 6、Ｒf 7およびＲf 8はそれぞれ独立にフッ素原
子または低級パーフルオロアルキル基を表す。）を表
し、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8はそれぞれ独立に低級アル
キル基を表すか、または、Ｒ5およびＲ7、Ｒ5および
Ｒ8、Ｒ6およびＲ7、あるいは、Ｒ6およびＲ8がいっし
ょになって２価の基を形成する。〕を表し、Ｍはアルカ
リ金属、アルカリ土類金属、希土類元素、遷移金属、ホ
ウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウ
ム、ケイ素、ゲルマニウム、スズ、鉛、ヒ素、アンチモ
ン、ビスマス、セレンまたはテルルから選ばれる元素を
表し、ｍは０または１であり、ｐは０または１であり、
ｍ＝１かつｐ＝１の場合には、ｎは該当するＭの原子価
−２の整数を表し、ｍ＝１かつｐ＝０の場合およびｍ＝
０かつｐ＝１の場合には、ｎは該当するＭの原子価−１
の整数を表し、ｍ＝０かつｐ＝０の場合には、ｎは該当
するＭの原子価の整数を表し、−Ｎ（Ｔf 1）Ｔf 2、−Ｎ
（Ｔf 3）Ｒ6、−Ｎ（Ｔf 4）Ｔf 5、−Ｎ（Ｔf 6）Ｒ8また
は−Ｎ（Ｔf 7）Ｔf 8のうちの少なくとも１つを有す
る。］で示される化合物の存在下、一般式［ＩＩ］
【００１０】
【化６】
【００１１】［式中、Ｒ3は低級アルキル基、置換もし
くは非置換のフェニル基または−ＣＯＯ−Ｒ10〔Ｒ10は
低級アルキル基を表す。〕を表す。］で示されるアルデ
ヒド類と一般式［ＩＩＩ］
くは非置換のフェニル基または−ＣＯＯ−Ｒ10〔Ｒ10は
低級アルキル基を表す。〕を表す。］で示されるアルデ
ヒド類と一般式［ＩＩＩ］
【００１２】
【化７】
【００１３】［式中、Ｒ4は水素原子、低級アルキル基
または置換もしくは非置換のフェニル基を表し、Ｒ9は
水素原子または−Ｓｎ（Ｒ11）3〔Ｒ11は低級アルキル
基を表す。〕を表す。］で示されるオレフィン類とを反
応させることを特徴とする一般式［ＩＶ］
または置換もしくは非置換のフェニル基を表し、Ｒ9は
水素原子または−Ｓｎ（Ｒ11）3〔Ｒ11は低級アルキル
基を表す。〕を表す。］で示されるオレフィン類とを反
応させることを特徴とする一般式［ＩＶ］
【００１４】
【化８】
【００１５】［式中、Ｒ3は低級アルキル基、置換もし
くは非置換のフェニル基または−ＣＯＯ−Ｒ10〔Ｒ10は
低級アルキル基を表す。〕を表し、Ｒ4は水素原子、低
級アルキル基または置換もしくは非置換のフェニル基を
表す。］で示されるアルコール類の製造方法である。
くは非置換のフェニル基または−ＣＯＯ−Ｒ10〔Ｒ10は
低級アルキル基を表す。〕を表し、Ｒ4は水素原子、低
級アルキル基または置換もしくは非置換のフェニル基を
表す。］で示されるアルコール類の製造方法である。
【００１６】また、本発明の第二は、一般式［Ｖ］
【００１７】
【化９】
【００１８】［式中、Ｘ’はハロゲン原子、−Ｏ−Ｒ13
〔Ｒ13は水素原子または低級アルキル基を表す。〕、−
ＯＯＣ−Ｒ14〔Ｒ14は低級アルキル基を表す。〕または
−Ｏ3Ｓ−Ｒ15〔Ｒ15は低級アルキル基または置換もし
くは非置換のアリール基を表す。〕を表し、Ｒ1は置換
もしくは非置換のシクロペンタジエニル基、−ＯＲ5、
−Ｎ（Ｔf 3）Ｒ6または−Ｎ（Ｔf 4）Ｔf 5を表し、Ｒ2は
置換もしくは非置換のシクロペンタジエニル基、−ＯＲ
7、−Ｎ（Ｔf 6）Ｒ8または−Ｎ（Ｔf 7）Ｔf 8〔Ｔf 3は−
ＳＯ2Ｒf 3を表し、Ｔf 4は−ＳＯ2Ｒf 4を表し、Ｔf 5は−
ＳＯ2Ｒf 5を表し、Ｔf 6は−ＳＯ2Ｒf 6を表し、Ｔf 7は−
ＳＯ2Ｒf 7を表し、Ｔf 8は−ＳＯ2Ｒf 8（Ｒf 3、Ｒf 4、Ｒ
f 5、Ｒf 6、Ｒf 7およびＲf 8はそれぞれ独立にフッ素原子
または低級パーフルオロアルキル基を表す。）を表し、
Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8はそれぞれ独立に低級アルキル
基を表すか、または、Ｒ5およびＲ7、Ｒ5およびＲ8、Ｒ
6およびＲ7、あるいは、Ｒ6およびＲ8がいっしょになっ
て２価の基を形成する。〕を表し、Ｍはアルカリ金属、
アルカリ土類金属、希土類元素、遷移金属、ホウ素、ア
ルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、ケイ
素、ゲルマニウム、スズ、鉛、ヒ素、アンチモン、ビス
マス、セレンまたはテルルから選ばれる元素を表し、ｍ
は０または１であり、ｐは０または１であり、ｍ＝１か
つｐ＝１の場合には、ｎは該当するＭの原子価−２の整
数を表し、ｍ＝１かつｐ＝０の場合およびｍ＝０かつｐ
＝１の場合には、ｎは該当するＭの原子価−１の整数を
表し、ｍ＝０かつｐ＝０の場合には、ｎは該当するＭの
原子価の整数を表す。］で示される化合物と一般式［Ｖ
Ｉ］
〔Ｒ13は水素原子または低級アルキル基を表す。〕、−
ＯＯＣ−Ｒ14〔Ｒ14は低級アルキル基を表す。〕または
−Ｏ3Ｓ−Ｒ15〔Ｒ15は低級アルキル基または置換もし
くは非置換のアリール基を表す。〕を表し、Ｒ1は置換
もしくは非置換のシクロペンタジエニル基、−ＯＲ5、
−Ｎ（Ｔf 3）Ｒ6または−Ｎ（Ｔf 4）Ｔf 5を表し、Ｒ2は
置換もしくは非置換のシクロペンタジエニル基、−ＯＲ
7、−Ｎ（Ｔf 6）Ｒ8または−Ｎ（Ｔf 7）Ｔf 8〔Ｔf 3は−
ＳＯ2Ｒf 3を表し、Ｔf 4は−ＳＯ2Ｒf 4を表し、Ｔf 5は−
ＳＯ2Ｒf 5を表し、Ｔf 6は−ＳＯ2Ｒf 6を表し、Ｔf 7は−
ＳＯ2Ｒf 7を表し、Ｔf 8は−ＳＯ2Ｒf 8（Ｒf 3、Ｒf 4、Ｒ
f 5、Ｒf 6、Ｒf 7およびＲf 8はそれぞれ独立にフッ素原子
または低級パーフルオロアルキル基を表す。）を表し、
Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8はそれぞれ独立に低級アルキル
基を表すか、または、Ｒ5およびＲ7、Ｒ5およびＲ8、Ｒ
6およびＲ7、あるいは、Ｒ6およびＲ8がいっしょになっ
て２価の基を形成する。〕を表し、Ｍはアルカリ金属、
アルカリ土類金属、希土類元素、遷移金属、ホウ素、ア
ルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、ケイ
素、ゲルマニウム、スズ、鉛、ヒ素、アンチモン、ビス
マス、セレンまたはテルルから選ばれる元素を表し、ｍ
は０または１であり、ｐは０または１であり、ｍ＝１か
つｐ＝１の場合には、ｎは該当するＭの原子価−２の整
数を表し、ｍ＝１かつｐ＝０の場合およびｍ＝０かつｐ
＝１の場合には、ｎは該当するＭの原子価−１の整数を
表し、ｍ＝０かつｐ＝０の場合には、ｎは該当するＭの
原子価の整数を表す。］で示される化合物と一般式［Ｖ
Ｉ］
【００１９】
【化１０】
【００２０】［式中、Ｘは−Ｎ（Ｔf 1）Ｔf 2〔Ｔf 1は−
ＳＯ2Ｒf 1を表し、Ｔf 2は−ＳＯ2Ｒf 2（Ｒf 1およびＲf 2
はそれぞれ独立にフッ素原子または低級パーフルオロア
ルキル基を表す。）を表す。〕を表し、Ｍ’は−Ｈ、−
Ａｇ、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を表し、ｙ
はＭ’が−Ｈ、−Ａｇまたはアルカリ金属の場合には１
であり、Ｍ’がアルカリ土類金属の場合には２であ
る。］で示される化合物とを反応させることにより得ら
れる化合物の存在下、一般式［ＩＩ］
ＳＯ2Ｒf 1を表し、Ｔf 2は−ＳＯ2Ｒf 2（Ｒf 1およびＲf 2
はそれぞれ独立にフッ素原子または低級パーフルオロア
ルキル基を表す。）を表す。〕を表し、Ｍ’は−Ｈ、−
Ａｇ、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を表し、ｙ
はＭ’が−Ｈ、−Ａｇまたはアルカリ金属の場合には１
であり、Ｍ’がアルカリ土類金属の場合には２であ
る。］で示される化合物とを反応させることにより得ら
れる化合物の存在下、一般式［ＩＩ］
【００２１】
【化１１】
【００２２】［式中、Ｒ3は低級アルキル基、置換もし
くは非置換のフェニル基または−ＣＯＯ−Ｒ10〔Ｒ10は
低級アルキル基を表す。〕を表す。］で示されるアルデ
ヒド類と一般式［ＩＩＩ］
くは非置換のフェニル基または−ＣＯＯ−Ｒ10〔Ｒ10は
低級アルキル基を表す。〕を表す。］で示されるアルデ
ヒド類と一般式［ＩＩＩ］
【００２３】
【化１２】
【００２４】［式中、Ｒ4は水素原子、低級アルキル基
または置換もしくは非置換のフェニル基を表し、Ｒ9は
水素原子または−Ｓｎ（Ｒ11）3〔Ｒ11は低級アルキル
基を表す。〕を表す。］で示されるオレフィン類とを反
応させることを特徴とする一般式［ＩＶ］
または置換もしくは非置換のフェニル基を表し、Ｒ9は
水素原子または−Ｓｎ（Ｒ11）3〔Ｒ11は低級アルキル
基を表す。〕を表す。］で示されるオレフィン類とを反
応させることを特徴とする一般式［ＩＶ］
【００２５】
【化１３】
【００２６】［式中、Ｒ3は低級アルキル基、置換もし
くは非置換のフェニル基または−ＣＯＯ−Ｒ10〔Ｒ10は
低級アルキル基を表す。〕を表し、Ｒ4は水素原子、低
級アルキル基または置換もしくは非置換のフェニル基を
表す。］で示されるアルコール類の製造方法である。
くは非置換のフェニル基または−ＣＯＯ−Ｒ10〔Ｒ10は
低級アルキル基を表す。〕を表し、Ｒ4は水素原子、低
級アルキル基または置換もしくは非置換のフェニル基を
表す。］で示されるアルコール類の製造方法である。
【００２７】以下、本発明のアルコール類の製造方法に
ついて詳細に説明する。本発明のアルコール類の製造方
法においては、一般式［Ｉ］
ついて詳細に説明する。本発明のアルコール類の製造方
法においては、一般式［Ｉ］
【００２８】
【化１４】
【００２９】［式中、Ｘは−Ｎ（Ｔf 1）Ｔf 2〔Ｔf 1は−
ＳＯ2Ｒf 1を表し、Ｔf 2は−ＳＯ2Ｒf 2（Ｒf 1およびＲf 2
はそれぞれ独立にフッ素原子または低級パーフルオロア
ルキル基を表す。）を表す。〕を表し、Ｒ1は置換もし
くは非置換のシクロペンタジエニル基、−ＯＲ5、−Ｎ
（Ｔf 3）Ｒ6または−Ｎ（Ｔf 4）Ｔf 5を表し、Ｒ2は置換
もしくは非置換のシクロペンタジエニル基、−ＯＲ7、
−Ｎ（Ｔf 6）Ｒ8または−Ｎ（Ｔf 7）Ｔf 8〔Ｔf 3は−Ｓ
Ｏ2Ｒf 3を表し、Ｔf 4は−ＳＯ2Ｒf 4を表し、Ｔf 5は−Ｓ
Ｏ2Ｒf 5を表し、Ｔf 6は−ＳＯ2Ｒf 6を表し、Ｔf 7は−Ｓ
Ｏ2Ｒf 7を表し、Ｔf 8は−ＳＯ2Ｒf 8（Ｒf 3、Ｒf 4、
Ｒf 5、Ｒf 6、Ｒf 7およびＲf 8はそれぞれ独立にフッ素原
子または低級パーフルオロアルキル基を表す。）を表
し、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8はそれぞれ独立に低級アル
キル基を表すか、または、Ｒ5およびＲ7、Ｒ5および
Ｒ8、Ｒ6およびＲ7、あるいは、Ｒ6およびＲ8がいっし
ょになって２価の基を形成する。〕を表し、Ｍはアルカ
リ金属、アルカリ土類金属、希土類元素、遷移金属、ホ
ウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウ
ム、ケイ素、ゲルマニウム、スズ、鉛、ヒ素、アンチモ
ン、ビスマス、セレンまたはテルルから選ばれる元素を
表し、ｍは０または１であり、ｐは０または１であり、
ｍ＝１かつｐ＝１の場合には、ｎは該当するＭの原子価
−２の整数を表し、ｍ＝１かつｐ＝０の場合およびｍ＝
０かつｐ＝１の場合には、ｎは該当するＭの原子価−１
の整数を表し、ｍ＝０かつｐ＝０の場合には、ｎは該当
するＭの原子価の整数を表し、−Ｎ（Ｔf 1）Ｔf 2、−Ｎ
（Ｔf 3）Ｒ6、−Ｎ（Ｔf 4）Ｔf 5、−Ｎ（Ｔf 6）Ｒ8また
は−Ｎ（Ｔf 7）Ｔf 8のうちの少なくとも１つを有す
る。］で示される化合物が触媒として使用される。
ＳＯ2Ｒf 1を表し、Ｔf 2は−ＳＯ2Ｒf 2（Ｒf 1およびＲf 2
はそれぞれ独立にフッ素原子または低級パーフルオロア
ルキル基を表す。）を表す。〕を表し、Ｒ1は置換もし
くは非置換のシクロペンタジエニル基、−ＯＲ5、−Ｎ
（Ｔf 3）Ｒ6または−Ｎ（Ｔf 4）Ｔf 5を表し、Ｒ2は置換
もしくは非置換のシクロペンタジエニル基、−ＯＲ7、
−Ｎ（Ｔf 6）Ｒ8または−Ｎ（Ｔf 7）Ｔf 8〔Ｔf 3は−Ｓ
Ｏ2Ｒf 3を表し、Ｔf 4は−ＳＯ2Ｒf 4を表し、Ｔf 5は−Ｓ
Ｏ2Ｒf 5を表し、Ｔf 6は−ＳＯ2Ｒf 6を表し、Ｔf 7は−Ｓ
Ｏ2Ｒf 7を表し、Ｔf 8は−ＳＯ2Ｒf 8（Ｒf 3、Ｒf 4、
Ｒf 5、Ｒf 6、Ｒf 7およびＲf 8はそれぞれ独立にフッ素原
子または低級パーフルオロアルキル基を表す。）を表
し、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8はそれぞれ独立に低級アル
キル基を表すか、または、Ｒ5およびＲ7、Ｒ5および
Ｒ8、Ｒ6およびＲ7、あるいは、Ｒ6およびＲ8がいっし
ょになって２価の基を形成する。〕を表し、Ｍはアルカ
リ金属、アルカリ土類金属、希土類元素、遷移金属、ホ
ウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウ
ム、ケイ素、ゲルマニウム、スズ、鉛、ヒ素、アンチモ
ン、ビスマス、セレンまたはテルルから選ばれる元素を
表し、ｍは０または１であり、ｐは０または１であり、
ｍ＝１かつｐ＝１の場合には、ｎは該当するＭの原子価
−２の整数を表し、ｍ＝１かつｐ＝０の場合およびｍ＝
０かつｐ＝１の場合には、ｎは該当するＭの原子価−１
の整数を表し、ｍ＝０かつｐ＝０の場合には、ｎは該当
するＭの原子価の整数を表し、−Ｎ（Ｔf 1）Ｔf 2、−Ｎ
（Ｔf 3）Ｒ6、−Ｎ（Ｔf 4）Ｔf 5、−Ｎ（Ｔf 6）Ｒ8また
は−Ｎ（Ｔf 7）Ｔf 8のうちの少なくとも１つを有す
る。］で示される化合物が触媒として使用される。
【００３０】一般式［Ｉ］で示される化合物の中心元素
であるＭとしては、多くの元素を使用することができ、
具体的には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類
元素、遷移金属、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、イ
ンジウム、タリウム、ケイ素、ゲルマニウム、スズ、
鉛、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンまたはテルル
から選ばれる元素を使用することができる。
であるＭとしては、多くの元素を使用することができ、
具体的には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類
元素、遷移金属、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、イ
ンジウム、タリウム、ケイ素、ゲルマニウム、スズ、
鉛、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンまたはテルル
から選ばれる元素を使用することができる。
【００３１】なお、本発明におけるアルカリ金属とは、
リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウ
ムまたはフランシウムを示す。また、本発明におけるア
ルカリ土類金属とは、ベリリウム、マグネシウム、カル
シウム、ストロンチウム、バリウムまたはラジウムを示
す。また、本発明における希土類元素とは、スカンジウ
ム、イットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジ
ム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユーロピウ
ム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホル
ミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウムまたは
ルテチウムを示す。また、本発明における遷移金属と
は、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、
ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステ
ン、マンガン、テクネチウム、レニウム、鉄、ルテニウ
ム、オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニ
ッケル、パラジウム、白金、銅、銀、金、亜鉛、カドミ
ウムまたは水銀を示す。
リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウ
ムまたはフランシウムを示す。また、本発明におけるア
ルカリ土類金属とは、ベリリウム、マグネシウム、カル
シウム、ストロンチウム、バリウムまたはラジウムを示
す。また、本発明における希土類元素とは、スカンジウ
ム、イットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジ
ム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユーロピウ
ム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホル
ミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウムまたは
ルテチウムを示す。また、本発明における遷移金属と
は、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、
ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステ
ン、マンガン、テクネチウム、レニウム、鉄、ルテニウ
ム、オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニ
ッケル、パラジウム、白金、銅、銀、金、亜鉛、カドミ
ウムまたは水銀を示す。
【００３２】また、本発明のアルコール類の製造方法に
おいて使用される一般式［Ｉ］で示される化合物の中心
元素であるＭの配位子としては、Ｘとしては−Ｎ
（Ｔf 1）Ｔf 2〔Ｔf 1は−ＳＯ2Ｒf 1を表し、Ｔf 2は−Ｓ
Ｏ2Ｒf 2（Ｒf 1およびＲf 2はそれぞれ独立にフッ素原子
または低級パーフルオロアルキル基を表す。）を表
す。〕が使用され、Ｒ1としては置換もしくは非置換の
シクロペンタジエニル基、−ＯＲ5、−Ｎ（Ｔf 3）Ｒ6ま
たは−Ｎ（Ｔf 4）Ｔf 5が使用され、Ｒ2としては置換も
しくは非置換のシクロペンタジエニル基、−ＯＲ7、−
Ｎ（Ｔf 6）Ｒ8または−Ｎ（Ｔf 7）Ｔf 8〔Ｔf 3は−ＳＯ2
Ｒf 3を表し、Ｔf 4は−ＳＯ2Ｒf 4を表し、Ｔf 5は−ＳＯ2
Ｒf 5を表し、Ｔf 6は−ＳＯ2Ｒf 6を表し、Ｔf 7は−ＳＯ2
Ｒf 7を表し、Ｔf 8は−ＳＯ2Ｒf 8（Ｒf 3、Ｒf 4、Ｒf 5、
Ｒf 6、Ｒf 7およびＲf 8はそれぞれ独立にフッ素原子また
は低級パーフルオロアルキル基を表す。）を表し、
Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8はそれぞれ独立に低級アルキル
基を表すか、または、Ｒ5およびＲ7、Ｒ5およびＲ8、Ｒ
6およびＲ7、あるいは、Ｒ6およびＲ8がいっしょになっ
て２価の基を形成する。〕が使用される。
おいて使用される一般式［Ｉ］で示される化合物の中心
元素であるＭの配位子としては、Ｘとしては−Ｎ
（Ｔf 1）Ｔf 2〔Ｔf 1は−ＳＯ2Ｒf 1を表し、Ｔf 2は−Ｓ
Ｏ2Ｒf 2（Ｒf 1およびＲf 2はそれぞれ独立にフッ素原子
または低級パーフルオロアルキル基を表す。）を表
す。〕が使用され、Ｒ1としては置換もしくは非置換の
シクロペンタジエニル基、−ＯＲ5、−Ｎ（Ｔf 3）Ｒ6ま
たは−Ｎ（Ｔf 4）Ｔf 5が使用され、Ｒ2としては置換も
しくは非置換のシクロペンタジエニル基、−ＯＲ7、−
Ｎ（Ｔf 6）Ｒ8または−Ｎ（Ｔf 7）Ｔf 8〔Ｔf 3は−ＳＯ2
Ｒf 3を表し、Ｔf 4は−ＳＯ2Ｒf 4を表し、Ｔf 5は−ＳＯ2
Ｒf 5を表し、Ｔf 6は−ＳＯ2Ｒf 6を表し、Ｔf 7は−ＳＯ2
Ｒf 7を表し、Ｔf 8は−ＳＯ2Ｒf 8（Ｒf 3、Ｒf 4、Ｒf 5、
Ｒf 6、Ｒf 7およびＲf 8はそれぞれ独立にフッ素原子また
は低級パーフルオロアルキル基を表す。）を表し、
Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8はそれぞれ独立に低級アルキル
基を表すか、または、Ｒ5およびＲ7、Ｒ5およびＲ8、Ｒ
6およびＲ7、あるいは、Ｒ6およびＲ8がいっしょになっ
て２価の基を形成する。〕が使用される。
【００３３】また、ｍは０または１であり、ｐは０また
は１であり、ｍ＝１かつｐ＝１の場合、すなわち、一般
式［Ｉ］で示される化合物がＲ1およびＲ2の双方を有す
る場合には、ｎは該当するＭの原子価−２の整数を表
し、ｍ＝１かつｐ＝０の場合およびｍ＝０かつｐ＝１の
場合、すなわち、一般式［Ｉ］で示される化合物がＲ1
またはＲ2の一方のみを有する場合には、ｎは該当する
Ｍの原子価−１の整数を表し、ｍ＝０かつｐ＝０の場
合、すなわち、一般式［Ｉ］で示される化合物がＲ1お
よびＲ2のいずれも有しない場合には、ｎは該当するＭ
の原子価の整数を表す。
は１であり、ｍ＝１かつｐ＝１の場合、すなわち、一般
式［Ｉ］で示される化合物がＲ1およびＲ2の双方を有す
る場合には、ｎは該当するＭの原子価−２の整数を表
し、ｍ＝１かつｐ＝０の場合およびｍ＝０かつｐ＝１の
場合、すなわち、一般式［Ｉ］で示される化合物がＲ1
またはＲ2の一方のみを有する場合には、ｎは該当する
Ｍの原子価−１の整数を表し、ｍ＝０かつｐ＝０の場
合、すなわち、一般式［Ｉ］で示される化合物がＲ1お
よびＲ2のいずれも有しない場合には、ｎは該当するＭ
の原子価の整数を表す。
【００３４】上記の配位子Ｘ、Ｒ1およびＲ2は、どのよ
うな組み合わせとしてもよいが、一般式［Ｉ］で示され
る化合物が充分な触媒活性を示すためには、強力に電子
を引きつけるパーフルオロアルカンスルホニルイミド基
−Ｎ（Ｔf 1）Ｔf 2、−Ｎ（Ｔf 3）Ｒ6、−Ｎ（Ｔf 4）Ｔf
5、−Ｎ（Ｔf 6）Ｒ8または−Ｎ（Ｔf 7）Ｔf 8のうちの少
なくとも１つを有することが必要であり、より強いルイ
ス酸活性を示すためには、これらのパーフルオロアルカ
ンスルホニルイミド基をより多く有することが好まし
い。
うな組み合わせとしてもよいが、一般式［Ｉ］で示され
る化合物が充分な触媒活性を示すためには、強力に電子
を引きつけるパーフルオロアルカンスルホニルイミド基
−Ｎ（Ｔf 1）Ｔf 2、−Ｎ（Ｔf 3）Ｒ6、−Ｎ（Ｔf 4）Ｔf
5、−Ｎ（Ｔf 6）Ｒ8または−Ｎ（Ｔf 7）Ｔf 8のうちの少
なくとも１つを有することが必要であり、より強いルイ
ス酸活性を示すためには、これらのパーフルオロアルカ
ンスルホニルイミド基をより多く有することが好まし
い。
【００３５】なお、本発明における低級アルキル基と
は、炭素数１〜１０の直鎖または分岐鎖を有するアルキ
ル基を示し、具体的には、たとえば、メチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル
基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−
ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプ
チル基、ｎ−オクチル基などを挙げることができる。ま
た、本発明における低級パーフルオロアルキル基とは、
炭素数１〜１０の直鎖または分岐鎖を有するパーフルオ
ロアルキル基を示し、具体的には、たとえば、トリフル
オロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ｎ−ヘプタフ
ルオロプロピル基、ｉｓｏ−ヘプタフルオロプロピル
基、ｎ−ノナフルオロブチル基、ｉｓｏ−ノナフルオロ
ブチル基、ｓｅｃ−ノナフルオロブチル基、ｔｅｒｔ−
ノナフルオロブチル基、ｎ−ウンデカフルオロペンチル
基、ｎ−トリデカフルオロヘキシル基、ｎ−ペンタデカ
フルオロヘプチル基、ｎ−ヘプタデカフルオロオクチル
基などを挙げることができる。
は、炭素数１〜１０の直鎖または分岐鎖を有するアルキ
ル基を示し、具体的には、たとえば、メチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル
基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−
ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプ
チル基、ｎ−オクチル基などを挙げることができる。ま
た、本発明における低級パーフルオロアルキル基とは、
炭素数１〜１０の直鎖または分岐鎖を有するパーフルオ
ロアルキル基を示し、具体的には、たとえば、トリフル
オロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ｎ−ヘプタフ
ルオロプロピル基、ｉｓｏ−ヘプタフルオロプロピル
基、ｎ−ノナフルオロブチル基、ｉｓｏ−ノナフルオロ
ブチル基、ｓｅｃ−ノナフルオロブチル基、ｔｅｒｔ−
ノナフルオロブチル基、ｎ−ウンデカフルオロペンチル
基、ｎ−トリデカフルオロヘキシル基、ｎ−ペンタデカ
フルオロヘプチル基、ｎ−ヘプタデカフルオロオクチル
基などを挙げることができる。
【００３６】また、本発明における上記のＲ5、Ｒ6、Ｒ
7、Ｒ8は、それぞれが独立に低級アルキル基である場合
の他、ｍ＝１かつｐ＝１の場合、すなわち、一般式
［Ｉ］で示される化合物がＲ1およびＲ2の双方を有する
場合には、Ｒ1に含まれるＲ5またはＲ6とＲ2に含まれる
Ｒ7またはＲ8のうちの２つが一組となって、すなわち、
Ｒ5およびＲ7、Ｒ5およびＲ8、Ｒ6およびＲ7、あるい
は、Ｒ6およびＲ8がいっしょになって２価の基を形成し
てもよい。そのような２価の基の具体的な例としては、
たとえば、
7、Ｒ8は、それぞれが独立に低級アルキル基である場合
の他、ｍ＝１かつｐ＝１の場合、すなわち、一般式
［Ｉ］で示される化合物がＲ1およびＲ2の双方を有する
場合には、Ｒ1に含まれるＲ5またはＲ6とＲ2に含まれる
Ｒ7またはＲ8のうちの２つが一組となって、すなわち、
Ｒ5およびＲ7、Ｒ5およびＲ8、Ｒ6およびＲ7、あるい
は、Ｒ6およびＲ8がいっしょになって２価の基を形成し
てもよい。そのような２価の基の具体的な例としては、
たとえば、
【００３７】
【化１５】
【００３８】
【化１６】
【００３９】
【化１７】
【００４０】
【化１８】
【００４１】などを挙げることができる。本発明のアル
コール類の製造方法において使用される上記の一般式
［Ｉ］で示される化合物は、たとえば、一般式［Ｖ］
コール類の製造方法において使用される上記の一般式
［Ｉ］で示される化合物は、たとえば、一般式［Ｖ］
【００４２】
【化１９】
【００４３】［式中、Ｘ’はハロゲン原子、−Ｏ−Ｒ13
〔Ｒ13は水素原子または低級アルキル基を表す。〕、−
ＯＯＣ−Ｒ14〔Ｒ14は低級アルキル基を表す。〕または
−Ｏ3Ｓ−Ｒ15〔Ｒ15は低級アルキル基または置換もし
くは非置換のアリール基を表す。〕を表し、Ｒ1は置換
もしくは非置換のシクロペンタジエニル基、−ＯＲ5、
−Ｎ（Ｔf 3）Ｒ6または−Ｎ（Ｔf 4）Ｔf 5を表し、Ｒ2は
置換もしくは非置換のシクロペンタジエニル基、−ＯＲ
7、−Ｎ（Ｔf 6）Ｒ8または−Ｎ（Ｔf 7）Ｔf 8〔Ｔf 3は−
ＳＯ2Ｒf 3を表し、Ｔf 4は−ＳＯ2Ｒf 4を表し、Ｔf 5は−
ＳＯ2Ｒf 5を表し、Ｔf 6は−ＳＯ2Ｒf 6を表し、Ｔf 7は−
ＳＯ2Ｒf 7を表し、Ｔf 8は−ＳＯ2Ｒf 8（Ｒf 3、Ｒf 4、Ｒ
f 5、Ｒf 6、Ｒf 7およびＲf 8はそれぞれ独立にフッ素原子
または低級パーフルオロアルキル基を表す。）を表し、
Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8はそれぞれ独立に低級アルキル
基を表すか、または、Ｒ5およびＲ7、Ｒ5およびＲ8、Ｒ
6およびＲ7、あるいは、Ｒ6およびＲ8がいっしょになっ
て２価の基を形成する。〕を表し、Ｍはアルカリ金属、
アルカリ土類金属、希土類元素、遷移金属、ホウ素、ア
ルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、ケイ
素、ゲルマニウム、スズ、鉛、ヒ素、アンチモン、ビス
マス、セレンまたはテルルから選ばれる元素を表し、ｍ
は０または１であり、ｐは０または１であり、ｍ＝１か
つｐ＝１の場合には、ｎは該当するＭの原子価−２の整
数を表し、ｍ＝１かつｐ＝０の場合およびｍ＝０かつｐ
＝１の場合には、ｎは該当するＭの原子価−１の整数を
表し、ｍ＝０かつｐ＝０の場合には、ｎは該当するＭの
原子価の整数を表す。］で示される化合物と一般式［Ｖ
Ｉ］
〔Ｒ13は水素原子または低級アルキル基を表す。〕、−
ＯＯＣ−Ｒ14〔Ｒ14は低級アルキル基を表す。〕または
−Ｏ3Ｓ−Ｒ15〔Ｒ15は低級アルキル基または置換もし
くは非置換のアリール基を表す。〕を表し、Ｒ1は置換
もしくは非置換のシクロペンタジエニル基、−ＯＲ5、
−Ｎ（Ｔf 3）Ｒ6または−Ｎ（Ｔf 4）Ｔf 5を表し、Ｒ2は
置換もしくは非置換のシクロペンタジエニル基、−ＯＲ
7、−Ｎ（Ｔf 6）Ｒ8または−Ｎ（Ｔf 7）Ｔf 8〔Ｔf 3は−
ＳＯ2Ｒf 3を表し、Ｔf 4は−ＳＯ2Ｒf 4を表し、Ｔf 5は−
ＳＯ2Ｒf 5を表し、Ｔf 6は−ＳＯ2Ｒf 6を表し、Ｔf 7は−
ＳＯ2Ｒf 7を表し、Ｔf 8は−ＳＯ2Ｒf 8（Ｒf 3、Ｒf 4、Ｒ
f 5、Ｒf 6、Ｒf 7およびＲf 8はそれぞれ独立にフッ素原子
または低級パーフルオロアルキル基を表す。）を表し、
Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8はそれぞれ独立に低級アルキル
基を表すか、または、Ｒ5およびＲ7、Ｒ5およびＲ8、Ｒ
6およびＲ7、あるいは、Ｒ6およびＲ8がいっしょになっ
て２価の基を形成する。〕を表し、Ｍはアルカリ金属、
アルカリ土類金属、希土類元素、遷移金属、ホウ素、ア
ルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、ケイ
素、ゲルマニウム、スズ、鉛、ヒ素、アンチモン、ビス
マス、セレンまたはテルルから選ばれる元素を表し、ｍ
は０または１であり、ｐは０または１であり、ｍ＝１か
つｐ＝１の場合には、ｎは該当するＭの原子価−２の整
数を表し、ｍ＝１かつｐ＝０の場合およびｍ＝０かつｐ
＝１の場合には、ｎは該当するＭの原子価−１の整数を
表し、ｍ＝０かつｐ＝０の場合には、ｎは該当するＭの
原子価の整数を表す。］で示される化合物と一般式［Ｖ
Ｉ］
【００４４】
【化２０】
【００４５】［式中、Ｘは−Ｎ（Ｔf 1）Ｔf 2〔Ｔf 1は−
ＳＯ2Ｒf 1を表し、Ｔf 2は−ＳＯ2Ｒf 2（Ｒf 1およびＲf 2
はそれぞれ独立にフッ素原子または低級パーフルオロア
ルキル基を表す。）を表す。〕を表し、Ｍ’は−Ｈ、−
Ａｇ、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を表し、ｙ
はＭ’が−Ｈ、−Ａｇまたはアルカリ金属の場合には１
であり、Ｍ’がアルカリ土類金属の場合には２であ
る。］で示される化合物とを反応させることにより得る
ことができる。
ＳＯ2Ｒf 1を表し、Ｔf 2は−ＳＯ2Ｒf 2（Ｒf 1およびＲf 2
はそれぞれ独立にフッ素原子または低級パーフルオロア
ルキル基を表す。）を表す。〕を表し、Ｍ’は−Ｈ、−
Ａｇ、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を表し、ｙ
はＭ’が−Ｈ、−Ａｇまたはアルカリ金属の場合には１
であり、Ｍ’がアルカリ土類金属の場合には２であ
る。］で示される化合物とを反応させることにより得る
ことができる。
【００４６】本発明においては、以上のような一般式
［Ｉ］で示される化合物を触媒として用い、一般式［Ｉ
Ｉ］
［Ｉ］で示される化合物を触媒として用い、一般式［Ｉ
Ｉ］
【００４７】
【化２１】
【００４８】［式中、Ｒ3は低級アルキル基、置換もし
くは非置換のフェニル基または−ＣＯＯ−Ｒ10〔Ｒ10は
低級アルキル基を表す。〕を表す。］で示されるアルデ
ヒド類と一般式［ＩＩＩ］
くは非置換のフェニル基または−ＣＯＯ−Ｒ10〔Ｒ10は
低級アルキル基を表す。〕を表す。］で示されるアルデ
ヒド類と一般式［ＩＩＩ］
【００４９】
【化２２】
【００５０】［式中、Ｒ4は水素原子、低級アルキル基
または置換もしくは非置換のフェニル基を表し、Ｒ9は
水素原子または−Ｓｎ（Ｒ11）3〔Ｒ11は低級アルキル
基を表す。〕を表す。］で示されるオレフィン類とを反
応させることにより、一般式［ＩＶ］
または置換もしくは非置換のフェニル基を表し、Ｒ9は
水素原子または−Ｓｎ（Ｒ11）3〔Ｒ11は低級アルキル
基を表す。〕を表す。］で示されるオレフィン類とを反
応させることにより、一般式［ＩＶ］
【００５１】
【化２３】
【００５２】［式中、Ｒ3は低級アルキル基、置換もし
くは非置換のフェニル基または−ＣＯＯ−Ｒ10〔Ｒ10は
低級アルキル基を表す。〕を表し、Ｒ4は水素原子、低
級アルキル基または置換もしくは非置換のフェニル基を
表す。］で示されるアルコール類を製造することができ
る。
くは非置換のフェニル基または−ＣＯＯ−Ｒ10〔Ｒ10は
低級アルキル基を表す。〕を表し、Ｒ4は水素原子、低
級アルキル基または置換もしくは非置換のフェニル基を
表す。］で示されるアルコール類を製造することができ
る。
【００５３】本発明のアルコール類の製造方法における
上記の反応は、当モル反応であるため、一般式［ＩＩ
Ｉ］で示されるオレフィン類は、通常、一般式［ＩＩ］
で示されるアルデヒド類１モルに対して、１モル以上使
用すればよく、好ましくは１モル〜３モル、さらに好ま
しくは１モル〜２モル使用するのがよい。使用量がこの
範囲より少ない場合には、未反応の一般式［ＩＩ］で示
されるアルデヒド類が多量に残るため、収率低下の原因
となり、経済的に不利となり、また、未反応の一般式
［ＩＩ］で示されるアルデヒド類の除去あるいは回収の
ために後処理工程に負荷がかかるため、好ましくない。
また、この範囲より多く使用しても、目的とする一般式
［ＩＶ］で示されるアルコール類の収量にほとんど変化
はなく、過剰に添加した一般式［ＩＩＩ］で示されるオ
レフィン類が、未反応のまま、多量に残るだけであり、
経済的に不利となり、また、未反応の一般式［ＩＩＩ］
で示されるオレフィン類の除去あるいは回収のために後
処理工程に負荷がかかるため、好ましくない。
上記の反応は、当モル反応であるため、一般式［ＩＩ
Ｉ］で示されるオレフィン類は、通常、一般式［ＩＩ］
で示されるアルデヒド類１モルに対して、１モル以上使
用すればよく、好ましくは１モル〜３モル、さらに好ま
しくは１モル〜２モル使用するのがよい。使用量がこの
範囲より少ない場合には、未反応の一般式［ＩＩ］で示
されるアルデヒド類が多量に残るため、収率低下の原因
となり、経済的に不利となり、また、未反応の一般式
［ＩＩ］で示されるアルデヒド類の除去あるいは回収の
ために後処理工程に負荷がかかるため、好ましくない。
また、この範囲より多く使用しても、目的とする一般式
［ＩＶ］で示されるアルコール類の収量にほとんど変化
はなく、過剰に添加した一般式［ＩＩＩ］で示されるオ
レフィン類が、未反応のまま、多量に残るだけであり、
経済的に不利となり、また、未反応の一般式［ＩＩＩ］
で示されるオレフィン類の除去あるいは回収のために後
処理工程に負荷がかかるため、好ましくない。
【００５４】また、本発明のアルコール類の製造方法に
おいて触媒として使用される一般式［Ｉ］で示される化
合物は、通常、一般式［ＩＩ］で示されるアルデヒド類
１モルに対して０．０１モル〜５０モル、好ましくは
０．１モル〜３０モル、さらに好ましくは１モル〜２０
モル使用するのがよい。使用量がこの範囲より少ない場
合には、反応が充分に進行せず、収率低下の原因とな
り、経済的に不利となる、あるいは、反応速度が低下し
て反応終了までに長時間を要し、目的物を効率よく製造
することができなくなるなどの問題を生ずる場合があ
り、好ましくない。また、この範囲より多く使用して
も、反応速度、目的物の収率などにほとんど変化はな
く、経済的に不利となるだけであり、好ましくない。
おいて触媒として使用される一般式［Ｉ］で示される化
合物は、通常、一般式［ＩＩ］で示されるアルデヒド類
１モルに対して０．０１モル〜５０モル、好ましくは
０．１モル〜３０モル、さらに好ましくは１モル〜２０
モル使用するのがよい。使用量がこの範囲より少ない場
合には、反応が充分に進行せず、収率低下の原因とな
り、経済的に不利となる、あるいは、反応速度が低下し
て反応終了までに長時間を要し、目的物を効率よく製造
することができなくなるなどの問題を生ずる場合があ
り、好ましくない。また、この範囲より多く使用して
も、反応速度、目的物の収率などにほとんど変化はな
く、経済的に不利となるだけであり、好ましくない。
【００５５】本発明のアルコール類の製造方法において
は、通常、溶媒が使用されるが、使用される溶媒として
は特に限定はなく、一般に使用されているものを広く使
用することができ、たとえば、水、メタノール、エタノ
ール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−
ブタノール、ｉｓｏ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノー
ル、ｔｅｒｔ−ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ペ
ンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタンな
どの脂肪族炭化水素類、シクロペンタン、シクロヘキサ
ン、シクロヘプタン、シクロオクタンなどの脂環式炭化
水素類、ベンゼン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシ
レン、ｐ−キシレンなどの芳香族炭化水素類、四塩化炭
素、クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン
（ＥＤＣ）、クロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素
類、ジエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラ
ン（ＴＨＦ）、エチレングリコールジメチルエーテルな
どのエーテル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチ
ルイソブチルケトンなどのケトン類、酢酸エチル、酢酸
ブチル、γ−ブチロラクトンなどのエステル類、アセト
ニトリル、ベンゾニトリルなどのニトリル類、ピリジン
などの第３級アミン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド
（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ
ｃ）、Ｎ−メチルピロリドンなどの酸アミド類、ジメチ
ルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホランなどの含硫黄
化合物類、ニトロメタン、ニトロエタンなどのニトロ化
合物類、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸などの有
機酸類、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸、無水
イソ酪酸などの有機酸無水物類などを挙げることができ
る。
は、通常、溶媒が使用されるが、使用される溶媒として
は特に限定はなく、一般に使用されているものを広く使
用することができ、たとえば、水、メタノール、エタノ
ール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−
ブタノール、ｉｓｏ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノー
ル、ｔｅｒｔ−ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ペ
ンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタンな
どの脂肪族炭化水素類、シクロペンタン、シクロヘキサ
ン、シクロヘプタン、シクロオクタンなどの脂環式炭化
水素類、ベンゼン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシ
レン、ｐ−キシレンなどの芳香族炭化水素類、四塩化炭
素、クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン
（ＥＤＣ）、クロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素
類、ジエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラ
ン（ＴＨＦ）、エチレングリコールジメチルエーテルな
どのエーテル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチ
ルイソブチルケトンなどのケトン類、酢酸エチル、酢酸
ブチル、γ−ブチロラクトンなどのエステル類、アセト
ニトリル、ベンゾニトリルなどのニトリル類、ピリジン
などの第３級アミン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド
（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ
ｃ）、Ｎ−メチルピロリドンなどの酸アミド類、ジメチ
ルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホランなどの含硫黄
化合物類、ニトロメタン、ニトロエタンなどのニトロ化
合物類、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸などの有
機酸類、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸、無水
イソ酪酸などの有機酸無水物類などを挙げることができ
る。
【００５６】また、本発明のアルコール類の製造方法に
おける反応温度は、通常、室温付近とすればよく、充分
な反応速度で反応が進行する。当然のことながら、加熱
下においても効率よく反応が進行するが、冷却下、たと
えば、０℃付近においても充分な反応速度で反応が進行
する。しかしながら、加熱や冷却をしても反応速度、目
的物の収率などにほとんど変化はなく、加熱や冷却のた
めの工程が増えて操作が煩雑になり、また、加熱や冷却
をするために時間がかかり、効率が悪くなるだけであ
り、好ましくない。さらには、温度が低すぎる場合に
は、反応が充分に進行せず、収率低下の原因となり、経
済的に不利となる、あるいは、反応速度が低下して反応
終了までに長時間を要するなどの問題を生ずる場合があ
り、好ましくなく、一方、温度が高すぎる場合には、反
応中に分解などが起こる場合があり、収率低下の原因と
なり、経済的に不利となり、また、分解生成物などの除
去のために後処理工程に負荷がかかるため、好ましくな
い。
おける反応温度は、通常、室温付近とすればよく、充分
な反応速度で反応が進行する。当然のことながら、加熱
下においても効率よく反応が進行するが、冷却下、たと
えば、０℃付近においても充分な反応速度で反応が進行
する。しかしながら、加熱や冷却をしても反応速度、目
的物の収率などにほとんど変化はなく、加熱や冷却のた
めの工程が増えて操作が煩雑になり、また、加熱や冷却
をするために時間がかかり、効率が悪くなるだけであ
り、好ましくない。さらには、温度が低すぎる場合に
は、反応が充分に進行せず、収率低下の原因となり、経
済的に不利となる、あるいは、反応速度が低下して反応
終了までに長時間を要するなどの問題を生ずる場合があ
り、好ましくなく、一方、温度が高すぎる場合には、反
応中に分解などが起こる場合があり、収率低下の原因と
なり、経済的に不利となり、また、分解生成物などの除
去のために後処理工程に負荷がかかるため、好ましくな
い。
【００５７】本発明においては、以上のようにして一般
式［ＩＶ］で示されるアルコール類を製造することがで
きるが、反応は、通常、数分程度で終了し、数時間を要
していた従来の製造方法に比べて、はるかに効率よく目
的のアルコール類を製造することができる。
式［ＩＶ］で示されるアルコール類を製造することがで
きるが、反応は、通常、数分程度で終了し、数時間を要
していた従来の製造方法に比べて、はるかに効率よく目
的のアルコール類を製造することができる。
【００５８】本発明のアルコール類の製造方法において
は、反応終了後、通常の後処理を行うことにより粗生成
物を得ることができる。得られた粗生成物は、必要に応
じて再結晶、カラムクロマトグラフィーなどの精製操作
を行い、目的のアルコール類を高純度で得ることができ
る。
は、反応終了後、通常の後処理を行うことにより粗生成
物を得ることができる。得られた粗生成物は、必要に応
じて再結晶、カラムクロマトグラフィーなどの精製操作
を行い、目的のアルコール類を高純度で得ることができ
る。
【００５９】
【発明の実施の形態】以下、実施例、比較例および参考
例により、本発明の実施の形態を具体的に説明するが、
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
例により、本発明の実施の形態を具体的に説明するが、
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００６０】
【実施例】参考例１（一般式［Ｉ］で示される化合物の
調製） ビストリフルオロメタンスルホニルイミド酸（５６２ｍ
ｇ、２ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（８ｍＬ）に溶解
し、これに式［ＶＩＩ］で示される化合物（２９５μ
Ｌ、１ｍｍｏｌ）をアルゴン雰囲気下、室温で添加し
た。室温で撹拌後、減圧下、溶媒を留去した。固体の残
渣をペンタンで洗浄し、ペンタン／エーテルから再結晶
し、式［ＶＩＩＩ］で示される化合物を得た。
調製） ビストリフルオロメタンスルホニルイミド酸（５６２ｍ
ｇ、２ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（８ｍＬ）に溶解
し、これに式［ＶＩＩ］で示される化合物（２９５μ
Ｌ、１ｍｍｏｌ）をアルゴン雰囲気下、室温で添加し
た。室温で撹拌後、減圧下、溶媒を留去した。固体の残
渣をペンタンで洗浄し、ペンタン／エーテルから再結晶
し、式［ＶＩＩＩ］で示される化合物を得た。
【００６１】
【化１４】
【００６２】
【化２５】
【００６３】参考例２（一般式［Ｉ］で示される化合物
の調製） 式［ＩＸ］で示される化合物（５ｍｍｏｌ）を無水アセ
トニトリルに溶解し、これにビストリフルオロメタンス
ルホニルイミド銀（１０ｍｍｏｌ）の無水アセトニトリ
ル溶液を添加し、撹拌した。ろ過後、無色のろ液上に注
意深くヘキサン層を形成した。２４時間放置後、式
［Ｘ］で示される化合物を白色の結晶として得た。
の調製） 式［ＩＸ］で示される化合物（５ｍｍｏｌ）を無水アセ
トニトリルに溶解し、これにビストリフルオロメタンス
ルホニルイミド銀（１０ｍｍｏｌ）の無水アセトニトリ
ル溶液を添加し、撹拌した。ろ過後、無色のろ液上に注
意深くヘキサン層を形成した。２４時間放置後、式
［Ｘ］で示される化合物を白色の結晶として得た。
【００６４】
【化２６】
【００６５】
【化２７】
【００６６】参考例３（一般式［Ｉ］で示される化合物
の調製） 式［ＸＩ］で示される化合物（５ｍｍｏｌ）を無水アセ
トニトリルに溶解し、これにビストリフルオロメタンス
ルホニルイミド銀（１０ｍｍｏｌ）の無水アセトニトリ
ル溶液を添加し、撹拌した。ろ過後、無色のろ液上に注
意深くヘキサン層を形成した。２４時間放置後、式［Ｘ
ＩＩ］で示される化合物を結晶として得た。
の調製） 式［ＸＩ］で示される化合物（５ｍｍｏｌ）を無水アセ
トニトリルに溶解し、これにビストリフルオロメタンス
ルホニルイミド銀（１０ｍｍｏｌ）の無水アセトニトリ
ル溶液を添加し、撹拌した。ろ過後、無色のろ液上に注
意深くヘキサン層を形成した。２４時間放置後、式［Ｘ
ＩＩ］で示される化合物を結晶として得た。
【００６７】
【化２８】
【００６８】
【化２９】
【００６９】参考例４（一般式［Ｉ］で示される化合物
の調製） 式［ＸＩＩＩ］で示される（１Ｒ，２Ｒ）−１，２−ジ
フェニルエチレンジアミンのビストリフィルアミド（４
８ｍｇ、０．１ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（２ｍ
Ｌ）中、水素化ナトリウム（０．２ｍｍｏｌ）と室温で
３０分間反応させた。これにビストリフルオロメタンス
ルホニルイミドイッテルビウム（１０１ｍｇ、０．１ｍ
ｍｏｌ）および水（１．２ｍｍｏｌ）を添加し、撹拌し
た。１時間撹拌後、減圧下、溶媒を留去し、式［ＸＩ
Ｖ］で示される化合物を得た。
の調製） 式［ＸＩＩＩ］で示される（１Ｒ，２Ｒ）−１，２−ジ
フェニルエチレンジアミンのビストリフィルアミド（４
８ｍｇ、０．１ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（２ｍ
Ｌ）中、水素化ナトリウム（０．２ｍｍｏｌ）と室温で
３０分間反応させた。これにビストリフルオロメタンス
ルホニルイミドイッテルビウム（１０１ｍｇ、０．１ｍ
ｍｏｌ）および水（１．２ｍｍｏｌ）を添加し、撹拌し
た。１時間撹拌後、減圧下、溶媒を留去し、式［ＸＩ
Ｖ］で示される化合物を得た。
【００７０】
【化３０】
【００７１】
【化３１】
【００７２】参考例５（一般式［Ｉ］で示される化合物
の調製） ビストリフルオロメタンスルホニルイミドイッテルビウ
ムの代わりにビストリフルオロメタンスルホニルイミド
イットリウムを用いた他は参考例４と全く同様にして式
［ＸＶ］で示される化合物を得た。
の調製） ビストリフルオロメタンスルホニルイミドイッテルビウ
ムの代わりにビストリフルオロメタンスルホニルイミド
イットリウムを用いた他は参考例４と全く同様にして式
［ＸＶ］で示される化合物を得た。
【００７３】
【化３２】
【００７４】参考例６（一般式［Ｉ］で示される化合物
の調製） ビストリフルオロメタンスルホニルイミドイッテルビウ
ムの代わりにビストリフルオロメタンスルホニルイミド
スカンジウムを用いた他は参考例４と全く同様にして式
［ＸＶＩＩ］で示される化合物を得た。
の調製） ビストリフルオロメタンスルホニルイミドイッテルビウ
ムの代わりにビストリフルオロメタンスルホニルイミド
スカンジウムを用いた他は参考例４と全く同様にして式
［ＸＶＩＩ］で示される化合物を得た。
【００７５】
【化３３】
【００７６】実施例１ ビストリフルオロメタンスルホニルイミドイッテルビウ
ム（５０ｍｇ、０．０５ｍｍｏｌ）をジクロロメタン
（５ｍＬ）に溶解し、これにベンズアルデヒド（１０２
μＬ、１ｍｍｏｌ）およびアリルトリブチルスズ（３４
１μＬ、１．１ｍｍｏｌ）を室温で添加した。室温で３
０分間撹拌した後、エーテル（５ｍＬ）で希釈し、飽和
ＮａＨＣＯ3水溶液（１０ｍＬ）を加えた。ろ過後、ろ
液をエーテルで３回（合計１５ｍＬ）抽出した。有機層
を合わせ、飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸マ
グネシウムで乾燥後、減圧下、溶媒を留去した。シリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：ヘキサン／酢
酸エチル＝３／１）により精製し、４−ヒドロキシ−４
−フェニル−１−ブテンを収率９２％で得た。
ム（５０ｍｇ、０．０５ｍｍｏｌ）をジクロロメタン
（５ｍＬ）に溶解し、これにベンズアルデヒド（１０２
μＬ、１ｍｍｏｌ）およびアリルトリブチルスズ（３４
１μＬ、１．１ｍｍｏｌ）を室温で添加した。室温で３
０分間撹拌した後、エーテル（５ｍＬ）で希釈し、飽和
ＮａＨＣＯ3水溶液（１０ｍＬ）を加えた。ろ過後、ろ
液をエーテルで３回（合計１５ｍＬ）抽出した。有機層
を合わせ、飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸マ
グネシウムで乾燥後、減圧下、溶媒を留去した。シリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：ヘキサン／酢
酸エチル＝３／１）により精製し、４−ヒドロキシ−４
−フェニル−１−ブテンを収率９２％で得た。
【００７７】比較例１ イッテルビウムトリフラート（０．０５ｍｍｏｌ）をジ
クロロメタン（５ｍＬ）に溶解し、これにベンズアルデ
ヒド（１０２μＬ、１ｍｍｏｌ）およびアリルトリブチ
ルスズ（３４１μＬ、１．１ｍｍｏｌ）を室温で添加し
た。室温で２４時間撹拌した後、エーテル（５ｍＬ）で
希釈し、飽和ＮａＨＣＯ3水溶液（１０ｍＬ）を加え
た。ろ過後、ろ液をエーテルで３回（合計１５ｍＬ）抽
出した。有機層を合わせ、飽和食塩水で洗浄した。有機
層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下、溶媒を留
去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出
液：ヘキサン／酢酸エチル＝３／１）により精製し、４
−ヒドロキシ−４−フェニル−１−ブテンを収率８５％
で得た。
クロロメタン（５ｍＬ）に溶解し、これにベンズアルデ
ヒド（１０２μＬ、１ｍｍｏｌ）およびアリルトリブチ
ルスズ（３４１μＬ、１．１ｍｍｏｌ）を室温で添加し
た。室温で２４時間撹拌した後、エーテル（５ｍＬ）で
希釈し、飽和ＮａＨＣＯ3水溶液（１０ｍＬ）を加え
た。ろ過後、ろ液をエーテルで３回（合計１５ｍＬ）抽
出した。有機層を合わせ、飽和食塩水で洗浄した。有機
層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下、溶媒を留
去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出
液：ヘキサン／酢酸エチル＝３／１）により精製し、４
−ヒドロキシ−４−フェニル−１−ブテンを収率８５％
で得た。
【００７８】実施例２ ビストリフルオロメタンスルホニルイミドイッテルビウ
ム（５０ｍｇ、０．０５ｍｍｏｌ）をジクロロメタン
（５ｍＬ）に溶解し、これにブチルグリオキシレート
（１３０ｍｇ、１ｍｍｏｌ）およびアリルトリブチルス
ズ（３４１μＬ、１．１ｍｍｏｌ）を室温で添加した。
室温で１５分間撹拌した後、エーテル（５ｍＬ）で希釈
し、飽和ＮａＨＣＯ3水溶液（１０ｍＬ）を加えた。ろ
過後、ろ液をエーテルで３回（合計１５ｍＬ）抽出し
た。有機層を合わせ、飽和食塩水で洗浄した。有機層を
無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下、溶媒を留去し
た。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：ヘ
キサン／酢酸エチル＝３／１）により精製し、２−ヒド
ロキシ−４−ペンテン酸−ｎ−ブチルを収率８２％で得
た。
ム（５０ｍｇ、０．０５ｍｍｏｌ）をジクロロメタン
（５ｍＬ）に溶解し、これにブチルグリオキシレート
（１３０ｍｇ、１ｍｍｏｌ）およびアリルトリブチルス
ズ（３４１μＬ、１．１ｍｍｏｌ）を室温で添加した。
室温で１５分間撹拌した後、エーテル（５ｍＬ）で希釈
し、飽和ＮａＨＣＯ3水溶液（１０ｍＬ）を加えた。ろ
過後、ろ液をエーテルで３回（合計１５ｍＬ）抽出し
た。有機層を合わせ、飽和食塩水で洗浄した。有機層を
無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下、溶媒を留去し
た。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：ヘ
キサン／酢酸エチル＝３／１）により精製し、２−ヒド
ロキシ−４−ペンテン酸−ｎ−ブチルを収率８２％で得
た。
【００７９】実施例３ ビストリフルオロメタンスルホニルイミドイットリウム
（１０１ｍｇ、０．１ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（２
ｍＬ）に溶解し、これにブチルグリオキシレート（１３
０ｍｇ、１ｍｍｏｌ）およびα−メチルスチレン（２０
０μＬ、１．５ｍｍｏｌ）を室温で添加した。室温で３
０分間撹拌した後、エーテル（５ｍＬ）で希釈し、飽和
ＮａＨＣＯ3水溶液（１０ｍＬ）を加えた。ろ過後、ろ
液をエーテルで３回（合計１５ｍＬ）抽出した。有機層
を合わせ、飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸マ
グネシウムで乾燥後、減圧下、溶媒を留去した。シリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：ヘキサン／酢
酸エチル＝３／１）により精製し、２−ヒドロキシ−４
−フェニル−４−ペンテン酸−ｎ−ブチルを収率５６％
で得た。
（１０１ｍｇ、０．１ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（２
ｍＬ）に溶解し、これにブチルグリオキシレート（１３
０ｍｇ、１ｍｍｏｌ）およびα−メチルスチレン（２０
０μＬ、１．５ｍｍｏｌ）を室温で添加した。室温で３
０分間撹拌した後、エーテル（５ｍＬ）で希釈し、飽和
ＮａＨＣＯ3水溶液（１０ｍＬ）を加えた。ろ過後、ろ
液をエーテルで３回（合計１５ｍＬ）抽出した。有機層
を合わせ、飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸マ
グネシウムで乾燥後、減圧下、溶媒を留去した。シリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：ヘキサン／酢
酸エチル＝３／１）により精製し、２−ヒドロキシ−４
−フェニル−４−ペンテン酸−ｎ−ブチルを収率５６％
で得た。
【００８０】
【発明の効果】本発明の製造方法により、医薬品、農薬
あるいは各種機能材料などの製造中間体として有用な化
合物であるアルコール類を効率よく、かつ、非常に高い
選択率および収率で製造することができる。
あるいは各種機能材料などの製造中間体として有用な化
合物であるアルコール類を効率よく、かつ、非常に高い
選択率および収率で製造することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｃ０７Ｃ 69/732 Ｃ０７Ｃ 69/732 Ｚ // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ (72)発明者 丸田 順道 埼玉県川越市今福中台2805番地 セント ラル硝子株式会社化学研究所内 (72)発明者 阪口 博昭 山口県宇部市大字沖宇部5253番地 セン トラル硝子株式会社化学研究所内 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C07C 29/38 B01J 31/12 C07C 33/025 C07C 33/20 C07C 67/343 C07C 69/732 C07B 61/00 300
Claims (4)
- 【請求項１】ビストリフルオロメタンスルホニルイミド
イッテルビウムまたはビストリフルオロメタンスルホニ
ルイミドイットリウムの存在下、一般式［ＩＩ］ 【化１】 ［式中、Ｒ3は低級アルキル基、置換もしくは非置換の
フェニル基または−ＣＯＯ−Ｒ10〔Ｒ10は低級アルキル
基を表す。〕を表す。］で示されるアルデヒド類と一般
式［ＩＩＩ］ 【化２】 ［式中、Ｒ4は水素原子、低級アルキル基または置換も
しくは非置換のフェニル基を表し、Ｒ9は水素原子また
は−Ｓｎ（Ｒ11）3〔Ｒ11は低級アルキル基を表す。〕
を表す。］で示されるオレフィン類とを反応させること
を特徴とする一般式［ＩＶ］ 【化３】 ［式中、Ｒ3は低級アルキル基、置換もしくは非置換の
フェニル基または−ＣＯＯ−Ｒ10〔Ｒ10は低級アルキル
基を表す。〕を表し、Ｒ4は水素原子、低級アルキル基
または置換もしくは非置換のフェニル基を表す。］で示
されるアルコール類の製造方法。 - 【請求項２】Ｒ3がフェニル基または−ＣＯＯ−Ｒ
10〔Ｒ10はｎ−ブチル基を表す。〕である請求項１に記
載のアルコール類の製造方法。 - 【請求項３】Ｒ4が水素原子であり、Ｒ9が−Ｓｎ
（Ｒ11）3〔Ｒ11はｎ−ブチル基を表す。〕である請求
項１〜請求項２のいずれかに記載のアルコール類の製造
方法。 - 【請求項４】Ｒ4がフェニル基であり、Ｒ9が水素原子で
ある請求項１〜請求項３のいずれかに記載のアルコール
類の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7341333A JP3031851B2 (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | アルコール類の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7341333A JP3031851B2 (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | アルコール類の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09176063A JPH09176063A (ja) | 1997-07-08 |
| JP3031851B2 true JP3031851B2 (ja) | 2000-04-10 |
Family
ID=18345251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7341333A Expired - Fee Related JP3031851B2 (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | アルコール類の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3031851B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5986120A (en) * | 1998-02-10 | 1999-11-16 | The Research Foundation Of The State University Of New York | Metal triflimide complexes |
| CN1328254C (zh) | 2001-03-12 | 2007-07-25 | 贝尔法斯特皇后大学 | 金属二(三氟甲磺酰)亚胺化合物和金属二(三氟甲磺酰)亚胺化合物的合成方法 |
| KR101242524B1 (ko) * | 2011-03-28 | 2013-03-12 | 강원대학교산학협력단 | 인듐을 이용한 알코올 유도체의 제조방법 |
| KR101969850B1 (ko) * | 2012-12-21 | 2019-04-17 | 삼성전자주식회사 | 마그네슘 화합물, 마그네슘전지용 전해액, 및 이를 포함하는 마그네슘전지 |
-
1995
- 1995-12-27 JP JP7341333A patent/JP3031851B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09176063A (ja) | 1997-07-08 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |