JP3031581B2 - Random access memory and information processing device - Google Patents
Random access memory and information processing deviceInfo
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- JP3031581B2 JP3031581B2 JP4009194A JP919492A JP3031581B2 JP 3031581 B2 JP3031581 B2 JP 3031581B2 JP 4009194 A JP4009194 A JP 4009194A JP 919492 A JP919492 A JP 919492A JP 3031581 B2 JP3031581 B2 JP 3031581B2
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- preset
- reset
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路として構成さ
れたランダムアクセスメモリに係り、特に連続したアド
レスでの全ビットが同時にプリセット/リセット可とさ
れたランダムアクセスメモリ、更に、それに加え、任意
アドレスでの任意ビットが高速にプリセット/リセット
可とされたランダムアクセスメモリ、更にはまた、これ
らランダムアクセスメモリを主記憶メモリ、あるいはバ
ッファメモリとして具備してなる情報処理装置に関する
ものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a random access memory configured as an integrated circuit, and more particularly to a serial access memory.
Bits can be preset / reset simultaneously
Random access memory, plus any
Any bit in address can be preset / reset at high speed
The present invention relates to an enabled random access memory, and further relates to an information processing apparatus including the random access memory as a main storage memory or a buffer memory.
【0002】[0002]
【従来の技術】これまで、ランダムアクセスメモリ一般
については、「LSIによる論理設計」(奥川峻史著、
1987年、共立出版発行)の140〜144ページに
記載されているように、ランダムアクセスメモリに対し
ては、書込/読出モードを書込イネーブル信号によって
指定した上、アクセスアドレスを入力せしめることによ
って、そのアクセスアドレスにデータを書き込んだり、
そのアクセスアドレスからデータが読み出されるように
なっている。2. Description of the Related Art Conventionally, random access memories in general have been described in "Logic Design by LSI" (by S. Okukawa,
As described on pages 140 to 144 of Kyoritsu Shuppan, 1987, for a random access memory, a write / read mode is designated by a write enable signal and an access address is input. , Write data to the access address,
The access address or La Defense over data are read out.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところで、情報処理装
置一般においては各種の処理が行われているが、ランダ
ムアクセスメモリを計算機の主メモリとして使用する場
合、処理の種別如何によっては、任意の連続アドレス空
間に亘ってその空間内での全アドレスでのデータをプリ
セット/リセットしたり、あるいは特定のアドレスでの
特定ビットデータをプリセット/リセットする処理が頻
繁に行われるものとなっている。このような処理が頻繁
に行われるものとしては、例えば画像処理が挙げられる
が、そのような処理は可及的迅速に行われることが処理
能力の性能上、望ましいものとなっている。しかしなが
ら、これまでのランダムアクセスメモリ一般では、アド
レス各々でのデータ、あるいは特定ビットデータの更新
は通常、プログラム処理によってアドレス単位に行われ
ているだけとなっている。即ち、あるアドレスでのデー
タをプリセット/リセットするには、書込データとして
のオール“1”/“0”をそのアドレスに書込むことに
よって、初めてアドレスでのデータの更新が行われてい
るものである。したがって、任意の連続アドレス空間内
での全データをプリセット/リセットする必要がある場
合には、これまでにあっては、書込アドレスを更新しつ
つ、書込アドレスに書込アクセスを行う必要があったも
のである。書込アドレスの数が少ない場合は特に問題は
生じないが、アドレスの数が多い程に、書込処理に要さ
れる時間は長くなるというものである。例えばメモリア
ドレス空間として、アドレス0〜1023のランダムア
クセスメモリを想定し、その全アドレスでのデータをリ
セットする場合には、1アドレス当りの書込サイクルが
500nsとして、512μs(=1024×500n
s)もの時間が要されるというものである。これがため
に、リアルタイム性処理が要求される場合には、それに
対処し得ないでいるのが実情である。By the way, various kinds of processing are generally performed in an information processing apparatus. However, when a random access memory is used as a main memory of a computer, an arbitrary connection is required depending on the type of processing. It has become one process for presetting / reset a specific bit data of the data in the preset / reset or or specific address, with all addresses in the space over the connection address space is frequently performed. For example, image processing is often performed as such processing is frequently performed. However, it is desirable that such processing be performed as quickly as possible in terms of processing performance. However, in the conventional random access memory, data of each address or specific bit data is usually updated only in address units by program processing. That is, in order to preset / reset the data at a certain address, the data is updated at the address for the first time by writing all "1" / "0" as the write data to the address. It is. Therefore, when it is necessary to preset / reset all the data in any continuous address space <br/> is, in the past, while updating the write address, write to the write address Access was required. There is no particular problem when the number of write addresses is small, but as the number of addresses increases, the time required for the write process increases. For example, assuming a random access memory of addresses 0 to 1023 as a memory address space, and when resetting data at all addresses, assuming that a write cycle per address is 500 ns, 512 μs (= 1024 × 500 n)
s) It takes much time. For this reason, when real-time processing is required, it is not possible to cope with it.
【0004】本発明の第1の目的は、任意連続アドレス
空間での全データをオール“1”/“0”に更新するに
際して、その更新が通常の書込処理によることなく速や
かに行われるを可としたランダムアクセスメモリを供す
るにある。本発明の第2の目的は、外部からの切替要求
に応じて、任意アドレスでの特定ビットデータの更新を
も可として、任意連続アドレス空間での全データのオー
ル“1”/“0”への更新が通常の書込処理によること
なく速やかに行われるを可としたランダムアクセスメモ
リを供するにある。本発明の第3の目的は、少なくと
も、任意連続アドレス空間での全データのオール“1”
/“0”への更新が通常の書込処理によることなく速や
かに行われるを可とした情報処理装置を供するにある。[0004] A first object of the present invention is to update all data in an arbitrary continuous address space to all "1" / "0" promptly without using a normal write process. The purpose is to provide a random access memory that can be used. A second object of the present invention, according to the switching request from the outside, the updating of the specific bit data in any address
As also acceptable, in providing random access memory update to all the data of all "1" / "0" at arbitrary continuous address space it was allowed to occur rapidly without by conventional write process. A third object of the present invention, <br/> the least, all data in arbitrary successive address spaces all "1"
An object of the present invention is to provide an information processing apparatus that enables updating to / 0 to be performed quickly without performing a normal writing process.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】上記第1の目的は、集積
回路化構成のランダムアクセスメモリに、メモリセル各
々はプリセット可、リセット可として、外部からのプリ
セット/リセットされるべき開始アドレスおよび終了ア
ドレスにもとづき、該開始アドレスから該終了アドレス
までの全メモリセルに対し、プリセット/リセット信号
を同時に発生する制御回路を内蔵せしめることで達成さ
れる。また、上記第2の目的は、集積回路化構成のラン
ダムアクセスメモリに、メモリセル各々はプリセット
可、リセット可として、外部からのプリセット/リセッ
トされるべき任意アドレスでのビットアドレスにもとづ
き、該任意アドレスでのビットアドレス対応のメモリセ
ルに対し、プリセット/リセット信号を発生する第1の
制御回路と、外部からのプリセット/リセットされるべ
き開始アドレスおよび終了アドレスにもとづき、該開始
アドレスから該終了アドレスまでの全メモリセルに対
し、プリセット/リセット信号を同時に発生する第2の
制御回路とを内蔵せしめた上、上記第1の制御回路、第
2の制御回路の何れかを外部からの切替モード信号に応
じて選択的に動作せしめることで達成される。更に、上
記第3の目的は、集積回路化構成のランダムアクセスメ
モリに、少なくとも、外部からのプリセット/リセット
されるべき開始アドレスおよび終了アドレスにもとづ
き、該開始アドレスから該終了アドレスまでの全メモリ
セルに対し、プリセット/リセット信号を同時に発生す
る制御回路を内蔵せしめた上、これを主記憶メモリ、あ
るいはバッファメモリとして具備せしめることで達成さ
れる。Means for Solving the Problems The upper SL first object, a random access memory integrated circuit structure, the memory cell each preset friendly, as the reset accepted, the start address and to be preset / reset from the outside This is achieved by incorporating a control circuit for simultaneously generating a preset / reset signal for all memory cells from the start address to the end address based on the end address. Further, the second object is that, in a random access memory having an integrated circuit configuration, each memory cell can be preset and resettable, and based on a bit address at an arbitrary address to be preset / reset from the outside, A first control circuit for generating a preset / reset signal for a memory cell corresponding to a bit address by an address; and a start address and an end address based on a start address and an end address to be preset / reset from outside. And a second control circuit for simultaneously generating a preset / reset signal for all of the memory cells up to and including a switching mode signal from an external device. This is achieved by selectively operating according to Furthermore , on
The third object is to provide a random access memory having an integrated circuit structure with at least a start address to be preset / reset from the outside and an end address based on at least all memory cells from the start address to the end address. , Simultaneously generate preset / reset signals
After having allowed built that control circuit is achieved by allowed to including the same as a main storage memory or a buffer memory.
【0006】[0006]
【作用】要は、集積回路化構成のランダムアクセスメモ
リに、メモリセル各々を所望にプリセット/リセットす
るための制御回路を内蔵せしめるべく構成したものであ
る。即ち、外部からプリセット/リセットされるべき任
意アドレスでのビットアドレスが指定された場合には、
その任意アドレスでのビットアドレス対応のメモリセル
に対し制御回路からはプリセット/リセット信号が発生
されることによって、任意アドレスでのビットアドレス
対応のメモリセルは所望にプリセット/リセットされる
ものである。また、外部からプリセット/リセットされ
るべき開始アドレスおよび終了アドレスにもとづき、そ
の開始アドレスから終了アドレスまでの全メモリセルに
対し、制御回路からプリセット/リセット信号を同時に
発生せしめる場合は、それらメモリセルは所望にプリセ
ット/リセットされ得るものである。更に、前者を第1
の制御回路、後者を第2の制御回路として、これらをと
もに内蔵せしめた上、何れかを外部からの指定によって
選択的に動作せしめる場合には、必要に応じて何れかの
態様でメモリセルをプリセット/リセットし得るもので
ある。The point is that the control circuit for presetting / resetting each memory cell as desired is incorporated in the random access memory having the integrated circuit structure. That is, when a bit address at an arbitrary address to be preset / reset is specified from the outside,
By generating a preset / reset signal from the control circuit for the memory cell corresponding to the bit address at the arbitrary address, the memory cell corresponding to the bit address at the arbitrary address is preset / reset as desired. Further, based on the start address and end address to be externally preset / reset, when the control circuit simultaneously generates a preset / reset signal for all the memory cells from the start address to the end address, those memory cells are It can be preset / reset as desired. Furthermore, the former is the first
And the latter as a second control circuit, both of which are built-in, and when either of them is selectively operated by designation from the outside, the memory cell may be mounted in any form as necessary. It can be preset / reset.
【0007】ところで、ランダムアクセスメモリに第1
の制御回路、第2の制御回路がともに内蔵せしめられる
場合、これら制御回路は具体的にはマイクロプロセッサ
として構成されるのが望ましいものとなっている。何れ
にしても、それら制御回路ののうち、少なくとも何れか
が内蔵せしめられたランダムアクセスメモリが情報処理
装置に主メモリ、あるいはバッファメモリとして具備せ
しめられる場合には、情報処理装置では特殊な処理を行
うに際し、処理効率の向上が可能とされているものであ
る。By the way, the first random access memory is
When both the control circuit and the second control circuit are built in, it is desirable that these control circuits are specifically configured as a microprocessor. In any case, if a random access memory in which at least one of the control circuits is incorporated is provided in the information processing device as a main memory or a buffer memory, the information processing device performs special processing. in performing, are those possible to improve the processing efficiency.
【0008】[0008]
【実施例】以下、本発明を各種の実施例にもとづき、図
1から図10により説明する。 実施例:その1 図1は連続した複数のアドレス各々での全メモリセルが
同時にプリセット/リセット可とされた一例でのランダ
ムアクセスメモリの構成を示したものである。本例では
メモリアドレス空間がアドレス0〜3、1アドレスに1
メモリセルが割付された場合、即ち、アドレス数が4、
1アドレス分のデータ幅が1ビットの場合が想定された
ものとなっている。メモリセルとしてのフリップフロッ
プ(以下、FFと称す)11〜14各々はアドレス0〜
3対応に設けられたものであるが、図示のように、FF
11〜14各々に対しては外部からの1ビットデータ入
力1が書込可とされている他、制御ブロック10からの
FF11〜14対応のプリセット/リセット信号S×/
R×(×=0〜3)が入力されるものとなっている。通
常時にあっては、FF11〜14各々には選択的に外部
からの1ビットデータ入力1が書込可とされ、しかもF
F11〜14各々に書込された1ビットデータは外部か
らの読出アドレス9によって外部に読み出されるように
なっているものであるが、非通常時にあっては、FF1
1〜14各々は制御ブロック10からのプリセット/リ
セット信号S×/R×によって強制的にプリセット/リ
セットされているものである。EXAMPLES Hereinafter, the present invention based on various embodiments will be described with reference to FIG. 10 from FIG. Embodiment: Part 1 FIG. 1 shows a configuration of a random access memory as an example in which all memory cells at each of a plurality of continuous addresses can be preset / reset simultaneously. In this example, the memory address space is set to addresses 0 to 3 and 1 to 1 address.
When a memory cell is allocated, that is, when the number of addresses is 4,
It is assumed that the data width of one address is 1 bit. Flip-flops (hereinafter, referred to as FFs) 11 to 14 as memory cells have addresses 0 to 0, respectively.
3 are provided, but as shown in FIG.
An external 1-bit data input 1 is write-enabled for each of 11 to 14, and a preset / reset signal S × / corresponding to FFs 11 to 14 from the control block 10.
R × (× = 0 to 3) is input. In normal times, external 1-bit data input 1 is selectively enabled for writing in each of FFs 11 to 14,
The 1-bit data written in each of F11 to F14 is read out to the outside by the read address 9 from outside.
Each of 1 to 14 is forcibly preset / reset by a preset / reset signal S × / R × from the control block 10.
【0009】先ず通常時での書込/読出動作について説
明すれば以下のようである。即ち、通常時での書込は外
部からのデータ入力1がFF11〜14各々に共通に入
力せしめられた状態で、外部からの書込アドレス3はア
ドレスデコーダ2でデコードされることによって行われ
るものとなっている。通常の書込では、外部からのライ
トイネーブル信号4によってアドレスデコーダ2でのデ
コード動作は許容されているが、アドレスデコーダ2か
らのデコード出力はクロックとしてFF11〜14の何
れかに選択的に与えられることによって、書込アドレス
3対応のFFに書込されるものである。一方、読出にお
いては、外部からの読出アドレス9は選択出力制御信号
としてセレクタ15に与えられることによって、FF1
1〜14各々からのQ出力が入力せしめられているセレ
クタ15からは、読出アドレス9対応のFFのQ出力が
データ出力として外部に出力されるようになっているも
のである。First, the write / read operation in a normal state will be described as follows. That is, writing in a normal state is performed by decoding the external write address 3 by the address decoder 2 in a state where the external data input 1 is commonly input to each of the FFs 11 to 14. It has become. In normal writing, a decoding operation in the address decoder 2 is permitted by a write enable signal 4 from the outside, but a decoding output from the address decoder 2 is selectively supplied to one of the FFs 11 to 14 as a clock. As a result, the data is written into the FF corresponding to the write address 3. On the other hand, in reading, an external read address 9 is supplied to selector 15 as a selection output control signal, so that FF 1
From the selector 15 to which the Q output from each of 1 to 14 is input, the Q output of the FF corresponding to the read address 9 is output to the outside as a data output.
【0010】一方、連続したアドレスでのデータがプリ
セット/リセットされる場合には、制御ブロック10に
よってFF11〜14は所望にプリセット/リセットさ
れるものとなっている。図示のように、制御ブロック1
0には外部からSA(開始アドレス)5、STA(終了
アドレス)6、リセットモード信号7、(プリ)セット
モード信号8およびEN(動作イネーブル信号)16が
入力せしめられているが、動作イネーブル信号16が動
作を許容している場合のみ、制御ブロック10からはS
A(開始アドレス)5、STA(終了アドレス)6、リ
セットモード信号7およびセットモード信号8にもとづ
き、所定にプリセット/リセット信号S×/R×が発生
されるものとなっている。図2はその制御ブロック10
の一例での具体的構成を示したものである。図示のよう
に、外部からのSA(SA1SA0)5およびSTA(S
TA1STA0)6はデコーダ10ー1によってデコード
されることによって、プリセット/リセットされるべき
アドレス範囲が識別されるようになっている。通常はS
A<STAとして、SA,STAが外部から指定される
が、本例ではアドレス3とアドレス0は連続しているも
のとして、しかもSA≧STAの場合も許容されるよう
になっている。即ち、SA=STAの場合には、開始ア
ドレス1アドレス分のみに対しプリセット/リセット制
御が行われるものである。また、STA<SAの場合、
例えばSA=アドレス2、STA=アドレス0の場合に
は、アドレス2,3,0の3アドレス分に対しプリセッ
ト/リセット制御が行われるようになっているものであ
る。図示のように、動作イネーブル信号16が動作を許
容している場合のみ、デコータ10ー1ではSAとST
Aの全ての組合せが識別された上、その旨のデコード出
力が出力されているが、それらデコード出力はアドレス
0〜3対応に設けられた多入力オアゲート10ー6〜1
0ー9でエンコードされることによって、対としてのア
ンドゲート10ー10,10ー11、10ー1210,
10ー13、10ー14,10ー15、10ー16,1
0ー17の1対以上が活性化状態におかれるものとなっ
ている。一方、リセットモード信号7およびセットモー
ド信号8はこれら同時入力がインバータ10ー2,10
ー3およびアンドゲート10ー4,10ー5で相互にイ
ンヒビットされた上、上記対としてのアンドゲートのう
ち、何れか一方のみが活性化状態におかれるようになっ
ている。結局なところ、多入力オアゲート10ー6〜1
0ー9およびアンドゲート10ー4,10ー5によって
最終的に活性化されているアンドゲートにより、SAお
よびSTAによって規定されるアドレス範囲での全FF
がプリセット/リセットされるようになっているもので
ある。例えばSA=アドレス2、STA=アドレス0と
して、外部からプリセット動作が指定されている場合に
は、アンドゲート10ー14,10ー16,10ー10
が同時に活性化され、アンドゲート10ー14,10ー
16,10ー10各々からはプリセット信号S2,S
3,S0が発生されることで、FF12,14,11は
同時にプリセットされ得るものである。なお、本例では
1アドレスでのメモリセルは1個とされているが、2個
以上の場合にも適用可となっている。制御ブロック10
からのプリセット/リセット信号S×/R×をそれらメ
モリセルに共通に与えればよいものである。On the other hand, when data at successive addresses is preset / reset, the control block 10 presets / resets the FFs 11 to 14 as desired. As shown, control block 1
0 is externally input with SA (start address) 5, STA (end address) 6, reset mode signal 7, (pre) set mode signal 8 and EN (operation enable signal) 16, but operation enable signal Only when 16 permits the operation, the control block 10
A (start address) 5, STA (end address) 6, based on the reset mode signal 7 and the set mode signal 8, which is intended to predetermined preset / reset signal S × / R × is generated. FIG. 2 shows the control block 10
2 shows a specific configuration in one example. As shown in the figure, SA (SA 1 SA 0 ) 5 and STA (S
TA 1 STA 0 ) 6 is decoded by the decoder 10-1 so that the address range to be preset / reset is identified. Usually S
As A <STA , SA and STA are designated from the outside. In this example, address 3 and address 0 are assumed to be continuous, and the case where SA ≧ STA is allowed. That is, in the case of SA = STA is to preset / reset control is performed on only a start address one address. If STA <SA,
For example, when SA = address 2 and STA = address 0 , preset / reset control is performed for three addresses of addresses 2, 3 , and 0. As shown in the figure, only when the operation enable signal 16 permits the operation , the decoder 10-1 sets SA and ST.
All combinations of A are identified and decoded outputs to that effect are output. These decoded outputs are output from the multi-input OR gates 10-6 to 10-1 provided for the addresses 0 to 3.
0-9, the AND gates 10-10, 10-11, 10-1210,
10-13, 10-14, 10-15, 10-16, 1
One or more pairs 0-17 are in the activated state. On the other hand, the reset mode signal 7 and the set mode signal 8 are input simultaneously to the inverters 10-2 and 10-2.
-3 and the AND gates 10-4 and 10-5 are mutually inhibited, and only one of the paired AND gates is set in an activated state. After all, multi-input OR gate 10-6-1
0-9 and AND gates finally activated by AND gates 10-4 and 10-5, all FFs in the address range defined by SA and STA.
Are preset / reset. For example, when SA = address 2 and STA = address 0 and a preset operation is designated from the outside, AND gates 10-14, 10-16, and 10-10
Are simultaneously activated, and preset signals S2 and S are output from AND gates 10-14, 10-16 and 10-10, respectively.
By generating 3, S0, the FFs 12, 14, and 11 can be preset at the same time. In this example, the number of memory cells at one address is one, but the present invention is applicable to the case of two or more. Control block 10
The preset / reset signal S.times./R.times. May be applied to those memory cells in common.
【0011】実施例:その2 図3はまた、アドレス数が2、1アドレスが2ビットよ
りなる場合に、外部から任意に指定されたアドレスでの
全メモリセルがプリセット/リセット可とされた一例で
のランダムアクセスメモリの構成を示したものである。
既述の実施例:その1ではSA=STAが許容されてい
ることから、実施例:その1でのランダムアクセスメモ
リの構成がより一般的なものとなっているが、特に1ア
ドレス単位にのみプリセット/リセット可とする場合で
の構成を敢えて示したものである。これによる場合、通
常時での書込は外部からの2ビットデータ入力1のう
ち、下位1ビットはFF11ー1,12ー1各々に、ま
た、上位1ビットはFF11ー2,12ー2各々に共通
に入力せしめられた状態で、外部からの書込アドレス3
はアドレスデコーダ2でデコードされることによって行
われるものとなっている。通常の書込では、外部からの
ライトイネーブル信号4によってアドレスデコーダ2で
のデコード動作は許容されているが、アドレスデコーダ
2からのデコード出力はクロックとしてFF11ー1,
11ー2か、またはFF12ー1,12ー2に選択的に
与えられることによって、書込アドレス3対応の2個の
FFにデータ入力が同時に書込されるものである。一
方、読出においては、外部からの読出アドレス9は選択
出力制御信号としてセレクタ15ー1,15ー2に与え
られることによって、FF11ー1,11ー2,12ー
1,12ー2各々からのQ出力が入力せしめられている
セレクタ15ー1,15ー2各々からは、読出アドレス
9対応のデータ出力が外部に出力されるようになってい
るものである。Embodiment 2 FIG. 3 shows an example in which when the number of addresses is two and one address consists of two bits, all memory cells at an address arbitrarily designated from the outside can be preset / reset. 1 shows the configuration of the random access memory in FIG.
As already described in the first embodiment, SA = STA is allowed in the first embodiment. Therefore, the configuration of the random access memory in the first embodiment is more general, but especially only in one address unit. The configuration in the case where the preset / reset is permitted is shown daringly. In this case, in normal writing, the lower one bit of the external 2-bit data input 1 is applied to each of the FFs 11-1 and 12-1, and the upper one bit is applied to the FFs 11-2 and 12-2. In the state in which the address is commonly input to the
Are performed by being decoded by the address decoder 2. In normal writing, the decoding operation in the address decoder 2 is allowed by the external write enable signal 4, but the decoding output from the address decoder 2 is used as a clock for the FFs 11-1 and 11-1.
The data input is simultaneously written to two FFs corresponding to the write address 3 by being selectively applied to 11-2 or the FFs 12-1 and 12-2. On the other hand, in reading, an external read address 9 is supplied to the selectors 15-1 and 15-2 as a selection output control signal, so that each of the FFs 11-1, 11-2, 12-1 and 12-2 outputs the selected address. Each of the selectors 15-1 and 15-2 to which the Q output is input outputs a data output corresponding to the read address 9 to the outside.
【0012】一方、外部からの任意アドレスでのデータ
がプリセット/リセットされる場合には、制御ブロック
17によってFF11ー1,11ー2、12ー1,12
ー2は所望にプリセット/リセットされるものとなって
いる。図示のように、制御ブロック17には外部からプ
リセット/リセット対象としてのアドレス18、セット
/リセットモード信号19およびEN(動作イネーブル
信号)16が入力せしめられているが、動作イネーブル
信号16が動作を許容している場合のみ、制御ブロック
17からはアドレス18およびセット/リセットモード
信号19にもとづき、所定にプリセット/リセット信号
S00〜S11,R00〜S11が発生されるものとな
っている。図4はその制御ブロック17の一例での具体
的構成を示したものである。図示のように、アドレス1
8はデコーダ17ー1,17ー2各々にてデコード可さ
れているが、デコードの可否は動作イネーブル信号16
およびセット/リセットモード信号19によるものとな
っている。アドレス18とともに入力される動作イネー
ブル信号16によってデコーダ17ー1,17ー2はと
もにデコード動作が許容されようとするが、その際での
デコード動作はまた、セット/リセットモード信号19
によっても制御されているものである。結局、セット/
リセットモード信号19がリセットモードにある場合に
は、デコーダ17ー1でのデコード動作が許容され、そ
れがセットモードにある場合は、デコーダ17ー2での
デコード動作が許容されているものである。この結果と
して、例えばアドレス1でのデータがプリセットされる
べきことが指定されている場合には、デコーダ17ー2
からはプリセット信号S10,S11が発生された上、
FF12ー1,12ー2がともにプリセットされるもの
である。On the other hand, when data at an arbitrary address from the outside is preset / reset, the control block 17 controls the FFs 11-1, 11-2, 12-1 and 12-1.
-2 is preset / reset as desired. As shown in the figure, an address 18 as a preset / reset target, a set / reset mode signal 19 and an EN (operation enable signal) 16 are externally input to the control block 17. only if acceptable, from the control block 17 based on the address 18 and a set / reset mode signal 19, a predetermined preset / reset signal S00~S11, it has become what R00~S11 is generated. FIG. 4 shows a specific configuration of an example of the control block 17. As shown, address 1
8 can be decoded by each of the decoders 17-1 and 17-2.
And the set / reset mode signal 19. The decoder 17-1 and 17-2 both allow the decoding operation to be permitted by the operation enable signal 16 input together with the address 18, but the decoding operation at that time also includes the set / reset mode signal 19
It is also controlled by After all, set /
When the reset mode signal 19 is in the reset mode, the decoding operation in the decoder 17-1 is allowed, and when it is in the set mode, the decoding operation in the decoder 17-2 is allowed. . As a result, for example, when it is specified that the data at the address 1 should be preset, the decoder 17-2
Generates preset signals S10 and S11.
The FFs 12-1 and 12-2 are both preset.
【0013】実施例:その3 図5はアドレス数が2、1アドレスが2ビットよりなる
場合に、外部から任意に指定されたアドレスでの任意メ
モリセルがプリセット/リセット可とされた一例でのラ
ンダムアクセスメモリの構成を示したものである。これ
による場合、通常時での書込/読出動作は実施例:その
2でのものに同様であるので、これ以上の説明は特に要
しない。ここで、外部から任意に指定されたアドレスで
の任意メモリセルが制御ブロック20によってプリセッ
ト/リセットされる場合での動作について説明すれば、
制御ブロック20からは外部からの書込アドレス3、ビ
ットアドレス21、セット/リセットモード信号22お
よび動作イネーブル信号16にもとづき、書込アドレス
3でのビットアドレス21対応のメモリセルに対して
は、プリセット/リセット信号が発生されるものとなっ
ている。図6はその制御ブロック20の一例での具体的
な構成を示したものである。これによる場合、ビットア
ドレス18はデコーダ20ー1,20ー2各々にてデコ
ード可されているが、デコードの可否は動作イネーブル
信号16およびセット/リセットモード信号22による
ものとなっている。ビットアドレス21とともに入力さ
れる動作イネーブル信号16によってデコーダ20ー
1,20ー2はともにデコード動作が許容されようとす
るが、その際でのデコード動作はまた、セット/リセッ
トモード信号22によっても制御されているものであ
る。結局、セット/リセットモード信号22がリセット
モードにある場合には、デコーダ20ー1でのデコード
動作が許容され、それがセットモードにある場合は、デ
コーダ20ー2でのデコード動作が許容されているもの
である。デコーダ20ー1,20ー2からのデコード出
力R0,R1,S0,S1各々は、更に、書込アドレス
3を振分け制御信号としてデマルチプレクサ20ー3〜
20ー6から振分けされるものとなっている。この結果
として、例えばアドレス1でのビットアドレス1がプリ
セットされるべきことが指定されている場合には、デコ
ーダ20ー2からはビットアドレス1対応のプリセット
信号S1が発生されるが、このプリセット信号S1は更
に書込アドレス3によってデマルチプレクサ20ー6か
らプリセット信号S11として得られることから、FF
12ー2がプリセットされるところとなるものである。 実施例:その4 図7はアドレス数が2、1アドレスが2ビットよりなる
場合に、連続した複数のアドレス各々での全メモリセル
が同時にプリセット/リセットされる場合、外部から任
意に指定されたアドレスでの任意メモリセルがプリセッ
ト/リセットされる場合の何れかが選択可とされた一例
でのランダムアクセスメモリの構成を示したものであ
る。通常時での書込/読出動作については既述の説明よ
りして容易に理解されるところであるから、特にこれ以
上の説明は要しない。ここで、本例での制御ブロック2
3について説明すれば、制御ブロック23は既述の制御
ブロック10,23にほぼ同様な機能を有したものとし
て構成されたものとなっている。図8には制御ブロック
23の概要構成が示されているが、これからも判るよう
に、制御ブロック23ー1は既述の制御ブロック20と
して、また、制御ブロック23ー2は既述の制御ブロッ
ク10に類似したものとして構成された上、制御ブロッ
ク23ー1,23ー2各々からの出力はその何れかが、
外部からの切替モード信号24による制御下に、セレク
タ23ー3より選択出力されるものとなっている。Embodiment 3 FIG. 5 shows an example in which when the number of addresses is 2 and the address consists of 2 bits, an arbitrary memory cell at an address arbitrarily designated from the outside can be preset / reset. 2 shows a configuration of a random access memory. In this case, the writing / reading operation in the normal state is the same as that in the second embodiment, so that further description is not required. Here, an operation in a case where an arbitrary memory cell at an address arbitrarily designated from the outside is preset / reset by the control block 20 will be described.
Based on the external write address 3, bit address 21, set / reset mode signal 22 and operation enable signal 16 from the control block 20, the memory cell corresponding to the bit address 21 in the write address 3 is preset. / Reset signal is generated. FIG. 6 shows a specific configuration of an example of the control block 20. In this case, the bit address 18 is decoded by each of the decoders 20-1 and 20-2, but whether or not decoding is possible depends on the operation enable signal 16 and the set / reset mode signal 22. Both the decoders 20-1 and 20-2 are allowed to perform the decoding operation by the operation enable signal 16 input together with the bit address 21, but the decoding operation at that time is also controlled by the set / reset mode signal 22. Is what is being done. As a result, when the set / reset mode signal 22 is in the reset mode, the decoding operation in the decoder 20-1 is allowed, and when it is in the set mode, the decoding operation in the decoder 20-2 is allowed. Is what it is. Decoder 20-1 1,20 decoded output from over 2 R0, R1, S0, S1 each further demultiplexers 20-1 3 the write address 3 as allocation control signal
It is sorted from 20-6. As a result, for example, when it is specified that the bit address 1 in the address 1 is to be preset, the preset signal S1 corresponding to the bit address 1 is generated from the decoder 20-2. Since S1 is further obtained as a preset signal S11 from the demultiplexer 20-6 by the write address 3, FF
12-2 is to be preset. Embodiment: Part 4 FIG. 7 shows that, when the number of addresses is 2 and each address is composed of 2 bits, and when all memory cells at each of a plurality of consecutive addresses are simultaneously preset / reset, an arbitrary designation is externally made. This shows a configuration of a random access memory as an example in which any of cases where an arbitrary memory cell at an address is preset / reset can be selected. Since the writing / reading operation in the normal state can be easily understood from the above description, no further description is required. Here, control block 2 in the present example
In the third case, the control block 23 is configured to have substantially the same function as the control blocks 10 and 23 described above. FIG. 8 shows a schematic configuration of the control block 23. As can be seen from the figure, the control block 23-1 is the control block 20 described above, and the control block 23-2 is the control block 23 described above. 10, and the output from each of the control blocks 23-1, 23-2 is either
Under the control of the switching mode signal 24 from the outside, the selector 23-3 selectively outputs.
【0014】実施例:その5 図9は実施例:その4での制御ブロックの殆どの部分を
マイクロプロセッサに置換した場合での構成を示したも
のである。図示のように、本例での制御ブロック25に
は外部からのアドレスバス26、双方向性データバス2
7および制御バス28各々を介し必要な情報が採り込ま
れた上、所定にアドレス演算が行われることによって、
FF11ー1,11ー2、12ー1,12ー2各々に対
するプリセット/リセット信号が発生されるものとなっ
ている。図10はその制御ブロック25の概要構成を示
したものである。図示のように、制御ブロック25はマ
イクロプロセッサ25ー1を主体として構成され、マイ
クロプロセッサ25ー1からの3ビットアドレス演算結
果はデータバス27上に設けられているデコーダ25ー
2によってデコードされることによって、FF11ー
1,11ー2、12ー1,12ー2各々に対するプリセ
ット/リセット信号が発生されるようになっている。Embodiment 5 FIG. 9 shows a configuration in which most of the control blocks in the embodiment 4 are replaced with a microprocessor. As shown, the control block 25 in this example includes an external address bus 26 and a bidirectional data bus 2.
7 and the control bus 28, necessary information is taken in, and an address operation is performed in a predetermined manner.
A preset / reset signal is generated for each of the FFs 11-1, 11-2, 12-1, 12-2. FIG. 10 shows a schematic configuration of the control block 25. As shown in the figure, the control block 25 is mainly composed of a microprocessor 25-1, and a 3-bit address operation result from the microprocessor 25-1 is decoded by a decoder 25-2 provided on a data bus 27. Thus, a preset / reset signal for each of the FFs 11-1, 11-2, 12-1, 12-2 is generated.
【0015】以上、本発明による集積回路化構成のラン
ダムアクセスメモリについて説明したが、これを特殊処
理を行う情報処理装置に主メモリ、あるいはバッファメ
モリとして具備せしめる場合には、その特殊処理が効率
的に行われ、処理性能の向上が図られるものである。The random access memory having an integrated circuit structure according to the present invention has been described above. However, when the information processing device for performing special processing is provided as a main memory or a buffer memory, the special processing is efficiently performed. In order to improve the processing performance.
【0016】[0016]
【発明の効果】以上、説明したように、請求項1による
場合は、任意連続アドレス空間での全データをオール
“1”/“0”に更新するに際して、その更新が通常の
書込処理によることなく速やかに行われるを可としたラ
ンダムアクセスメモリが、また、請求項2,3による場
合、外部からの切替要求に応じて、任意アドレスでの特
定ビットデータの更新をも可として、任意連続アドレス
空間での全データのオール“1”/“0”への更新が通
常の書込処理によることなく速やかに行われるを可とし
たランダムアクセスメモリが、更に、請求項4〜6によ
る場合には、少なくとも、任意連続アドレス空間での全
データのオール“1”/“0”への更新が通常の書込処
理によることなく速やかに行われるを可とした情報処理
装置がそれぞれ得られるものとなっている。 As described above, according to the first aspect , all data in an arbitrary continuous address space is all
In updating the "1" / "0", a random access memory was allowed to occur rapidly without the update by conventional write process is also the case of claim 2, 3, switching from external According to the request, the special
Arbitrary continuous addresses, allowing constant bit data to be updated
A random access memory which enables updating of all data in a space to all "1" / "0" quickly without performing a normal writing process . According to 6
If at least
Information processing enabling data to be updated to all "1" / "0" promptly without normal write processing
Devices that have become a thing obtained, respectively.
【図1】図1は、連続した複数のアドレス各々での全メ
モリセルが同時にプリセット/リセット可とされた一例
でのランダムアクセスメモリの構成を示す図FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of a random access memory in which all memory cells at a plurality of consecutive addresses are simultaneously preset / resetable;
【図2】図2は、その要部としての制御ブロックの一例
での具体的構成を示す図FIG. 2 is a diagram showing a specific configuration of an example of a control block as a main part thereof;
【図3】図3は、外部から任意に指定されたアドレスで
の全メモリセルがプリセット/リセット可とされた一例
でのランダムアクセスメモリの構成を示す図FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a random access memory in an example in which all memory cells at an address arbitrarily designated from the outside are preset / resetable;
【図4】図4は、その要部としての制御ブロックの一例
での具体的構成を示す図FIG. 4 is a diagram showing a specific configuration of an example of a control block as a main part thereof;
【図5】図5は、外部から任意に指定されたアドレスで
の任意メモリセルがプリセット/リセット可とされた一
例でのランダムアクセスメモリの構成を示す図FIG. 5 is a diagram showing a configuration of a random access memory in an example in which an arbitrary memory cell at an address arbitrarily designated from the outside is preset / resettable;
【図6】図6は、その要部としての制御ブロックの一例
での具体的構成を示す図FIG. 6 is a diagram showing a specific configuration of an example of a control block as a main part thereof;
【図7】図7は、連続した複数のアドレス各々での全メ
モリセルが同時にプリセット/リセットされる場合、外
部から任意に指定されたアドレスでの任意メモリセルが
プリセット/リセットされる場合の何れかが選択可とさ
れた一例でのランダムアクセスメモリの構成を示す図FIG. 7 illustrates a case where all memory cells at a plurality of consecutive addresses are simultaneously preset / reset, and a case where an arbitrary memory cell at an address arbitrarily designated from the outside is preset / reset. The figure which shows the structure of the random access memory in the example in which the selection was possible.
【図8】図8は、その要部としての制御ブロックの一例
での概要構成を示す図FIG. 8 is a diagram showing a schematic configuration of an example of a control block as a main part thereof;
【図9】図9は、連続した複数のアドレス各々での全メ
モリセルが同時にプリセット/リセットされる場合、外
部から任意に指定されたアドレスでの任意メモリセルが
プリセット/リセットされる場合の何れかが選択可とさ
れた一例でのランダムアクセスメモリの構成を示す図FIG. 9 illustrates a case where all memory cells at each of a plurality of consecutive addresses are simultaneously preset / reset, and a case where an arbitrary memory cell at an address arbitrarily designated from the outside is preset / reset. The figure which shows the structure of the random access memory in the example in which the selection was possible.
【図10】図10は、その要部としての制御ブロックの
概要構成を示す図FIG. 10 is a diagram showing a schematic configuration of a control block as a main part thereof;
2…デコーダ、10,17,20,23,25…制御ブ
ロック、11〜14、11ー1,11ー2、12ー1,
12ー2…フリップフロップ(メモリセル)、15,1
5ー1,15ー2…セレクタ2 ... decoder, 10, 17, 20, 23, 25 ... control block, 11 to 14, 11-1, 11-2, 12-1,
12-2: flip-flop (memory cell), 15, 1
5-1、15-2 ... selector
Claims (6)
/読出モードにもとづき、該アドレス対応のN(N:1
以上の整数、以下、同様)個のメモリセルに同時にN個
のビットデータが書込み可とされる一方では、該N個の
メモリセルからは同時にN個のビットデータが同時に読
出し可とされてなる、M(M:1以上の整数、以下、同
様)×Nビット容量の集積回路化構成のランダムアクセ
スメモリであって、メモリセル各々はプリセット可、リ
セット可として、外部からのプリセット/リセットされ
るべき開始アドレスおよび終了アドレスにもとづき、該
開始アドレスから該終了アドレスまでの全メモリセルに
対し、プリセット/リセット信号を同時に発生する制御
回路が具備されてなるランダムアクセスメモリ。An N (N: 1) corresponding to an address based on an external access address and a write / read mode.
While N bit data can be simultaneously written into the above integers, the same applies hereinafter) memory cells, N bit data can be simultaneously read from the N memory cells simultaneously. , M (M: an integer of 1 or more;
A random access memory integrated circuit configuration of) × N bit capacity like, the memory cell each preset friendly, as a reset-friendly, based on the start address and end address to be preset / reset from the outside, the start address A random access memory including a control circuit for simultaneously generating a preset / reset signal for all the memory cells from the end address to the end address.
/読出モードにもとづき、該アドレス対応のN個のメモ
リセルに同時にN個のビットデータが書込み可とされる
一方では、該N個のメモリセルからは同時にN個のビッ
トデータが同時に読出し可とされてなる、M×Nビット
容量の集積回路化構成のランダムアクセスメモリであっ
て、メモリセル各々はプリセット可、リセット可とし
て、外部からのプリセット/リセットされるべき任意ア
ドレスでのビットアドレスにもとづき、該任意アドレス
でのビットアドレス対応のメモリセルに対し、プリセッ
ト/リセット信号を発生する第1の制御回路と、外部か
らのプリセット/リセットされるべき開始アドレスおよ
び終了アドレスにもとづき、該開始アドレスから該終了
アドレスまでの全メモリセルに対し、プリセット/リセ
ット信号を同時に発生する第2の制御回路とが具備せし
められた上、上記第1の制御回路、第2の制御回路の何
れかが外部からの切替モード信号に応じて選択的に動作
せしめらる構成のランダムアクセスメモリ。2. A method according to claim 1, wherein N bit data is simultaneously written into N memory cells corresponding to the address based on an external access address and a write / read mode. Is a random access memory having an M × N-bit capacity integrated circuit in which N bit data can be read simultaneously at the same time, wherein each memory cell is presettable and resettable, and externally preset. A first control circuit for generating a preset / reset signal for a memory cell corresponding to a bit address at an arbitrary address based on a bit address at the arbitrary address to be reset / reset from an external preset / reset All memos from the start address to the end address are calculated based on the start address and the end address. A second control circuit for simultaneously generating a preset / reset signal for the cell is provided, and either the first control circuit or the second control circuit responds to a switching mode signal from the outside. A random access memory with a structure that can be selectively operated.
/読出モードにもとづき、該アドレス対応のN個のメモ
リセルに同時にN個のビットデータが書込み可とされる
一方では、該N個のメモリセルからは同時にN個のビッ
トデータが同時に読出し可とされてなる、M×Nビット
容量の集積回路化構成のランダムアクセスメモリであっ
て、メモリセル各々はプリセット可、リセット可とし
て、外部からのプリセット/リセットされるべき任意ア
ドレスでのビットアドレスにもとづき、該任意アドレス
でのビットアドレス対応のメモリセルに対し、プリセッ
ト/リセット信号を発生する第1の制御回路と、外部か
らのプリセット/リセットされるべき開始アドレスおよ
び終了アドレスにもとづき、該開始アドレスから該終了
アドレスまでの全メモリセルに対し、プリセット/リセ
ット信号を同時に発生する第2の制御回路とが具備せし
められに際し、上記第1の制御回路、第2の制御回路は
外部からの各種制御信号による制御下に、外部からの各
種アドレス信号を演算することによって、所望のメモリ
セルに対しプリセット/リセット信号を発生する単一の
マイクロプロセッサとして構成されてなるランダムアク
セスメモリ。3. A method according to claim 1, wherein N bit data is simultaneously written into N memory cells corresponding to the address based on an external access address and a write / read mode. Is a random access memory having an M × N-bit capacity integrated circuit in which N bit data can be read simultaneously at the same time, wherein each memory cell is presettable and resettable, and externally preset. A first control circuit for generating a preset / reset signal for a memory cell corresponding to a bit address at an arbitrary address based on a bit address at the arbitrary address to be reset / reset from an external preset / reset All memos from the start address to the end address are calculated based on the start address and the end address. When the cell is provided with a second control circuit for simultaneously generating a preset / reset signal, the first control circuit and the second control circuit are controlled by various control signals from the outside, A random access memory configured as a single microprocessor that generates a preset / reset signal for a desired memory cell by calculating various address signals.
/読出モードにもとづき、該アドレス対応のN個のメモ
リセルに同時にN個のビットデータが書込み可とされる
一方では、該N個のメモリセルからは同時にN個のビッ
トデータが同時に読出し可とされてなる、M×Nビット
容量の集積回路化構成のランダムアクセスメモリであっ
て、メモリセル各々はプリセット可、リセット可とし
て、外部からのプリセット/リセットされるべき開始ア
ドレスおよび終了アドレスにもとづき、該開始アドレス
から該終了アドレスまでの全メモリセルに対し、プリセ
ット/リセット信号を同時に発生する制御回路が具備さ
れてなるランダムアクセスメモリを、主メモリ、あるい
はバッファメモリとして具備してなる情報処理装置。4. A method according to claim 1, wherein N bit data is simultaneously written into N memory cells corresponding to the address based on an external access address and a write / read mode. Is a random access memory having an M × N-bit capacity integrated circuit in which N bit data can be read simultaneously at the same time, wherein each memory cell is presettable and resettable, and externally preset. A random access memory provided with a control circuit for simultaneously generating a preset / reset signal for all memory cells from the start address to the end address based on a start address and an end address to be reset; Or an information processing apparatus provided as a buffer memory.
/読出モードにもとづき、該アドレス対応のN個のメモ
リセルに同時にN個のビットデータが書込み可とされる
一方では、該N個のメモリセルからは同時にN個のビッ
トデータが同時に読出し可とされてなる、M×Nビット
容量の集積回路化構成のランダムアクセスメモリであっ
て、メモリセル各々はプリセット可、リセット可とし
て、外部からのプリセット/リセットされるべき任意ア
ドレスでのビットアドレスにもとづき、該任意アドレス
でのビットアドレス対応のメモリセルに対し、プリセッ
ト/リセット信号を発生する第1の制御回路と、外部か
らのプリセット/リセットされるべき開始アドレスおよ
び終了アドレスにもとづき、該開始アドレスから該終了
アドレスまでの全メモリセルに対し、プリセット/リセ
ット信号を同時に発生する第2の制御回路とが具備せし
められた上、上記第1の制御回路、第2の制御回路の何
れかが外部からの切替モード信号に応じて選択的に動作
せしめらる構成のランダムアクセスメモリを、主メモ
リ、あるいはバッファメモリとして具備してなる情報処
理装置。5. A method according to claim 1, wherein N bit data is simultaneously written into N memory cells corresponding to the address based on an external access address and a write / read mode. Is a random access memory having an M × N-bit capacity integrated circuit in which N bit data can be read simultaneously at the same time, wherein each memory cell is presettable and resettable, and externally preset. A first control circuit for generating a preset / reset signal for a memory cell corresponding to a bit address at an arbitrary address based on a bit address at the arbitrary address to be reset / reset from an external preset / reset All memos from the start address to the end address are calculated based on the start address and the end address. A second control circuit for simultaneously generating a preset / reset signal for the cell is provided, and either the first control circuit or the second control circuit responds to a switching mode signal from the outside. An information processing device including a random access memory having a structure which is selectively operated as a main memory or a buffer memory.
/読出モードにもとづき、該アドレス対応のN個のメモ
リセルに同時にN個のビットデータが書込み可とされる
一方では、該N個のメモリセルからは同時にN個のビッ
トデータが同時に読出し可とされてなる、M×Nビット
容量の集積回路化構成のランダムアクセスメモリであっ
て、メモリセル各々はプリセット可、リセット可とし
て、外部からのプリセット/リセットされるべき任意ア
ドレスでのビットアドレスにもとづき、該任意アドレス
でのビットアドレス対応のメモリセルに対し、プリセッ
ト/リセット信号を発生する第1の制御回路と、外部か
らのプリセット/リセットされるべき開始アドレスおよ
び終了アドレスにもとづき、該開始アドレスから該終了
アドレスまでの全メモリセルに対し、プリセット/リセ
ット信号を同時に発生する第2の制御回路とが具備せし
められに際し、上記第1の制御回路、第2の制御回路は
外部からの各種制御信号による制御下に、外部からの各
種アドレス信号を演算することによって、所望のメモリ
セルに対しプリセット/リセット信号を発生する単一の
マイクロプロセッサとして構成されてなるランダムアク
セスメモリを、主メモリ、あるいはバッファメモリとし
て具備してなる情報処理装置。6. A method according to claim 1, wherein N bit data can be simultaneously written into N memory cells corresponding to the address based on an external access address and a write / read mode. Is a random access memory having an M × N-bit capacity integrated circuit in which N bit data can be read simultaneously at the same time, wherein each memory cell is presettable and resettable, and externally preset. A first control circuit for generating a preset / reset signal for a memory cell corresponding to a bit address at an arbitrary address based on a bit address at the arbitrary address to be reset / reset from an external preset / reset All memos from the start address to the end address are calculated based on the start address and the end address. When the cell is provided with a second control circuit for simultaneously generating a preset / reset signal, the first control circuit and the second control circuit are controlled by various control signals from the outside, Random access memory configured as a single microprocessor that generates a preset / reset signal for a desired memory cell by calculating various address signals of Processing equipment.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4009194A JP3031581B2 (en) | 1992-01-22 | 1992-01-22 | Random access memory and information processing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4009194A JP3031581B2 (en) | 1992-01-22 | 1992-01-22 | Random access memory and information processing device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05198181A JPH05198181A (en) | 1993-08-06 |
JP3031581B2 true JP3031581B2 (en) | 2000-04-10 |
Family
ID=11713705
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4009194A Expired - Lifetime JP3031581B2 (en) | 1992-01-22 | 1992-01-22 | Random access memory and information processing device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3031581B2 (en) |
-
1992
- 1992-01-22 JP JP4009194A patent/JP3031581B2/en not_active Expired - Lifetime
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