JP3029571B2 - フォトレジスト剥離剤からＮａイオンを除去する方法 - Google Patents
フォトレジスト剥離剤からＮａイオンを除去する方法Info
- Publication number
- JP3029571B2 JP3029571B2 JP8178541A JP17854196A JP3029571B2 JP 3029571 B2 JP3029571 B2 JP 3029571B2 JP 8178541 A JP8178541 A JP 8178541A JP 17854196 A JP17854196 A JP 17854196A JP 3029571 B2 JP3029571 B2 JP 3029571B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stripping agent
- photoresist stripping
- ions
- photoresist
- alkylamine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Treatment Of Water By Ion Exchange (AREA)
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路、
液晶パネルの半導体素子回路などの製造に用いられるフ
ォトレジスト剥離剤から効率良くＮａイオンを除去する
処理方法に関する。
液晶パネルの半導体素子回路などの製造に用いられるフ
ォトレジスト剥離剤から効率良くＮａイオンを除去する
処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】剥離剤は、半導体集積回路、液晶パネル
の半導体素子回路などの製造に用いられるフォトレジス
トを剥離する際に用いられる。半導体素子回路又は付随
する電極部の製造は以下のように行なわれる。まず、シ
リコンなどの基板上に金属膜をＣＶＤやスパッタなどの
方法で積層させる。その上部にフォトレジストを膜付け
し、それを露光、現像などの処理でパターン形成する。
パターン形成されたフォトレジストをマスクとして金属
膜をエッチングする。不要となったフォトレジストを剥
離剤を用いて剥離する。その操作を繰り返すことで素子
の形成を行なう。
の半導体素子回路などの製造に用いられるフォトレジス
トを剥離する際に用いられる。半導体素子回路又は付随
する電極部の製造は以下のように行なわれる。まず、シ
リコンなどの基板上に金属膜をＣＶＤやスパッタなどの
方法で積層させる。その上部にフォトレジストを膜付け
し、それを露光、現像などの処理でパターン形成する。
パターン形成されたフォトレジストをマスクとして金属
膜をエッチングする。不要となったフォトレジストを剥
離剤を用いて剥離する。その操作を繰り返すことで素子
の形成を行なう。
【０００３】従来、剥離剤としては無機酸、有機酸、無
機アルカリ、有機アルカリ、極性溶剤などの単一溶剤、
又は、それらの混合溶剤が用いられているが、レジスト
の剥離剤への溶解性及び剥離剤のレジストへの浸透性が
良好であること、また、下地金属の腐蝕が少ないなどの
理由で、有機アルカリ、特にアルキルアミンと極性溶剤
の混合溶液を主成分とした剥離剤が主に用いられてい
る。例えば、特開平７−２５３６７８号公報には、２−
アミノエタノールなどのアルキルアミンと、ジエチレン
グリコールモノブチルエーテルなどの極性有機溶剤に酸
化防止剤を添加したフォトレジスト剥離剤組成物が記載
されている。
機アルカリ、有機アルカリ、極性溶剤などの単一溶剤、
又は、それらの混合溶剤が用いられているが、レジスト
の剥離剤への溶解性及び剥離剤のレジストへの浸透性が
良好であること、また、下地金属の腐蝕が少ないなどの
理由で、有機アルカリ、特にアルキルアミンと極性溶剤
の混合溶液を主成分とした剥離剤が主に用いられてい
る。例えば、特開平７−２５３６７８号公報には、２−
アミノエタノールなどのアルキルアミンと、ジエチレン
グリコールモノブチルエーテルなどの極性有機溶剤に酸
化防止剤を添加したフォトレジスト剥離剤組成物が記載
されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】半導体素子回路の製造
において、使用される剥離剤中の金属濃度は極めて低い
ものでなくてはならない。なぜなら、剥離剤に含有され
る金属が処理中に素子回路を汚染し、素子特性に影響を
及ぼすためである。例えば、鉄、銅、タングステン等の
重金属原子はＳｉ中に拡散し、禁制帯中にキャリヤの捕
獲準位を形成し接合リーク電流を増加させる。ＮａやＫ
等のアルカリ金属は、絶縁膜であるＳｉＯ2 中及びＳｉ
−ＳｉＯ2 界面に堆積し、固定電荷及び界面準位を増加
させる。その中で、特にＮａは、その小さな原子半径と
ＳｉＯ2 に対する強い吸着力により、ＳｉＯ2 中に捕獲
されやすく素子特性に与える影響は大きい。素子回路の
剥離処理工程において、ＳｉＯ2 に捕獲されるＮａ量を
減少させるためには、処理に用いる剥離剤中のＮａイオ
ン濃度を減少させ、ＳｉＯ2 のＮａ捕獲確率を低下させ
れば良い。したがって本発明の課題は、フォトレジスト
剥離剤から効率良くＮａイオンを除去する処理方法を得
ることである。
において、使用される剥離剤中の金属濃度は極めて低い
ものでなくてはならない。なぜなら、剥離剤に含有され
る金属が処理中に素子回路を汚染し、素子特性に影響を
及ぼすためである。例えば、鉄、銅、タングステン等の
重金属原子はＳｉ中に拡散し、禁制帯中にキャリヤの捕
獲準位を形成し接合リーク電流を増加させる。ＮａやＫ
等のアルカリ金属は、絶縁膜であるＳｉＯ2 中及びＳｉ
−ＳｉＯ2 界面に堆積し、固定電荷及び界面準位を増加
させる。その中で、特にＮａは、その小さな原子半径と
ＳｉＯ2 に対する強い吸着力により、ＳｉＯ2 中に捕獲
されやすく素子特性に与える影響は大きい。素子回路の
剥離処理工程において、ＳｉＯ2 に捕獲されるＮａ量を
減少させるためには、処理に用いる剥離剤中のＮａイオ
ン濃度を減少させ、ＳｉＯ2 のＮａ捕獲確率を低下させ
れば良い。したがって本発明の課題は、フォトレジスト
剥離剤から効率良くＮａイオンを除去する処理方法を得
ることである。
【０００５】本発明は、上記の諸点に鑑みなされたもの
で、本発明の目的は、アルキルアミンもしくは極性有機
溶剤、又は、アルキルアミンと極性有機溶剤との混合物
を主成分とするフォトレジスト剥離剤から効率良くＮａ
イオンを除去する処理方法を提供することにある。
で、本発明の目的は、アルキルアミンもしくは極性有機
溶剤、又は、アルキルアミンと極性有機溶剤との混合物
を主成分とするフォトレジスト剥離剤から効率良くＮａ
イオンを除去する処理方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】Ｎａイオン濃度の低いフ
ォトレジスト剥離剤を得るためには、剥離剤の各成分を
蒸留等の方法で精製し調合することでも達成可能と考え
られる。しかし、これらはコストがかかるため望ましく
ない。したがって、フォトレジスト剥離剤をイオン交換
体にて処理し、Ｎａイオン濃度を低下させることが有効
であると考えられる。しかし、通常、Ｎａイオン除去に
用いられるスルホン酸系、又は、カルボン酸系陽イオン
交換樹脂では分配係数が小さく、Ｎａイオン交換効率が
悪い。さらに、これらの陽イオン交換樹脂では、アミン
とＮａとの分離係数が小さく、アルキルアミン含有のフ
ォトレジスト剥離剤を処理する場合、濃厚アルキルアミ
ン中の微量Ｎａイオンを選択的に、かつ効果的に吸着除
去することができない。
ォトレジスト剥離剤を得るためには、剥離剤の各成分を
蒸留等の方法で精製し調合することでも達成可能と考え
られる。しかし、これらはコストがかかるため望ましく
ない。したがって、フォトレジスト剥離剤をイオン交換
体にて処理し、Ｎａイオン濃度を低下させることが有効
であると考えられる。しかし、通常、Ｎａイオン除去に
用いられるスルホン酸系、又は、カルボン酸系陽イオン
交換樹脂では分配係数が小さく、Ｎａイオン交換効率が
悪い。さらに、これらの陽イオン交換樹脂では、アミン
とＮａとの分離係数が小さく、アルキルアミン含有のフ
ォトレジスト剥離剤を処理する場合、濃厚アルキルアミ
ン中の微量Ｎａイオンを選択的に、かつ効果的に吸着除
去することができない。
【０００７】したがって、フォトレジスト剥離剤を、ス
ルホン酸系、又は、カルボン酸系陽イオン交換樹脂より
分配係数が大きく、さらに、アミンとＮａとの分離係数
が大きな陽イオン交換体である五酸化アンチモンの水和
物（Ｓｂ2 Ｏ5 ・ｎＨ2 Ｏ（ｎ＝１〜４））（以下、化
合物（Ｉ）という）を用い、処理することが有効である
と考えられる。
ルホン酸系、又は、カルボン酸系陽イオン交換樹脂より
分配係数が大きく、さらに、アミンとＮａとの分離係数
が大きな陽イオン交換体である五酸化アンチモンの水和
物（Ｓｂ2 Ｏ5 ・ｎＨ2 Ｏ（ｎ＝１〜４））（以下、化
合物（Ｉ）という）を用い、処理することが有効である
と考えられる。
【０００８】これらのことから、上記の目的を達成する
ために、本発明のフォトレジスト剥離剤からＮａイオン
を除去する方法は、アルキルアミン及び極性有機溶剤の
少なくともいずれかからなるか、又は該液を主成分とす
るフォトレジスト剥離剤を、スルホン酸系又はカルボン
酸系陽イオン交換樹脂より分配係数が大きく、かつ、ア
ミンとＮａとの分離係数が大きな陽イオン交換体である
Ｓｂ2 Ｏ5 ・ｎＨ2 Ｏ（ｎ＝１〜４）にて処理し、フォ
トレジスト剥離剤中のＮａイオン濃度を低下させること
を特徴としている。また、本発明の方法は、アルキルア
ミン及び極性有機溶剤の少なくともいずれかからなる
か、又は該液を主成分とするフォトレジスト剥離剤中
に、スルホン酸系又はカルボン酸系陽イオン交換樹脂よ
り分配係数が大きく、かつ、アミンとＮａとの分離係数
が大きな陽イオン交換体であるＳｂ2 Ｏ5 ・ｎＨ2 Ｏ
（ｎ＝１〜４）を添加して処理し、フォトレジスト剥離
剤中のＮａイオン濃度を低下させることを特徴としてい
る。また、本発明の方法は、アルキルアミン及び極性有
機溶剤の少なくともいずれかからなるか、又は該液を主
成分とするフォトレジスト剥離剤を、スルホン酸系又は
カルボン酸系陽イオン交換樹脂より分配係数が大きく、
かつ、アミンとＮａとの分離係数が大きな陽イオン交換
体であるＳｂ2 Ｏ5 ・ｎＨ2 Ｏ（ｎ＝１〜４）に接触さ
せて処理し、フォトレジスト剥離剤中のＮａイオン濃度
を低下させることを特徴としている。
ために、本発明のフォトレジスト剥離剤からＮａイオン
を除去する方法は、アルキルアミン及び極性有機溶剤の
少なくともいずれかからなるか、又は該液を主成分とす
るフォトレジスト剥離剤を、スルホン酸系又はカルボン
酸系陽イオン交換樹脂より分配係数が大きく、かつ、ア
ミンとＮａとの分離係数が大きな陽イオン交換体である
Ｓｂ2 Ｏ5 ・ｎＨ2 Ｏ（ｎ＝１〜４）にて処理し、フォ
トレジスト剥離剤中のＮａイオン濃度を低下させること
を特徴としている。また、本発明の方法は、アルキルア
ミン及び極性有機溶剤の少なくともいずれかからなる
か、又は該液を主成分とするフォトレジスト剥離剤中
に、スルホン酸系又はカルボン酸系陽イオン交換樹脂よ
り分配係数が大きく、かつ、アミンとＮａとの分離係数
が大きな陽イオン交換体であるＳｂ2 Ｏ5 ・ｎＨ2 Ｏ
（ｎ＝１〜４）を添加して処理し、フォトレジスト剥離
剤中のＮａイオン濃度を低下させることを特徴としてい
る。また、本発明の方法は、アルキルアミン及び極性有
機溶剤の少なくともいずれかからなるか、又は該液を主
成分とするフォトレジスト剥離剤を、スルホン酸系又は
カルボン酸系陽イオン交換樹脂より分配係数が大きく、
かつ、アミンとＮａとの分離係数が大きな陽イオン交換
体であるＳｂ2 Ｏ5 ・ｎＨ2 Ｏ（ｎ＝１〜４）に接触さ
せて処理し、フォトレジスト剥離剤中のＮａイオン濃度
を低下させることを特徴としている。
【０００９】上記のように、本発明の方法は、アルキル
アミンもしくは極性有機溶剤、又はこれらの混合物から
なるフォトレジスト剥離剤、又はアルキルアミンもしく
は極性有機溶剤、又はこれらの混合物を主成分とするフ
ォトレジスト剥離剤に化合物（Ｉ）を添加し撹拌混合し
て処理するか、又は上記のフォトレジスト剥離剤を化合
物（Ｉ）に接触させて処理するものである。この場合、
粒状の化合物（Ｉ）をイオン交換筒に充填し、このもの
にフォトレジスト剥離剤を通液してフォトレジスト剥離
剤中のＮａイオン濃度を低下させるように構成すること
が好ましい。
アミンもしくは極性有機溶剤、又はこれらの混合物から
なるフォトレジスト剥離剤、又はアルキルアミンもしく
は極性有機溶剤、又はこれらの混合物を主成分とするフ
ォトレジスト剥離剤に化合物（Ｉ）を添加し撹拌混合し
て処理するか、又は上記のフォトレジスト剥離剤を化合
物（Ｉ）に接触させて処理するものである。この場合、
粒状の化合物（Ｉ）をイオン交換筒に充填し、このもの
にフォトレジスト剥離剤を通液してフォトレジスト剥離
剤中のＮａイオン濃度を低下させるように構成すること
が好ましい。
【００１０】本発明のフォトレジスト剥離剤処理方法に
おいて、アルキルアミンの具体例としては、モノメチル
アミン、モノエチルアミン、プロピルアミン、ブチルア
ミン、２−エチルヘキシルアミン、２−エチルヘキシル
オキシプロピルアミン、２−エトキシプロピルアミン、
ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、
ジブチルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミ
ン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、テトラメ
チルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラメチルア
ンモニウムクロライド、テトラメチルアンモニウムブロ
マイド、テトラメチルアンモニウムヨーダイド、テトラ
エチルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラエチル
アンモニウムクロライド、テトラエチルアンモニウムブ
ロマイド、テトラエチルアンモニウムヨーダイド、テト
ラプロピルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラプ
ロピルアンモニウムクロライド、テトラプロピルアンモ
ニウムブロマイド、テトラプロピルアンモニウムヨーダ
イド、テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイド、
テトラブチルアンモニウムクロライド、テトラブチルア
ンモニウムブロマイド、テトラブチルアンモニウムヨー
ダイド、テトラペンチルアンモニウムハイドロオキサイ
ド、テトラペンチルアンモニウムクロライド、テトラペ
ンチルアンモニウムブロマイド、テトラペンチルアンモ
ニウムヨーダイド、コリン、３−ジエチルアミノプロピ
ルアミン、ジ−２−エチルヘキシルアミン、ジブチルア
ミノプロピルアミン、テトラメチルエチレンジアミン、
トリ−ｎーオクチルアミン、ｔ−ブチルアミン、ｓｅｃ
−ブチルアミン、メチルアミノプロピルアミン、ジメチ
ルアミノプロピルアミン、メチルイミノビスプロピルア
ミン、３−メトキシプロピルアミン、アリルアミン、ジ
アリルアミン、トリアリルアミン、イソプロピルアミ
ン、ジイソプロピルアミン、イミノプロピルアミン、イ
ミノビスプロピルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノール
アミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、アミノエ
チルエタノールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ，Ｎ−ジエタノ
ールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノールアミン、Ｎ−
メチルエタノールアミン、３−アミノ−１−プロパノー
ル、２−アミノエタノール、ジエタノールアミン、トリ
エタノールアミン等を挙げることができる。
おいて、アルキルアミンの具体例としては、モノメチル
アミン、モノエチルアミン、プロピルアミン、ブチルア
ミン、２−エチルヘキシルアミン、２−エチルヘキシル
オキシプロピルアミン、２−エトキシプロピルアミン、
ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、
ジブチルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミ
ン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、テトラメ
チルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラメチルア
ンモニウムクロライド、テトラメチルアンモニウムブロ
マイド、テトラメチルアンモニウムヨーダイド、テトラ
エチルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラエチル
アンモニウムクロライド、テトラエチルアンモニウムブ
ロマイド、テトラエチルアンモニウムヨーダイド、テト
ラプロピルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラプ
ロピルアンモニウムクロライド、テトラプロピルアンモ
ニウムブロマイド、テトラプロピルアンモニウムヨーダ
イド、テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイド、
テトラブチルアンモニウムクロライド、テトラブチルア
ンモニウムブロマイド、テトラブチルアンモニウムヨー
ダイド、テトラペンチルアンモニウムハイドロオキサイ
ド、テトラペンチルアンモニウムクロライド、テトラペ
ンチルアンモニウムブロマイド、テトラペンチルアンモ
ニウムヨーダイド、コリン、３−ジエチルアミノプロピ
ルアミン、ジ−２−エチルヘキシルアミン、ジブチルア
ミノプロピルアミン、テトラメチルエチレンジアミン、
トリ−ｎーオクチルアミン、ｔ−ブチルアミン、ｓｅｃ
−ブチルアミン、メチルアミノプロピルアミン、ジメチ
ルアミノプロピルアミン、メチルイミノビスプロピルア
ミン、３−メトキシプロピルアミン、アリルアミン、ジ
アリルアミン、トリアリルアミン、イソプロピルアミ
ン、ジイソプロピルアミン、イミノプロピルアミン、イ
ミノビスプロピルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノール
アミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、アミノエ
チルエタノールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ，Ｎ−ジエタノ
ールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノールアミン、Ｎ−
メチルエタノールアミン、３−アミノ−１−プロパノー
ル、２−アミノエタノール、ジエタノールアミン、トリ
エタノールアミン等を挙げることができる。
【００１１】本発明のフォトレジスト剥離剤処理方法に
おいて、極性有機溶剤の具体例としては、メチルセロソ
ルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルセ
ロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、メ
トキシメチルプロピオネート、エトキシエチルプロピオ
ネート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテー
ト、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸イソプ
ロピル、ピルビン酸エチル、２−ヘプタノール、３−メ
チル１−ブタノール、２−メチル１−ブタノール、２−
メチル２−ブタノール、メチルジグライム、メチルイソ
ブチルケトン、メチルアミルケトン、シクロヘキサノ
ン、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチ
レングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコ
ールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノ
ブチルエーテル、ピリジン、ジメチルスルホキシド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセ
トアミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−メチル−２−ピ
ロリドン、γ−ブチロラクトン、スルホラン等を挙げる
ことができる。
おいて、極性有機溶剤の具体例としては、メチルセロソ
ルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルセ
ロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、メ
トキシメチルプロピオネート、エトキシエチルプロピオ
ネート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテー
ト、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸イソプ
ロピル、ピルビン酸エチル、２−ヘプタノール、３−メ
チル１−ブタノール、２−メチル１−ブタノール、２−
メチル２−ブタノール、メチルジグライム、メチルイソ
ブチルケトン、メチルアミルケトン、シクロヘキサノ
ン、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチ
レングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコ
ールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノ
ブチルエーテル、ピリジン、ジメチルスルホキシド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセ
トアミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−メチル−２−ピ
ロリドン、γ−ブチロラクトン、スルホラン等を挙げる
ことができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明を実施例及び比較例に基づいて
さらに詳細に説明するが、本発明は下記実施例に何ら限
定されるものではなく、適宜変更して実施することが可
能なものである。 実施例１ 蓋付きの容量２５０mlのポリプロピレン瓶に、２−アミ
ノエタノール：ジエチレングリコールモノブチルエーテ
ル＝３０：７０wt／wtの組成を有する剥離剤組成物を２
００g 入れ、さらに、Ｓｂ2 Ｏ5 ・ｎＨ2 Ｏ（ｎ＝１〜
４）（Ｓｂ2 Ｏ5 ・Ｈ2 Ｏ、Ｓｂ2 Ｏ5 ・２Ｈ2 Ｏ、Ｓ
ｂ2 Ｏ5 ・３Ｈ2 Ｏ及びＳｂ2 Ｏ5 ・４Ｈ2 Ｏの混合
物）を１０g 添加した。そのものを１５秒撹拌した後、
２４時間放置した。上澄みを０．５μm のフィルターで
濾過し、原子吸光光度法により、処理液中のＮａイオン
濃度を測定した。Ｓｂ2 Ｏ5 ・ｎＨ2 Ｏ（ｎ＝１〜４）
にて処理する前の剥離剤組成物中のＮａイオン濃度も同
様に原子吸光光度法により測定し、処理液中のＮａイオ
ン濃度と比較した。結果を表１に示す。
さらに詳細に説明するが、本発明は下記実施例に何ら限
定されるものではなく、適宜変更して実施することが可
能なものである。 実施例１ 蓋付きの容量２５０mlのポリプロピレン瓶に、２−アミ
ノエタノール：ジエチレングリコールモノブチルエーテ
ル＝３０：７０wt／wtの組成を有する剥離剤組成物を２
００g 入れ、さらに、Ｓｂ2 Ｏ5 ・ｎＨ2 Ｏ（ｎ＝１〜
４）（Ｓｂ2 Ｏ5 ・Ｈ2 Ｏ、Ｓｂ2 Ｏ5 ・２Ｈ2 Ｏ、Ｓ
ｂ2 Ｏ5 ・３Ｈ2 Ｏ及びＳｂ2 Ｏ5 ・４Ｈ2 Ｏの混合
物）を１０g 添加した。そのものを１５秒撹拌した後、
２４時間放置した。上澄みを０．５μm のフィルターで
濾過し、原子吸光光度法により、処理液中のＮａイオン
濃度を測定した。Ｓｂ2 Ｏ5 ・ｎＨ2 Ｏ（ｎ＝１〜４）
にて処理する前の剥離剤組成物中のＮａイオン濃度も同
様に原子吸光光度法により測定し、処理液中のＮａイオ
ン濃度と比較した。結果を表１に示す。
【００１３】実施例２ ２−アミノエタノール：ジメチルスルホキシド＝３０：
７０wt／wtの組成を有する剥離剤組成物を使用して実施
例１と同様の評価を行なった。結果を表１に示す。
７０wt／wtの組成を有する剥離剤組成物を使用して実施
例１と同様の評価を行なった。結果を表１に示す。
【００１４】実施例３ Ｎ−メチル−２−ピロリドンからなる剥離剤を使用して
実施例１と同様の評価を行なった。結果を表１に示す。
実施例１と同様の評価を行なった。結果を表１に示す。
【００１５】実施例４ ジメチルスルホキシドからなる剥離剤を使用して実施例
１と同様の評価を行なった。結果を表１に示す。
１と同様の評価を行なった。結果を表１に示す。
【００１６】実施例５ ２−アミノエタノール：ジエチレングリコールモノブチ
ルエーテル：水＝１５：３５：５０wt／wtの組成を有す
る剥離剤組成物を使用して実施例１と同様の評価を行な
った。結果を表１に示す。
ルエーテル：水＝１５：３５：５０wt／wtの組成を有す
る剥離剤組成物を使用して実施例１と同様の評価を行な
った。結果を表１に示す。
【００１７】実施例６ ２−アミノエタノール：ジメチルスルホキシド：水＝１
５：３５：５０wt／wtの組成を有する剥離剤組成物を使
用して実施例１と同様の評価を行なった。結果を表１に
示す。
５：３５：５０wt／wtの組成を有する剥離剤組成物を使
用して実施例１と同様の評価を行なった。結果を表１に
示す。
【００１８】実施例７ ２−アミノエタノールのみからなる剥離剤を使用して実
施例１と同様の評価を行なった。結果を表１に示す。
施例１と同様の評価を行なった。結果を表１に示す。
【００１９】比較例１ 実施例１における剥離剤組成物２００g にスルホン酸系
陽イオン交換樹脂であるオルガノ株式会社製アンバーリ
スト１５Ｅを１０g 添加し、実施例１と同様の評価を行
なった。結果を表１に示す。
陽イオン交換樹脂であるオルガノ株式会社製アンバーリ
スト１５Ｅを１０g 添加し、実施例１と同様の評価を行
なった。結果を表１に示す。
【００２０】比較例２ 実施例２における剥離剤組成物２００g にスルホン酸系
陽イオン交換樹脂であるオルガノ株式会社製アンバーリ
スト１５Ｅを１０g 添加し、実施例２と同様の評価を行
なった。結果を表１に示す。
陽イオン交換樹脂であるオルガノ株式会社製アンバーリ
スト１５Ｅを１０g 添加し、実施例２と同様の評価を行
なった。結果を表１に示す。
【００２１】比較例３ 実施例３における剥離剤２００g にスルホン酸系陽イオ
ン交換樹脂であるオルガノ株式会社製アンバーリスト１
５Ｅを１０g 添加し、実施例３と同様の評価を行なっ
た。結果を表１に示す。
ン交換樹脂であるオルガノ株式会社製アンバーリスト１
５Ｅを１０g 添加し、実施例３と同様の評価を行なっ
た。結果を表１に示す。
【００２２】比較例４ 実施例４における剥離剤２００g にスルホン酸系陽イオ
ン交換樹脂であるオルガノ株式会社製アンバーリスト１
５Ｅを１０g 添加し、実施例４と同様の評価を行なっ
た。結果を表１に示す。
ン交換樹脂であるオルガノ株式会社製アンバーリスト１
５Ｅを１０g 添加し、実施例４と同様の評価を行なっ
た。結果を表１に示す。
【００２３】比較例５ 実施例５における剥離剤組成物２００g にスルホン酸系
陽イオン交換樹脂であるオルガノ株式会社製アンバーリ
スト１５Ｅを１０g 添加し、実施例５と同様の評価を行
なった。結果を表１に示す。
陽イオン交換樹脂であるオルガノ株式会社製アンバーリ
スト１５Ｅを１０g 添加し、実施例５と同様の評価を行
なった。結果を表１に示す。
【００２４】比較例６ 実施例６における剥離剤組成物２００g にスルホン酸系
陽イオン交換樹脂であるオルガノ株式会社製アンバーリ
スト１５Ｅを１０g 添加し、実施例６と同様の評価を行
なった。結果を表１に示す。
陽イオン交換樹脂であるオルガノ株式会社製アンバーリ
スト１５Ｅを１０g 添加し、実施例６と同様の評価を行
なった。結果を表１に示す。
【００２５】比較例７ 実施例７における剥離剤２００g にスルホン酸系陽イオ
ン交換樹脂であるオルガノ株式会社製アンバーリスト１
５Ｅを１０g 添加し、実施例７と同様の評価を行なっ
た。結果を表１に示す。
ン交換樹脂であるオルガノ株式会社製アンバーリスト１
５Ｅを１０g 添加し、実施例７と同様の評価を行なっ
た。結果を表１に示す。
【００２６】
【表１】
【００２７】表１の数値は、実施例１、２、３、４、
５、６、７、比較例１、２、３、４、５、６、７におけ
るＳｂ2 Ｏ5 ・ｎＨ2 Ｏ（ｎ＝１〜４）、オルガノ株式
会社製アンバーリスト１５Ｅ処理前後の剥離剤組成物中
のＮａイオン濃度を示している。Ｎａイオン濃度の単位
はμg ／l である。表１から明らかなように、実施例
１、２、３、４、５、６、７において、Ｓｂ2 Ｏ5 ・ｎ
Ｈ2 Ｏ（ｎ＝１〜４）のＮａイオン除去効果が認められ
た。
５、６、７、比較例１、２、３、４、５、６、７におけ
るＳｂ2 Ｏ5 ・ｎＨ2 Ｏ（ｎ＝１〜４）、オルガノ株式
会社製アンバーリスト１５Ｅ処理前後の剥離剤組成物中
のＮａイオン濃度を示している。Ｎａイオン濃度の単位
はμg ／l である。表１から明らかなように、実施例
１、２、３、４、５、６、７において、Ｓｂ2 Ｏ5 ・ｎ
Ｈ2 Ｏ（ｎ＝１〜４）のＮａイオン除去効果が認められ
た。
【００２８】
【発明の効果】本発明は上記のように構成されているの
で、次ぎのような効果を奏する。 （１） フォトレジスト剥離剤のＮａイオン濃度を極め
て効率良く低下させることができる。 （２） アルキルアミン含有のフォトレジスト剥離剤の
Ｎａイオン濃度を極めて効率良く低下させることができ
る。 （３） フォトレジスト剥離剤をイオン交換体である五
酸化アンチモンの水和物により処理するだけなので、フ
ォトレジスト剥離剤の組成は変化せず、フォトレジスト
剥離剤の本来の性能を維持することができる。
で、次ぎのような効果を奏する。 （１） フォトレジスト剥離剤のＮａイオン濃度を極め
て効率良く低下させることができる。 （２） アルキルアミン含有のフォトレジスト剥離剤の
Ｎａイオン濃度を極めて効率良く低下させることができ
る。 （３） フォトレジスト剥離剤をイオン交換体である五
酸化アンチモンの水和物により処理するだけなので、フ
ォトレジスト剥離剤の組成は変化せず、フォトレジスト
剥離剤の本来の性能を維持することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｃ２３Ｆ 1/00 １０４ Ｃ２３Ｆ 1/00 １０４ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/308 Ｅ 21/308 21/30 ５７２Ｂ (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 7/00 - 7/42 H01L 21/027
Claims (3)
- 【請求項１】 アルキルアミン及び極性有機溶剤の少な
くともいずれかからなるか、又は該液を主成分とするフ
ォトレジスト剥離剤を、スルホン酸系又はカルボン酸系
陽イオン交換樹脂より分配係数が大きく、かつ、アミン
とＮａとの分離係数が大きな陽イオン交換体であるＳｂ
2 Ｏ5 ・ｎＨ2 Ｏ（ｎ＝１〜４）にて処理し、フォトレ
ジスト剥離剤中のＮａイオン濃度を低下させることを特
徴とするフォトレジスト剥離剤からＮａイオンを除去す
る方法。 - 【請求項２】 アルキルアミン及び極性有機溶剤の少な
くともいずれかからなるか、又は該液を主成分とするフ
ォトレジスト剥離剤中に、スルホン酸系又はカルボン酸
系陽イオン交換樹脂より分配係数が大きく、かつ、アミ
ンとＮａとの分離係数が大きな陽イオン交換体であるＳ
ｂ2 Ｏ5 ・ｎＨ2 Ｏ（ｎ＝１〜４）を添加して処理し、
フォトレジスト剥離剤中のＮａイオン濃度を低下させる
ことを特徴とするフォトレジスト剥離剤からＮａイオン
を除去する方法。 - 【請求項３】 アルキルアミン及び極性有機溶剤の少な
くともいずれかからなるか、又は該液を主成分とするフ
ォトレジスト剥離剤を、スルホン酸系又はカルボン酸系
陽イオン交換樹脂より分配係数が大きく、かつ、アミン
とＮａとの分離係数が大きな陽イオン交換体であるＳｂ
2 Ｏ5 ・ｎＨ2 Ｏ（ｎ＝１〜４）に接触させて処理し、
フォトレジスト剥離剤中のＮａイオン濃度を低下させる
ことを特徴とするフォトレジスト剥離剤からＮａイオン
を除去する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8178541A JP3029571B2 (ja) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | フォトレジスト剥離剤からＮａイオンを除去する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8178541A JP3029571B2 (ja) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | フォトレジスト剥離剤からＮａイオンを除去する方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1010755A JPH1010755A (ja) | 1998-01-16 |
| JP3029571B2 true JP3029571B2 (ja) | 2000-04-04 |
Family
ID=16050290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8178541A Expired - Fee Related JP3029571B2 (ja) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | フォトレジスト剥離剤からＮａイオンを除去する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3029571B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19944397A1 (de) * | 1999-09-16 | 2001-03-22 | Philips Corp Intellectual Pty | Anordnung zur Auskopplung eines Auskoppelstroms aus einem Laststrom und zur Gewinnung einer Regelgrösse zur Steuerung des Laststroms |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6472155A (en) * | 1987-09-12 | 1989-03-17 | Tama Kagaku Kogyo Kk | Developing solution for positive type photoresist |
| JPH05319830A (ja) * | 1992-05-13 | 1993-12-03 | Nippon Seiko Kk | 原料の粒子形状を維持したまま陽イオン交換能を有する五酸化アンチモン粒子を製造する方法 |
| US5286606A (en) * | 1992-12-29 | 1994-02-15 | Hoechst Celanese Corporation | Process for producing a developer having a low metal ion level |
-
1996
- 1996-06-18 JP JP8178541A patent/JP3029571B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1010755A (ja) | 1998-01-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69927809T2 (de) | Reinigungszusammensetzungen sowie verfahren zum entfernen von rückständen | |
| DE60108286T2 (de) | Entfernungsmittel für Polymer | |
| DE60212366T2 (de) | Reinigerzusammensetzung | |
| DE69031748T2 (de) | Plasmabehandlung mit Metallmasken-Integration | |
| EP1470207B1 (en) | Aqueous stripping and cleaning composition | |
| JP5456973B2 (ja) | ウェーハレベルパッケージングにおけるフォトレジストストリッピングと残渣除去のための組成物及び方法 | |
| DE69310736T2 (de) | Metallionenreduzierung in antireflexdeckschichten für photoresists | |
| JP3381922B2 (ja) | 金属イオン含有量が低い現像剤の製造法 | |
| TWI401544B (zh) | Photoresist | |
| JPH05234878A (ja) | レジスト成分からの不純物の除去方法 | |
| JPH05504204A (ja) | フォトレジスト・ストリッパ | |
| EP1883863B1 (en) | Compositions for the removal of post-etch and ashed photoresist residues and bulk photoresist | |
| US6197733B1 (en) | Photoresist ashing residue cleaning agent | |
| JP3929518B2 (ja) | レジスト用剥離液組成物 | |
| DE10331033B4 (de) | Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung und Reinigungszusammensetzung dafür | |
| JP4667147B2 (ja) | 基板洗浄液 | |
| JP3029571B2 (ja) | フォトレジスト剥離剤からＮａイオンを除去する方法 | |
| JPH08334905A (ja) | レジスト用剥離液組成物 | |
| EP1639412B1 (en) | Developer composition for resists and method for formation of resist pattern | |
| JP2002072505A (ja) | フォトレジスト剥離剤組成物およびその使用方法 | |
| WO1994025904A1 (en) | Positive electron-beam resist composition and developer for positive electron-beam resist | |
| JPH08123043A (ja) | フォトレジスト用剥離液 | |
| JP3476367B2 (ja) | レジスト用剥離液組成物およびこれを用いたレジスト剥離方法 | |
| JP4850237B2 (ja) | 感光性有機膜用現像液組成物 | |
| JP4144825B2 (ja) | 使用済レジスト用剥離液の再生方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |