JP3016593B2 - 直流印加回路 - Google Patents
直流印加回路Info
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- H04M—TELEPHONIC COMMUNICATION
- H04M19/00—Current supply arrangements for telephone systems
- H04M19/001—Current supply source at the exchanger providing current to substations
- H04M19/003—Arrangements for compensation of the DC flux in line transformers
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- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
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- H04M19/08—Current supply arrangements for telephone systems with current supply sources at the substations
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- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、各種伝送回路において使用されるトランス
やチョークコイルに直流を印加するための直流印加回路
に関する。
やチョークコイルに直流を印加するための直流印加回路
に関する。
背景技術 直流成分と交流成分を含む信号から交流成分を取り出
すため、従来から、例えば図６に示されるようなトラン
スが用いられている。この図においては、トランスT1の
入力側に直流カット用コンデンサC1を介してチョークコ
イルL1が並列接続されている。従って、この回路に直流
交流重畳信号が入力されると、交流成分のみがトランス
T1に印加される。しかし、この構成は、チョークコイル
L1が大型となりその結果回路全体が大きくなるという問
題点や、チョークコイルL1を用いるため部品コストが高
いという問題点を有している。
すため、従来から、例えば図６に示されるようなトラン
スが用いられている。この図においては、トランスT1の
入力側に直流カット用コンデンサC1を介してチョークコ
イルL1が並列接続されている。従って、この回路に直流
交流重畳信号が入力されると、交流成分のみがトランス
T1に印加される。しかし、この構成は、チョークコイル
L1が大型となりその結果回路全体が大きくなるという問
題点や、チョークコイルL1を用いるため部品コストが高
いという問題点を有している。
このような問題点を解決するためには、例えば図７に
示されるように、トランスとして直流重畳型トランスT2
を用いるようにすればよい。この直流重畳型トランスT2
は、その磁路に大きなギャップを設け直流磁化の影響を
なくすことにより、直流成分の印加を可能にしている。
示されるように、トランスとして直流重畳型トランスT2
を用いるようにすればよい。この直流重畳型トランスT2
は、その磁路に大きなギャップを設け直流磁化の影響を
なくすことにより、直流成分の印加を可能にしている。
しかしながら、図７に示されるような構成において
は、直流磁化の影響をなくすべくギャップを設けている
ため、その外形が大きくなる。例えば、トランスT2の一
次及び二次側巻数はそれぞれ1600ターン、またそのコア
サイズは35mm（いわゆるEI−35）となる。また、このよ
うに大型のトランスT2を用いたとしても、図８に示され
るように、100Hzにおいて3dB程度の減衰量に甘んじなけ
ればならない。
は、直流磁化の影響をなくすべくギャップを設けている
ため、その外形が大きくなる。例えば、トランスT2の一
次及び二次側巻数はそれぞれ1600ターン、またそのコア
サイズは35mm（いわゆるEI−35）となる。また、このよ
うに大型のトランスT2を用いたとしても、図８に示され
るように、100Hzにおいて3dB程度の減衰量に甘んじなけ
ればならない。
発明の開示 本発明は、このような問題点を解決することを課題と
してなされたものであり、回路構成の大型化を招くこと
なくトランスやチョークコイル等の巻線への直流印加を
可能にし、さらにその特性を改善することを目的とす
る。
してなされたものであり、回路構成の大型化を招くこと
なくトランスやチョークコイル等の巻線への直流印加を
可能にし、さらにその特性を改善することを目的とす
る。
このような目的を達成するために、本発明に係る巻線
への直流印加回路は、直流成分と交流成分が重畳した直
流交流重畳信号が入力される巻線と、流れる直流成分に
起因して巻線の磁性部材に発生する直流磁化を減殺する
直流磁化減殺回路と、を備えることを特徴とする。
への直流印加回路は、直流成分と交流成分が重畳した直
流交流重畳信号が入力される巻線と、流れる直流成分に
起因して巻線の磁性部材に発生する直流磁化を減殺する
直流磁化減殺回路と、を備えることを特徴とする。
本発明においては、巻線に供給される直流交流重畳信
号のうち直流成分により発生する直流磁化が、直流磁化
減殺回路によって減殺される。従って、直流磁化の影響
を考慮したギャップの配設等が不要になり、外径寸法の
大型化や特性の劣化を生じさせない。加えて、その特性
を評価する際、直流交流重畳信号を入力しても、交流成
分のみを入力しても、その特性は大きく変わらないた
め、評価、試験が容易となる。さらには、本発明は、一
般の伝送回路に広範に使用することができる。
号のうち直流成分により発生する直流磁化が、直流磁化
減殺回路によって減殺される。従って、直流磁化の影響
を考慮したギャップの配設等が不要になり、外径寸法の
大型化や特性の劣化を生じさせない。加えて、その特性
を評価する際、直流交流重畳信号を入力しても、交流成
分のみを入力しても、その特性は大きく変わらないた
め、評価、試験が容易となる。さらには、本発明は、一
般の伝送回路に広範に使用することができる。
また、本発明における直流磁化減殺回路の第１の構成
は、直流交流重畳信号を入力すべく巻線に設けられた中
間タップを境として逆方向に直流成分が流れるよう、巻
線における直流成分の電流方向を規制することを特徴と
する。直流磁化減殺回路として第１の構成を採用した場
合、直流成分が巻線の中間タップから二方向に分かれて
流れるため、直流成分による磁化の影響は互いに打ち消
し合う。これにより、磁性部材の直流磁化を好適に防止
できる。
は、直流交流重畳信号を入力すべく巻線に設けられた中
間タップを境として逆方向に直流成分が流れるよう、巻
線における直流成分の電流方向を規制することを特徴と
する。直流磁化減殺回路として第１の構成を採用した場
合、直流成分が巻線の中間タップから二方向に分かれて
流れるため、直流成分による磁化の影響は互いに打ち消
し合う。これにより、磁性部材の直流磁化を好適に防止
できる。
また、この構成は、そのダイオード側が巻線の一端
に、そのトランジスタ側が他端に、それぞれ接続された
カレントミラー回路と、カレントミラー回路に直流成分
のみが入力されるよう、巻線への入力のうち交流成分を
カレントミラー回路外部にバイパスするバイパス回路
と、により実現できる。このようにして実現すると、巻
線に供給される直流交流重畳信号のうち直流成分がカレ
ントミラー回路によって引き込まれる。また、交流成分
は、巻線の一部を経てバイパス回路によってこのカレン
トミラー回路外部にバイパスされる。従って、巻線のう
ち交流成分が流れる部分によりトランス、チョークコイ
ル等、巻線の本来の機能が担われることとなる一方で、
直流成分は巻線の中間タップから二方向に分かれて（カ
レントミラー回路のダイオード側とトランジスタ側に分
かれて）流れるため直流成分による磁化の影響は互いに
打ち消し合う。
に、そのトランジスタ側が他端に、それぞれ接続された
カレントミラー回路と、カレントミラー回路に直流成分
のみが入力されるよう、巻線への入力のうち交流成分を
カレントミラー回路外部にバイパスするバイパス回路
と、により実現できる。このようにして実現すると、巻
線に供給される直流交流重畳信号のうち直流成分がカレ
ントミラー回路によって引き込まれる。また、交流成分
は、巻線の一部を経てバイパス回路によってこのカレン
トミラー回路外部にバイパスされる。従って、巻線のう
ち交流成分が流れる部分によりトランス、チョークコイ
ル等、巻線の本来の機能が担われることとなる一方で、
直流成分は巻線の中間タップから二方向に分かれて（カ
レントミラー回路のダイオード側とトランジスタ側に分
かれて）流れるため直流成分による磁化の影響は互いに
打ち消し合う。
本発明における直流磁化減殺回路の第２の構成は、巻
線に入力されるべき直流成分のうち大部分を巻線からバ
イパスすることにより巻線に流れる直流成分を無視し得
る程度に減殺することを特徴とする。このような構成と
した場合、巻線に入力されるべき直流成分のうち大部分
が、直流磁化減殺回路によって巻線の外部にバイパスさ
れる。これにより、巻線に流れる直流成分が無視し得る
程度に減殺されるから、直流磁化はほとんど生じない。
従って、巻線に中間タップを設けることなく、第１の構
成と同様の直流磁化減殺機能を実現できる。
線に入力されるべき直流成分のうち大部分を巻線からバ
イパスすることにより巻線に流れる直流成分を無視し得
る程度に減殺することを特徴とする。このような構成と
した場合、巻線に入力されるべき直流成分のうち大部分
が、直流磁化減殺回路によって巻線の外部にバイパスさ
れる。これにより、巻線に流れる直流成分が無視し得る
程度に減殺されるから、直流磁化はほとんど生じない。
従って、巻線に中間タップを設けることなく、第１の構
成と同様の直流磁化減殺機能を実現できる。
この構成は、ダイオード側が巻線の一端に、トランジ
スタ側が他端に、それぞれ接続されたカレントミラー回
路と、カレントミラー回路のダイオード側に流れる直流
電流がトランジスタ側に流れる直流電流に比べ十分小さ
い値となるよう、入力される電流を分流してカレントミ
ラー回路のダイオード側及びトランジスタ側に供給する
分流回路と、カレントミラー回路のダイオード側を交流
的にバイパスするバイパス回路と、により実現できる。
スタ側が他端に、それぞれ接続されたカレントミラー回
路と、カレントミラー回路のダイオード側に流れる直流
電流がトランジスタ側に流れる直流電流に比べ十分小さ
い値となるよう、入力される電流を分流してカレントミ
ラー回路のダイオード側及びトランジスタ側に供給する
分流回路と、カレントミラー回路のダイオード側を交流
的にバイパスするバイパス回路と、により実現できる。
巻線に入力される直流交流重畳信号のうち直流成分
は、分流回路により、カレントミラー回路のダイオード
側とトランジスタ側とに分流される。分流回路は、その
際、カレントミラー回路のダイオード側に流れる直流電
流がトランジスタ側に流れる直流電流に比べ十分小さい
値となるよう、制御乃至規制する。従って、カレントミ
ラー回路のダイオード側、ひいてはこれに接続された巻
線に流れる直流成分が微小になる。バイパス回路は、カ
レントミラー回路のダイオード側を交流的にバイパスす
る。これにより、入力側からみた特性が巻線の特性とな
る。さらに、分流回路は、抵抗により実現でき、その抵
抗の値の設定により上述の作用を好適に実現できる。す
なわち、分流回路は、カレントミラー回路のダイオード
側に接続された抵抗及びトランジスタ側に接続された抵
抗を有する構成とすればよく、またダイオード側に接続
された抵抗の値を、トランジスタ側に接続された抵抗の
値を無視し得る程度に、大きな値にすればよい。
は、分流回路により、カレントミラー回路のダイオード
側とトランジスタ側とに分流される。分流回路は、その
際、カレントミラー回路のダイオード側に流れる直流電
流がトランジスタ側に流れる直流電流に比べ十分小さい
値となるよう、制御乃至規制する。従って、カレントミ
ラー回路のダイオード側、ひいてはこれに接続された巻
線に流れる直流成分が微小になる。バイパス回路は、カ
レントミラー回路のダイオード側を交流的にバイパスす
る。これにより、入力側からみた特性が巻線の特性とな
る。さらに、分流回路は、抵抗により実現でき、その抵
抗の値の設定により上述の作用を好適に実現できる。す
なわち、分流回路は、カレントミラー回路のダイオード
側に接続された抵抗及びトランジスタ側に接続された抵
抗を有する構成とすればよく、またダイオード側に接続
された抵抗の値を、トランジスタ側に接続された抵抗の
値を無視し得る程度に、大きな値にすればよい。
本発明は、そして、巻線がトランスの一次巻線又はチ
ョークコイルであることを特徴とする。すなわち、本発
明は、巻線がトランスの一次巻線である場合にも、チョ
ークコイルである場合にも、適用できる。従って、本発
明の応用範囲は広い。
ョークコイルであることを特徴とする。すなわち、本発
明は、巻線がトランスの一次巻線である場合にも、チョ
ークコイルである場合にも、適用できる。従って、本発
明の応用範囲は広い。
図面の簡単な説明 図１は、本発明の第１実施例に係る回路の構成を示す
回路図である。
回路図である。
図２は、この実施例の特性を示す図である。
図３は、本発明の第２実施例に係る回路を構成の示す
回路図である。
回路図である。
図４は、本発明の第３実施例に係る回路の構成を示す
回路図である。
回路図である。
図５は、本発明の第４実施例に係る回路の構成を示す
回路図である。
回路図である。
図６は、第１従来例に係る回路の構成を示す回路図で
ある。
ある。
図７は、第２従来例に係る回路の構成を示す回路図で
ある。
ある。
図８は、この従来例の特性を示す図である。
図中、T3,T4はトランスを、Q1,Q2はトランジスタを、
R1〜R3は抵抗を、C2はコンデンサを、L2,L3はチョーク
コイルを、Ｚは負荷インピーダンスを、それぞれ表す。
図中、同一部材には同一符号を付す。
R1〜R3は抵抗を、C2はコンデンサを、L2,L3はチョーク
コイルを、Ｚは負荷インピーダンスを、それぞれ表す。
図中、同一部材には同一符号を付す。
発明を実施するための最良の形態 以下、本発明の好適な実施例について図面に基づき説
明する。
明する。
図１には、本発明の第１実施例に係る回路の構成が示
されている。この図に示される回路においては、一次巻
線が１回線増設されたトランスT3が用いられている。直
流交流重畳信号の入力は、このトランスT3の中間タップ
から行われている。
されている。この図に示される回路においては、一次巻
線が１回線増設されたトランスT3が用いられている。直
流交流重畳信号の入力は、このトランスT3の中間タップ
から行われている。
トランスT3の一次巻線の一端は、抵抗R1を介してトラ
ンジスタQ1のコレクタに、他端はトランジスタQ2のコレ
クタに、それぞれ接続されている。トランジスタQ1のベ
ースコレクタ間は短絡されており、従ってトランジスタ
Q1はダイオードとして機能する。トランジスタQ1及びQ2
のエミッタは、抵抗R2及びR3を介して入力端子に接続さ
れている。トランジスタ１及びQ2のベースは接続されて
おり、従ってこれらのトランジスタQ1及びQ2により、カ
レントミラー回路が構成されている。加えて、巻線の一
端とトランジスタQ1の間には抵抗R1が設けられており、
コンデンサC2は、抵抗R1、トランジスタQ1及び抵抗R2を
バイパスしている。
ンジスタQ1のコレクタに、他端はトランジスタQ2のコレ
クタに、それぞれ接続されている。トランジスタQ1のベ
ースコレクタ間は短絡されており、従ってトランジスタ
Q1はダイオードとして機能する。トランジスタQ1及びQ2
のエミッタは、抵抗R2及びR3を介して入力端子に接続さ
れている。トランジスタ１及びQ2のベースは接続されて
おり、従ってこれらのトランジスタQ1及びQ2により、カ
レントミラー回路が構成されている。加えて、巻線の一
端とトランジスタQ1の間には抵抗R1が設けられており、
コンデンサC2は、抵抗R1、トランジスタQ1及び抵抗R2を
バイパスしている。
このような構成を有する回路に直流交流重畳信号が入
力されると、その直流成分は、トランスT3の一次巻線を
介してカレントミラー回路に引き込まれる。すなわち、
中間タップから供給される直流電流は、一次巻線の一部
（図中上側）を介してカレントミラー回路のトランジス
タQ1に引き込まれ、これと同じ値の直流電流（ミラー比
が１の場合）が一次巻線の他の一部（図中下側）を介し
てトランジスタQ2に引き込まれる。その際、交流成分
は、抵抗R1が存在しているためバイパスコンデンサC2に
よりバイパスされることとなり、トランジスタQ1には流
れ込まない。その結果、トランスT3の一次巻線に直流成
分を供給することに伴うコア又はヨーク（図示せず）の
直流磁化は、一次巻線の中間タップの両側で直流成分の
流れる方向が異なるため打ち消されることとなる。従っ
て、直流磁化を考慮してコア又はヨークにギャップを配
設する必要がなくなり、ひいてはトランスT3の大型化が
防止される。なお、トランスT3の一次巻線のうち、図中
下側の部分（カレントミラー回路のトランジスタQ2側の
部分）には、交流成分が流れないためトランスの本来の
一次巻線としては機能せず、トランスの本来の一次巻線
として機能するのは図中上側の部分（カレントミラー回
路のトランジスタQ1の部分）である。
力されると、その直流成分は、トランスT3の一次巻線を
介してカレントミラー回路に引き込まれる。すなわち、
中間タップから供給される直流電流は、一次巻線の一部
（図中上側）を介してカレントミラー回路のトランジス
タQ1に引き込まれ、これと同じ値の直流電流（ミラー比
が１の場合）が一次巻線の他の一部（図中下側）を介し
てトランジスタQ2に引き込まれる。その際、交流成分
は、抵抗R1が存在しているためバイパスコンデンサC2に
よりバイパスされることとなり、トランジスタQ1には流
れ込まない。その結果、トランスT3の一次巻線に直流成
分を供給することに伴うコア又はヨーク（図示せず）の
直流磁化は、一次巻線の中間タップの両側で直流成分の
流れる方向が異なるため打ち消されることとなる。従っ
て、直流磁化を考慮してコア又はヨークにギャップを配
設する必要がなくなり、ひいてはトランスT3の大型化が
防止される。なお、トランスT3の一次巻線のうち、図中
下側の部分（カレントミラー回路のトランジスタQ2側の
部分）には、交流成分が流れないためトランスの本来の
一次巻線としては機能せず、トランスの本来の一次巻線
として機能するのは図中上側の部分（カレントミラー回
路のトランジスタQ1の部分）である。
ここで、本実施例の効果を明瞭にすべく、EI−35仕様
の前述の第２従来例との比較を考える。このような設計
の第２従来例と同じ用途にこの実施例を使用することを
考えた場合、トランスT3の巻数は一次側が合計800ター
ン、二次側が400ターンで足り、コアサイズは14mm（い
わゆるEI−14）で足りる。さらに、この回路は、汎用の
部品により構成できる。例えば、トランジスタQ1及びQ2
は2SC1815等のトランジスタでよく、また抵抗R1、R2及
びR3は150Ω、コンデンサC2は100μＦといった一般的な
仕様・値の素子で実現できる。
の前述の第２従来例との比較を考える。このような設計
の第２従来例と同じ用途にこの実施例を使用することを
考えた場合、トランスT3の巻数は一次側が合計800ター
ン、二次側が400ターンで足り、コアサイズは14mm（い
わゆるEI−14）で足りる。さらに、この回路は、汎用の
部品により構成できる。例えば、トランジスタQ1及びQ2
は2SC1815等のトランジスタでよく、また抵抗R1、R2及
びR3は150Ω、コンデンサC2は100μＦといった一般的な
仕様・値の素子で実現できる。
さらに、この実施例においては、前述の第２従来例に
比べ特性が著しく改善される。すなわち図２に示される
ように、例えば100Hzにおける減衰量は−1dB程度で止ま
り、さらに減衰特性は低周波から高周波に亘ってほとん
ど平坦な特性となる。また、この回路の特性は、直流交
流重畳信号を入力した場合と交流成分のみを入力した場
合とでほとんど異ならないため、その特性の評価や試験
も容易となる。
比べ特性が著しく改善される。すなわち図２に示される
ように、例えば100Hzにおける減衰量は−1dB程度で止ま
り、さらに減衰特性は低周波から高周波に亘ってほとん
ど平坦な特性となる。また、この回路の特性は、直流交
流重畳信号を入力した場合と交流成分のみを入力した場
合とでほとんど異ならないため、その特性の評価や試験
も容易となる。
図３には、本発明の第２実施例に係る回路の構成が示
されている。この図に示される回路においては、後述す
る理由により従来のトランスに比べ小型に構成されたト
ランスT4が用いられている。直流交流重畳信号は、この
トランスT4に入力されている。トランスT4は、例えば入
力インピーダンス600Ω、出力インピーダンス600Ωのト
ランスである。
されている。この図に示される回路においては、後述す
る理由により従来のトランスに比べ小型に構成されたト
ランスT4が用いられている。直流交流重畳信号は、この
トランスT4に入力されている。トランスT4は、例えば入
力インピーダンス600Ω、出力インピーダンス600Ωのト
ランスである。
この実施例が第１実施例と異なる点は、第１に、トラ
ンスとカレントミラー回路の接続である。すなわち、第
１実施例においてはトランスT3の図中上側の端子がカレ
ントミラー回路のダイオード側に、下側の端子がトラン
ジスタ側に、それぞれ接続されていたが、本実施例では
トランスT4の図中下側の端子がダイオード側に、上側の
端子がトランジスタ側に、それぞれ接続されている。本
実施例が第１実施例と異なる第２の点は、使用している
トランスT4には中間タップが設けられておらず、直流交
流重畳信号がトランスT4の図中上側の端子に入力されて
いる点である。
ンスとカレントミラー回路の接続である。すなわち、第
１実施例においてはトランスT3の図中上側の端子がカレ
ントミラー回路のダイオード側に、下側の端子がトラン
ジスタ側に、それぞれ接続されていたが、本実施例では
トランスT4の図中下側の端子がダイオード側に、上側の
端子がトランジスタ側に、それぞれ接続されている。本
実施例が第１実施例と異なる第２の点は、使用している
トランスT4には中間タップが設けられておらず、直流交
流重畳信号がトランスT4の図中上側の端子に入力されて
いる点である。
このような構成を有する回路に直流交流重畳信号が入
力されると、その直流成分I0は、トランジスタQ2のコレ
クタ直流電流I1とトランスT4の一次電流の直流成分I2に
分流される。電流I2はトランスT4の一次巻線を介してカ
レントミラー回路に引き込まれる。この電流I2によって
抵抗R2の両端に直流電圧R2I2が発生し、これと同じ電圧
が抵抗R3の両端に現れる。電流I1とI2の比は、従って抵
抗R1〜R3の値により定まる。
力されると、その直流成分I0は、トランジスタQ2のコレ
クタ直流電流I1とトランスT4の一次電流の直流成分I2に
分流される。電流I2はトランスT4の一次巻線を介してカ
レントミラー回路に引き込まれる。この電流I2によって
抵抗R2の両端に直流電圧R2I2が発生し、これと同じ電圧
が抵抗R3の両端に現れる。電流I1とI2の比は、従って抵
抗R1〜R3の値により定まる。
例えば、抵抗R1及びR2をそれぞれ10kΩ、抵抗R3を10
Ωとする。抵抗R3に100mAが流れているとすると、その
とき抵抗R3の両端に現れている電圧は100mA×10Ω＝1V
である。このとき、抵抗R2の両端には同じ1Vの電圧が加
わっているから、抵抗R2に流れている電流の値は1V/10k
Ω＝0.1mAである。言い換えれば、直流成分I0＝100mAの
直流交流重畳信号がこの実施例の回路に入力されている
とき、抵抗R2に流れる0.1mAの直流電流に比べ極めて大
きな直流電流（約100mA）がトランジスタQ1及び抵抗R3
側に流れることとなる。これは、入力した信号の直流成
分I0がほとんどすべてトランジスタQ1及び抵抗R3側に流
れ、トランスT4の一次巻線には流れないことを示してい
る。その結果、トランスT4の一次巻線に直流成分を供給
することにより生じるはずのコア又はヨークの直流磁化
は、流れる直流成分が極めて微小であるため無視できる
こととなる。この結果、直流磁化を考慮したギャップの
配設が不要となるため、トランスT4の大型化を防止でき
る。また、入力される直流交流重畳信号のうち交流成分
は、トランジスタQ1のコレクタエミッタ間インピーダン
スが無限大であるためトランスT4の一次巻線に流れる。
この交流成分は、コンデンサC2によりバイパスされる。
従って、この回路の入力端子間にはトランスT4の特性が
現れる。
Ωとする。抵抗R3に100mAが流れているとすると、その
とき抵抗R3の両端に現れている電圧は100mA×10Ω＝1V
である。このとき、抵抗R2の両端には同じ1Vの電圧が加
わっているから、抵抗R2に流れている電流の値は1V/10k
Ω＝0.1mAである。言い換えれば、直流成分I0＝100mAの
直流交流重畳信号がこの実施例の回路に入力されている
とき、抵抗R2に流れる0.1mAの直流電流に比べ極めて大
きな直流電流（約100mA）がトランジスタQ1及び抵抗R3
側に流れることとなる。これは、入力した信号の直流成
分I0がほとんどすべてトランジスタQ1及び抵抗R3側に流
れ、トランスT4の一次巻線には流れないことを示してい
る。その結果、トランスT4の一次巻線に直流成分を供給
することにより生じるはずのコア又はヨークの直流磁化
は、流れる直流成分が極めて微小であるため無視できる
こととなる。この結果、直流磁化を考慮したギャップの
配設が不要となるため、トランスT4の大型化を防止でき
る。また、入力される直流交流重畳信号のうち交流成分
は、トランジスタQ1のコレクタエミッタ間インピーダン
スが無限大であるためトランスT4の一次巻線に流れる。
この交流成分は、コンデンサC2によりバイパスされる。
従って、この回路の入力端子間にはトランスT4の特性が
現れる。
この実施例において、トランスT4の巻数を一次側400
ターン、二次側400ターンとすれば、コアサイズは14mm
（いわゆるEI−14）で足りる。さらに、この回路は、汎
用の部品により構成できる。例えば、トランジスタQ1及
びQ2は2SC1815等のトランジスタでよく、また抵抗R1、R
2、R3及びコンデンサC2は一般的な仕様・値の素子で実
現できる。
ターン、二次側400ターンとすれば、コアサイズは14mm
（いわゆるEI−14）で足りる。さらに、この回路は、汎
用の部品により構成できる。例えば、トランジスタQ1及
びQ2は2SC1815等のトランジスタでよく、また抵抗R1、R
2、R3及びコンデンサC2は一般的な仕様・値の素子で実
現できる。
さらに、この実施例においても、前述の第１実施例と
同様、前述の第２従来例に比べ特性が著しく改善され
る。すなわち図２に示されるものと同等の特性が得られ
る。また、第１実施例と同様、回路の特性は、直流交流
重畳信号を入力した場合と交流成分のみを入力した場合
とでほとんど異ならない。
同様、前述の第２従来例に比べ特性が著しく改善され
る。すなわち図２に示されるものと同等の特性が得られ
る。また、第１実施例と同様、回路の特性は、直流交流
重畳信号を入力した場合と交流成分のみを入力した場合
とでほとんど異ならない。
図４及び図５には、それぞれ、本発明の第３又は第４
実施例に係る直流印加回路の構成が示されている。これ
らの図に示される回路は、チョークコイルL2又はL3に直
流を印加するための回路である点が、第１及び第２実施
例と異なっている。これらの実施例においても、寸法の
小型化等の効果がやはり得られる。
実施例に係る直流印加回路の構成が示されている。これ
らの図に示される回路は、チョークコイルL2又はL3に直
流を印加するための回路である点が、第１及び第２実施
例と異なっている。これらの実施例においても、寸法の
小型化等の効果がやはり得られる。
なお、以上の説明では、カレントミラー回路のミラー
比を１としていた。これは、トランスの一次巻線又はチ
ョークコイルの巻線を、第１及び第３実施例において中
間タップを境に上下同じ巻数にしたことと関連してい
る。しかし、本発明を実施する場合、ミラー比が１でな
い設計としても構わない。例えば第１及び第３実施例の
場合中間タップの位置の設定に応じ、また例えば第２及
び第４実施例の場合トランスT4の一次巻線に流れる直流
電流が微小となるよう、適当なエミッタ面積のトランジ
スタQ1及びQ2を採用すればよい。ただし、直流磁化の影
響を低減する趣旨からすれば、また安価な構成とする趣
旨からすれば、第１及び第３実施例ではミラー比＝１
が、他の実施例ではミラー比をできるだけ大きくするこ
とが最も好ましい。さらに、抵抗R1の値は直流電流値に
応じて設定すればよい。また、ダイオード接続されてい
るトランジスタQ1は、ダイオードに置き換えてもよい。
比を１としていた。これは、トランスの一次巻線又はチ
ョークコイルの巻線を、第１及び第３実施例において中
間タップを境に上下同じ巻数にしたことと関連してい
る。しかし、本発明を実施する場合、ミラー比が１でな
い設計としても構わない。例えば第１及び第３実施例の
場合中間タップの位置の設定に応じ、また例えば第２及
び第４実施例の場合トランスT4の一次巻線に流れる直流
電流が微小となるよう、適当なエミッタ面積のトランジ
スタQ1及びQ2を採用すればよい。ただし、直流磁化の影
響を低減する趣旨からすれば、また安価な構成とする趣
旨からすれば、第１及び第３実施例ではミラー比＝１
が、他の実施例ではミラー比をできるだけ大きくするこ
とが最も好ましい。さらに、抵抗R1の値は直流電流値に
応じて設定すればよい。また、ダイオード接続されてい
るトランジスタQ1は、ダイオードに置き換えてもよい。
産業上の利用可能性 本発明は、ファクシミリ装置を初めとする各種伝送機
器に適用できる。すなわち、本発明は、直流信号と交流
信号が互いに重畳した信号を処理する回路において使用
するトランスやインダクタに、広く適用できる。
器に適用できる。すなわち、本発明は、直流信号と交流
信号が互いに重畳した信号を処理する回路において使用
するトランスやインダクタに、広く適用できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き 前置審査 (56)参考文献 特開 平１−93245（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−219152（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−92517（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−78833（ＪＰ，Ａ) 実開 平２−84484（ＪＰ，Ｕ) 実開 平２−145850（ＪＰ，Ｕ) 実開 平４−79407（ＪＰ，Ｕ)
Claims (5)
- 【請求項１】中間タップを有し、直流成分と交流成分が
重畳した直流交流重畳信号がこの中間タップから入力さ
れる巻線と、 中間タップを境として逆方向に直流成分が流れるよう、
巻線における直流成分の電流方向を規制することによ
り、流れる直流成分に起因して巻線の磁性部材に発生す
る直流磁化を減殺する直流磁化減殺回路と、 を備えることを特徴とする巻線への直流印加回路。 - 【請求項２】請求項１記載の直流印加回路において、 直流磁化減殺回路が、 そのダイオード側が巻線の一端に、そのトランジスタ側
が他端に、それぞれ接続されたカレントミラー回路と、 カレントミラー回路に直流成分のみが入力されるよう、
巻線への入力のうち交流成分をカレントミラー回路外部
にバイパスするバイパス回路と、 を有することを特徴とする巻線への直流印加回路。 - 【請求項３】直流成分と交流成分が重畳した直流交流重
畳信号が入力される巻線と、 巻線に入力されるべき直流成分のうち大部分を巻線から
バイパスし巻線に流れる直流成分を無視し得る程度に減
殺することによって、流れる直流成分に起因して巻線の
磁性部材に発生する直流磁化を減殺する直流磁化減殺回
路と、 を備え、 直流磁化減殺回路が、ダイオード側が巻線の一端に、ト
ランジスタ側が他端に、それぞれ接続されたカレントミ
ラー回路と、カレントミラー回路のダイオード側に流れ
る直流電流がトランジスタ側に流れる直流電流に比べ十
分小さい値となるよう、入力される電流を分流してカレ
ントミラー回路のダイオード側及びトランジスタ側に供
給する分流回路と、カレントミラー回路のダイオード側
を交流的にバイパスするバイパス回路と、 を備えることを特徴とする巻線への直流印加回路。 - 【請求項４】請求項３記載の直流印加回路において、 分流回路が、カレントミラー回路のダイオード側に接続
された抵抗及びトランジスタ側に接続された抵抗を有
し、ダイオード側に接続された抵抗の値がトランジスタ
側に接続された抵抗の値を無視し得る程度に大きな値で
あることを特徴とする巻線への直流印加回路。 - 【請求項５】請求項１乃至４記載の直流印加回路におい
て、 巻線がトランスの一次巻線又はチョークコイルであるこ
とを特徴とする巻線への直流印加回路。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP7511602A JP3016593B2 (ja) | 1993-10-19 | 1994-10-18 | 直流印加回路 |
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| JP6-1985 | 1994-05-10 | ||
| JP9678094 | 1994-05-10 | ||
| JP6-96780 | 1994-05-10 | ||
| JP7511602A JP3016593B2 (ja) | 1993-10-19 | 1994-10-18 | 直流印加回路 |
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|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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| DE19704808A1 (de) * | 1997-02-08 | 1998-08-13 | Bosch Gmbh Robert | Vorrichtung zur Ansteuerung eines elektromagnetischen Verbrauchers |
| US7120963B2 (en) * | 2003-05-30 | 2006-10-17 | Song Kim | Paint roller mounting assembly |
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| JPS6177445A (ja) * | 1984-09-22 | 1986-04-21 | Anritsu Corp | 回線結合回路 |
| JPS62216457A (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-24 | Seiko Epson Corp | デ−タ伝送装置 |
| JPH0193245A (ja) * | 1987-10-05 | 1989-04-12 | Toshiba Corp | 回線インターフェイス回路 |
| JPH01143528A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-06 | Toshiba Electric Equip Corp | インターホン装置 |
| JPH01270403A (ja) * | 1988-04-21 | 1989-10-27 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
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-
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- 1994-10-18 KR KR1019950702386A patent/KR100195309B1/ko not_active IP Right Cessation
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- 1994-10-18 WO PCT/JP1994/001746 patent/WO1995011549A1/ja active IP Right Grant
- 1994-10-18 US US08/433,453 patent/US5796279A/en not_active Expired - Fee Related
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- 1994-10-18 EP EP94929676A patent/EP0676862B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-10-18 CN CN94190802A patent/CN1036750C/zh not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-06-15 FI FI952962A patent/FI113593B/fi not_active IP Right Cessation
- 1995-06-16 NO NO19952416A patent/NO314706B1/no not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO1995011549A1 (fr) | 1995-04-27 |
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