JP2520853B2 - 音声用増幅器 - Google Patents
音声用増幅器Info
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- JP2520853B2 JP2520853B2 JP6097985A JP9798594A JP2520853B2 JP 2520853 B2 JP2520853 B2 JP 2520853B2 JP 6097985 A JP6097985 A JP 6097985A JP 9798594 A JP9798594 A JP 9798594A JP 2520853 B2 JP2520853 B2 JP 2520853B2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は負荷にチョークコイル又
はアウトプットトランスを用いた音声用の増幅器に関す
るものである。
はアウトプットトランスを用いた音声用の増幅器に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】図8(a)は従来の真空管を用いたチョ
ークコイルを負荷とする自己バイアス型の音声用増幅器
の一例を示す概略図である。本図において信号源Sgの
信号が真空管V1のグリッドに入力される。真空管V1
には電圧EBBの電源1がチョークコイルL1を介して真
空管V1のプレートに接続されている。真空管V1のカ
ソード端と接地端間には、バイアス用抵抗R1及びバイ
パス用コンデンサC1が接続される。又真空管V1のグ
リッドと接地端間には、グリッドリーク抵抗R2が接続
される。真空管V1のプレートにはカップリングコンデ
ンサC2及び負荷抵抗R3が接続されている。
ークコイルを負荷とする自己バイアス型の音声用増幅器
の一例を示す概略図である。本図において信号源Sgの
信号が真空管V1のグリッドに入力される。真空管V1
には電圧EBBの電源1がチョークコイルL1を介して真
空管V1のプレートに接続されている。真空管V1のカ
ソード端と接地端間には、バイアス用抵抗R1及びバイ
パス用コンデンサC1が接続される。又真空管V1のグ
リッドと接地端間には、グリッドリーク抵抗R2が接続
される。真空管V1のプレートにはカップリングコンデ
ンサC2及び負荷抵抗R3が接続されている。
【0003】図8(b)は負荷としてチョークコイルL
1に代えてアウトプットトランスT1を用いた増幅器の
回路図であって、アウトプットトランスT1の2次側に
は次段の増幅器又はスピーカ等が接続される。
1に代えてアウトプットトランスT1を用いた増幅器の
回路図であって、アウトプットトランスT1の2次側に
は次段の増幅器又はスピーカ等が接続される。
【0004】図9はプッシュプル型の真空管増幅器の一
例を示している。アウトプットトランスT2の1次側の
中間タップに電源が接続され、1次側の両端には図8と
同一の回路で夫々対称に接続された位相の反転した2つ
の信号源の信号Sg1, Sg2が入力される。
例を示している。アウトプットトランスT2の1次側の
中間タップに電源が接続され、1次側の両端には図8と
同一の回路で夫々対称に接続された位相の反転した2つ
の信号源の信号Sg1, Sg2が入力される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の真空
管増幅器では、真空管の負荷としてチョークコイルやア
ウトプットトランスが接続される。このようなチョーク
コイル又はアウトプットトランスを負荷とするシングル
増幅器では、プレートに直流電流が流れこれに交流電流
が重畳しているため、直流電流によりチョークコイルや
アウトプットトランスの直流磁化が生じる。従ってシン
グル用のアウトプットトランス等では、直流磁化をなく
すためにチョークやトランスの磁路にギャップが入れら
れている。このギャップの影響によって1次インダクタ
ンスが低下するため、低域周波数特性が低下してしまう
という欠点があった。
管増幅器では、真空管の負荷としてチョークコイルやア
ウトプットトランスが接続される。このようなチョーク
コイル又はアウトプットトランスを負荷とするシングル
増幅器では、プレートに直流電流が流れこれに交流電流
が重畳しているため、直流電流によりチョークコイルや
アウトプットトランスの直流磁化が生じる。従ってシン
グル用のアウトプットトランス等では、直流磁化をなく
すためにチョークやトランスの磁路にギャップが入れら
れている。このギャップの影響によって1次インダクタ
ンスが低下するため、低域周波数特性が低下してしまう
という欠点があった。
【0006】又プッシュプル型の増幅器においては、ア
ウトプットトランスT2の1次側に流れる電流は互いに
打ち消すように流れるため、シングル用のアウトプット
トランスT1と異なり磁路にギャップが挿入されていな
い。従ってシングル増幅器に比べて低域特性を改善でき
るが、経年変化等により上下の素子に流れる直流電流が
アンバランスとなった場合には、アウトプットトランス
T2は直流磁化されるため1次側のインダクタンスが低
下する。このため常に直流電流値を等しくしておく必要
があるという欠点があった。
ウトプットトランスT2の1次側に流れる電流は互いに
打ち消すように流れるため、シングル用のアウトプット
トランスT1と異なり磁路にギャップが挿入されていな
い。従ってシングル増幅器に比べて低域特性を改善でき
るが、経年変化等により上下の素子に流れる直流電流が
アンバランスとなった場合には、アウトプットトランス
T2は直流磁化されるため1次側のインダクタンスが低
下する。このため常に直流電流値を等しくしておく必要
があるという欠点があった。
【0007】本発明はこのような従来の問題点に鑑みて
なされたものであって、チョークコイルやアウトプット
トランスに流れる直流電流によって生じる直流磁化を打
ち消すことによって、低域での周波数特性の劣化を防止
できるようにすることを目的とする。
なされたものであって、チョークコイルやアウトプット
トランスに流れる直流電流によって生じる直流磁化を打
ち消すことによって、低域での周波数特性の劣化を防止
できるようにすることを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本願の請求項1の発明
は、グリッド端子に入力電圧が加えられる真空管と、一
端が接地された定電流回路と、一端が接地された電源
と、同一の巻数の第1,第2の巻線を有し、第1の巻線
の一端が電源に接続され、他端が真空管のプレートに接
続され、第2の巻線の一端がカソードに、他端が定電流
回路に接続されたチョークコイルと、を具備し、電源よ
り第1,第2の巻線を通過する互いに逆向きの直流電流
によってチョークコイルの直流磁化を打ち消すようにし
たことを特徴とするものである。
は、グリッド端子に入力電圧が加えられる真空管と、一
端が接地された定電流回路と、一端が接地された電源
と、同一の巻数の第1,第2の巻線を有し、第1の巻線
の一端が電源に接続され、他端が真空管のプレートに接
続され、第2の巻線の一端がカソードに、他端が定電流
回路に接続されたチョークコイルと、を具備し、電源よ
り第1,第2の巻線を通過する互いに逆向きの直流電流
によってチョークコイルの直流磁化を打ち消すようにし
たことを特徴とするものである。
【0009】
【0010】本願の請求項2の発明は、グリッド端子に
互いに逆位相の入力電圧が加えられる第1,第2の真空
管と、一端が接地された第1,第2の定電流回路と、一
端が接地された電源と、同一の巻数の第1,第2,第
3,第4の1次巻線を有し、第1の1次巻線の一端が電
源に、他端が第1の真空管のプレートに接続され、第2
の1次巻線の一端が第1の真空管のカソードに、他端が
第1の定電流回路に接続され、第3の1次巻線の一端が
電源に、他端が第2の真空管のプレートに接続され、第
4の1次巻線の一端が第2の真空管のカソードに、他端
が定電流回路に接続されたアウトプットトランスと、を
具備し、電源より第1,第2の巻線を通過する互いに逆
向きの直流電流及び第3,第4の巻線を通過する互いに
逆向きの直流電流によってアウトプットトランスの直流
磁化を打ち消すようにしたことを特徴とするものであ
る。
互いに逆位相の入力電圧が加えられる第1,第2の真空
管と、一端が接地された第1,第2の定電流回路と、一
端が接地された電源と、同一の巻数の第1,第2,第
3,第4の1次巻線を有し、第1の1次巻線の一端が電
源に、他端が第1の真空管のプレートに接続され、第2
の1次巻線の一端が第1の真空管のカソードに、他端が
第1の定電流回路に接続され、第3の1次巻線の一端が
電源に、他端が第2の真空管のプレートに接続され、第
4の1次巻線の一端が第2の真空管のカソードに、他端
が定電流回路に接続されたアウトプットトランスと、を
具備し、電源より第1,第2の巻線を通過する互いに逆
向きの直流電流及び第3,第4の巻線を通過する互いに
逆向きの直流電流によってアウトプットトランスの直流
磁化を打ち消すようにしたことを特徴とするものであ
る。
【0011】本願の請求項3の発明は、真空管に代えて
電界効果型トランジスタを用いたことを特徴とするもの
である。
電界効果型トランジスタを用いたことを特徴とするもの
である。
【0012】
【作用】このような特徴を有する本願の請求項1,3の
発明によれば、電源からチョークコイル又はアウトプッ
トトランスの第1の巻線を介して真空管のプレート又は
FETのドレインに定電流が供給され、その電流がカソ
ード(又はゲート)より第2の巻線を介して定電流回路
に帰還する。この直流電流のループによってチョークコ
イル又はアウトプットトランスの磁束が打ち消されるこ
ととなり、直流磁化をなくすることができる。このため
インダクタンスの低下がなく、低域での周波数特性を改
善することができる。
発明によれば、電源からチョークコイル又はアウトプッ
トトランスの第1の巻線を介して真空管のプレート又は
FETのドレインに定電流が供給され、その電流がカソ
ード(又はゲート)より第2の巻線を介して定電流回路
に帰還する。この直流電流のループによってチョークコ
イル又はアウトプットトランスの磁束が打ち消されるこ
ととなり、直流磁化をなくすることができる。このため
インダクタンスの低下がなく、低域での周波数特性を改
善することができる。
【0013】又本願の請求項2の発明では、電源より第
1の真空管又はFETのプレート又はドレインにアウト
プットトランスの第1の巻線を介して電源が供給され、
その電流が第2の巻線を介して定電流回路に流れる。同
様に第2の真空管又はFETが駆動される場合には電源
より第3の巻線及び真空管又はFETを介して第4の巻
線、更に第2の定電流回路に一定の電流が流れる。これ
らの上下の素子には夫々同一の直流電流が逆方向に流れ
るため、直流磁化が夫々打ち消されることとなって直流
磁化の影響がなくなる。そして上下の素子で電流値が変
化した場合にも直流磁化を生じさせることはない。その
ためアウトプットトランスの1次側インダクタンスは低
下することなく、大きな値に保たれることとなり、低域
の周波数特性が劣化することはない。
1の真空管又はFETのプレート又はドレインにアウト
プットトランスの第1の巻線を介して電源が供給され、
その電流が第2の巻線を介して定電流回路に流れる。同
様に第2の真空管又はFETが駆動される場合には電源
より第3の巻線及び真空管又はFETを介して第4の巻
線、更に第2の定電流回路に一定の電流が流れる。これ
らの上下の素子には夫々同一の直流電流が逆方向に流れ
るため、直流磁化が夫々打ち消されることとなって直流
磁化の影響がなくなる。そして上下の素子で電流値が変
化した場合にも直流磁化を生じさせることはない。その
ためアウトプットトランスの1次側インダクタンスは低
下することなく、大きな値に保たれることとなり、低域
の周波数特性が劣化することはない。
【0014】
【実施例】図1は本発明の第1実施例によるチョークコ
イルを負荷とする音声用真空管増幅器を示す回路図であ
る。本図において信号源Sgは一端が接地され他端が真
空管V1のグリッドに接続され、又グリッドリーク抵抗
R2を介して接地される。そして電圧EBBの直流電源1
はチョークコイルL2の第1の巻線L2aを介して真空
管V1のプレートに接続される。チョークコイルL2は
図示のように、第1,第2の巻線L2a,L2bを有し
ている。これらの巻線は線径や巻数が同一とする。そし
て真空管V1のカソードにはこの巻線L2bを介して定
電流回路2が接続される。このとき電流の流れる方向を
プレート電流とは逆方向、即ち逆位相となるように接続
する。又真空管V1のカソードにはバイパス用コンデン
サC1が接続される。真空管のプレート側にはカップリ
ングコンデンサC2を介して負荷抵抗R3が接続される
ことは従来例と同様である。
イルを負荷とする音声用真空管増幅器を示す回路図であ
る。本図において信号源Sgは一端が接地され他端が真
空管V1のグリッドに接続され、又グリッドリーク抵抗
R2を介して接地される。そして電圧EBBの直流電源1
はチョークコイルL2の第1の巻線L2aを介して真空
管V1のプレートに接続される。チョークコイルL2は
図示のように、第1,第2の巻線L2a,L2bを有し
ている。これらの巻線は線径や巻数が同一とする。そし
て真空管V1のカソードにはこの巻線L2bを介して定
電流回路2が接続される。このとき電流の流れる方向を
プレート電流とは逆方向、即ち逆位相となるように接続
する。又真空管V1のカソードにはバイパス用コンデン
サC1が接続される。真空管のプレート側にはカップリ
ングコンデンサC2を介して負荷抵抗R3が接続される
ことは従来例と同様である。
【0015】このような構成により、電源1より巻線L
2aを介して真空管V1のプレートに電圧が印加され、
プレート電流が巻線L2a、プレートからカソード及び
巻線L2bを介して流れ、定電流回路2により一定の定
電流となる。この直流電流は2つの巻線L2a,L2b
を逆方向に流れるため、チョークコイルL2に夫々逆向
きの磁界を加えることとなってチョークコイルL2での
直流磁化が打ち消されることとなる。このとき定電流回
路2及びチョークコイルの巻線L2bの両端の電圧がグ
リッドバイアス電圧となっている。
2aを介して真空管V1のプレートに電圧が印加され、
プレート電流が巻線L2a、プレートからカソード及び
巻線L2bを介して流れ、定電流回路2により一定の定
電流となる。この直流電流は2つの巻線L2a,L2b
を逆方向に流れるため、チョークコイルL2に夫々逆向
きの磁界を加えることとなってチョークコイルL2での
直流磁化が打ち消されることとなる。このとき定電流回
路2及びチョークコイルの巻線L2bの両端の電圧がグ
リッドバイアス電圧となっている。
【0016】図2はこの実施例で用いる定電流回路2の
一例を示す回路図である。図2(a)はジャンクション
型の電界効果型トランジスタ(FET)3を用いて定電
流回路を構成したものであって、抵抗Rx1を選択する
ことによって任意の電流値が選択できる。又図2(b)
はツェナダイオード4及びトランジスタ5を用いた定電
流回路であり、トランジスタ5のベースとエミッタに夫
々ツェナダイオード4,抵抗Rx2を接続し、その他端
を共通接続している。この定電流回路はツェナダイオー
ド4のツェナ電圧と抵抗Rx2の値とを選択することに
よって、任意の電流値が選択できることとなる。
一例を示す回路図である。図2(a)はジャンクション
型の電界効果型トランジスタ(FET)3を用いて定電
流回路を構成したものであって、抵抗Rx1を選択する
ことによって任意の電流値が選択できる。又図2(b)
はツェナダイオード4及びトランジスタ5を用いた定電
流回路であり、トランジスタ5のベースとエミッタに夫
々ツェナダイオード4,抵抗Rx2を接続し、その他端
を共通接続している。この定電流回路はツェナダイオー
ド4のツェナ電圧と抵抗Rx2の値とを選択することに
よって、任意の電流値が選択できることとなる。
【0017】さて信号源Sgより入力信号が加わると、
グリッド電圧の変化によってプレート電流も変化する。
交流的には第2の巻線L2bは定電流回路2とコンデン
サC1を介してループを作るが、真空管の交流負荷とし
てはこのループのインピーダンスは充分大きく無視でき
る。従って交流電流は電源1からチョークコイルL2の
巻線L2a,真空管V1のプレート及びカソードを介し
てコンデンサC1に流れることとなる。そしてこの電圧
変化がカップリングコンデンサC2を介して抵抗R3の
両端に取出される。この場合には真空管V1の負荷とし
てチョークコイルを用いているが、前述のように直流磁
化が打ち消されるため、チョークコイルのインダクタン
スの低下がない。従ってチョークコイルL2として直流
磁化を打ち消すためのギャップをコアに設ける必要がな
くなる。そのためチョークコイルL2のインダクタンス
は、従来のものに比べて例えば数十倍〜100倍程度と
大きくすることができ、低域での周波数特性を大幅に改
善することができるという効果が得られる。
グリッド電圧の変化によってプレート電流も変化する。
交流的には第2の巻線L2bは定電流回路2とコンデン
サC1を介してループを作るが、真空管の交流負荷とし
てはこのループのインピーダンスは充分大きく無視でき
る。従って交流電流は電源1からチョークコイルL2の
巻線L2a,真空管V1のプレート及びカソードを介し
てコンデンサC1に流れることとなる。そしてこの電圧
変化がカップリングコンデンサC2を介して抵抗R3の
両端に取出される。この場合には真空管V1の負荷とし
てチョークコイルを用いているが、前述のように直流磁
化が打ち消されるため、チョークコイルのインダクタン
スの低下がない。従ってチョークコイルL2として直流
磁化を打ち消すためのギャップをコアに設ける必要がな
くなる。そのためチョークコイルL2のインダクタンス
は、従来のものに比べて例えば数十倍〜100倍程度と
大きくすることができ、低域での周波数特性を大幅に改
善することができるという効果が得られる。
【0018】図3は本発明の第2実施例による増幅器を
示す回路図である。本実施例は第1実施例のチョークコ
イルL2に代えて、アウトプットトランスT3を用いた
ものである。このアウトプットトランスT3の1次側巻
線も、第1実施例のチョークコイルL2と同様に同一の
線径及び巻数となっている2つの巻線T3a,T3bを
有しており、1次側の接続については第1実施例と同様
である。この一対の巻線によって第1実施例と同様に直
流磁化が打ち消され、周波数特性が改善する。そしてア
ウトプットトランスT3の2次側には交流成分の信号が
出力される。
示す回路図である。本実施例は第1実施例のチョークコ
イルL2に代えて、アウトプットトランスT3を用いた
ものである。このアウトプットトランスT3の1次側巻
線も、第1実施例のチョークコイルL2と同様に同一の
線径及び巻数となっている2つの巻線T3a,T3bを
有しており、1次側の接続については第1実施例と同様
である。この一対の巻線によって第1実施例と同様に直
流磁化が打ち消され、周波数特性が改善する。そしてア
ウトプットトランスT3の2次側には交流成分の信号が
出力される。
【0019】前述した第1,第2実施例では能動素子と
して真空管を用いているが、図4(a),(b)に示す
ようにFET6を用いて構成することも可能である。こ
の場合にも同様にアウトプットトランス又はチョークコ
イルの直流磁化が打ち消されるため、周波数特性を改善
することができる。
して真空管を用いているが、図4(a),(b)に示す
ようにFET6を用いて構成することも可能である。こ
の場合にも同様にアウトプットトランス又はチョークコ
イルの直流磁化が打ち消されるため、周波数特性を改善
することができる。
【0020】次に第1,第2実施例による周波数特性の
改善をより詳細に説明する。図5(a)は一般的な真空
管増幅回路であって、トランスTを有するものとする。
この真空管増幅回路においてZ0 を真空管の内部抵抗、
ZS を負荷抵抗、EBBをプレート電源、EC をグリッド
バイアス電源とする。簡単のため真空管を内部インピー
ダンスZ0 、電圧Ei を持つ電源と見なすと、低域周波
数では図5(b)に示す等価回路となる。ここで r1:トランス1次巻線抵抗 r2:トランス2次巻線抵抗 Lp :1次インダクタンス n:出力トランスの1次対2次巻線比 f:信号周波数 Ei :トランス入力電圧 Eo :トランス出力電圧
改善をより詳細に説明する。図5(a)は一般的な真空
管増幅回路であって、トランスTを有するものとする。
この真空管増幅回路においてZ0 を真空管の内部抵抗、
ZS を負荷抵抗、EBBをプレート電源、EC をグリッド
バイアス電源とする。簡単のため真空管を内部インピー
ダンスZ0 、電圧Ei を持つ電源と見なすと、低域周波
数では図5(b)に示す等価回路となる。ここで r1:トランス1次巻線抵抗 r2:トランス2次巻線抵抗 Lp :1次インダクタンス n:出力トランスの1次対2次巻線比 f:信号周波数 Ei :トランス入力電圧 Eo :トランス出力電圧
【0021】通常のトランスではr1,r2は極めて低
く、これを無視すると等価回路は図5(c)で示され
る。従ってレスポンスをα(dB) とすると、次式(1)
が成り立つ。
く、これを無視すると等価回路は図5(c)で示され
る。従ってレスポンスをα(dB) とすると、次式(1)
が成り立つ。
【数1】 但し、Zは以下のものである。
【数2】 さて具体例として真空管Vを6GA4(内部抵抗Z0 =
1.4KΩ)、負荷抵抗ZS を8Ωとする。出力トラン
スは例えばシングル用出力トランスの場合には前述した
ようにコアにギャップが設けられているため、例えば以
下のようなものが用いられる。 1次インピーダンス:2.5KΩ 2次インピーダンス:8Ω 1次インダクタンス:最大21H 巻数比n:17.68 この数値を前述した式(1),(2)に代入し信号の周
波数fを変化させると、図6の曲線Aに示すような低域
でのレスポンスが得られる。
1.4KΩ)、負荷抵抗ZS を8Ωとする。出力トラン
スは例えばシングル用出力トランスの場合には前述した
ようにコアにギャップが設けられているため、例えば以
下のようなものが用いられる。 1次インピーダンス:2.5KΩ 2次インピーダンス:8Ω 1次インダクタンス:最大21H 巻数比n:17.68 この数値を前述した式(1),(2)に代入し信号の周
波数fを変化させると、図6の曲線Aに示すような低域
でのレスポンスが得られる。
【0022】さて本実施例では出力トランスのエアギャ
ップをなくすことができる。このエアギャップをなくし
た場合には出力トランスの1次側インダクタンスは数十
倍、例えば900Hとなる。従ってこの値を前述した式
(1),(2)に代入し信号周波数fを変化させると、
図6の曲線Bに示すようなレスポンスとなる。これらの
グラフから明らかなように、本願発明では低域の周波数
特性を大幅に改善することができる。
ップをなくすことができる。このエアギャップをなくし
た場合には出力トランスの1次側インダクタンスは数十
倍、例えば900Hとなる。従ってこの値を前述した式
(1),(2)に代入し信号周波数fを変化させると、
図6の曲線Bに示すようなレスポンスとなる。これらの
グラフから明らかなように、本願発明では低域の周波数
特性を大幅に改善することができる。
【0023】図7はプッシュプル増幅器に本発明を適用
した第3実施例を示す回路図である。本図に示すように
プッシュプル型のアウトプットトランスT4は1次側に
4つの巻線T4a,T4b,T4c,T4dを有してい
る。各巻線T4a〜T4dは同一の線径及び巻数を有し
ている。そして電源10よりアウトプットトランスT4
の巻線T4aを介して真空管V2のプレートに接続し、
真空管V2のカソードを巻線T4bを介して定電流回路
11に接続する。ここで巻線T4a,T4bを流れる直
流電流によって互いに直流磁化を打ち消す方向に接続し
ておく。又電源10よりアウトプットトランスT4の巻
線T4cを介して真空管V3のプレートに接続し、その
カソードを巻線T4dを介して第2の定電流回路12に
接続する。そして一対の信号源Sg1,Sg2の一端を
接地し、位相が反転した同一の出力を夫々真空管V2,
V3のグリッドに入力する。夫々のグリッド端と接地端
間にはグリッドリーク抵抗R4,R5を接続する。又カ
ソードと接地端間のコンデンサC3,C4はバイパス用
のコンデンサである。このアウトプットトランスT4の
2次側にはスピーカを接続する。
した第3実施例を示す回路図である。本図に示すように
プッシュプル型のアウトプットトランスT4は1次側に
4つの巻線T4a,T4b,T4c,T4dを有してい
る。各巻線T4a〜T4dは同一の線径及び巻数を有し
ている。そして電源10よりアウトプットトランスT4
の巻線T4aを介して真空管V2のプレートに接続し、
真空管V2のカソードを巻線T4bを介して定電流回路
11に接続する。ここで巻線T4a,T4bを流れる直
流電流によって互いに直流磁化を打ち消す方向に接続し
ておく。又電源10よりアウトプットトランスT4の巻
線T4cを介して真空管V3のプレートに接続し、その
カソードを巻線T4dを介して第2の定電流回路12に
接続する。そして一対の信号源Sg1,Sg2の一端を
接地し、位相が反転した同一の出力を夫々真空管V2,
V3のグリッドに入力する。夫々のグリッド端と接地端
間にはグリッドリーク抵抗R4,R5を接続する。又カ
ソードと接地端間のコンデンサC3,C4はバイパス用
のコンデンサである。このアウトプットトランスT4の
2次側にはスピーカを接続する。
【0024】プッシュプル型増幅器では上下の素子の直
流電流値が等しければ直流磁化は打ち消されるが、経年
変化等によって上下の素子の直流電流値がずれてくるこ
とにより、アウトプットトランスが直流磁化されること
がある。しかし本実施例による増幅器では、夫々一対の
真空管V2,V3のプレート電流を供給する巻線T4
a,T4c及びカソード側から逆方向に電流を流すこと
によってこれを打ち消すことができる。
流電流値が等しければ直流磁化は打ち消されるが、経年
変化等によって上下の素子の直流電流値がずれてくるこ
とにより、アウトプットトランスが直流磁化されること
がある。しかし本実施例による増幅器では、夫々一対の
真空管V2,V3のプレート電流を供給する巻線T4
a,T4c及びカソード側から逆方向に電流を流すこと
によってこれを打ち消すことができる。
【0025】このように本実施例では真空管V2に流れ
る直流磁化を巻線T4a,T4bに逆方向に電流を流す
ことによって打ち消しており、真空管V3に流れる直流
電流を巻線T4c,T4dに流れる直流電流によって打
ち消している。このように上下の素子に夫々独立に同一
の電流を流すことによって直流磁化を打ち消しているた
め、例え定電流回路11,12の電流値が等しくなくな
り、上下の素子に流れる直流電流値が経年変化により変
動しても、直流磁化することはなく、周波数特性が劣化
することはなくなる。
る直流磁化を巻線T4a,T4bに逆方向に電流を流す
ことによって打ち消しており、真空管V3に流れる直流
電流を巻線T4c,T4dに流れる直流電流によって打
ち消している。このように上下の素子に夫々独立に同一
の電流を流すことによって直流磁化を打ち消しているた
め、例え定電流回路11,12の電流値が等しくなくな
り、上下の素子に流れる直流電流値が経年変化により変
動しても、直流磁化することはなく、周波数特性が劣化
することはなくなる。
【0026】尚第3実施例は真空管を用いたプッシュプ
ル増幅器について説明しているが、能動素子として真空
管に代えてFETを用いることができる。又定電流回路
は図2に示す回路や他の定電流回路で構成することがで
きる。
ル増幅器について説明しているが、能動素子として真空
管に代えてFETを用いることができる。又定電流回路
は図2に示す回路や他の定電流回路で構成することがで
きる。
【0027】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、増幅器の負荷としてチョークコイル又はトランスを
用いた増幅器において、プレートやドレインに流れる電
流と同一の電流を他の巻線を介して直流電流を流すこと
によって直流磁化を打ち消すようにしている。そのため
シングル増幅器においてもアウトプットトランスやチョ
ークコイルの磁路にギャップを設ける必要がなく、1次
側のインダクタンスを大きくすることができる。そのた
め低域のレスポンスを改善することができ、又歪みを軽
減することができる。又請求項2の発明では、プッシュ
プル型増幅器に適用しており、プッシュプル型増幅器の
経年変化による直流電流のアンバランスが生じる場合に
も上下の素子毎に直流磁化を打ち消すようにしている。
従ってチョークコイルやアウトプットトランスがチョー
クコイル磁化することはなく、レスポンスや歪み率を改
善することができるという効果が得られる。
ば、増幅器の負荷としてチョークコイル又はトランスを
用いた増幅器において、プレートやドレインに流れる電
流と同一の電流を他の巻線を介して直流電流を流すこと
によって直流磁化を打ち消すようにしている。そのため
シングル増幅器においてもアウトプットトランスやチョ
ークコイルの磁路にギャップを設ける必要がなく、1次
側のインダクタンスを大きくすることができる。そのた
め低域のレスポンスを改善することができ、又歪みを軽
減することができる。又請求項2の発明では、プッシュ
プル型増幅器に適用しており、プッシュプル型増幅器の
経年変化による直流電流のアンバランスが生じる場合に
も上下の素子毎に直流磁化を打ち消すようにしている。
従ってチョークコイルやアウトプットトランスがチョー
クコイル磁化することはなく、レスポンスや歪み率を改
善することができるという効果が得られる。
【図1】本発明の第1実施例によるチョークコイルを負
荷とする真空管増幅器の回路図である。
荷とする真空管増幅器の回路図である。
【図2】本実施例に用いる定電流源の一例を示す回路図
である。
である。
【図3】本発明の第2実施例によるアウトプットトラン
スを負荷とする真空管増幅器の回路図である。
スを負荷とする真空管増幅器の回路図である。
【図4】本発明の能動素子としてFETを用いた回路図
である。
である。
【図5】(a)はトランスを負荷とする真空管増幅回
路、(b),(c)はその低域の等価回路である。
路、(b),(c)はその低域の等価回路である。
【図6】従来例及び本実施例の特性を示すグラフであ
る。
る。
【図7】本発明の第3実施例によるプッシュプル増幅器
の回路図である。
の回路図である。
【図8】従来のチョークコイル又はトランスを負荷とす
るシングル型の真空管増幅器の一例を示す回路図であ
る。
るシングル型の真空管増幅器の一例を示す回路図であ
る。
【図9】従来のトランスを負荷とするプッシュプル型の
真空管増幅器の一例を示す回路図である。
真空管増幅器の一例を示す回路図である。
1,10 電源 2,11,12 定電流回路 3,6 FET 4 ツェナダイオード 5 トランジスタ V1,V2,V3 真空管 L1,L2,L3 チョークコイル T1,T2,T3,T4 アウトプットトランス
Claims (3)
- 【請求項1】 グリッド端子に入力電圧が加えられる真
空管と、 一端が接地された定電流回路と、 一端が接地された電源と、 同一の巻数の第1,第2の巻線を有し、前記第1の巻線
の一端が前記電源に接続され、他端が前記真空管のプレ
ートに接続され、前記第2の巻線の一端がカソードに、
他端が前記定電流回路に接続されたチョークコイルと、
を具備し、前記電源より前記第1,第2の巻線を通過す
る互いに逆向きの直流電流によって前記チョークコイル
の直流磁化を打ち消すようにしたことを特徴とする音声
用増幅器。 - 【請求項2】 グリッド端子に互いに逆位相の入力電圧
が加えられる第1,第2の真空管と、 一端が接地された第1,第2の定電流回路と、 一端が接地された電源と、 同一の巻数の第1,第2,第3,第4の1次巻線を有
し、前記第1の1次巻線の一端が前記電源に、他端が前
記第1の真空管のプレートに接続され、前記第2の1次
巻線の一端が前記第1の真空管のカソードに、他端が前
記第1の定電流回路に接続され、前記第3の1次巻線の
一端が電源に、他端が前記第2の真空管のプレートに接
続され、前記第4の1次巻線の一端が前記第2の真空管
のカソードに、他端が前記定電流回路に接続されたアウ
トプットトランスと、を具備し、前記電源より前記第
1,第2の巻線を通過する互いに逆向きの直流電流及び
第3,第4の巻線を通過する互いに逆向きの直流電流に
よって前記アウトプットトランスの直流磁化を打ち消す
ようにしたことを特徴とする音声用増幅器。 - 【請求項3】 前記真空管に代えて電界効果型トランジ
スタを用いたことを特徴とする請求項1又は2のいずれ
か1項に記載の音声用増幅器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6097985A JP2520853B2 (ja) | 1994-04-11 | 1994-04-11 | 音声用増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6097985A JP2520853B2 (ja) | 1994-04-11 | 1994-04-11 | 音声用増幅器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07283661A JPH07283661A (ja) | 1995-10-27 |
JP2520853B2 true JP2520853B2 (ja) | 1996-07-31 |
Family
ID=14206965
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6097985A Expired - Lifetime JP2520853B2 (ja) | 1994-04-11 | 1994-04-11 | 音声用増幅器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2520853B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2400245B (en) * | 2003-04-01 | 2005-09-28 | Power Gems Ltd | Ignition system for a high-frequency high-intensity discharge lamp system |
JP2009147891A (ja) * | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Toshiaki Nagasawa | オーディオ電力増幅器 |
JP5816559B2 (ja) * | 2012-01-06 | 2015-11-18 | 勲 大郷 | 電力増幅器 |
JP6667379B2 (ja) * | 2016-06-16 | 2020-03-18 | 株式会社オーディオテクニカ | マイクロホンの電源装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0794960A (ja) * | 1992-10-19 | 1995-04-07 | Oriental Kk | シングル増幅器 |
-
1994
- 1994-04-11 JP JP6097985A patent/JP2520853B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07283661A (ja) | 1995-10-27 |
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