JPH0514070A - プツシユプル増幅器バイアス回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 消費電流を減少させることを目的とする。 【構成】 出力トランス30の入力側巻線32、34の一端を
互いに交流的に接続し、入力側巻線32の一端を電源＋Ｖ
に接続してある。トランジスタ42のコレクタを入力側巻
線32の他端に接続し、このトランジスタ42のコレクタと
ベースとの間にバイアス抵抗器46を接続し、第２及び第
３のバイアス抵抗器48、50の一端をそれぞれ入力側巻線
34の一端に接続し、これらの他端をトランジスタ42のベ
ースとエミッタに接続してある。トランジスタ44のコレ
クタを入力側巻線34の他端に接続し、このコレクタとベ
ースとの間にバイアス抵抗器60を接続し、バイアス抵抗
器62、64の一端を基準電位点にそれぞれ接続し、これら
の他端をトランジスタ44のベース及びエミッタに接続し
てある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、プッシュプル増幅器に
バイアスを供給する回路に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、上記のようなプッシュプル増幅器
バイアス回路としては、例えば図２に示すようなものが
知られている。このプッシュプル増幅器バイアス回路
は、トランジスタ２、４にそれぞれ電流帰還形のバイア
ス回路を設けたもので、トランジスタ２のベースは、直
流電源＋Ｖと接地電位点との間に直列に結合されたバイ
アス抵抗器６、８の相互結合点に結合され、同じくエミ
ッタはバイアス抵抗器１０を介して接地電位点に結合さ
れている。なお、このバイアス抵抗器１０には、並列に
バイパスコンデンサ１１が結合されている。また、コレ
クタは、出力トランス１２の一次巻線１４の一端に結合
され、この一次巻線１４の中間タップが直流電源＋Ｖに
結合されている。同様に、トランジスタ４のベースは、
直流電源＋Ｖと接地電位点との間に直列に結合されたバ
イアス抵抗器１６、１８の相互結合点に結合され、同じ
くエミッタはバイアス抵抗器２０を介して接地電位点に
結合されている。バイアス抵抗器２０には並列にバイパ
スコンデンサ２１が結合されている。また、コレクタ
は、出力トランス１２の一次巻線１４の他端に結合され
ている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記のようなプッシュ
プル増幅器バイアス回路では、各トランジスタ２、４に
並列に電流が流れるため、消費電流が大きいという問題
点がある。例えば、４５ｍＡずつトランジスタ２、４の
コレクタに電流が流れ、抵抗器６、１６からトランジス
タ２、４のベース側に５ｍＡずつ電流が流れるとする
と、直流電源＋Ｖからは合計１００ｍＡもの電流が流れ
ることになる。

【０００４】このように消費電流が大きいのを改善する
ために、例えば図３に示すような回路が提案されてい
る。これは、特開平2-186705号公報に示されているもの
で、出力トランス１２ａの一次巻線を１４ａと１４ｂと
の２つに分解し、一次巻線１４ａの一端には直流電源＋
Ｖを供給し、他端をトランジスタ２のコレクタに結合
し、一次巻線１４ｂの一端を高周波阻止コイル２２を介
してトランジスタ２のエミッタに結合されているバイア
ス抵抗器１０に結合し、一次巻線１４ｂの他端をトラン
ジスタ４のコレクタに結合している。なお、コンデンサ
２４、２６は一次巻線１４ａ、１４ｂを交流的に結合す
るためのものであり、コンデンサ２８はバイパスコンデ
ンサである。

【０００５】このプッシュプル増幅器バイアス回路で
は、一次巻線１４ｂの一端を高周波阻止コイル２２を介
してバイアス抵抗器１０に結合し、一次巻線１４ｂの他
端をトランジスタ４のコレクタに結合しているので、ト
ランジスタ２、４のコレクタ電流が直列に流れるので、
直流電源＋Ｖから流れる電流は、図２の回路と各トラン
ジスタ２、４の特性、各バイアス抵抗器６、８、１０、
１６、１８、２０の値が同じとすると、約５５ｍＡと減
少する。しかし、このプッシュプル増幅器バイアス回路
では、抵抗器６、１６からトランジスタ２、４のベース
側にそれぞれ５ｍＡずつ電流が流れているので、まだ消
費電流を減少させるための余地がある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、さらに消費電
流を減少させるために、次のように構成した出力トラン
ス、第１及び第２のトランジスタを備えている。出力ト
ランスは、第１及び第２の入力側巻線を有し、第１及び
第２の入力側巻線の一端が交流的に結合され、第１の入
力側巻線の一端が電源に結合されている。第１のトラン
ジスタは、その出力電極が第１の入力側巻線の他端に結
合され、この出力電極と制御電極との間に第１のバイア
ス抵抗器が結合され、一端がそれぞれ第２の入力側巻線
の一端に結合された第２及び第３のバイアス抵抗器の他
端が、制御電極及び共通電極に結合されている。第２の
トランジスタは、その出力電極が第２の入力側巻線の他
端に結合され、この出力電極と制御電極との間に第４の
バイアス抵抗器が結合され、基準電位点にそれぞれ一端
が結合された第５及び第６のバイアス抵抗器の他端が制
御電極及び共通電極に結合されている。

【０００７】

【作用】本発明によるプッシュプル増幅器バイアス回路
では、第１の入力側巻線から第１のトランジスタの出力
電極、共通電極を流れた電流は、第２の入力側巻線から
第２のトランジスタの出力電極、共通電極を介して基準
電位点に流れる。また第１の入力側巻線から第１および
第２のバイアス抵抗器を介して流れた電流及び第１及び
第２のバイアス抵抗器の相互結合点から第１のトランジ
スタの制御電極、共通電極を介して第３のバイアス抵抗
器に流れた電流は、第２の入力側巻線から第４及び第５
のバイアス抵抗器を介して基準電位点に流れると共に、
これら第４及び第５のバイアス抵抗器の相互結合点から
第２のトランジスタの制御電極、共通電極、第６のバイ
アス抵抗器を介して基準電位点に流れる。

【０００８】

【実施例】本発明の１実施例を図１に示す。この実施例
は、出力トランス３０を有し、この出力トランス３０
は、２つの一次巻線３２、３４を有している。これら一
次巻線３２、３４の一端は、それぞれコンデンサ３６、
３８を介して基準電位点に結合されている。即ち、一次
巻線３２、３４の一端は、互いに交流的に結合されてい
る。なお、コンデンサ３６、３８によって基準電位点に
結合する代わりに、一次巻線３２、３４の一端をコンデ
ンサ（図示せず）によって結合して、一次巻線３２、３
４を交流的に結合してもよい。また、一次巻線３２の一
端は直流電源＋Ｖに結合されている。なお、出力トラン
ス３０は二次巻線４０も有しており、その一端は基準電
位点に結合され、他端は図示しないスピーカに結合され
る。

【０００９】この実施例は、出力トランス３０の他に、
トランジスタ４２、４４も有している。トランジスタ４
２の出力電極、例えばコレクタは、一次巻線３２の他端
に結合され、このコレクタと制御電極、例えばベースと
の間には、バイアス抵抗器４６が結合されている。ま
た、ベースには別のバイアス抵抗器４８の一端が結合さ
れ、共通電極、例えばエミッタにも別のバイアス抵抗器
５０の一端が結合され、これらバイアス抵抗器４８、５
０の他端は相互に結合されている。この結合点５２は高
周波阻止コイル５４を介して出力トランス３０のもう１
つの一次巻線３４の一端に結合されている。結合点５２
に結合されているコンデンサ５６や、トランジスタ４２
のエミッタに結合されているコンデンサ５８は、バイパ
スコンデンサとして機能する。

【００１０】トランジスタ４４の出力電極、例えばコレ
クタは、もう１つの一次巻線３４の他端に結合され、こ
のコレクタと制御電極、例えばベースとの間にはバイア
ス抵抗器６０が結合されている。また、ベースと接地電
位点との間には、バイアス抵抗器６２が結合されてい
る。さらに、このトランジスタ４４の共通電極、例えば
エミッタと接地電位点との間には、別のバイアス抵抗器
６４が結合されている。このバイアス抵抗器６４に並列
にバイパスコンデンサ６６も並列に結合されている。

【００１１】このようにトランジスタ４２に対しては、
出力トランス３０の一次巻線３２、バイアス抵抗器４
６、４８、５０によって電流帰還形のバイアスが与えら
れ、トランジスタ４４に対しては、出力トランス３０の
一次巻線３４、バイアス抵抗器６０、６２、６４によっ
て電流帰還形のバイアスが与えられている。なお、バイ
アス抵抗器４８、６２の値は等しく選択され、同じくバ
イアス抵抗器４６、６０の値も等しく選択されている。

【００１２】トランジスタ４２のベースは、コンデンサ
６８を介して入力トランス７０の二次巻線７２の一端に
結合され、トランジスタ４４のベースは、コンデンサ７
４を介して二次巻線７２の他端に結合されている。ま
た、入力トランス７０の一次巻線７６の一端は基準電位
点に結合され、他端は図示しない信号源に結合されてい
る。

【００１３】このように構成されたプッシュプル増幅器
バイアス回路では、直流電源＋Ｖから出力トランス３０
の一次巻線３２、トランジスタ４２のコレクタ・エミッ
タ、バイアス抵抗器５０を流れた電流は、高周波阻止コ
イル５４、出力トランス３０の一次巻線３４、トランジ
スタ４４のコレクタ・エミッタ、バイアス抵抗器６４を
介して接地電位点に流れる。同じく直流電源＋Ｖから出
力トランス３０の一次巻線３２、バイアス抵抗器４６、
４８を流れると共に、これら抵抗器４６、４８の結合点
からトランジスタ４２のベース・エミッタに流れた電流
は、高周波阻止コイル５４、出力トランス３０の一次巻
線３４からバイアス抵抗器６０、６２に流れる共に、こ
れらバイアス抵抗器６０、６２の結合点からトランジス
タ４４のベース・エミッタ、バイアス抵抗器６４を介し
て接地電位点に流れる。

【００１４】例えばトランジスタ４２、４４に図２及び
図３に示したトランジスタ２、４と同一の特性のものを
用い、バイアス抵抗器４６、４８、５０、６０、６２、
６４に、図２及び図３に示したバイアス抵抗器６、８、
１０、１６、１８、２０と同一の値のものを使用した場
合、トランジスタ４２のコレクタ・エミッタ、バイアス
抵抗器５０、高周波阻止コイル５４、出力トランス３０
の一次巻線３４、トランジスタ４４のコレクタ・エミッ
タ、バイアス抵抗器６４を介して接地電位点に流れる電
流は、４５ｍＡとなり、バイアス抵抗器４６、４８を流
れると共に、これら抵抗器４６、４８の結合点からトラ
ンジスタ４２のベース・エミッタに流れ、高周波阻止コ
イル５４、出力トランス３０の一次巻線３４からバイア
ス抵抗器６０、６２に流れる共に、これらバイアス抵抗
器６０、６２の結合点からトランジスタ４４のベース・
エミッタ、バイアス抵抗器６４を介して接地電位点に流
れる電流は５ｍＡであり、直流電源＋Ｖの消費電流は、
合計５０ｍＡとなり、図３に示したものより５ｍＡも少
なくなっている。また、バイアス抵抗器４６、６０の値
が等しく、同４８、６２の値が等しいので、トランジス
タ４２、４４のコレクタ・エミッタ間電圧Ｖ_CEのばらつ
きは、ほとんどなくなり、バランスのよいプッシュプル
増幅器を実現することができる。

【００１５】

【発明の効果】以上のように、本発明によるプッシュプ
ル増幅器バイアス回路では、第１のトランジスタの出力
電極から共通電極に流れた電流が第２のトランジスタの
出力電極から共通電極に流れ、かつ第１及び第２のバイ
アス抵抗器を流れると共に、これらの結合点から制御電
極、共通電極に流れた電流は、第４及び第５のバイアス
抵抗器を流れると共に、これらの結合点から制御電極、
共通電極に流れる。従って、トランジスタの出力電極・
共通電極を流れる電流の他に、第１及び第２のトランジ
スタのバイアス回路に流れる電流も直列に流れるので、
直流電源から流れる電流の値が小さくなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるプッシュプル増幅器バイアス回路
の１実施例の回路図である。

【図２】従来のプッシュプル増幅器バイアス回路の１例
の回路図である。

【図３】従来のプッシュプル増幅器バイアス回路の他の
例の回路図である。

【符号の説明】

３０ 出力トランス ３２ 第１の一次巻線 ３４ 第２の一次巻線 ４０ 二次巻線 ４２ 第１のトランジスタ ４４ 第２のトランジスタ ４６ 第１のバイアス抵抗器 ４８ 第２のバイアス抵抗器 ５０ 第３のバイアス抵抗器 ６０ 第４のバイアス抵抗器 ６２ 第５のバイアス抵抗器 ６４ 第６のバイアス抵抗器

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】 第１及び第２の入力側巻線を有し、第１
   及び第２の入力側巻線の一端が互いに交流的に結合さ
   れ、第１の入力側巻線の一端が電源に結合されている出
   力トランスと、 出力電極が第１の入力側巻線の他端に結合され、この出
   力電極と制御電極との間に第１のバイアス抵抗器が結合
   され、一端がそれぞれ第２の入力側巻線の一端に結合さ
   れた第２及び第３のバイアス抵抗器の他端が上記制御電
   極および共通電極に結合された第１のトランジスタと、 第２の入力側巻線の他端に出力電極が結合され、この出
   力電極と制御電極との間に第４のバイアス抵抗器が結合
   され、基準電位点にそれぞれ一端が結合された第５及び
   第６のバイアス抵抗器の他端が上記制御電極及び共通電
   極に結合されている第２のトランジスタと、 を具備するプッシュプル増幅器バイアス回路。