JP3008845B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
特に素子の微小な反りが解像度に悪影響を与える一次元
CCDパッケージにおいて、素子の反りを防止した半導
体装置に関する。
・スキャナー等のOA機器の画像読取素子として広く使
用されており、フォトダイオードが直線上に数千個配列
された半導体素子をパッケージングしたものである。そ
の半導体素子は非常に細長い針状をしており、特に素子
の反りに対して注意を要するものである。この素子の反
りが解像度に悪影響を及ぼすため、素子の反りを数十μ
mに抑えなければならない。
素子保護用のケースは、ケース自体の変形を防止するた
めセラミックケースを使用するのが主流であったが、近
年、OA機器の民需化に伴いプライスダウンの要求が厳
しくなってきている。そこで最近ではセラミックケース
から、より安価な熱硬化性エポキシ樹脂を主成分とする
プラスチックケースが使用されるようになった。また、
ダイパッドと素子とを接着させるために用いるマウント
材もコスト,作業性の面で熱硬化性エポキシ樹脂を主成
分とするものを用いられるようになった。
示すように、熱硬化性エポキシ樹脂を用いて形成したプ
ラスチックケース1のダイパッド2は、樹脂自体の硬化
収縮によるケースの変形により、マウント材3Aを塗布
する以前に変形が発生している。その後、マウント材3
Aを塗布して素子4を搭載する工程において、極力マウ
ント材3Aの表面の平坦化を行ったとしても、マウント
材3Aの中央部に相当する部分のダイパッド2が変形し
てマウント材3Aの端部よりも深くなり、その深さ分だ
け端部よりも塗布量が多くなる。このため、マウント材
3Aの中央部での収縮量は端部より大きくなり、素子4
の反りを引き起こしてしまう。
えてプラスチックケースが用いられるようになったが、
プラスチックではケース自体の変形は避けられず、それ
に伴いダイパッドも変形する。このダイパッドの変形に
より、ダイパッド端部と中央部ではマウント材の塗布量
が異なり、塗布量の多い中央部ではマウント材の硬化収
縮が端部より大きく、素子の反りを引き起こすという問
題点があった。
らず、素子の反りを防止した半導体装置を提供すること
にある。
め、本発明に係る半導体装置は、ケースの素子搭載部
に、塗布,加熱硬化されたマウント材により、半導体素
子の裏面を接着してなる半導体装置において、前記半導
体素子は1次元CCD素子であり、前記マウント材は、
付加重合型のシリコンゴムからなるものである。
体化して成形されたプラスチックケースであり、素子搭
載部の前記ダイパッドに、前記半導体素子が前記マウン
ト材により接着されたものである。
コンゴムである。
造は、加熱によって硬化する際に収縮を起こさないた
め、硬化後も硬化前の形状状態を保持し、素子の反りを
防止する。
る。
1に係る半導体装置を示す断面図である。
代えて熱硬化性エポキシ樹脂を主成分とするプラスチッ
クケースであり、中空部1aの底部に金属製のダイパッ
ド2が設けられている。
空パッケージである場合には、ダイパッド2を一体化し
たケース1の成形を行う。このときダイパッド2及びケ
ース1はエポキシ樹脂の硬化収縮を受けるため、金属製
ダイパッド2は、中央部が端部より深くなって弧状に弯
曲してしまうこととなる。
D素子を用いた場合、その素子4の長さは40mm,幅
が約0.5mm,厚さが約0.5mmの非常に細長い針
状となっており、半導体素子4はケース1の中空部1a
内に搭載され、ダイパッド2との間にワイヤボンディン
グが行われ、一方ケース1の中空部1aは透明キャップ
5により施蓋され、透明キャップ5を介して入射した光
を半導体素子4が受光して電気信号に変換するようにな
っている。
子を用いた場合、長さが40mmであり、その中央部と
端部との間に物理的な反りを生じたとき、その電気的特
性(この場合、光電変換特性)に変動が生じる特性を有
している。このため、半導体素子4は、ケース1の中空
部1a内に物理的な反りを生じさせることなく、搭載さ
せる必要がある。
ト材3は、加熱による硬化収縮を起こしにくいゴム状物
質からなるものであり、半導体素子4に反りを与えずに
ケース1に固着したことを特徴とするものである。
収縮を起さない付加重合型のシリコンゴムを用いること
が望ましく、また作業性の面から一液性のものを用いる
ことが望ましい。この種のマウント材3としては、信越
化学製一液型シリコンゴムKJR9038、或いは東レ
ダウコーニングシリコン製 DA6503等を用いる
ことが可能である。
3が加熱によって硬化収縮を起こさないゴム状物質で構
成し、このマウント材3をケース1の中空部1aの内底
部内に塗布し、マウント材3の表面を平坦化し、その表
面で半導体素子4を支えてケース1に固着している。
が端部より中央部に凹んだ湾曲状に変形したとしても、
半導体素子4は、湾曲した中空部1aの内底形状に拘ら
ず、反りを生じることなく支えられることとなり、半導
体素子4はマウント材3が加熱硬化する前の形状に保持
され、素子4の反りによる電気的特性の変動を阻止する
ことができる。本実施形態1の場合、実験の結果、半導
体素子4の反り量を1/3に抑えることができた。
2を示す断面図である。
子搭載部は、マウント材3が充填される凹陥部1bと、
凹陥部1bの開口縁に、半導体素子4を点で支える突起
部1cを有している。また突起部1cには金属製のダイ
パッド2Aが形成されている。半導体素子4は両端が突
起部1cに搭載され、凹陥部1bに塗布されたマウント
材3により固着される。
は、従来例のようにダイパッド2の面で固定されるので
はなく、突起部1cにより点で固定され、さらに加熱に
より硬化収縮を起こさないゴム状物質をマウント材3と
して使用することにより、素子4に与えるダメージを更
に低減して素子4の反りを防止する。本実施例2によれ
ば、素子の反り量を1/4以下にすることができた。
ウント材の中央部と端部での硬化収縮率をほぼ等しく揃
えることにより、半導体素子の反りを防止することがで
き、反りにより半導体素子の電気的特性の変動を極力抑
えることができる。
Claims (3)
- 【請求項1】 ケースの素子搭載部に、塗布,加熱硬化
されたマウント材により、半導体素子の裏面を接着して
なる半導体装置において、前記半導体素子は1次元CC
D素子であり、前記マウント材は、付加重合型のシリコ
ンゴムからなるものであることを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項2】 前記ケースは、金属製ダイパッドを一体
化して成形されたプラスチックケースであり、素子搭載
部の前記ダイパッドに、前記半導体素子が前記マウント
材により接着されたものであることを特徴とする請求項
1に記載の半導体装置。 - 【請求項3】 前記ケースの素子搭載部は、前記マウン
ト材が充填される凹陥部を有し、かつ凹陥部の開口縁
に、前記半導体素子を支える突起部を有することを特徴
とする請求項1に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP8070344A JP3008845B2 (ja) | 1996-03-26 | 1996-03-26 | 半導体装置 |
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Publications (2)
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JPH09260407A JPH09260407A (ja) | 1997-10-03 |
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Family
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Family Applications (1)
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102172637A (zh) * | 2010-12-17 | 2011-09-07 | 中冶南方工程技术有限公司 | 基于测厚仪分段监控的高精度自动厚度控制方法及其设备 |
KR101859829B1 (ko) * | 2016-08-09 | 2018-05-18 | 김종현 | 손잡이 삽입식 더블 클립 |
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-
1996
- 1996-03-26 JP JP8070344A patent/JP3008845B2/ja not_active Expired - Fee Related
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CN102172637B (zh) * | 2010-12-17 | 2013-11-20 | 中冶南方工程技术有限公司 | 基于测厚仪分段监控的高精度自动厚度控制方法及其设备 |
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