JP3054276B2 - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- H01L2224/4912—Layout
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はリード本数が多いリー
ドフレームを樹脂で一体成形した光半導体装置に関する
ものである。
ドフレームを樹脂で一体成形した光半導体装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】光半導体装置は、コンパクトディスクプ
レーヤのピックアップやカメラのオートフォーカスな
ど、各種の光情報機器の受光部に使用されている。近年
では、半導体素子の集積度の向上に伴い、外囲器のリー
ド本数が増加しつつある。図６に従来の光半導体装置の
平面図を示し、図７に同じく断面図を示す。これらの図
において、１は表面に光電変換部を有する半導体素子で
ある。２はリードフレームである。３Ａはリードフレー
ム２の素子載置部であり、半導体素子１を載置する。３
Ｂはリードフレーム２のワイヤボンディング部であり、
半導体素子１の表面のパッドにボンディングワイヤ６を
介して接続される。３Ｃは外部リード線が接続される外
部リード部である。４は光透過性樹脂からなる外囲器で
ある。
レーヤのピックアップやカメラのオートフォーカスな
ど、各種の光情報機器の受光部に使用されている。近年
では、半導体素子の集積度の向上に伴い、外囲器のリー
ド本数が増加しつつある。図６に従来の光半導体装置の
平面図を示し、図７に同じく断面図を示す。これらの図
において、１は表面に光電変換部を有する半導体素子で
ある。２はリードフレームである。３Ａはリードフレー
ム２の素子載置部であり、半導体素子１を載置する。３
Ｂはリードフレーム２のワイヤボンディング部であり、
半導体素子１の表面のパッドにボンディングワイヤ６を
介して接続される。３Ｃは外部リード線が接続される外
部リード部である。４は光透過性樹脂からなる外囲器で
ある。
【０００３】以上のような構成の従来の光半導体装置
は、半導体素子１をリードフレーム２の素子載置部３に
設置し、半導体素子１の表面のパッドとリードフレーム
２のワイヤボンディング部２Ｂとの間をボンディングワ
イヤ６で接続し、その後光透過性樹脂をリードフレーム
２および半導体素子１とともに一体成形することによ
り、光透過性外囲器４でリードフレーム２の素子載置部
３Ａおよびワイヤボンディング部３Ｂならびに半導体素
子１の全面を包囲する構造を採用していた。
は、半導体素子１をリードフレーム２の素子載置部３に
設置し、半導体素子１の表面のパッドとリードフレーム
２のワイヤボンディング部２Ｂとの間をボンディングワ
イヤ６で接続し、その後光透過性樹脂をリードフレーム
２および半導体素子１とともに一体成形することによ
り、光透過性外囲器４でリードフレーム２の素子載置部
３Ａおよびワイヤボンディング部３Ｂならびに半導体素
子１の全面を包囲する構造を採用していた。
【０００４】この構造では、光電変換部を有する半導体
素子１とリードフレーム２の樹脂成型が一つの樹脂によ
り成されるため、成形用樹脂として光透過性樹脂を用い
る必要があった。
素子１とリードフレーム２の樹脂成型が一つの樹脂によ
り成されるため、成形用樹脂として光透過性樹脂を用い
る必要があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来例では、リード本
数が多い大型のリードフレームを樹脂成型する場合、樹
脂むらや気泡などが発生しやすく、光透過特性が悪化す
ることが問題であった。また、光透過性樹脂の特性上、
リードフレーム２と光透過性樹脂からなる光透過性外囲
器４との間の密着性が不十分であるため、リード本数や
リードピッチが制約され、リード本数が多い外囲器には
不適であった。
数が多い大型のリードフレームを樹脂成型する場合、樹
脂むらや気泡などが発生しやすく、光透過特性が悪化す
ることが問題であった。また、光透過性樹脂の特性上、
リードフレーム２と光透過性樹脂からなる光透過性外囲
器４との間の密着性が不十分であるため、リード本数や
リードピッチが制約され、リード本数が多い外囲器には
不適であった。
【０００６】また、上記に示した従来の光半導体装置で
は、光透過性樹脂の成型性が良好でないため、外観検査
による選別が必要となることや、密着性改善のためリー
ドフレーム３の周辺に別の樹脂成形が必要となることな
ど、価格や実装性に問題があった。したがって、この発
明の目的は、リードフレームと成型樹脂からなる外囲器
との間の密着性を良好とすることができ、半導体素子の
光電変換部への光の入射を妨げることがない光半導体装
置を提供することである。
は、光透過性樹脂の成型性が良好でないため、外観検査
による選別が必要となることや、密着性改善のためリー
ドフレーム３の周辺に別の樹脂成形が必要となることな
ど、価格や実装性に問題があった。したがって、この発
明の目的は、リードフレームと成型樹脂からなる外囲器
との間の密着性を良好とすることができ、半導体素子の
光電変換部への光の入射を妨げることがない光半導体装
置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の光半導体装置
は、樹脂からなる筒型の外囲器と、素子載置部とワイヤ
ボンディング部と外部リード部とからなるリードフレー
ムと、表面に光電変換部を有する半導体素子とを備えた
光半導体装置であって、リードフレームは、載置部とワ
イヤボンディング部とを筒型の外囲器の内側にして、外
部リードを筒型の外囲器の外側にして外囲器を貫通して
設けられており、半導体素子は、光電変換部を設けた表
面を素子載置部と反対側にして素子載置部上に搭載さ
れ、半導体素子の表面上には空間が設けられ、半導体素
子とワイヤボンディング部とは、外囲器内部でワイヤボ
ンディングを行っていることを特徴とする。
は、樹脂からなる筒型の外囲器と、素子載置部とワイヤ
ボンディング部と外部リード部とからなるリードフレー
ムと、表面に光電変換部を有する半導体素子とを備えた
光半導体装置であって、リードフレームは、載置部とワ
イヤボンディング部とを筒型の外囲器の内側にして、外
部リードを筒型の外囲器の外側にして外囲器を貫通して
設けられており、半導体素子は、光電変換部を設けた表
面を素子載置部と反対側にして素子載置部上に搭載さ
れ、半導体素子の表面上には空間が設けられ、半導体素
子とワイヤボンディング部とは、外囲器内部でワイヤボ
ンディングを行っていることを特徴とする。
【０００８】
【０００９】
【作用】本発明の構成によれば、リードフレームの素子
載置部およびワイヤボンディング部の上方を開放した状
態にリードフレームと外囲器とを一体成型し、半導体素
子の表面上に空間を設けているので、外囲器を構成する
樹脂として透明のものを使用することが不要となり、リ
ードフレームに対する接着性が良好なものを使用するこ
とができる。この結果、リード本数の多い外囲器の場合
でも、半導体素子の光電変換部の上方において樹脂むら
や気泡など樹脂成型上の問題がなく、リードフレームと
樹脂との密着性を向上させることができる。また、リー
ドフレームのワイヤボンディング部の下面が露出し、リ
ードフレーム支持台上にワイヤボンディング部を固定で
きるため、安定なワイヤボンディングが可能となる。ま
た、リードフレームは樹脂からなる外囲器を貫通させて
いるため、リードフレームは貫通した部分で外囲器に固
定されることになるため、外囲器から剥離することはな
く、機械的強度を十分に確保できる。
載置部およびワイヤボンディング部の上方を開放した状
態にリードフレームと外囲器とを一体成型し、半導体素
子の表面上に空間を設けているので、外囲器を構成する
樹脂として透明のものを使用することが不要となり、リ
ードフレームに対する接着性が良好なものを使用するこ
とができる。この結果、リード本数の多い外囲器の場合
でも、半導体素子の光電変換部の上方において樹脂むら
や気泡など樹脂成型上の問題がなく、リードフレームと
樹脂との密着性を向上させることができる。また、リー
ドフレームのワイヤボンディング部の下面が露出し、リ
ードフレーム支持台上にワイヤボンディング部を固定で
きるため、安定なワイヤボンディングが可能となる。ま
た、リードフレームは樹脂からなる外囲器を貫通させて
いるため、リードフレームは貫通した部分で外囲器に固
定されることになるため、外囲器から剥離することはな
く、機械的強度を十分に確保できる。
【００１０】
【００１１】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面を参照しなが
ら説明する。 〔第１の実施例〕図１にこの発明の第１の実施例の光半
導体装置の平面図を示し、図２に同じく断面図を示す。
これらの図において、１は表面に光電変換部を有する半
導体素子である。２はリードフレームである。３Ａはリ
ードフレーム２の素子載置部であり、半導体素子１を載
置固定する。３Ｂはリードフレーム２のワイヤボンディ
ング部であり、半導体素子１の表面のパッドにボンディ
ングワイヤ６を介して接続される。３Ｃは外部リード線
が接続される外部リード部である。
ら説明する。 〔第１の実施例〕図１にこの発明の第１の実施例の光半
導体装置の平面図を示し、図２に同じく断面図を示す。
これらの図において、１は表面に光電変換部を有する半
導体素子である。２はリードフレームである。３Ａはリ
ードフレーム２の素子載置部であり、半導体素子１を載
置固定する。３Ｂはリードフレーム２のワイヤボンディ
ング部であり、半導体素子１の表面のパッドにボンディ
ングワイヤ６を介して接続される。３Ｃは外部リード線
が接続される外部リード部である。
【００１２】５はリードフレーム２の素子載置部３Ａお
よびワイヤボンディング部３Ｂの周囲を半導体素子１の
高さより高い位置まで包囲しかつリードフレーム２の素
子載置部３Ａおよびワイヤボンディング部３Ｂの上方お
よび下方を開放した状態にリードフレーム２と一体成型
した熱可塑性樹脂からなる外囲器である。７はリードフ
レーム２の素子載置部３Ａおよびワイヤボンディング部
３Ｂの上方に設けられた空間であり、この空間７を通し
て半導体素子１が素子載置部３Ａに載置固定され、半導
体素子１とワイヤボンディング部３Ｂとの間のワイヤボ
ンディングが行われる。８は素子載置部３Ａおよびワイ
ヤボンディング部３Ｂの下方に設けられた空間であり、
この空間８に素子載置部３Ａおよびワイヤボンディング
部３Ｂを支持する支持台が挿入される。
よびワイヤボンディング部３Ｂの周囲を半導体素子１の
高さより高い位置まで包囲しかつリードフレーム２の素
子載置部３Ａおよびワイヤボンディング部３Ｂの上方お
よび下方を開放した状態にリードフレーム２と一体成型
した熱可塑性樹脂からなる外囲器である。７はリードフ
レーム２の素子載置部３Ａおよびワイヤボンディング部
３Ｂの上方に設けられた空間であり、この空間７を通し
て半導体素子１が素子載置部３Ａに載置固定され、半導
体素子１とワイヤボンディング部３Ｂとの間のワイヤボ
ンディングが行われる。８は素子載置部３Ａおよびワイ
ヤボンディング部３Ｂの下方に設けられた空間であり、
この空間８に素子載置部３Ａおよびワイヤボンディング
部３Ｂを支持する支持台が挿入される。
【００１３】この光半導体装置は、リードフレーム２へ
の半導体素子１の取付前に、外囲器５を一体成型し、支
持台によって、リードフレーム２の素子載置部３Ａおよ
びワイヤボンディング部３Ｂを支持した状態で、半導体
素子１の取付およびボンディングワイヤ６の接続作業を
行う。上記の構成では、光電変換部を有する半導体素子
１の上方には樹脂のない空間７が形成され、半導体素子
１の光電変換部上において樹脂むらや気泡など樹脂成型
不良の問題が発生しない構造となり、半導体素子の光電
変換部への光の入射を妨げることがない。またこのた
め、外囲器５を形成する樹脂としては、リードフレーム
２との密着性の良好なものを選択することが可能とな
り、リードフレームと成型樹脂からなる外囲器との間の
密着性を良好とすることができる。
の半導体素子１の取付前に、外囲器５を一体成型し、支
持台によって、リードフレーム２の素子載置部３Ａおよ
びワイヤボンディング部３Ｂを支持した状態で、半導体
素子１の取付およびボンディングワイヤ６の接続作業を
行う。上記の構成では、光電変換部を有する半導体素子
１の上方には樹脂のない空間７が形成され、半導体素子
１の光電変換部上において樹脂むらや気泡など樹脂成型
不良の問題が発生しない構造となり、半導体素子の光電
変換部への光の入射を妨げることがない。またこのた
め、外囲器５を形成する樹脂としては、リードフレーム
２との密着性の良好なものを選択することが可能とな
り、リードフレームと成型樹脂からなる外囲器との間の
密着性を良好とすることができる。
【００１４】また、リードフレーム２の素子載置部３Ａ
の下面およびワイヤボンディング部３Ｂの下面は樹脂が
被覆されず、リードフレーム２の表面が露出した構造と
なっているので、リードフレーム２の下面を、直接リー
ドフレーム支持台（図示せず）に固定してワイヤボンデ
ィングすることができ、リードフレーム支持台からの熱
伝導性が良好で、しかもボンディング時のワイヤ圧着強
度が高く、安定した条件で確実なワイヤボンディングを
行うことが可能となる。
の下面およびワイヤボンディング部３Ｂの下面は樹脂が
被覆されず、リードフレーム２の表面が露出した構造と
なっているので、リードフレーム２の下面を、直接リー
ドフレーム支持台（図示せず）に固定してワイヤボンデ
ィングすることができ、リードフレーム支持台からの熱
伝導性が良好で、しかもボンディング時のワイヤ圧着強
度が高く、安定した条件で確実なワイヤボンディングを
行うことが可能となる。
【００１５】〔第２の実施例〕図３にこの発明の第２の
実施例の光半導体装置の平面図を示し、図４に同じく断
面図を示す。これらの図において、図１および図２と同
じ部分については同一番号を付し、説明を省略する。同
図に示す実施例の特徴は、リードフレーム２の素子載置
部３Ａおよびワイヤボンディング部３Ｂの下面が各々独
立して露出するように空間８を仕切ったもの、つまりリ
ードフレーム面まで貫く貫通孔８Ａ，８Ｂを素子載置部
３Ａおよびワイヤボンディング部３Ｂについて個別に形
成したことである。
実施例の光半導体装置の平面図を示し、図４に同じく断
面図を示す。これらの図において、図１および図２と同
じ部分については同一番号を付し、説明を省略する。同
図に示す実施例の特徴は、リードフレーム２の素子載置
部３Ａおよびワイヤボンディング部３Ｂの下面が各々独
立して露出するように空間８を仕切ったもの、つまりリ
ードフレーム面まで貫く貫通孔８Ａ，８Ｂを素子載置部
３Ａおよびワイヤボンディング部３Ｂについて個別に形
成したことである。
【００１６】この例では、半導体素子１とリードフレー
ム２のワイヤボンディング部３Ｂとをワイヤボンディン
グするとき、各々の貫通孔８Ｂを貫きリードフレーム２
のワイヤボンディング部３Ｂの下面に達する形状の支持
台を用いることで、リードフレーム２のワイヤボンディ
ング部３Ｂの下面を支持台に固定することができる。こ
の実施例では、外囲器５の機械的強度を高めることがで
きる。その他の効果は前記第１の実施例と同様である。
ム２のワイヤボンディング部３Ｂとをワイヤボンディン
グするとき、各々の貫通孔８Ｂを貫きリードフレーム２
のワイヤボンディング部３Ｂの下面に達する形状の支持
台を用いることで、リードフレーム２のワイヤボンディ
ング部３Ｂの下面を支持台に固定することができる。こ
の実施例では、外囲器５の機械的強度を高めることがで
きる。その他の効果は前記第１の実施例と同様である。
【００１７】
【００１８】〔第３の実施の形態〕 図５にこの発明の第３の実施例の光半導体装置の断面図
を示す。この図において、図２と同じ部分については同
一番号を付し、説明を省略する。同図に示す実施例の特
徴は、半導体素子１より高い外囲器５の上端に、半導体
素子１の光電変換部より大きい形状の貫通孔９を有する
板体１０を、貫通孔９が半導体素子１の光電変換部の真
上に位置する状態に設けたことである。
を示す。この図において、図２と同じ部分については同
一番号を付し、説明を省略する。同図に示す実施例の特
徴は、半導体素子１より高い外囲器５の上端に、半導体
素子１の光電変換部より大きい形状の貫通孔９を有する
板体１０を、貫通孔９が半導体素子１の光電変換部の真
上に位置する状態に設けたことである。
【００１９】この実施例では、半導体素子１の光電変換
部の真上が貫通孔９となり、半導体素子１およびボンデ
ィングワイヤ６の保護を図り、かつ半導体素子１の光電
変換部に光を入射させることができる。その他の効果は
第１の実施例と同様である。
部の真上が貫通孔９となり、半導体素子１およびボンデ
ィングワイヤ６の保護を図り、かつ半導体素子１の光電
変換部に光を入射させることができる。その他の効果は
第１の実施例と同様である。
【００２０】
【発明の効果】この発明の光半導体装置によれば、載置
される半導体素子の光電変換部の上方に開いた空間が形
成されるとともに、リードフレームの素子載置部および
ワイヤボンディング部の下方に開いた空間が形成される
状態に半導体素子より高い外囲器が樹脂でリードフレー
ムと一体成型されることになり、半導体素子の光電変換
部の上方において樹脂むらや気泡の問題がなく、外囲器
を構成する樹脂としては透光性は要求されず、リードフ
レームとの接着性の良好なものを選択することが可能
で、高密度のリードフレームを有する光半導体装置を提
供できる。また、リードフレームは樹脂からなる外囲器
を貫通させているため、リードフレームは貫通した部分
で外囲器に固定されることになるため、外囲器から剥離
することはなく、機械的強度を十分に確保できる。
される半導体素子の光電変換部の上方に開いた空間が形
成されるとともに、リードフレームの素子載置部および
ワイヤボンディング部の下方に開いた空間が形成される
状態に半導体素子より高い外囲器が樹脂でリードフレー
ムと一体成型されることになり、半導体素子の光電変換
部の上方において樹脂むらや気泡の問題がなく、外囲器
を構成する樹脂としては透光性は要求されず、リードフ
レームとの接着性の良好なものを選択することが可能
で、高密度のリードフレームを有する光半導体装置を提
供できる。また、リードフレームは樹脂からなる外囲器
を貫通させているため、リードフレームは貫通した部分
で外囲器に固定されることになるため、外囲器から剥離
することはなく、機械的強度を十分に確保できる。
【００２１】
【図１】この発明の第１の実施例の光半導体装置を示す
平面図である。
平面図である。
【図２】同じくこの発明の第１の実施例の光半導体装置
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図３】この発明の第２の実施例の光半導体装置を示す
平面図である。
平面図である。
【図４】同じくこの発明の第４の実施例の光半導体装置
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図５】この発明の第３の実施例の光半導体装置を示す
断面図である。
断面図である。
【図６】従来の光半導体装置を示す平面図である。
【図７】従来の光半導体装置を示す断面図である。
１ 半導体素子 ２ リードフレーム ３Ａ 素子載置部 ３Ｂ ワイヤボンディング部 ３Ｃ 外部リード部 ５ 外囲器 ６ ボンディングワイヤ ７ 空間 ８ 空間 ９ 貫通孔 １０ 板材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−102359（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−5553（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−187350（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭63−193853（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/50 H01L 23/28 H01L 31/02
Claims (1)
- 【請求項１】 樹脂からなる筒型の外囲器と、素子載置
部とワイヤボンディング部と外部リード部とからなるリ
ードフレームと、表面に光電変換部を有する半導体素子
とを備えた光半導体装置であって、 前記リードフレームは、前記載置部と前記ワイヤボンデ
ィング部とを前記筒型の外囲器の内側にして、前記外部
リードを前記筒型の外囲器の外側にして前記外囲器を貫
通して設けられており、 前記半導体素子は、前記光電変換部を設けた前記表面を
前記素子載置部と反対側にして前記素子載置部上に搭載
され、前記半導体素子の前記表面上には空間が設けられ、 前記半導体素子と前記ワイヤボンディング部とは、前記
外囲器内部でワイヤボンディングを行っていることを特
徴とする光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4294981A JP3054276B2 (ja) | 1992-11-04 | 1992-11-04 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4294981A JP3054276B2 (ja) | 1992-11-04 | 1992-11-04 | 光半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06151679A JPH06151679A (ja) | 1994-05-31 |
| JP3054276B2 true JP3054276B2 (ja) | 2000-06-19 |
Family
ID=17814810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4294981A Expired - Fee Related JP3054276B2 (ja) | 1992-11-04 | 1992-11-04 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3054276B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2012047527A (ja) * | 2010-08-25 | 2012-03-08 | Denso Corp | 物理量センサ装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-11-04 JP JP4294981A patent/JP3054276B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| JPH06151679A (ja) | 1994-05-31 |
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