JP3008449B2

JP3008449B2 - 光磁気ディスク

Info

Publication number: JP3008449B2
Application number: JP2169754A
Authority: JP
Inventors: 洋介高橋; 憲昭大島; 康彦志田
Original assignee: Tosoh Corp
Current assignee: Tosoh Corp
Priority date: 1990-06-29
Filing date: 1990-06-29
Publication date: 2000-02-14
Anticipated expiration: 2015-02-14
Also published as: JPH0461042A

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は光磁気ディスクに関するものであり、さらに
詳しくは表面が優れた帯電防止能及び耐擦傷性を有する
光磁気ディスクに関する。

［従来の技術］一般に光磁気ディスクは基板上に光磁気記録膜を配置
してなり、この光磁気記録膜にレーザー光を照射するこ
とにより記録の書込みあるいは読み出しが行なわれる。
従って、これら光磁気ディスクの表面の帯電により光磁
気ディスクの表面に塵埃が付着した場合、レーザー光の
光磁気記録膜への照射が塵埃により妨げられるため、記
録の書込みエラーあるいは読み出しエラーが発生する。
また、光磁気ディスクの表面に塵埃が付着した場合には
塵埃を除去するためにディスク表面を布などで拭く必要
がある。そこで、光磁気ディスクの表面は帯電防止能に
優れ、耐擦傷性を有することが要求される。

しかしながら、従来の光磁気ディスクはその表面が帯
電防止能に劣り、耐擦傷性にも劣るため、表面に塵埃が
付着し易く、また付着した塵埃を布などで拭き取ると表
面に傷がついてしまうという欠点があった。

［発明が解決しようとする課題］本発明は上記状況に鑑みなされたものであり、その目
的とするところは表面が優れた帯電防止能及び耐擦傷性
を有する光磁気ディスクを提供することにある。

［課題を解決するための手段］本発明者らは上記の課題を解決するために鋭意検討を
行った。その結果、光磁気ディスクの表面に樹脂保護コ
ート層を被覆し、該保護コート層を二層構造とすること
により光磁気ディスクの表面に帯電防止能と耐擦傷性の
付与を両立させ得ることを見い出し本発明を完成するに
至った。すなわち本発明は、基板上に光磁気記録膜を配
置してなる光磁気ディスクにおいて、表面が二層の樹脂
保護コート層により被覆されることを特徴とする光磁気
ディスクである。以下、本発明を詳細に説明する。

本発明の光磁気ディスクの構造の一例を第１図に示
す。第１図に部分断面図として示す光磁気ディスクは、
基板３上に希土類元素−遷移元素合金、MnBi合金などか
ら構成される光磁気記録膜を、透光性の無機化合物など
により構成される保護膜で挟持した光磁気記録層４とし
て配置してなる。また、光磁気ディスクの表面は樹脂保
護コート層により被覆されており、該保護コート層は第
１の樹脂保護コート層１及び第２の樹脂保護コート層２
の二層により構成されている。本発明の光磁気ディスク
は上記の二層の樹脂保護コート層を具備することによ
り、優れた帯電防止能及び耐擦傷性が付与される。特
に、一般に用いられる樹脂保護コート層は帯電防止能及
び耐擦傷性を併せもたないことが多いので、この二層の
樹脂保護コート層は帯電防止能を有する樹脂保護コート
層と耐擦傷性を有する樹脂保護コート層から形成するこ
とにより光磁気ディスクの表面に効果的に帯電防止能及
び耐擦傷性を付与することができるので好ましい。すな
わち、光磁気ディスクの表面に、耐擦傷性を与えるため
には高硬度の保護コート層を設け、帯電防止能を与える
ためには表面電気抵抗値の低い保護コート層を設けるこ
とにより達成でき、このことから本発明の光磁気ディス
クにおける樹脂保護コート層は高硬度の樹脂保護コート
層及び表面電気抵抗値の低い樹脂保護コート層から形成
することが好ましい。また、このとき第１の保護コート
層１の硬度が表面鉛筆硬度でＦ〜3H程度であり、第２の
保護コート層２の表面電気抵抗値が１×10⁸〜１×10¹³
Ω/cm²程度であれば、光磁気ディスク表面の硬度はHB以
上の鉛筆硬度となり、また表面電気抵抗値は第２の保護
コート層２の有する値程度となり、これにより充分な帯
電防止能及び耐擦傷性を光磁気ディスク表面に付与する
ことができる。

なお、このような樹脂保護コート層の材料は特に限定
されないが、樹脂保護コート層の形成過程において加熱
する工程が含まれる場合、該加熱が光磁気ディスクを構
成する光磁気記録膜あるいは他の層に悪影響を及ぼすこ
とがあるので、紫外線や電子線などの活性エネルギーを
照射することにより硬化する樹脂材料とすることが好ま
しい。更に前述の硬度あるいは表面抵抗値なども考慮し
て材料が適宜選択されるが、このような材料としては例
えば（メタ）アクリル酸エステル誘導体などを挙げるこ
とができ、更に具体的には高硬度の保護コート層の材料
としては例えばペンタエリスリトールトリ（メタ）アク
リレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリ
レート、ペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレ
ートあるいはトリメチルプロパントリ（メタ）アクリレ
ートなどを、表面電気抵抗値の低い保護コート層の材料
としては例えばポリオキシエチレングリコール（メタ）
アクリレートあるいはポリオキシエチレングリコールジ
（メタ）アクリレートなどを挙げることができる。更
に、上記樹脂保護コート層の厚みは用いる材料の光透過
率あるいは硬度や表面抵抗値などを考慮して適宜選択す
ることができる。

また、本発明の光磁気ディスクにおける樹脂保護コー
ト層は例えばはじめに第１の樹脂保護コート層１を形成
する材料をスピンコート法などの手法により塗布し、こ
れを活性エネルギーを照射して硬化した後、この上に第
２の樹脂保護コート層２を形成する材料をスピンコート
法などの手法により塗布し、硬化させることになどによ
り形成することができるが、特に限定されない。

以上述べたとおり、本発明の光磁気ディスクは、その
表面が樹脂保護コート層により被覆されるものである
が、本発明において光磁気ディスクの表面とは記録の書
込みあるいは読み出しの際に光磁気ディスクに照射する
レーザー光及びはそのレーザー光の光磁気ディスクから
の戻り光が通過する面を示す。よって、第１図に示す構
造の光磁気ディスクが、レーザー光を基板３を通過させ
て光磁気記録膜に照射し、レーザー光の戻り光を再び基
板３を通過させることにより記録の書込みあるいは読み
出しを行なうものである場合、二層の樹脂保護コート層
は少なくとも基板３の表面に形成すればよい。更に、本
発明の光磁気ディスクは第１図に示すものの他にも第２
図あるいは第３図に示す構造の光磁気ディスクなども例
示することができる。ここで、第２図に示すものは光磁
気記録層４及び反射層６を配置した基板３を接着層５を
介して貼り合わせてなり、これはレーザー光を両基板３
を通過させて光磁気記録膜に照射させるものであること
から、二層の樹脂保護コート層は両基板３の表面に形成
される。また、第３図に示すものは基板３に光磁気記録
層４及び反射層６を配置してなる光磁気ディスクであ
り、レーザー光を基板３を通過させて光磁気記録膜に照
射するものである。この場合も少なくともレーザー光が
通過する面である基板３の表面に二層の樹脂保護コート
層が形成される。

［実施例］以下、実施例により本研究をさらに詳細に説明する
が、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものでは
ない。

調製例１高硬度の樹脂保護コート層を形成するための材料とし
て、ペンタエリスリトールトリアクリレート及び1,6−
ヘキサンジオールジアクリレートをそれぞれ850gおよび
150gを混合し、更にこれに１−ヒドロキシシクロヘキシ
ルフェニルケトンを10g添加してなる紫外線重合性コー
ト剤を調製し、これをコート剤Ａとした。

調製例２低表面電気抵抗値を示す樹脂保護コート層を形成する
ための材料として、ペンタエリスリトールトリアクリレ
ートおよびノナエチレングリコールジアクリレートをそ
れぞれ400gおよび600gを混合したものに１−ヒドロキシ
シクロヘキシルフェニルケトンを10g添加してなる紫外
線重合性コート剤を調製し、これをコート剤Ｂとした。

調製例３高硬度の樹脂保護コート層を形成するための材料とし
て、トリメチルプロパントリアクリレート100gに１−ヒ
ドロキシシクロヘキシルフェニルケトン10gを添加して
なる紫外線重合性コート剤を調製し、これをコート剤Ｃ
とした。

調製例４低表面電気抵抗値を示す樹脂保護コート層を形成する
ための材料として、ノナエチレングリコールジアクリレ
ート100gに１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケト
ン10gを添加してなる紫外線重合性コート剤を調製し、
これをコート剤Ｄとした。

実施例１第１図に示す光磁気ディスクを作製した。はじめにポ
リカーボネートからなる基板３の上に、珪素窒化物から
なる保護膜、TbFeCoからなる光磁気記録膜、珪素窒化物
からなる保護膜を積層してなる光磁気記録層４を配置し
た。次に基板３の光磁気記録層を配置した側と反対側に
コート剤Ａを3000回転で7.5秒間スピンコートし、これ
を窒素雰囲気下で20秒間紫外線により露光硬化すること
により第１の樹脂保護コート層１を厚さ9.8μｍ形成し
た。この露光のときの紫外線の積算照射線量は1500mJ/c
m²であった。次いで、この上にコート剤Ｂを3000回転で
5.5秒間スピンコートし、第一層目と同様の条件で紫外
線重合し、厚さ9.5μｍの第２の樹脂保護コート層２を
形成した。更に、前記光磁気記録層４の上にも同様に第
１の樹脂保護コート層１及び第２の樹脂保護コート層２
を形成し、光磁気ディスクを作製した。

このようにして二層の樹脂保護コート層を形成した光
磁気ディスクの表面の鉛筆硬度および表面電気抵抗値を
測定した。結果を表１に示す。なお、鉛筆硬度の測定は
JIS Ｋ−6911に従って行ない、表面電気抵抗値の測定
は表面電気抵抗値測定装置（川口電機社製 TERAOHMMET
ER R−530）を用い、印加電圧を500Vとして測定した。

実施例２コート剤Ｂを、これを4500回転で20秒間スピンコート
し、実施例１と同様にして紫外線重合し厚さ3.2μｍの
第２の樹脂保護コート層２を形成した以外は実施例１と
同様の方法で第１図に示す光磁気ディスクを作製した。
このようにして表面保護コート層を形成した光磁気ディ
スクの表面の鉛筆硬度および表面電気抵抗値を測定した
結果を表１に示す。

実施例３ポリカーボネート製光磁気ディスク基板に、コート剤
Ｃを4000回転で5.5秒間スピンコートし、実施例１と同
様にして厚み10.2μｍの第１の樹脂保護コート層１を形
成した。更にこの上にコート剤Ｄを3000回転で５秒間ス
ピンコートし、同様にして重合し、厚さ5.5μｍの第２
の樹脂保護コート層２を形成した。

このようにして樹脂保護コート層を形成した光磁気デ
ィスクの表面の鉛筆硬度および表面電気抵抗値を測定し
た。結果を表１に示す。

比較例１樹脂保護コート層をコート剤Ａを用いて一層のみ形成
した以外は実施例１と同様に光磁気ディスクを作製し
た。得られた光磁気ディスクの表面の鉛筆硬度および表
面電気抵抗値を測定した。結果を表１に示す。

比較例２樹脂保護コート層をコート剤Ｂを用いて一層のみ形成
した以外は実施例１と同様に光磁気ディスクを作製し
た。得られた光磁気ディスクの表面の鉛筆硬度および表
面電気抵抗値を測定した。結果を表１に示す。

比較例３樹脂保護コート層をコート剤Ｃを用いて一層のみ形成
した以外は実施例３と同様に光磁気ディスクを作製し
た。得られた光磁気ディスクの表面の鉛筆硬度および表
面電気抵抗値を測定した。結果を表１に示す。

比較例４樹脂保護コート層をコート剤Ｄを用いて一層のみ形成
した以外は実施例３と同様に光磁気ディスクを作製し
た。得られた光磁気ディスクの表面の鉛筆硬度および表
面電気抵抗値を測定した。結果を表１に示す。

［発明の効果］以上述べたとおり、本発明の光磁気ディスクはその表
面が帯電防止能及び耐擦傷性に優れたものである。従っ
て、本発明の光磁気ディスクは塵埃が付着しにくいもの
となり、また本発明の光磁気ディスクの表面に塵埃が付
着した場合、これを布などで拭いても表面に傷がつきに
くいものである。

【図面の簡単な説明】第１図〜第３図は本発明の光磁気ディスクの構造の一例
を示す部分断面図である。図中、１……第１の樹脂保護コート層２……第２の樹脂保護コート層３……基板、４……光磁気記録層５……接着層、６……反射層を各々示す。

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 11/10 G11B 7/24

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基板の一方の面上に光磁気記録膜を配置し
てなる光磁気ディスクにおいて、前記一方の面とは反対
側の基板の表面が、アクリル酸エステル誘導体を主成分
とする紫外線硬化樹脂の硬化物からなり、表面鉛筆硬度
がＦ〜3Hである第１の樹脂保護コート層と、アクリル酸
エステル誘導体を主成分とする紫外線硬化樹脂の硬化物
からなり、表面電気抵抗値が１×10⁸〜１×10¹³Ω/cm²
である第２の樹脂保護コート層とを、前記基板側からこ
の順に積層してなる二層の樹脂保護コート層により被覆
されていることを特徴とする光磁気ディスク。
【請求項２】二層の樹脂保護コート層により被覆された
基板の表面が、鉛筆硬度HB以上かつ表面電気抵抗2.5×1
0¹²Ω/cm²以下であることを特徴とする請求項１記載の
光磁気ディスク。