JP3006870B2 - 含フッ素芳香族ポリアミド、その誘導体及びその製法並びに用途 - Google Patents
含フッ素芳香族ポリアミド、その誘導体及びその製法並びに用途Info
- Publication number
- JP3006870B2 JP3006870B2 JP2295442A JP29544290A JP3006870B2 JP 3006870 B2 JP3006870 B2 JP 3006870B2 JP 2295442 A JP2295442 A JP 2295442A JP 29544290 A JP29544290 A JP 29544290A JP 3006870 B2 JP3006870 B2 JP 3006870B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aromatic polyamide
- solution
- polyamide
- varnish
- fluorine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、新規なフッ素を含有する芳香族ポリアミド
の製造方法、該ポリアミドを用いたポジ型感光性組成物
ワニスに関する。
の製造方法、該ポリアミドを用いたポジ型感光性組成物
ワニスに関する。
半導体等の電子材料に用いられる保護膜や絶縁膜に適
したポリマーが、従来より盛んに研究されている。
したポリマーが、従来より盛んに研究されている。
優れた耐熱性と電気特性を有するポリベンズオキサゾ
ール系樹脂もその成果の１つであり、例えば近年特開昭
63−96162号公報に開示されている高温ポジ型フォトレ
ジスト組成物に用いられるポリベンズオキサゾールの前
駆物質としての新規なポリアミドが開発されている。該
ポリアミドは典型的にはヘキサフルオロ−2,2−ビス
（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）プロパンを二
塩基性酸クロリドと二塩基性酸クロリドの混合物と縮合
させたものであるが、以下に説明する本発明の含フッ素
芳香族ポリアミドに最も関係の深い物質ということがで
きる。
ール系樹脂もその成果の１つであり、例えば近年特開昭
63−96162号公報に開示されている高温ポジ型フォトレ
ジスト組成物に用いられるポリベンズオキサゾールの前
駆物質としての新規なポリアミドが開発されている。該
ポリアミドは典型的にはヘキサフルオロ−2,2−ビス
（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）プロパンを二
塩基性酸クロリドと二塩基性酸クロリドの混合物と縮合
させたものであるが、以下に説明する本発明の含フッ素
芳香族ポリアミドに最も関係の深い物質ということがで
きる。
しかし、上記特開に開示されているポリアミドでは半
導体等のデバイスの層間絶縁膜、パッシベーション膜、
バッファコート膜、或いは、多層配線基板の絶縁膜等に
利用する際に強く要求されている耐熱性が充分でなく、
改良が望まれていた。
導体等のデバイスの層間絶縁膜、パッシベーション膜、
バッファコート膜、或いは、多層配線基板の絶縁膜等に
利用する際に強く要求されている耐熱性が充分でなく、
改良が望まれていた。
本発明はその要望にこたえ、上記特開ポリアミドとは
異なった新規な構造を有し、本来の低誘電率、低吸水率
を維持、或いは向上させた上で、さらに問題の耐熱性を
一段と向上せしめた含フッ素芳香族ポリアミド及びそれ
から誘導されたポリベンズオキサゾール並びにその用途
を提供することを課題とするものである。
異なった新規な構造を有し、本来の低誘電率、低吸水率
を維持、或いは向上させた上で、さらに問題の耐熱性を
一段と向上せしめた含フッ素芳香族ポリアミド及びそれ
から誘導されたポリベンズオキサゾール並びにその用途
を提供することを課題とするものである。
本発明者らは上記課題を解決するため、フッ素を含む
芳香族ポリアミドを種々合成検討した結果、前記の一般
式Ｉの構造を有する新規なポリアミドによって該課題を
解決できることを見出し本発明を完成した。
芳香族ポリアミドを種々合成検討した結果、前記の一般
式Ｉの構造を有する新規なポリアミドによって該課題を
解決できることを見出し本発明を完成した。
すなわち、本発明は一般式Ｉで示される繰り返し単位
を有し、還元粘度（Ｎ−メチルピロリドン中,25℃）が
0.05〜0.5であり、ジシクロヘキシルカルボジイミドを
用いた脱水縮合法により得られた含フッ素芳香族ポリア
ミド （式中、Ｘは のいずれかを表わし、 Ｙは のいずれかを表わす。ａ＝0.1〜1,b＝0.9〜0,a＋ｂ＝１
である）、及びが該ポリアミドを用いたポジ型感光性組
成物ワニスを提供するものである。
を有し、還元粘度（Ｎ−メチルピロリドン中,25℃）が
0.05〜0.5であり、ジシクロヘキシルカルボジイミドを
用いた脱水縮合法により得られた含フッ素芳香族ポリア
ミド （式中、Ｘは のいずれかを表わし、 Ｙは のいずれかを表わす。ａ＝0.1〜1,b＝0.9〜0,a＋ｂ＝１
である）、及びが該ポリアミドを用いたポジ型感光性組
成物ワニスを提供するものである。
以下本発明を詳しく説明する。
本発明の含フッ素芳香族ポリアミドは、下記一般式Ｉ
で示される繰り返し単位からなる構造を有している。
で示される繰り返し単位からなる構造を有している。
式中、Ｘは のいずれかを表わす。
これらの中でも特に が好ましい。
Ｙは、 のいずれかを表わす。
これらのうちで、ポジ型感光性組成物ワニスに用いる
場合にポリマーとキノンジアジド化合物の相溶性向上に
効果のあるオルト位に置換位置を有する が特に好ましい。
場合にポリマーとキノンジアジド化合物の相溶性向上に
効果のあるオルト位に置換位置を有する が特に好ましい。
ａとｂは夫々の繰り返し単位の比率（モル分率）を表
わし、ａ＝0.1〜1,b＝0.9〜0,a＋ｂ＝１である。特に、
吸湿率や誘電率の点からａが0.2以上であることが好ま
しい。
わし、ａ＝0.1〜1,b＝0.9〜0,a＋ｂ＝１である。特に、
吸湿率や誘電率の点からａが0.2以上であることが好ま
しい。
又、本発明の含フッ素芳香族ポリアミドの還元粘度
（ηsp/C）は、１％Ｎ−メチルピロリドン溶液にして、
ウベローデ型粘度計で25℃にて測定したところ0.05〜0.
5であった。
（ηsp/C）は、１％Ｎ−メチルピロリドン溶液にして、
ウベローデ型粘度計で25℃にて測定したところ0.05〜0.
5であった。
次に本発明の含フッ素芳香族ポリアミドの製造方法に
ついて説明する。
ついて説明する。
一般的なポリアミドの製造方法としては、例えば、チ
オニルクロライド等の試薬とカルボン酸より得られたカ
ルボン酸クロライドとジアミンを重縮合する酸クロライ
ド法、或いはジシクロヘキシルカルボジイミド（以下DC
Cと略記する）を用いて、脱水縮合させるDCC法等があ
る。
オニルクロライド等の試薬とカルボン酸より得られたカ
ルボン酸クロライドとジアミンを重縮合する酸クロライ
ド法、或いはジシクロヘキシルカルボジイミド（以下DC
Cと略記する）を用いて、脱水縮合させるDCC法等があ
る。
しかし、これらのうち電子材料向けの用途では、塩素
イオン等の不純物により金属配線の腐食や電気的エラー
等の問題が起こる可能性が有るので、合成途中で発生す
る塩素イオンがポリマー中から除き難い酸クロライド法
は問題があり、本質的に低不純物濃度で製造しうるDCC
法の方が好ましい。
イオン等の不純物により金属配線の腐食や電気的エラー
等の問題が起こる可能性が有るので、合成途中で発生す
る塩素イオンがポリマー中から除き難い酸クロライド法
は問題があり、本質的に低不純物濃度で製造しうるDCC
法の方が好ましい。
このDCC法の詳細については、特開昭61−72022号公報
の「ポリアミドの製造方法」に記載されている。
の「ポリアミドの製造方法」に記載されている。
本発明の含フッ素芳香族ポリアミドの使用方法につい
て説明する。
て説明する。
まず該ポリアミドを、溶媒に溶解してワニス溶液とし
て使用する。この溶媒としては該ポリアミドに溶解性が
あり、非プロトン性極性溶媒が適しており、例えば、ジ
メチルアセトアミド、γ−ブチロラクトン、シクロペン
タノン、Ｎ−メチルピロリドン（以下NMPと略す）等の
中から選ぶことができる。
て使用する。この溶媒としては該ポリアミドに溶解性が
あり、非プロトン性極性溶媒が適しており、例えば、ジ
メチルアセトアミド、γ−ブチロラクトン、シクロペン
タノン、Ｎ−メチルピロリドン（以下NMPと略す）等の
中から選ぶことができる。
このワニスを、IC等の保護膜として用いる場合には該
ワニスをスピンコート等の方法でシリコンウェハー等の
基材に塗布し、オーブン又はホットプレート等を用い
て、50〜150℃の適当な温度で乾燥後、300〜500℃の温
度で熱処理し、脱水閉環してポリベンズオキサゾール化
して保護膜とする。
ワニスをスピンコート等の方法でシリコンウェハー等の
基材に塗布し、オーブン又はホットプレート等を用い
て、50〜150℃の適当な温度で乾燥後、300〜500℃の温
度で熱処理し、脱水閉環してポリベンズオキサゾール化
して保護膜とする。
次に、塗膜にボンディングパッド等のバイヤホールパ
ターンを形成する必要がある場合には、ポジ型フォトレ
ジストを用いて行なうことができる。すなわち、本発明
の含フッ素芳香族ポリアミドワニスを塗布乾燥後、その
塗膜上にポジ型フォトレジストをコーティングし、乾燥
した後、パターン露光を行い、ついでポジ型フォトレジ
スト用アルカリ水溶液からなる現像液によって下地の本
発明含フッ素芳香族ポリアミドワニス塗膜まで一括して
現像することができる。さらに、上部のポジ型フォトレ
ジストを剥離液等により除いた後、300〜500℃の温度で
熱処理をすると、ポリベンズオキサゾールのパターンを
形成することができる。
ターンを形成する必要がある場合には、ポジ型フォトレ
ジストを用いて行なうことができる。すなわち、本発明
の含フッ素芳香族ポリアミドワニスを塗布乾燥後、その
塗膜上にポジ型フォトレジストをコーティングし、乾燥
した後、パターン露光を行い、ついでポジ型フォトレジ
スト用アルカリ水溶液からなる現像液によって下地の本
発明含フッ素芳香族ポリアミドワニス塗膜まで一括して
現像することができる。さらに、上部のポジ型フォトレ
ジストを剥離液等により除いた後、300〜500℃の温度で
熱処理をすると、ポリベンズオキサゾールのパターンを
形成することができる。
又、高解像度のパターン形成が必要な場合には、本発
明の含フッ素芳香族ポリアミドを用いたポジ型感光性組
成物ワニスによりこれを行なうことができる。このポジ
型感光性組成物ワニスは、該ポリアミドと特定のキノン
ジアジド化合物を前記の溶媒に溶解して得ることができ
る。ここで用いられるキノンジアジド化合物の例として
は、以下に示す構造のものをあげることができる。
明の含フッ素芳香族ポリアミドを用いたポジ型感光性組
成物ワニスによりこれを行なうことができる。このポジ
型感光性組成物ワニスは、該ポリアミドと特定のキノン
ジアジド化合物を前記の溶媒に溶解して得ることができ
る。ここで用いられるキノンジアジド化合物の例として
は、以下に示す構造のものをあげることができる。
〔上記式中Ｒは、 を示す。〕 このキノンジアジド化合物の詳細は、特公平１−4686
2号公報に記載されている。
2号公報に記載されている。
本発明のポジ型感光性組成物ワニスは、シリコンウェ
ハー等の基材にスピンコート等の方法で塗布、乾燥した
後、パターン露光し、さらにアルカリ水溶液からなる現
像液により現像後、300〜500℃の温度で熱処理すると、
前記のキノンジアジド化合物が揮散し、ポリマーが脱水
閉環されてポリベンズオキサゾールの微細パターンが形
成される。ここで用いられる現像液用のアルカリとして
は、金属イオンによるコンタミネーションを防ぐため、
有機アルカリが好ましく、例えば、コリンヒドロキサイ
ド、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド等が好ま
しい。又、この現像液の成分として、アルコール、グリ
コールエーテルや、前記の非プロトン性極性溶媒を少量
加えると塗膜に対する濡れ性や溶解性を向上させること
ができる。
ハー等の基材にスピンコート等の方法で塗布、乾燥した
後、パターン露光し、さらにアルカリ水溶液からなる現
像液により現像後、300〜500℃の温度で熱処理すると、
前記のキノンジアジド化合物が揮散し、ポリマーが脱水
閉環されてポリベンズオキサゾールの微細パターンが形
成される。ここで用いられる現像液用のアルカリとして
は、金属イオンによるコンタミネーションを防ぐため、
有機アルカリが好ましく、例えば、コリンヒドロキサイ
ド、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド等が好ま
しい。又、この現像液の成分として、アルコール、グリ
コールエーテルや、前記の非プロトン性極性溶媒を少量
加えると塗膜に対する濡れ性や溶解性を向上させること
ができる。
以下、実施例により本発明を説明する。
実施例 １ フタル酸無水物59.3gにジメチルアセトアミド（以下D
MAcと略記する）300mlを加え、かく拌しながら、3,3′
−ジヒドロキシ−4,4′−ジアミノビフェニル（以下HAB
と略記する）43.3gを添加した。これを室温（約25℃）
下で12時間かく拌した。次にこのものに2,2′−ビス
（４−カルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン
（以下BCPFと略記する）78.5gとピリジン63.3gを加え、
かく拌しながら45℃下30分間加熱した。続いてヒドロキ
シベンズトリアゾール（以下HOBTと略記する）162.2を
加え、さらに45℃で30分間加熱かく拌した。この反応液
を−５℃まで冷却し、ジシクロヘキシルカルボジイミド
（以下DCCと略記する）167.1gをDMAc84mlに溶解した溶
液を滴下し、ジシクロヘキシルウレア（以下DCUと略記
する）を析出させた。その後、これにHAB82.2gを再び加
え、その反応液を室温に戻した後、２時間かく拌し、エ
タノール20mlを加えてDCUをろ過した。そのろ液をかく
拌下に４のエタノール中に滴下して、もち状のポリマ
ーを析出させた。このもち状ポリマーを300mlのテトラ
ヒドロフランに溶解後、４のイオン交換水に滴下して
ポリマーを析出させた。次にこれを再びろ過した後、真
空乾燥してポリマー粉末Ｐ−１を得た。Ｐ−１の構造は
下記の通りである。
MAcと略記する）300mlを加え、かく拌しながら、3,3′
−ジヒドロキシ−4,4′−ジアミノビフェニル（以下HAB
と略記する）43.3gを添加した。これを室温（約25℃）
下で12時間かく拌した。次にこのものに2,2′−ビス
（４−カルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン
（以下BCPFと略記する）78.5gとピリジン63.3gを加え、
かく拌しながら45℃下30分間加熱した。続いてヒドロキ
シベンズトリアゾール（以下HOBTと略記する）162.2を
加え、さらに45℃で30分間加熱かく拌した。この反応液
を−５℃まで冷却し、ジシクロヘキシルカルボジイミド
（以下DCCと略記する）167.1gをDMAc84mlに溶解した溶
液を滴下し、ジシクロヘキシルウレア（以下DCUと略記
する）を析出させた。その後、これにHAB82.2gを再び加
え、その反応液を室温に戻した後、２時間かく拌し、エ
タノール20mlを加えてDCUをろ過した。そのろ液をかく
拌下に４のエタノール中に滴下して、もち状のポリマ
ーを析出させた。このもち状ポリマーを300mlのテトラ
ヒドロフランに溶解後、４のイオン交換水に滴下して
ポリマーを析出させた。次にこれを再びろ過した後、真
空乾燥してポリマー粉末Ｐ−１を得た。Ｐ−１の構造は
下記の通りである。
Ｐ−１の１％NMP溶液を調製し、ウベローデ型粘度計
により還元粘度を求めたところ、ηSP/C＝0.17（25℃）
であった。又、Ｐ−１のNMP溶液をコート乾燥後400℃×
２時間熱処理して得たフィルムについてTMA（熱機械分
析装置）によりガラス転移温度を測定した所、340℃で
あり、DTG（示差熱天秤）により熱分解開始温度を測定
した所、450℃であった。又、上記フィルムの誘電率
は、1kHzにおいて2.9であり、吸水率は85℃×85％R.H.
下24時間後で、0.8wt％であった。
により還元粘度を求めたところ、ηSP/C＝0.17（25℃）
であった。又、Ｐ−１のNMP溶液をコート乾燥後400℃×
２時間熱処理して得たフィルムについてTMA（熱機械分
析装置）によりガラス転移温度を測定した所、340℃で
あり、DTG（示差熱天秤）により熱分解開始温度を測定
した所、450℃であった。又、上記フィルムの誘電率
は、1kHzにおいて2.9であり、吸水率は85℃×85％R.H.
下24時間後で、0.8wt％であった。
実施例 ２ イソフタル酸33.2g及びBCPF78.5gに、DMAc 300mlと
ピリジン63.3gを加え、50℃まで加熱かく拌して溶解
し、均一溶液を得た。この溶液を０℃まで冷却し、DCC
167.1gのDMAc 84ml溶液を滴下後、HAB82.2gを加え
た。反応液を室温に戻した後、２時間かく拌し、つづい
て実施例１と以下同様に処理してポリマー粉末Ｐ−２を
得た。
ピリジン63.3gを加え、50℃まで加熱かく拌して溶解
し、均一溶液を得た。この溶液を０℃まで冷却し、DCC
167.1gのDMAc 84ml溶液を滴下後、HAB82.2gを加え
た。反応液を室温に戻した後、２時間かく拌し、つづい
て実施例１と以下同様に処理してポリマー粉末Ｐ−２を
得た。
Ｐ−２の構造は次の通りである。
次に実施例１と同様にしてＰ−２の諸物性を測定し、
下記の結果を得た。
下記の結果を得た。
ηSP/C＝0.17、 ガラス転移温度＝340℃、 熱分解開始温度＝450℃、 誘電率＝2.9（1kHz）、 吸水率＝0.8wt％。
実施例 ３ BCPF 156.8gにDMAc 470mlとピリジン63.3gを加え、
かく拌して溶解した。さらにHOBT 162.2gを加えた後、
−５℃まで冷却した。この溶液にDCC 167.1gのDMAc 84
ml溶液を滴下後、HAB86.5gを加えた。反応液を室温に戻
した後、２時間かく拌し、つづいて実施例１と以下同様
に処理してポリマー粉末Ｐ−３を得た。
かく拌して溶解した。さらにHOBT 162.2gを加えた後、
−５℃まで冷却した。この溶液にDCC 167.1gのDMAc 84
ml溶液を滴下後、HAB86.5gを加えた。反応液を室温に戻
した後、２時間かく拌し、つづいて実施例１と以下同様
に処理してポリマー粉末Ｐ−３を得た。
Ｐ−３の構造は次の通りである。
次に実施例１と同様にしてＰ−３の諸物性を測定し、
下記の結果を得た。
下記の結果を得た。
ηSP/C＝0.19、 ガラス転移温度＝360℃、 熱分解開始温度＝460℃、 誘電率＝2.8（1kHz）、 吸水率＝0.7wt％。
比較例 １ BCPF 156.8gにDMAc 330mlとピリジン63.3gを加え、
かく拌して溶解した。この溶液を０℃まで冷却し、DCC
167.1gのDMAc 84ml溶液を滴下後、2,2′−ビス（4,
4′−ジヒドロキシ−3,3′−ジアミノ）ヘキサフルオロ
プロパン139.2gを加えた。反応液を室温に戻した後、２
時間かく拌し、つづいて実施例１と以下同様に処理して
ポリマー粉末Ｐ−４を測定した。
かく拌して溶解した。この溶液を０℃まで冷却し、DCC
167.1gのDMAc 84ml溶液を滴下後、2,2′−ビス（4,
4′−ジヒドロキシ−3,3′−ジアミノ）ヘキサフルオロ
プロパン139.2gを加えた。反応液を室温に戻した後、２
時間かく拌し、つづいて実施例１と以下同様に処理して
ポリマー粉末Ｐ−４を測定した。
Ｐ−４の構造は次の通りである。
次に実施例１と同様にしてＰ−４の諸物性を測定し、
下記の結果を得た。
下記の結果を得た。
ηSP/C＝0.16、 ガラス転移温度＝280℃、 熱分解開始温度＝400℃、 誘電率＝2.8（1kHz）、 吸水率＝0.7wt％。
以上の結果より、比較例のＰ−４は、ガラス転移温度
及び熱分解開始温度が実施例のものより低く耐熱性の点
で劣っていることがわかる。その原因は前記一般式Ｉの
Ｘがフッ素を含有した構造の基である点にあり、そのた
め熱処理後のポリベンズオキサゾールの耐熱性が低下し
たものと推定される。
及び熱分解開始温度が実施例のものより低く耐熱性の点
で劣っていることがわかる。その原因は前記一般式Ｉの
Ｘがフッ素を含有した構造の基である点にあり、そのた
め熱処理後のポリベンズオキサゾールの耐熱性が低下し
たものと推定される。
実施例 ４ 実施例１により得られたポリマーＰ−１を10g及び2,
2′−ビス〔４−（1,2−ナフトキノン−（２）−ジアジ
ド−５−スルホニル）フェニル〕プロパン2gをNMP23.5g
に溶解した。このワニス溶液をシリコンウェハー上にス
ピンコートした後、循環オーブン中で80℃で20分間乾燥
し、膜厚10μｍの塗膜を得た。この塗布ウェハーをフォ
トマスクを介して超高圧水銀灯により、360mJ/cm2（365
nmで測定）のエネルギーで露光した後、テトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド１％、メタノール５％、ジエチ
レングリコールジメチルエーテル５％、ジメチルホルム
アミド10％の水溶液からなる現像液により現象した。そ
の結果10μｍのライン／スペースが解像したシャープな
ポジ型のパターンが得られた。このウェハーを窒素気流
中、400℃で２時間熱処理してポリベンズオキサゾール
に変換した。
2′−ビス〔４−（1,2−ナフトキノン−（２）−ジアジ
ド−５−スルホニル）フェニル〕プロパン2gをNMP23.5g
に溶解した。このワニス溶液をシリコンウェハー上にス
ピンコートした後、循環オーブン中で80℃で20分間乾燥
し、膜厚10μｍの塗膜を得た。この塗布ウェハーをフォ
トマスクを介して超高圧水銀灯により、360mJ/cm2（365
nmで測定）のエネルギーで露光した後、テトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド１％、メタノール５％、ジエチ
レングリコールジメチルエーテル５％、ジメチルホルム
アミド10％の水溶液からなる現像液により現象した。そ
の結果10μｍのライン／スペースが解像したシャープな
ポジ型のパターンが得られた。このウェハーを窒素気流
中、400℃で２時間熱処理してポリベンズオキサゾール
に変換した。
実施例 ５ 実施例２により得られたポリマーＰ−２の10gをNMP2
3.5gに溶解した。この溶液をシリコンウェハー上にスピ
ンコートした後、ホットプレート上で150℃で10分間乾
燥して、膜厚４μｍの塗膜を得た。この塗布ウェハー上
に、さらに市販のポジ型フォトレジスト（例えば東京応
化製OFPR−800）をスピンコートし、乾燥して２μｍ厚
の塗膜を形成した。このウェハーを超高圧水銀灯によ
り、40mJ/cm2（365nmで測定）のエネルギーで露光し、
ポジレジストの専用現像液（例えば、東京応化製NMD−
３）により、２層を同時に現像してパターンを形成し
た。次に上部に残ったポジ型フォトレジストをアセトン
中に浸漬して除いた。このウェハーを窒素気流中、350
℃で１時間熱処理してポリベンズオキサゾールのパター
ンを得た。
3.5gに溶解した。この溶液をシリコンウェハー上にスピ
ンコートした後、ホットプレート上で150℃で10分間乾
燥して、膜厚４μｍの塗膜を得た。この塗布ウェハー上
に、さらに市販のポジ型フォトレジスト（例えば東京応
化製OFPR−800）をスピンコートし、乾燥して２μｍ厚
の塗膜を形成した。このウェハーを超高圧水銀灯によ
り、40mJ/cm2（365nmで測定）のエネルギーで露光し、
ポジレジストの専用現像液（例えば、東京応化製NMD−
３）により、２層を同時に現像してパターンを形成し
た。次に上部に残ったポジ型フォトレジストをアセトン
中に浸漬して除いた。このウェハーを窒素気流中、350
℃で１時間熱処理してポリベンズオキサゾールのパター
ンを得た。
本発明の含フッ素芳香族ポリアミドは耐熱性が優れて
いるという特長を有するとともに吸水性、誘電特性の点
でも優れているポリベンズオキサゾールの前駆体である
という効果を有している。よってこれを用いたワニス
は、そのもの自体で或いはポジ型感光性組成物ワニスと
して半導体等の電子材料の保護膜もしくは絶縁膜として
極めて有用なものであり、該技術分野で多くの貢献をな
すものといえる。
いるという特長を有するとともに吸水性、誘電特性の点
でも優れているポリベンズオキサゾールの前駆体である
という効果を有している。よってこれを用いたワニス
は、そのもの自体で或いはポジ型感光性組成物ワニスと
して半導体等の電子材料の保護膜もしくは絶縁膜として
極めて有用なものであり、該技術分野で多くの貢献をな
すものといえる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ // Ｃ０８Ｇ 73/22 Ｃ０８Ｇ 73/22 (56)参考文献 特開 昭63−318（ＪＰ，Ａ) 米国特許3328352（ＵＳ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C08G 69/00 - 69/50 C08L 77/00 - 77/12 C08K 5/28 C09D 177/00 - 177/12 C03F 7/037 ＣＡ（ＳＴＮ)
Claims (2)
- 【請求項１】一般式Ｉで示される繰り返し単位を有し、
還元粘度（Ｎ−メチルピロリドン中,25℃）が0.05〜0.5
であり、ジシクロヘキシルカルボジイミドを用いた脱水
縮合法により得られた含フッ素芳香族ポリアミド。 （式中、Ｘは のいずれかを表わし、 Ｙは のいずれかを表わす。ａ＝0.1〜1,b＝0.9〜0,a＋ｂ＝１
である） - 【請求項２】請求項１記載の含フッ素芳香族ポリアミド
とキノンジアジド化合物と溶媒からなるポジ型感光性組
成物ワニス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2295442A JP3006870B2 (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | 含フッ素芳香族ポリアミド、その誘導体及びその製法並びに用途 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2295442A JP3006870B2 (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | 含フッ素芳香族ポリアミド、その誘導体及びその製法並びに用途 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04170431A JPH04170431A (ja) | 1992-06-18 |
| JP3006870B2 true JP3006870B2 (ja) | 2000-02-07 |
Family
ID=17820644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2295442A Expired - Lifetime JP3006870B2 (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | 含フッ素芳香族ポリアミド、その誘導体及びその製法並びに用途 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3006870B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1333077A4 (en) * | 2000-10-20 | 2004-07-07 | Nippon Kayaku Kk | VARNISH CONTAINING POLYAMIDE RESIN AND USE THEREOF |
| DE10115882B4 (de) | 2001-03-30 | 2006-08-24 | Infineon Technologies Ag | Polyhydroxamide, daraus durch Cyclisierung erhältliche Polybenzoxazole, Verfahren zur Herstellung der Polyhydroxamide und Polybenzoxazole, Beschichtungsmaterial für elektronische Bauelemente, elektronische Bauteile mit einer Schicht der Polybenzoxazole, Verfahren zur Beschichtung von Substraten mit den Polyhydroxamiden, Verwendung von Polybenzoxazolen als Isolier- und/oder Schutzschicht und Zusammensetzung enthaltend das Polyhydroxamid |
| US7465782B2 (en) * | 2005-07-13 | 2008-12-16 | E.I Du Pont De Nemours & Company | Method for making polybenzobisoxazole containing fiber |
| CN101208373B (zh) | 2005-07-21 | 2010-12-01 | 日本化药株式会社 | 聚酰胺树脂，环氧树脂组合物及其固化物 |
| JP6459225B2 (ja) * | 2014-05-30 | 2019-01-30 | 宇部興産株式会社 | 高耐熱性フィルム、前駆体、及びフィルムの製造方法 |
-
1990
- 1990-11-02 JP JP2295442A patent/JP3006870B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04170431A (ja) | 1992-06-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4001569B2 (ja) | 感光性ポリイミド前駆体用可溶性ポリイミドおよびこれを含む感光性ポリイミド前駆体組成物 | |
| JP2006189788A (ja) | ネガ型感光性樹脂組成物、パターン形成方法及び電子部品 | |
| JP2001163975A (ja) | ポリベンゾオキサゾール樹脂及びその前駆体 | |
| JP2000128986A (ja) | ポリベンゾオキサゾール前駆体及びポリベンゾオキサゾール | |
| TWI425027B (zh) | 光敏性聚醯亞胺及包含其之光敏樹脂組成物 | |
| JP5099979B2 (ja) | ネガ型感光性樹脂組成物、パターンの製造方法及び電子部品 | |
| JP5109471B2 (ja) | ネガ型感光性樹脂組成物、パターンの製造方法及び電子部品 | |
| JP3006870B2 (ja) | 含フッ素芳香族ポリアミド、その誘導体及びその製法並びに用途 | |
| JP2828740B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| JP3078175B2 (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
| CN113467187B (zh) | 树脂组合物、树脂膜及显示器件 | |
| JP3422691B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| JP4929982B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、絶縁膜、保護膜および電子機器 | |
| JPH087436B2 (ja) | 感光性ジアゾキノン化合物及びそれを用いたポジ型感光性樹脂組成物 | |
| JPH08123034A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| JP4341797B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法 | |
| JP4488611B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| JP6003663B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| JP4946757B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物の製造方法 | |
| JP4622282B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物並びに半導体装置及び表示素子 | |
| JP2002020485A (ja) | ポリアミド樹脂、ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置 | |
| TW202136373A (zh) | 正型感光性樹脂組合物 | |
| JPS617328A (ja) | 感光性ポリアミド | |
| JP2002241611A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置 | |
| US20040126693A1 (en) | Positive photosensitive composition and method of pattern formation using the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081126 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081126 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091126 Year of fee payment: 10 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091126 Year of fee payment: 10 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091126 Year of fee payment: 10 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091126 Year of fee payment: 10 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101126 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |