JP2993686B2 - 軟磁性多重層皮膜およびこのような軟磁性多重層皮膜をそなえた磁気ヘッド - Google Patents
軟磁性多重層皮膜およびこのような軟磁性多重層皮膜をそなえた磁気ヘッドInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、多数の結晶性主層と多数の非晶質２次層と
を有し、これ等の層は交互に設けられ、主層の磁気成分
は実質的にもっぱらFeである軟磁性多重層皮膜に関する
ものである。本発明はまたこのような軟磁性多重層皮膜
をそなえた磁気ヘッドに関するものである。
を有し、これ等の層は交互に設けられ、主層の磁気成分
は実質的にもっぱらFeである軟磁性多重層皮膜に関する
ものである。本発明はまたこのような軟磁性多重層皮膜
をそなえた磁気ヘッドに関するものである。
（従来の技術） このタイプの軟磁性多重層皮膜は、1988年にLeCreuso
tで行われたICMFS−12会議のアブストラクツの本の366
頁のアブストラクトNo..F1−04より知られている。この
参考文献には、結晶性Feの主層と非晶質CoNbZrの２次層
を有する多重層皮膜がより詳細に記載されている。これ
等の層はスパッタリングにより交互に設けられる。非晶
質２次層は、主層のクリスタライトの結晶粒度を制限す
る役をする。この公知の多重層皮膜は、高い飽和磁化
（BS）、小さな保磁力（HC）および高い透磁率（μ）の
ような数多くの適切な軟磁性特性を示す。例えば、全体
の厚さが0.5μｍで10nm厚の結晶性Feと5nm厚の非晶質Co
86.2Nb9.6Zr4.2の交互の層より成る公知の多重層皮膜
は、1.8Tの飽和磁化、60A/mの保磁力および20MHz迄の周
波数範囲内で少なくとも2000の透磁率を有する。
tで行われたICMFS−12会議のアブストラクツの本の366
頁のアブストラクトNo..F1−04より知られている。この
参考文献には、結晶性Feの主層と非晶質CoNbZrの２次層
を有する多重層皮膜がより詳細に記載されている。これ
等の層はスパッタリングにより交互に設けられる。非晶
質２次層は、主層のクリスタライトの結晶粒度を制限す
る役をする。この公知の多重層皮膜は、高い飽和磁化
（BS）、小さな保磁力（HC）および高い透磁率（μ）の
ような数多くの適切な軟磁性特性を示す。例えば、全体
の厚さが0.5μｍで10nm厚の結晶性Feと5nm厚の非晶質Co
86.2Nb9.6Zr4.2の交互の層より成る公知の多重層皮膜
は、1.8Tの飽和磁化、60A/mの保磁力および20MHz迄の周
波数範囲内で少なくとも2000の透磁率を有する。
本願人は、公知の軟磁性多重層皮膜は大きな磁気ひず
み定数（λＳ）を有するという欠点をもつことを見出し
た。この定数の絶対値は、結晶性Feおよび非晶質CoNbZr
の個々の値さえも著しく超過する。例えば、5nm厚非晶
質Co86.2Nb9.6Zr4.2の40層と10nm厚結晶性Feの40層より
成り、両タイプの層が交互に設けられた多重層皮膜は、
＋10・10-6の磁気ひずみ定数を有することが見出されて
いる。結晶性Feと非晶質CoNbZrの磁気ひずみ定数は夫々
−５・10-6と＋0.2・10-6である。この２つの値と個々
の層の厚さに基いて予想されることのできる多重層磁気
ひずみ定数は−2.4・10-6である。したがって、実際の
磁気ひずみ定数は予想値を遥かに過えている。磁気ひず
み定数の増加は信号／雑音比（SNR−ratio）の減少をも
たらすので、若し公知の多重層皮膜を磁気ヘッドに用い
ると磁気ひずみ定数の大きな値が重大な問題となる。し
たがって、磁気ヘッドに使用する多重層皮膜の製造の目
的は、皮膜の磁気ひずみ定数の絶対値を最小限に好まし
くは５・10-6以下にすることである。
み定数（λＳ）を有するという欠点をもつことを見出し
た。この定数の絶対値は、結晶性Feおよび非晶質CoNbZr
の個々の値さえも著しく超過する。例えば、5nm厚非晶
質Co86.2Nb9.6Zr4.2の40層と10nm厚結晶性Feの40層より
成り、両タイプの層が交互に設けられた多重層皮膜は、
＋10・10-6の磁気ひずみ定数を有することが見出されて
いる。結晶性Feと非晶質CoNbZrの磁気ひずみ定数は夫々
−５・10-6と＋0.2・10-6である。この２つの値と個々
の層の厚さに基いて予想されることのできる多重層磁気
ひずみ定数は−2.4・10-6である。したがって、実際の
磁気ひずみ定数は予想値を遥かに過えている。磁気ひず
み定数の増加は信号／雑音比（SNR−ratio）の減少をも
たらすので、若し公知の多重層皮膜を磁気ヘッドに用い
ると磁気ひずみ定数の大きな値が重大な問題となる。し
たがって、磁気ヘッドに使用する多重層皮膜の製造の目
的は、皮膜の磁気ひずみ定数の絶対値を最小限に好まし
くは５・10-6以下にすることである。
公知の多重層皮膜は、磁気ひずみ定数が熱処理後に著
しく増加することが見出されるという付加的な欠点を有
する。例えば、皮膜を300℃で１時間の焼成処理にさら
すと、前述の多重層皮膜の磁気ひずみ定数は３倍の＋30
・10-6以上を有することが見出された。このことは、特
に、軟磁性多重層皮膜が磁気ヘッドに用いられる場合に
問題になる、というのは、現在このような皮膜は磁気ヘ
ッド内で熱処理を受けるのが通例だからである。
しく増加することが見出されるという付加的な欠点を有
する。例えば、皮膜を300℃で１時間の焼成処理にさら
すと、前述の多重層皮膜の磁気ひずみ定数は３倍の＋30
・10-6以上を有することが見出された。このことは、特
に、軟磁性多重層皮膜が磁気ヘッドに用いられる場合に
問題になる、というのは、現在このような皮膜は磁気ヘ
ッド内で熱処理を受けるのが通例だからである。
（発明が解決しようとする課題） 本発明は、前記の欠点を有しない軟磁性多重層を得る
ようにしたものである。このために、本発明は、５・10
-6以下の絶対値および好ましくは零に等しいか或は事実
上零に等しい磁気ひずみを有する軟磁性多重層皮膜を得
ることを目的とする。更に別の目的によれば、本発明
は、熱処理に実質上無関係な磁気ひずみ定数を有する軟
磁性多重層皮膜を供する。本発明の更に別の目的は、好
ましくは1.4Tを超える高い飽和磁化（BS）を有する軟磁
性多重層皮膜を得ることにある。本発明の別の目的は、
好ましくは100A/mより小さい保磁力（HC）を有する軟磁
性多重層皮膜を得ることにある。更に別の目的によれ
ば、本発明は、100MHz以上の周波数範囲において1000を
超える高い透磁率（μ）を有する軟磁性多重層皮膜を供
することにある。
ようにしたものである。このために、本発明は、５・10
-6以下の絶対値および好ましくは零に等しいか或は事実
上零に等しい磁気ひずみを有する軟磁性多重層皮膜を得
ることを目的とする。更に別の目的によれば、本発明
は、熱処理に実質上無関係な磁気ひずみ定数を有する軟
磁性多重層皮膜を供する。本発明の更に別の目的は、好
ましくは1.4Tを超える高い飽和磁化（BS）を有する軟磁
性多重層皮膜を得ることにある。本発明の別の目的は、
好ましくは100A/mより小さい保磁力（HC）を有する軟磁
性多重層皮膜を得ることにある。更に別の目的によれ
ば、本発明は、100MHz以上の周波数範囲において1000を
超える高い透磁率（μ）を有する軟磁性多重層皮膜を供
することにある。
（課題を解決するための手段） 上記およびその他の目的を達成するために、本発明
は、冒頭に挙げたタイプの軟磁性多重層皮膜において２
次層の磁気成分が少なくとも90原子％のFeに対して構成
されるようにしたものである。このような２次層を冒頭
に挙げたタイプの多重層皮膜に用いると、磁気ひずみ定
数が驚くほど低いことが見出された。更に、熱処理がこ
の低い値に全くまたは実質的に全く影響を及ぼさないこ
とが見出された。
は、冒頭に挙げたタイプの軟磁性多重層皮膜において２
次層の磁気成分が少なくとも90原子％のFeに対して構成
されるようにしたものである。このような２次層を冒頭
に挙げたタイプの多重層皮膜に用いると、磁気ひずみ定
数が驚くほど低いことが見出された。更に、熱処理がこ
の低い値に全くまたは実質的に全く影響を及ぼさないこ
とが見出された。
本発明による前述の方策は、拡散層が主層と２次層の
境界面にとりわけスパッタ操作の間のイオンの混合によ
って形成されるという本願人の洞察に基いたものであ
る。これ等の拡散層は、多重層皮膜の磁気ひずみの値に
大きな影響を有する。例えば、公知の多重層皮膜では、
磁気素子（magneticelement）としてFeとCoの両方を多
量に有する拡散層が形成される。幾つかの磁気素子を有
するこのような拡散層は、一般に、種々の磁気素子のイ
オン対の濃度に比例し且つこれ等の元素が1:1の時にそ
の最大値になる（Fe/Coに対しては70・10-6およびFe/Ni
に対しては25・10-6）。公知の多重層皮膜の磁気ひずみ
が焼成処理後に増加するのは前記の洞察に従うものと思
われる。前記の拡散層の厚さはこのような熱処理の後に
増加し、したがって公知の多重層皮膜の磁気ひずみも増
加するものと予想される。この知見に基いて、本発明の
多重層皮膜は、主層にはもっぱら或は実質的にもっぱら
Feを有し、２次層には磁気素子としてもっぱら或は実質
的にもっぱらFeを有する。このようにして、拡散層が磁
気素子として実質的にまたはもっぱらFeを有し、Niおよ
び／またはCoのような他の磁気素子を殆どまたは全く有
しないようにすることができる。このような拡散層は小
さな磁気ひずみ定数を有するので、多重層皮膜も小さな
磁気ひずみ定数を有する。２次層のキュリー温度は少量
のCoおよび／またはNi（磁気素子の全量の10原子％迄）
を加えることにより増加することができ、時として多重
層皮膜の特性に有利に影響する。この添加は、この非晶
質層を僅かに異方性にすることを可能にもする。このよ
うな少量のCoおよび／またはNiは、磁気ひずみ定数の値
に極めて僅かな影響した有しない。
境界面にとりわけスパッタ操作の間のイオンの混合によ
って形成されるという本願人の洞察に基いたものであ
る。これ等の拡散層は、多重層皮膜の磁気ひずみの値に
大きな影響を有する。例えば、公知の多重層皮膜では、
磁気素子（magneticelement）としてFeとCoの両方を多
量に有する拡散層が形成される。幾つかの磁気素子を有
するこのような拡散層は、一般に、種々の磁気素子のイ
オン対の濃度に比例し且つこれ等の元素が1:1の時にそ
の最大値になる（Fe/Coに対しては70・10-6およびFe/Ni
に対しては25・10-6）。公知の多重層皮膜の磁気ひずみ
が焼成処理後に増加するのは前記の洞察に従うものと思
われる。前記の拡散層の厚さはこのような熱処理の後に
増加し、したがって公知の多重層皮膜の磁気ひずみも増
加するものと予想される。この知見に基いて、本発明の
多重層皮膜は、主層にはもっぱら或は実質的にもっぱら
Feを有し、２次層には磁気素子としてもっぱら或は実質
的にもっぱらFeを有する。このようにして、拡散層が磁
気素子として実質的にまたはもっぱらFeを有し、Niおよ
び／またはCoのような他の磁気素子を殆どまたは全く有
しないようにすることができる。このような拡散層は小
さな磁気ひずみ定数を有するので、多重層皮膜も小さな
磁気ひずみ定数を有する。２次層のキュリー温度は少量
のCoおよび／またはNi（磁気素子の全量の10原子％迄）
を加えることにより増加することができ、時として多重
層皮膜の特性に有利に影響する。この添加は、この非晶
質層を僅かに異方性にすることを可能にもする。このよ
うな少量のCoおよび／またはNiは、磁気ひずみ定数の値
に極めて僅かな影響した有しない。
本発明の好ましい一実施例では、２次層は磁気成分と
してもっぱらFeを有する。このような多重層皮膜は最低
の磁気ひずみ値と最高の飽和磁化値を示す。
してもっぱらFeを有する。このような多重層皮膜は最低
の磁気ひずみ値と最高の飽和磁化値を示す。
本発明の多重層皮膜の別の好ましい実施例では、２次
層は、付加的に、Si,P,BおよびＣよりなる群から選ばれ
た少なくとも１つの半金属を有し、該２次層の半金属成
分は最小で15原子％で最大で30原子％である。この半金
属は鉄系（Fe−rich）２次層の非晶質構造を増す。若し
２次層の半金属成分が30原子％を超えると、この層の全
体飽和磁化が著しく減少する。このことは多重層皮膜の
飽和磁化に悪影響を与える。若し半金属成分が15原子％
よりも小さいと、２次層を非晶質にするのが難しい。
層は、付加的に、Si,P,BおよびＣよりなる群から選ばれ
た少なくとも１つの半金属を有し、該２次層の半金属成
分は最小で15原子％で最大で30原子％である。この半金
属は鉄系（Fe−rich）２次層の非晶質構造を増す。若し
２次層の半金属成分が30原子％を超えると、この層の全
体飽和磁化が著しく減少する。このことは多重層皮膜の
飽和磁化に悪影響を与える。若し半金属成分が15原子％
よりも小さいと、２次層を非晶質にするのが難しい。
本発明の多重層の更に別の好ましい実施例では、２次
層は、Ru,Rh,Pr,Pd,Cu,Ag,Au,Nb,Ti,Cr,Mo,V,WおよびTa
より成る群より選ばれた少なくとも１つの遷移元素も有
する。これ等の元素の１つまたはそれ以上を加えること
によって２次層の磁気ひずみ値に或る限られ程度迄影響
を与えることができ、このため多重層皮膜の全体の磁気
ひずみを零または実質的に零にすることができる。更
に、これ等の元素の１つまたはそれ以上の添加は多重層
皮膜の機械的特性（摩耗、耐蝕性）に有利な影響を与え
る。多重層皮膜の飽和磁化を十分に高いレベルに保つた
めに、これ等の遷移元素を最大で10原子％加えるのが好
ましい。
層は、Ru,Rh,Pr,Pd,Cu,Ag,Au,Nb,Ti,Cr,Mo,V,WおよびTa
より成る群より選ばれた少なくとも１つの遷移元素も有
する。これ等の元素の１つまたはそれ以上を加えること
によって２次層の磁気ひずみ値に或る限られ程度迄影響
を与えることができ、このため多重層皮膜の全体の磁気
ひずみを零または実質的に零にすることができる。更
に、これ等の元素の１つまたはそれ以上の添加は多重層
皮膜の機械的特性（摩耗、耐蝕性）に有利な影響を与え
る。多重層皮膜の飽和磁化を十分に高いレベルに保つた
めに、これ等の遷移元素を最大で10原子％加えるのが好
ましい。
本発明の多重層皮膜の好ましい実施例では、主層の厚
さは、5nmと40nmの間の範囲にある。主層の厚さが、40n
mまたはそれより大きいと、クリスタラットは、主層を
構成する物質のブロッホの壁の厚さを超えた最大寸法に
達することができる。このため、主層の磁気異方性
（Ｋ）の影響が著しく、低い透磁率μをもたらす。この
ことは、軟磁性体が磁気ヘッドに用いられた場合極めて
望ましくない。主層が4nmより小さいかまたは等しい厚
さを有すると、たとえ２次層の厚さが最小の場合でも多
重層皮膜の飽和磁化が著しく減少する。多重層皮膜の主
層は、磁気成分として実質的にもっぱらFeを有すべきで
ある。このことは、主層は、磁気成分として、少なくと
も95原子％、好ましくは95原子％より多く、98原子％な
どのFeを有することを意味するものと理解さるべきであ
る。主層における少量のCoおよび／またはNiの存在は磁
気ひずみと飽和磁化を僅かに増加する。主層が磁性元素
としてもっぱらFeを有するとより良い結果が得られる。
けれども、最良の結果は、もっぱらFeを有する主層を用
いて得られる。
さは、5nmと40nmの間の範囲にある。主層の厚さが、40n
mまたはそれより大きいと、クリスタラットは、主層を
構成する物質のブロッホの壁の厚さを超えた最大寸法に
達することができる。このため、主層の磁気異方性
（Ｋ）の影響が著しく、低い透磁率μをもたらす。この
ことは、軟磁性体が磁気ヘッドに用いられた場合極めて
望ましくない。主層が4nmより小さいかまたは等しい厚
さを有すると、たとえ２次層の厚さが最小の場合でも多
重層皮膜の飽和磁化が著しく減少する。多重層皮膜の主
層は、磁気成分として実質的にもっぱらFeを有すべきで
ある。このことは、主層は、磁気成分として、少なくと
も95原子％、好ましくは95原子％より多く、98原子％な
どのFeを有することを意味するものと理解さるべきであ
る。主層における少量のCoおよび／またはNiの存在は磁
気ひずみと飽和磁化を僅かに増加する。主層が磁性元素
としてもっぱらFeを有するとより良い結果が得られる。
けれども、最良の結果は、もっぱらFeを有する主層を用
いて得られる。
本発明の多重層皮膜の更に別の好ましい実施例では、
２次層の厚さが最小で2nm最大で6nmである。若し２次層
の厚さを略々2nmよりも小さく選べば、主層のクリスタ
ライトが２次層を通って成長することがわかった。この
ため、その最大寸法が結晶質のブロッホの壁の厚さを超
えるクリスタライトが多重層皮膜内に形成される。前述
したように、このことは多重層皮膜の透磁率の著しい減
少をもたらす。非晶質の２次層を6nmよりも大きく選ぶ
と、比較的低い飽和磁化を有する軟磁性多重層皮膜が得
られる。
２次層の厚さが最小で2nm最大で6nmである。若し２次層
の厚さを略々2nmよりも小さく選べば、主層のクリスタ
ライトが２次層を通って成長することがわかった。この
ため、その最大寸法が結晶質のブロッホの壁の厚さを超
えるクリスタライトが多重層皮膜内に形成される。前述
したように、このことは多重層皮膜の透磁率の著しい減
少をもたらす。非晶質の２次層を6nmよりも大きく選ぶ
と、比較的低い飽和磁化を有する軟磁性多重層皮膜が得
られる。
本発明の軟磁性多重層は、とりわけ変圧器に用いるこ
とができる。けれども、この多重層皮膜は磁気ヘッドに
用いるのが好ましい。
とができる。けれども、この多重層皮膜は磁気ヘッドに
用いるのが好ましい。
本発明は更に、本発明による多重層皮膜をそなえたこ
のような磁気ヘッドに関するものである。このタイプの
磁気ヘッドは、例えばビデオ装置の場合のように、高い
情報密度を得ることが大切な磁気テープや磁気ディスク
のような磁気記録手段に最適に用いることができる。
のような磁気ヘッドに関するものである。このタイプの
磁気ヘッドは、例えばビデオ装置の場合のように、高い
情報密度を得ることが大切な磁気テープや磁気ディスク
のような磁気記録手段に最適に用いることができる。
（実施例） 以下に本発明を添付の図面を参照して実施例で更に詳
しく説明する。
しく説明する。
軟磁性多重層皮膜はガラスの基板上につくられた。こ
の基板は、イオンビーム堆積装置の可回転基板ホルダー
に固定され、このホルダーは真空室に入れられた。真空
室はＰ＜５・10-7Torrとなるように排気された。多重層
を設ける間、この真空室を通してArガスの流れが導か
れ、この場合Ar圧力はＰ＜1.5・10-4Torrに保たれる。
主層に対してはFeターゲットが用いられ、所望の組成を
有する鉄系合金のターゲットが２次層に対して用いられ
た。ターゲットホルダーのコンピュータ制御回転を経
て、両スパッタターゲットはイオンビーム（1.5KV,80m
A）に交互に位置されることができる。
の基板は、イオンビーム堆積装置の可回転基板ホルダー
に固定され、このホルダーは真空室に入れられた。真空
室はＰ＜５・10-7Torrとなるように排気された。多重層
を設ける間、この真空室を通してArガスの流れが導か
れ、この場合Ar圧力はＰ＜1.5・10-4Torrに保たれる。
主層に対してはFeターゲットが用いられ、所望の組成を
有する鉄系合金のターゲットが２次層に対して用いられ
た。ターゲットホルダーのコンピュータ制御回転を経
て、両スパッタターゲットはイオンビーム（1.5KV,80m
A）に交互に位置されることができる。
表１と２は、前述のようにしてつくられた略々0.5μ
ｍの全体厚（基板を除く）を有する多数の多重層皮膜を
示したものである。表１は主層（Ｈ）と２次層（Ｎ）の
組成と厚さ（nm）を示し、表２は、飽和磁化BS（Ｔ）、
保持力HC（A/m）、透磁率μｍ（2MHzで測られた）およ
び磁気ひずみ定数の値のような、これ等主層と２次層よ
り成る多重層皮膜の多数の重要な磁気的な値を示す。磁
気ひずみ定数は、350℃で１時間の焼成処理の前
（λＳ）および／または後（λ′Ｓ）で測定された。
ｍの全体厚（基板を除く）を有する多数の多重層皮膜を
示したものである。表１は主層（Ｈ）と２次層（Ｎ）の
組成と厚さ（nm）を示し、表２は、飽和磁化BS（Ｔ）、
保持力HC（A/m）、透磁率μｍ（2MHzで測られた）およ
び磁気ひずみ定数の値のような、これ等主層と２次層よ
り成る多重層皮膜の多数の重要な磁気的な値を示す。磁
気ひずみ定数は、350℃で１時間の焼成処理の前
（λＳ）および／または後（λ′Ｓ）で測定された。
この表から、軟磁性多重層皮膜は、低い、時としては
５・10-6以下の極めて低い磁気ひずみ値を有することが
わかる。この表は更に、多くの場合において焼成が磁気
ひずみ値に僅かな変化しか生じないことを示す。この表
はまた更に、2nmより薄い厚さを有する中間層の使用
は、比較的大きな保磁力と低い透磁率を有する多重層皮
膜をもたらすことを示す（例12および13）。若し主層が
4nmよりも薄いと、飽和磁化は減少する（例14）。若し
主層が40nmよりも薄いかまたは等しいと、透磁率は著し
く減少する（例15,16および17）。
５・10-6以下の極めて低い磁気ひずみ値を有することが
わかる。この表は更に、多くの場合において焼成が磁気
ひずみ値に僅かな変化しか生じないことを示す。この表
はまた更に、2nmより薄い厚さを有する中間層の使用
は、比較的大きな保磁力と低い透磁率を有する多重層皮
膜をもたらすことを示す（例12および13）。若し主層が
4nmよりも薄いと、飽和磁化は減少する（例14）。若し
主層が40nmよりも薄いかまたは等しいと、透磁率は著し
く減少する（例15,16および17）。
図面は本発明による軟磁性多重層皮膜をそなえた磁気
ヘッドを示す。この磁気ヘッドは夫々２つの基板部分３
と４、５と６を有する２つのコア部分１と２を有する。
コア部分１は巻線用開口部７を有し、この巻線用開口部
を通してコイル８が巻かれる。電気的な書込み、読出し
または消去信号がこのコイルを通ることができる。軟磁
性多重層皮膜９（典型的な厚さ:10μｍ）がコア部分の
基板部分の間に存する。略々0.25μｍの典型的なギャッ
プ幅を有するギャップ10が両コア部分１と２の間に形成
されている。
ヘッドを示す。この磁気ヘッドは夫々２つの基板部分３
と４、５と６を有する２つのコア部分１と２を有する。
コア部分１は巻線用開口部７を有し、この巻線用開口部
を通してコイル８が巻かれる。電気的な書込み、読出し
または消去信号がこのコイルを通ることができる。軟磁
性多重層皮膜９（典型的な厚さ:10μｍ）がコア部分の
基板部分の間に存する。略々0.25μｍの典型的なギャッ
プ幅を有するギャップ10が両コア部分１と２の間に形成
されている。
前記の磁気ヘッドの製造に当っては、各コア部分は通
常のように熱圧接によって２つの基板部分より成る。こ
の目的で、例えばガラスのようなセラミック材料または
フエライトより構成することのできる１つの基板部分に
多重層皮膜が設けられる。この基板部分と皮膜が設けら
れてない基板部分の互に連結される側にMoとAuの２つの
薄膜が夫々設けられる（全体厚は例えば0.05μｍ）。熱
圧接（典型的な温度:250−350℃）により、Au拡散ボン
ドが両基板部分間に形成される。このようにして、多重
層皮膜をそなえた２つの基板を互に連結して１つのコア
部分を形成することも可能である。この場合にはAu/Mo
層は２つの多重層皮膜の間に位置する。
常のように熱圧接によって２つの基板部分より成る。こ
の目的で、例えばガラスのようなセラミック材料または
フエライトより構成することのできる１つの基板部分に
多重層皮膜が設けられる。この基板部分と皮膜が設けら
れてない基板部分の互に連結される側にMoとAuの２つの
薄膜が夫々設けられる（全体厚は例えば0.05μｍ）。熱
圧接（典型的な温度:250−350℃）により、Au拡散ボン
ドが両基板部分間に形成される。このようにして、多重
層皮膜をそなえた２つの基板を互に連結して１つのコア
部分を形成することも可能である。この場合にはAu/Mo
層は２つの多重層皮膜の間に位置する。
磁気ヘッドを形成するための２つのコア部分の相互連
結も熱圧接で得ることができる。この場合、所望のギャ
ップ幅がコア部分上に設けられたMo/Au層の厚さいかん
で決まるギャップが得られる。もっとも、基板部分およ
びコア部分の相互連結は別のやり方例えば接着剤を用い
た結合によって行うこともできる。けれども、コア部分
を接着剤を用いて結合した磁気ヘッドのギャップ幅を制
御するのは困難なことが見出されている。
結も熱圧接で得ることができる。この場合、所望のギャ
ップ幅がコア部分上に設けられたMo/Au層の厚さいかん
で決まるギャップが得られる。もっとも、基板部分およ
びコア部分の相互連結は別のやり方例えば接着剤を用い
た結合によって行うこともできる。けれども、コア部分
を接着剤を用いて結合した磁気ヘッドのギャップ幅を制
御するのは困難なことが見出されている。
第１図は本発明による軟磁性多重層皮膜をそなえた磁気
ヘッドの斜視図を示す。 1,2……コア部分 3,4,5,6……基板部分 ７……巻線用開口部、８……コイル ９……多重層皮膜、10……ギャップ
ヘッドの斜視図を示す。 1,2……コア部分 3,4,5,6……基板部分 ７……巻線用開口部、８……コイル ９……多重層皮膜、10……ギャップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 コルネリス ヘンリクス マリア ウイ トメル オランダ国5621 ベーアー アインドー フェン フルーネバウツウェッハ１ (72)発明者 ヨハネス アドリアヌス マルティヌス トルボーム オランダ国5621 ベーアー アインドー フェン フルーネバウツウェッハ１ (72)発明者 ペテル ラシンスキー オランダ国5621 ベーアー アインドー フェン フルーネバウツウェッハ１ (56)参考文献 特開 昭63−14409（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−34707（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−170917（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−202511（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01F 10/14 G11B 5/127,5/147
Claims (6)
- 【請求項１】多数の結晶性主層と多数の非晶質２次層と
を有し、これ等の層は交互に設けられ、主層の磁気成分
は、実質的にもっぱらFeである軟磁性多重層皮膜におい
て、該２次層の各々は、磁気成分は、少なくとも90原子
％のFeを具え、該結晶性主層の各々は、厚さは、5nmと4
0nmの間の範囲の厚さを有することを特徴とする軟磁性
多重層皮膜。 - 【請求項２】２次層は、磁気成分としてFeだけを有する
請求項１記載の軟磁性多重層皮膜。 - 【請求項３】２次層は、付加的に、Si,P,BおよびＣより
なる群から選ばれた少なくとも１つの半金属を有し、該
２次層の半金属成分は最小で15原子％で最大で30原子％
である請求項１または２記載の軟磁性多重層皮膜。 - 【請求項４】２次層は、付加的に、Ru,Rh,Pr,Pd,Cu,Ag,
Au,Nb,Ti,Cr,Mo,V,WおよびTaより成る群より選ばれた少
なくとも１つの遷移元素を有する請求項１乃至３の何れ
か１項記載の軟磁性多重層皮膜。 - 【請求項５】２次層の厚さは、最小で2nmで最大で6nmで
ある請求項１乃至４の何れか１項記載の軟磁性多重層皮
膜。 - 【請求項６】請求項１乃至５のいずれか１項記載の軟磁
性多重層皮膜を有する磁気ヘッド。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8802873 | 1988-11-22 | ||
| NL8802873A NL8802873A (nl) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | Zachtmagnetische multilaagfilm en magneetkop voorzien van een dergelijke zachtmagnetische multilaagfilm. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02188902A JPH02188902A (ja) | 1990-07-25 |
| JP2993686B2 true JP2993686B2 (ja) | 1999-12-20 |
Family
ID=19853266
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP0370566B1 (ja) |
| JP (1) | JP2993686B2 (ja) |
| KR (1) | KR0169961B1 (ja) |
| DE (1) | DE68914100T2 (ja) |
| NL (1) | NL8802873A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| US6760198B2 (en) | 2001-06-27 | 2004-07-06 | International Business Machines Corporation | Magnetic multilayered films with reduced magnetostriction |
| JP2006024732A (ja) * | 2004-07-08 | 2006-01-26 | Fujitsu Ltd | 磁性膜並びにハードディスクドライブ用記録再生ヘッドおよび固体デバイス |
| US7951708B2 (en) * | 2009-06-03 | 2011-05-31 | International Business Machines Corporation | Copper interconnect structure with amorphous tantalum iridium diffusion barrier |
| CN105734458B (zh) * | 2016-02-19 | 2017-11-03 | 南昌大学 | 一种耐腐蚀和耐磨金属薄膜制备工艺 |
| CN114318445B (zh) * | 2021-12-24 | 2023-06-09 | 珠海多创科技有限公司 | 一种复合聚磁薄膜 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4236946A (en) * | 1978-03-13 | 1980-12-02 | International Business Machines Corporation | Amorphous magnetic thin films with highly stable easy axis |
| JPS5641349A (en) * | 1979-09-10 | 1981-04-18 | Toshiba Corp | Low-loss composite magnetic alloy |
| JPS5789450A (en) * | 1980-11-21 | 1982-06-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Amorphous magnetic alloy |
| US4364020A (en) * | 1981-02-06 | 1982-12-14 | Westinghouse Electric Corp. | Amorphous metal core laminations |
| JPS5875813A (ja) * | 1981-10-30 | 1983-05-07 | Mitsubishi Electric Corp | 静止誘導器用鉄心 |
| JPH061729B2 (ja) * | 1983-01-17 | 1994-01-05 | 株式会社日立製作所 | 磁性体膜およびそれを用いた磁気ヘッド |
| US4506248A (en) * | 1983-09-19 | 1985-03-19 | Electric Power Research Institute, Inc. | Stacked amorphous metal core |
| JPH0622170B2 (ja) * | 1983-12-16 | 1994-03-23 | 株式会社日立製作所 | 磁気ヘッド |
| JPS60154602A (ja) * | 1984-01-25 | 1985-08-14 | Hitachi Ltd | 多層磁性膜 |
| JPS61153813A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-12 | Nec Corp | 薄膜磁気ヘツド用磁極 |
| US4897318A (en) * | 1986-01-21 | 1990-01-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laminated magnetic materials |
| US4891278A (en) * | 1986-02-21 | 1990-01-02 | Hitachi, Ltd. | Ferrromagnetic thin film and magnetic head using it |
| JP2533860B2 (ja) * | 1986-09-24 | 1996-09-11 | 株式会社日立製作所 | 磁性超格子膜およびそれを用いた磁気ヘツド |
| JP2555057B2 (ja) * | 1987-03-25 | 1996-11-20 | 株式会社日立製作所 | 耐食強磁性膜 |
-
1988
- 1988-11-22 NL NL8802873A patent/NL8802873A/nl not_active Application Discontinuation
-
1989
- 1989-11-16 EP EP89202900A patent/EP0370566B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-11-16 DE DE68914100T patent/DE68914100T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-11-18 KR KR1019890016764A patent/KR0169961B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1989-11-20 JP JP1299896A patent/JP2993686B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-12-04 US US07/987,533 patent/US5234775A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5234775A (en) | 1993-08-10 |
| NL8802873A (nl) | 1990-06-18 |
| DE68914100D1 (de) | 1994-04-28 |
| DE68914100T2 (de) | 1994-09-15 |
| KR900008445A (ko) | 1990-06-04 |
| EP0370566A1 (en) | 1990-05-30 |
| EP0370566B1 (en) | 1994-03-23 |
| JPH02188902A (ja) | 1990-07-25 |
| KR0169961B1 (ko) | 1999-04-15 |
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