JP2991054B2 - シアネート化合物の製造方法 - Google Patents
シアネート化合物の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子部品の封止用、積層
板用、複合材料用、成形材料用および接着剤用として有
用なシアネート化合物の製造方法に関する。
板用、複合材料用、成形材料用および接着剤用として有
用なシアネート化合物の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、シアネート化合物の製法として
は、対応するヒドロキシ化合物にハロゲン化シアンと塩
基を、常にハロゲン化シアンが塩基に対して過剰になる
ように反応させる方法（米国特許３５５３２４４）が知
られている。この方法においては、専ら生成する３級ア
ミンのハロゲン化水素塩を濾過により除去した後、得ら
れた溶液を濃縮あるいは水沈することにより生成物を取
り出す方法が実施されている。これらの方法では収率が
低く留まる上、３級アミンとハロゲン化シアンとから副
生するジアルキルシアナミドとハロゲンイオンを完全に
除去できないことが本発明者らの検討により明かになっ
た。
は、対応するヒドロキシ化合物にハロゲン化シアンと塩
基を、常にハロゲン化シアンが塩基に対して過剰になる
ように反応させる方法（米国特許３５５３２４４）が知
られている。この方法においては、専ら生成する３級ア
ミンのハロゲン化水素塩を濾過により除去した後、得ら
れた溶液を濃縮あるいは水沈することにより生成物を取
り出す方法が実施されている。これらの方法では収率が
低く留まる上、３級アミンとハロゲン化シアンとから副
生するジアルキルシアナミドとハロゲンイオンを完全に
除去できないことが本発明者らの検討により明かになっ
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は上記の
問題点に鑑み、安全性が高く、よりプロセス的に簡便で
かつ高純度のシアネート化合物が高収率で得られる製法
を提供することにある。
問題点に鑑み、安全性が高く、よりプロセス的に簡便で
かつ高純度のシアネート化合物が高収率で得られる製法
を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、シアネー
ト化合物の製造方法について鋭意研究を続けた結果、水
と分液可能な反応溶媒を用い、反応終了後に水洗分液を
実施して３級アミンのハロゲン化水素塩を除去するこ
と、および粗生成物に２級アルコール類、３級アルコー
ル類、および炭化水素類の中から任意に選ばれる貧溶媒
により晶析あるいは沈澱させることにより高純度のシア
ネートが得られることを見い出し、本発明を完成させる
に至った。
ト化合物の製造方法について鋭意研究を続けた結果、水
と分液可能な反応溶媒を用い、反応終了後に水洗分液を
実施して３級アミンのハロゲン化水素塩を除去するこ
と、および粗生成物に２級アルコール類、３級アルコー
ル類、および炭化水素類の中から任意に選ばれる貧溶媒
により晶析あるいは沈澱させることにより高純度のシア
ネートが得られることを見い出し、本発明を完成させる
に至った。
【０００５】すなわち、本発明は下記一般式（Ｉ）
【化４】 （式中、Ａはそれぞれ独立に水素原子または炭素数１以
上６以下のアルキル基、Ｘは単結合、炭素数１から２０
の有機基、カルボニル基、スルホン基、２価の硫黄原子
または酸素原子、ｉは０以上４以下の整数値を示す。）
で表されるビスフェノール化合物に、水と分液可能な溶
媒の存在下、３級アミンとハロゲン化シアンを同時に添
加した後、水洗分液により３級アミンのハロゲン化水素
塩を除去し、得られた溶液あるいはこれを必要により濃
縮して得られた粗生成物に、２級アルコール類、３級ア
ルコール類および炭化水素類の中から任意に選ばれる貧
溶媒を接触させて、晶析、または沈澱させて精製するこ
とを特徴とするシアネート化合物の製造方法に関する。
上６以下のアルキル基、Ｘは単結合、炭素数１から２０
の有機基、カルボニル基、スルホン基、２価の硫黄原子
または酸素原子、ｉは０以上４以下の整数値を示す。）
で表されるビスフェノール化合物に、水と分液可能な溶
媒の存在下、３級アミンとハロゲン化シアンを同時に添
加した後、水洗分液により３級アミンのハロゲン化水素
塩を除去し、得られた溶液あるいはこれを必要により濃
縮して得られた粗生成物に、２級アルコール類、３級ア
ルコール類および炭化水素類の中から任意に選ばれる貧
溶媒を接触させて、晶析、または沈澱させて精製するこ
とを特徴とするシアネート化合物の製造方法に関する。
【０００６】用いるビスフェノール化合物は一般式
（Ｉ）を満足するものであればいかなるものでも使用可
能であるが例示すると、４，４´−ジヒドロキシジフェ
ニル、３，３´，５，５´−テトラメチル−４，４´−
ジヒドロキシジフェニル、ビス（ヒドロキシフェニル）
メタン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェ
ニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシ−３−ｔ−ブチル
−５−メチルフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパン（式
（Ｉ）を満足するものであればいかなるものでも使用可
能であるが例示すると、４，４´−ジヒドロキシジフェ
ニル、３，３´，５，５´−テトラメチル−４，４´−
ジヒドロキシジフェニル、ビス（ヒドロキシフェニル）
メタン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェ
ニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシ−３−ｔ−ブチル
−５−メチルフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパン（式
【０００７】
【化５】 で表される。）、２，２−ビス（３，５−ジメチル−４
−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−
メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−
ビス（４−ヒドロキシ−３−ｔ−ブチルフェニル）プロ
パン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−ｔ−ブチル
−６−メチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−
アリル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−
ビス（４−ヒドロキシ−３−ｔ−ブチル−６−メチルフ
ェニル）ブタン（式
−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−
メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−
ビス（４−ヒドロキシ−３−ｔ−ブチルフェニル）プロ
パン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−ｔ−ブチル
−６−メチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−
アリル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−
ビス（４−ヒドロキシ−３−ｔ−ブチル−６−メチルフ
ェニル）ブタン（式
【０００８】
【化６】 で表される。）、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−
３−メチルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシ−３−シクロヘキシル−６−メチル）
ブタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メンタン、ビ
ス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチル）メンタン、ビ
ス（４−ヒドロキシ−３−ｔ−ブチル−６−メチルフェ
ニル）メンタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）トリ
シクロ［５，２，１，０2,6］デカン、ビス（４−ヒド
ロキシ−３，５−ジメチルフェニル）トリシクロ［５，
２，１，０2,6］デカン、ビス（４−ヒドロキシ−３−
ｔ−ブチル−６−メチルフェニル）トリシクロ［５，
２，１，０2,6］デカン、ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）スルフィド、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメ
チルフェニル）スルフィド、ビス（４−ヒドロキシ−３
−ｔ−ブチル−６−メチルフェニル）スルフィド、ビス
（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）カルボニル、ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）エーテル等が挙げられる。特にビス（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパンは工業的に入手しやすく好ま
しい。また、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−ｔ−
ブチル−６−メチルフェニル）ブタンは、これより製造
されるシアネート化合物より得られるポリマー（ポリト
リアジン）が顕著な低誘電性を示すので、好ましい。
ル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−
３−メチルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシ−３−シクロヘキシル−６−メチル）
ブタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メンタン、ビ
ス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチル）メンタン、ビ
ス（４−ヒドロキシ−３−ｔ−ブチル−６−メチルフェ
ニル）メンタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）トリ
シクロ［５，２，１，０2,6］デカン、ビス（４−ヒド
ロキシ−３，５−ジメチルフェニル）トリシクロ［５，
２，１，０2,6］デカン、ビス（４−ヒドロキシ−３−
ｔ−ブチル−６−メチルフェニル）トリシクロ［５，
２，１，０2,6］デカン、ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）スルフィド、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメ
チルフェニル）スルフィド、ビス（４−ヒドロキシ−３
−ｔ−ブチル−６−メチルフェニル）スルフィド、ビス
（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）カルボニル、ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）エーテル等が挙げられる。特にビス（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパンは工業的に入手しやすく好ま
しい。また、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−ｔ−
ブチル−６−メチルフェニル）ブタンは、これより製造
されるシアネート化合物より得られるポリマー（ポリト
リアジン）が顕著な低誘電性を示すので、好ましい。
【０００９】用いる３級アミンとしてはトリメチルアミ
ン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、ジメチル
エチルアミン、トリブチルアミン、ジメチルアニリン、
ジエチルアニリン、ピリジン、キノリン等が挙げられ
る。
ン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、ジメチル
エチルアミン、トリブチルアミン、ジメチルアニリン、
ジエチルアニリン、ピリジン、キノリン等が挙げられ
る。
【００１０】水と分液可能な反応溶媒としてはメチルエ
チルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶
媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系溶媒、
ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、等のエーテル
系溶媒、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、ク
ロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素、ベンゾニトリル
等のニトリル系溶媒、ニトロベンゼン等のニトロ系溶
媒、酢酸エチル、安息香酸エチル等のエステル系溶媒が
使用可能である。中でもケトン系溶媒が好ましく、特に
メチルイソブチルケトンが最も好ましく用いられる。
チルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶
媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系溶媒、
ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、等のエーテル
系溶媒、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、ク
ロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素、ベンゾニトリル
等のニトリル系溶媒、ニトロベンゼン等のニトロ系溶
媒、酢酸エチル、安息香酸エチル等のエステル系溶媒が
使用可能である。中でもケトン系溶媒が好ましく、特に
メチルイソブチルケトンが最も好ましく用いられる。
【００１１】反応は、ビスフェノール化合物に、水と分
液可能な反応溶媒の存在下、３級アミンとハロゲン化シ
アンを同時に添加することによって行われる。具体的に
は、例えば、まずビスフェノール化合物を溶媒に溶解
し、これに３級アミンとハロゲン化シアンを所定量、ハ
ロゲン化シアンを先行させながら併注滴下することによ
って行われる。ハロゲン化シアンとしては塩化シアンあ
るいは臭化シアンが用いられ、塩化シアンを用いる場
合、反応温度は−３０〜１５℃、より好ましくは−１０
℃〜１５℃、臭化シアンを用いる場合は−３０℃〜６５
℃までの温度で行われる。３級アミンはヒドロキシ化合
物の水酸基に対してそれぞれ１．０〜５倍当量好ましく
は１．０〜１．５倍当量であり、ハロゲン化シアンは３
級アミンの当量以上仕込むか、あるいはハロゲン化シア
ンを過剰にするかわりに、塩酸、硫酸等の鉱酸を加える
ことにより酸性に調整しても良い。
液可能な反応溶媒の存在下、３級アミンとハロゲン化シ
アンを同時に添加することによって行われる。具体的に
は、例えば、まずビスフェノール化合物を溶媒に溶解
し、これに３級アミンとハロゲン化シアンを所定量、ハ
ロゲン化シアンを先行させながら併注滴下することによ
って行われる。ハロゲン化シアンとしては塩化シアンあ
るいは臭化シアンが用いられ、塩化シアンを用いる場
合、反応温度は−３０〜１５℃、より好ましくは−１０
℃〜１５℃、臭化シアンを用いる場合は−３０℃〜６５
℃までの温度で行われる。３級アミンはヒドロキシ化合
物の水酸基に対してそれぞれ１．０〜５倍当量好ましく
は１．０〜１．５倍当量であり、ハロゲン化シアンは３
級アミンの当量以上仕込むか、あるいはハロゲン化シア
ンを過剰にするかわりに、塩酸、硫酸等の鉱酸を加える
ことにより酸性に調整しても良い。
【００１２】後処理は、水洗分液により、副生した３級
アミンのハロゲン化水素塩を除去した後、得られた溶液
あるいはこれを必要により濃縮して得られた粗生成物
に、２級アルコール類、３級アルコール類、炭化水素類
の中から任意に選ばれる貧溶媒を接触させて、晶析、あ
るいは沈澱させて精製することにより行われる。３級ア
ミンを効率的に洗浄するため反応液を塩酸等の酸性水溶
液で水洗することも可能である。濃縮は１２０℃以下の
温度で減圧下行うのが好ましく、温度を上げすぎるとシ
アネートの３量化が始まるので好ましくない。晶析ある
いは沈澱化は、生成物を貧溶媒に添加するか、あるいは
逆に添加することにより行われる。貧溶媒としは、イソ
プロピルアルコール、アミルアルコール、ｔ−ブチルア
ルコール等の２級または３級アルコール溶媒、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、ヘキサン、石油エーテル等の
炭化水素類が好ましい。アルコール類については、水と
任意の割合で混合して用いても良い。また、上記の複数
の溶媒を、任意の割合で混合して用いても良い。メタノ
ール、エタノール等の１級アルコールは使用可能ではあ
るが、収率が低下するため好ましくない。
アミンのハロゲン化水素塩を除去した後、得られた溶液
あるいはこれを必要により濃縮して得られた粗生成物
に、２級アルコール類、３級アルコール類、炭化水素類
の中から任意に選ばれる貧溶媒を接触させて、晶析、あ
るいは沈澱させて精製することにより行われる。３級ア
ミンを効率的に洗浄するため反応液を塩酸等の酸性水溶
液で水洗することも可能である。濃縮は１２０℃以下の
温度で減圧下行うのが好ましく、温度を上げすぎるとシ
アネートの３量化が始まるので好ましくない。晶析ある
いは沈澱化は、生成物を貧溶媒に添加するか、あるいは
逆に添加することにより行われる。貧溶媒としは、イソ
プロピルアルコール、アミルアルコール、ｔ−ブチルア
ルコール等の２級または３級アルコール溶媒、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、ヘキサン、石油エーテル等の
炭化水素類が好ましい。アルコール類については、水と
任意の割合で混合して用いても良い。また、上記の複数
の溶媒を、任意の割合で混合して用いても良い。メタノ
ール、エタノール等の１級アルコールは使用可能ではあ
るが、収率が低下するため好ましくない。
【００１３】
【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れに限定されるものではない。 実施例１ 温度計、撹拌器、滴下ロート及び還流冷却器をつけた反
応器に窒素雰囲気下、２，２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）プロパン（三井東圧化学工業（株）製）１１
４．２ｇ（０．５ｍｏｌ）、メチルイソブチルケトン６
８５ｇを仕込み、室温にて溶解後、溶液を０℃まで冷却
した。次に、塩化シアン６７．７ｇ（１．１ｍｏｌ）を
２時間かけて滴下した。塩化シアン滴下開始５分後にト
リエチルアミン１１１．２ｇ（１．１ｍｏｌ）を０〜６
℃で２時間３０分かけて滴下しさらに同温度で３０分間
保温した。３％塩酸水３００ｇで洗浄ののち、水３００
ｇで２回水洗、分液した。得られた有機層中のジシアネ
ート体含量より反応収率は９９％であった。次にこの有
機層を１７８ｇまで減圧濃縮してからイソプロピルアル
コール２２８ｇを滴下して、５℃まで冷却し３時間撹拌
した。得られたスラリーを濾過しイソプロピルアルコー
ル１１４ｇで洗浄したのち、風乾して融点８０℃の白色
結晶１２１．１ｇを得た（収率８７％）。ＬＣ（液体ク
ロマト法）により、原料のビスフェノールおよびモノシ
アネート体は検出されなかった。得られた白色結晶をＧ
Ｃ（ガスクロマト法）により分析したが、ジエチルシア
ナミドは検出されなかった。また硝酸銀を用いた電位差
滴定法により塩素イオンの分析を試みたが塩素イオンは
１０ｐｐｍ以下であった。
れに限定されるものではない。 実施例１ 温度計、撹拌器、滴下ロート及び還流冷却器をつけた反
応器に窒素雰囲気下、２，２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）プロパン（三井東圧化学工業（株）製）１１
４．２ｇ（０．５ｍｏｌ）、メチルイソブチルケトン６
８５ｇを仕込み、室温にて溶解後、溶液を０℃まで冷却
した。次に、塩化シアン６７．７ｇ（１．１ｍｏｌ）を
２時間かけて滴下した。塩化シアン滴下開始５分後にト
リエチルアミン１１１．２ｇ（１．１ｍｏｌ）を０〜６
℃で２時間３０分かけて滴下しさらに同温度で３０分間
保温した。３％塩酸水３００ｇで洗浄ののち、水３００
ｇで２回水洗、分液した。得られた有機層中のジシアネ
ート体含量より反応収率は９９％であった。次にこの有
機層を１７８ｇまで減圧濃縮してからイソプロピルアル
コール２２８ｇを滴下して、５℃まで冷却し３時間撹拌
した。得られたスラリーを濾過しイソプロピルアルコー
ル１１４ｇで洗浄したのち、風乾して融点８０℃の白色
結晶１２１．１ｇを得た（収率８７％）。ＬＣ（液体ク
ロマト法）により、原料のビスフェノールおよびモノシ
アネート体は検出されなかった。得られた白色結晶をＧ
Ｃ（ガスクロマト法）により分析したが、ジエチルシア
ナミドは検出されなかった。また硝酸銀を用いた電位差
滴定法により塩素イオンの分析を試みたが塩素イオンは
１０ｐｐｍ以下であった。
【００１４】実施例２ 実施例１でトリエチルアミンを１４１．５ｇ（１．４ｍ
ｏｌ）、塩化シアンを８６．１ｇ（１．４ｍｏｌ）使用
する以外、全く同一条件で実施し白色結晶１１５．３ｇ
を得た（収率８３％）。ＬＣにより、原料のビスフェノ
ールおよびモノシアネート体は検出されなかった。得ら
れた白色結晶をＧＣにより分析したが、ジエチルシアナ
ミドは検出されなかった。また硝酸銀を用いた電位差滴
定法により塩素イオンの分析を試みたが塩素イオンは１
０ｐｐｍ以下であった。
ｏｌ）、塩化シアンを８６．１ｇ（１．４ｍｏｌ）使用
する以外、全く同一条件で実施し白色結晶１１５．３ｇ
を得た（収率８３％）。ＬＣにより、原料のビスフェノ
ールおよびモノシアネート体は検出されなかった。得ら
れた白色結晶をＧＣにより分析したが、ジエチルシアナ
ミドは検出されなかった。また硝酸銀を用いた電位差滴
定法により塩素イオンの分析を試みたが塩素イオンは１
０ｐｐｍ以下であった。
【００１５】実施例３ 実施例１で塩化シアンを７３．８ｇ（１．２ｍｏｌ）使
用する以外は全く同一条件で実施し白色結晶１１８ｇを
得た（収率８５％）。ＬＣにより、原料のビスフェノー
ルおよびモノシアネート体は検出されなかった。得られ
た白色結晶をＧＣにより分析したが、ジエチルシアナミ
ドは検出されなかった。また硝酸銀を用いた電位差滴定
法により塩素イオンの分析を試みたが塩素イオンは１０
ｐｐｍ以下であった。
用する以外は全く同一条件で実施し白色結晶１１８ｇを
得た（収率８５％）。ＬＣにより、原料のビスフェノー
ルおよびモノシアネート体は検出されなかった。得られ
た白色結晶をＧＣにより分析したが、ジエチルシアナミ
ドは検出されなかった。また硝酸銀を用いた電位差滴定
法により塩素イオンの分析を試みたが塩素イオンは１０
ｐｐｍ以下であった。
【００１６】実施例４ 実施例１で晶析および洗浄溶媒にヘプタンを使用する以
外は全く同一条件で実施し白色結晶１１０．５ｇを得た
（収率８０％）。ＬＣにより、原料のビスフェノールお
よびモノシアネート体は検出されなかった。得られた白
色結晶をＧＣにより分析したが、ジエチルシアナミドは
検出されなかった。また硝酸銀を用いた電位差滴定法に
より塩素イオンの分析を試みたが塩素イオンは１０ｐｐ
ｍ以下であった。
外は全く同一条件で実施し白色結晶１１０．５ｇを得た
（収率８０％）。ＬＣにより、原料のビスフェノールお
よびモノシアネート体は検出されなかった。得られた白
色結晶をＧＣにより分析したが、ジエチルシアナミドは
検出されなかった。また硝酸銀を用いた電位差滴定法に
より塩素イオンの分析を試みたが塩素イオンは１０ｐｐ
ｍ以下であった。
【００１７】実施例５ 実施例１で晶析および洗浄溶媒に８６％イソプロピルア
ルコール水溶液を使用する以外は全く同一条件で実施し
白色結晶１５５．７ｇを得た（収率８９％）。ＬＣによ
り、原料のビスフェノールおよびモノシアネート体は検
出されなかった。得られた白色結晶をＧＣにより分析し
たが、ジエチルシアナミドは検出されなかった。また硝
酸銀を用いた電位差滴定法により塩素イオンの分析を試
みたが塩素イオンは１０ｐｐｍ以下であった。
ルコール水溶液を使用する以外は全く同一条件で実施し
白色結晶１５５．７ｇを得た（収率８９％）。ＬＣによ
り、原料のビスフェノールおよびモノシアネート体は検
出されなかった。得られた白色結晶をＧＣにより分析し
たが、ジエチルシアナミドは検出されなかった。また硝
酸銀を用いた電位差滴定法により塩素イオンの分析を試
みたが塩素イオンは１０ｐｐｍ以下であった。
【００１８】実施例６ 温度計、撹拌器、滴下ロート及び還流冷却器をつけた反
応器に窒素雰囲気下、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−
３−メチルフェニル）シクロヘキサン５００．０ｇ
（１．６８ｍｏｌ）、メチルイソブチルケトン２４００
ｇを仕込み、室温にて溶解後、０℃まで冷却した。次
に、塩化シアン２２７．４ｇ（３．７０ｍｏｌ）を２時
間かけて滴下した。塩化シアン滴下開始５分後にトリエ
チルアミン３７４ｇ（３．７０ｍｏｌ）を０〜６℃で２
時間３０分かけて滴下しさらに同温度で３０分間保温し
た。３％塩酸水溶液５００ｇで洗浄し、さらに５００ｇ
の水で２回水洗分液した。得られた有機層中のジシアネ
ート体含量より反応収率は９９％であった。次にこの有
機層を減圧濃縮により溶媒を約９００ｇまで濃縮してか
らイソプロピルアルコール１０００ｇを滴下して、５℃
まで冷却し３時間撹拌した。得られたスラリーを濾過し
イソプロピルアルコール５００ｇで洗浄後減圧乾燥して
融点９４℃の白色結晶４９５．７ｇを得た（収率８５
％）。ＬＣにより、原料のビスフェノールおよびモノシ
アネート体は検出されなかった。得られた白色結晶をＧ
Ｃにより分析したが、ジエチルシアナミドは検出されな
かった。また硝酸銀を用いた電位差滴定法により塩素イ
オンの分析を試みたが塩素イオンは１０ｐｐｍ以下であ
った。
応器に窒素雰囲気下、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−
３−メチルフェニル）シクロヘキサン５００．０ｇ
（１．６８ｍｏｌ）、メチルイソブチルケトン２４００
ｇを仕込み、室温にて溶解後、０℃まで冷却した。次
に、塩化シアン２２７．４ｇ（３．７０ｍｏｌ）を２時
間かけて滴下した。塩化シアン滴下開始５分後にトリエ
チルアミン３７４ｇ（３．７０ｍｏｌ）を０〜６℃で２
時間３０分かけて滴下しさらに同温度で３０分間保温し
た。３％塩酸水溶液５００ｇで洗浄し、さらに５００ｇ
の水で２回水洗分液した。得られた有機層中のジシアネ
ート体含量より反応収率は９９％であった。次にこの有
機層を減圧濃縮により溶媒を約９００ｇまで濃縮してか
らイソプロピルアルコール１０００ｇを滴下して、５℃
まで冷却し３時間撹拌した。得られたスラリーを濾過し
イソプロピルアルコール５００ｇで洗浄後減圧乾燥して
融点９４℃の白色結晶４９５．７ｇを得た（収率８５
％）。ＬＣにより、原料のビスフェノールおよびモノシ
アネート体は検出されなかった。得られた白色結晶をＧ
Ｃにより分析したが、ジエチルシアナミドは検出されな
かった。また硝酸銀を用いた電位差滴定法により塩素イ
オンの分析を試みたが塩素イオンは１０ｐｐｍ以下であ
った。
【００１９】実施例７ 温度計、撹拌器、滴下ロート及び還流冷却器をつけた反
応器に窒素雰囲気下、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−
３−ｔ−ブチル−６−メチルフェニル）ブタン（住友化
学工業（株）製、商品名スミライザーＢＢＭ−Ｓ）２０
０．０ｇ（０．５３ｍｏｌ）、メチルイソブチルケトン
８００ｇを仕込み、室温にて溶解後、０℃まで冷却し
た。次に、塩化シアン９６．４ｇ（１．５７ｍｏｌ）を
２時間かけて滴下した。塩化シアン滴下開始５分後にト
リエチルアミン１４８．１ｇ（１．４６ｍｏｌ）を０〜
６℃で２時間３０分かけて滴下しさらに同温度で３０分
間保温した。３％塩酸水溶液３００ｇで洗浄し、さらに
３００ｇの水で２回水洗分液した。得られた有機層中の
ジシアネート体含量より反応収率は９２％であった。次
にこの有機層を減圧濃縮により溶媒を約４５０ｇまで濃
縮してからイソプロピルアルコール４００ｇを滴下し
て、５℃まで冷却し３時間撹拌した。得られたスラリー
を濾過しイソプロピルアルコール２００ｇで洗浄後減圧
乾燥して融点１２２〜１２３℃の白色結晶２０３．９ｇ
を得た（収率９０％）。ＬＣによるジシアネート体の純
度は９２．３％であった。得られた白色結晶をＧＣによ
り分析したが、ジエチルシアナミドは検出されなかっ
た。また硝酸銀を用いた電位差滴定法により塩素イオン
の分析を試みたが塩素イオンは１０ｐｐｍ以下であっ
た。
応器に窒素雰囲気下、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−
３−ｔ−ブチル−６−メチルフェニル）ブタン（住友化
学工業（株）製、商品名スミライザーＢＢＭ−Ｓ）２０
０．０ｇ（０．５３ｍｏｌ）、メチルイソブチルケトン
８００ｇを仕込み、室温にて溶解後、０℃まで冷却し
た。次に、塩化シアン９６．４ｇ（１．５７ｍｏｌ）を
２時間かけて滴下した。塩化シアン滴下開始５分後にト
リエチルアミン１４８．１ｇ（１．４６ｍｏｌ）を０〜
６℃で２時間３０分かけて滴下しさらに同温度で３０分
間保温した。３％塩酸水溶液３００ｇで洗浄し、さらに
３００ｇの水で２回水洗分液した。得られた有機層中の
ジシアネート体含量より反応収率は９２％であった。次
にこの有機層を減圧濃縮により溶媒を約４５０ｇまで濃
縮してからイソプロピルアルコール４００ｇを滴下し
て、５℃まで冷却し３時間撹拌した。得られたスラリー
を濾過しイソプロピルアルコール２００ｇで洗浄後減圧
乾燥して融点１２２〜１２３℃の白色結晶２０３．９ｇ
を得た（収率９０％）。ＬＣによるジシアネート体の純
度は９２．３％であった。得られた白色結晶をＧＣによ
り分析したが、ジエチルシアナミドは検出されなかっ
た。また硝酸銀を用いた電位差滴定法により塩素イオン
の分析を試みたが塩素イオンは１０ｐｐｍ以下であっ
た。
【００２０】比較例１ 温度計、撹拌器、滴下ロート及び還流冷却器をつけた反
応器に窒素雰囲気下、２，２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）プロパン（三井東圧化学工業（株）製）４００
ｇ（１．７６ｍｏｌ）、アセトン９３３ｇおよび塩化シ
アン２５８．９ｇ（４．２１ｍｏｌ）を仕込み、室温に
て溶解後０℃まで冷却した。次に、トリエチルアミン３
７２．８ｇ（３．６８ｍｏｌ）を０〜６℃で１時間かけ
て滴下しさらに同温度で１時間保温した。次に、得られ
た反応溶媒を水５０００ｍｌの中に溶解、晶析させ黄白
色の結晶を得た。結晶を２０００ｍｌの水で洗浄したの
ち、減圧下で乾燥し、融点７６〜７８℃の黄白色の結晶
２４５．１ｇを得た（収率６１％）。得られた黄白色結
晶をＧＣにより分析し、ジエチルシアナミドを２．１％
検出した。また硝酸銀を用いた電位差滴定法により塩素
イオンの分析を試み、得られた黄白色の結晶は塩素イオ
ンが８３０ｐｐｍ含有していた。
応器に窒素雰囲気下、２，２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）プロパン（三井東圧化学工業（株）製）４００
ｇ（１．７６ｍｏｌ）、アセトン９３３ｇおよび塩化シ
アン２５８．９ｇ（４．２１ｍｏｌ）を仕込み、室温に
て溶解後０℃まで冷却した。次に、トリエチルアミン３
７２．８ｇ（３．６８ｍｏｌ）を０〜６℃で１時間かけ
て滴下しさらに同温度で１時間保温した。次に、得られ
た反応溶媒を水５０００ｍｌの中に溶解、晶析させ黄白
色の結晶を得た。結晶を２０００ｍｌの水で洗浄したの
ち、減圧下で乾燥し、融点７６〜７８℃の黄白色の結晶
２４５．１ｇを得た（収率６１％）。得られた黄白色結
晶をＧＣにより分析し、ジエチルシアナミドを２．１％
検出した。また硝酸銀を用いた電位差滴定法により塩素
イオンの分析を試み、得られた黄白色の結晶は塩素イオ
ンが８３０ｐｐｍ含有していた。
【００２１】比較例２ 実施例１で晶析および洗浄溶媒にメタノールを使用する
以外は全く同一条件で実施し白色結晶９１．３ｇを得た
（収率６６％）。ＬＣによるジシアネート体の純度は９
９．５％であった。得られた白色結晶をＧＣにより分析
したが、ジエチルシアナミドは検出されなかった。また
硝酸銀を用いた電位差滴定法により塩素イオンの分析を
試みたが塩素イオンは１０ｐｐｍ以下であった。
以外は全く同一条件で実施し白色結晶９１．３ｇを得た
（収率６６％）。ＬＣによるジシアネート体の純度は９
９．５％であった。得られた白色結晶をＧＣにより分析
したが、ジエチルシアナミドは検出されなかった。また
硝酸銀を用いた電位差滴定法により塩素イオンの分析を
試みたが塩素イオンは１０ｐｐｍ以下であった。
【００２２】
【発明の効果】実施例からも明かなように、ハロゲン化
シアンと３級アミンの滴下方法を制御し、水洗分液によ
り副生塩を除去した後、２級または３級アルコール類、
炭化水素類の中から任意に選ばれた貧溶媒により晶析あ
るいは沈澱することにより高収率で高純度のジシアネー
ト体を得ることができた。比較例で示したようにハロゲ
ン化シアンとヒドロキシ化合物の混合溶媒に３級アミン
を滴下し、水沈により生成物を取り出すと、目的のジシ
アネート体の収率が低く、３級アミンとハロゲン化シア
ンから副生するジアルキルシアナミドおよびハロゲンイ
オンを完全に除去できないことが明かになった。さら
に、１級アルコールを貧溶媒として用いるとジシアネー
ト体を高収率で得ることが困難である。本発明は、危険
性の高いハロゲン化シアンが反応槽に多量に滞留するこ
となく安全であり、かつ工業的な規模で実施可能な優れ
たプロセスであるといえる。
シアンと３級アミンの滴下方法を制御し、水洗分液によ
り副生塩を除去した後、２級または３級アルコール類、
炭化水素類の中から任意に選ばれた貧溶媒により晶析あ
るいは沈澱することにより高収率で高純度のジシアネー
ト体を得ることができた。比較例で示したようにハロゲ
ン化シアンとヒドロキシ化合物の混合溶媒に３級アミン
を滴下し、水沈により生成物を取り出すと、目的のジシ
アネート体の収率が低く、３級アミンとハロゲン化シア
ンから副生するジアルキルシアナミドおよびハロゲンイ
オンを完全に除去できないことが明かになった。さら
に、１級アルコールを貧溶媒として用いるとジシアネー
ト体を高収率で得ることが困難である。本発明は、危険
性の高いハロゲン化シアンが反応槽に多量に滞留するこ
となく安全であり、かつ工業的な規模で実施可能な優れ
たプロセスであるといえる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C07C 261/02
Claims (5)
- 【請求項１】下記の一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ａはそれぞれ独立に水素原子または炭素数１以
上６以下のアルキル基、Ｘは単結合、炭素数１から２０
の有機基、カルボニル基、スルホン基、２価の硫黄原子
または酸素原子、ｉは０以上４以下の整数値を示す。）
で表されるビスフェノール化合物に、水と分液可能な溶
媒の存在下、３級アミンとハロゲン化シアンを同時に添
加した後、水洗分液により３級アミンのハロゲン化水素
塩を除去し、得られた溶液あるいはこれを必要により濃
縮して得られた粗生成物に、２級アルコール類、３級ア
ルコール類、炭化水素類の中から任意に選ばれる貧溶媒
を接触させて、晶析、あるいは沈澱させて精製すること
を特徴とするシアネート化合物の製造方法。 - 【請求項２】一般式［Ｉ］で示されるビスフェノール化
合物が下記式で示されることを特徴とする請求項１記載
のシアネート化合物の製造方法。 【化２】 - 【請求項３】反応溶媒としてメチルイソブチルケトンを
用い、イソプロピルアルコールまたは含水イソプロピル
アルコールを用いて晶析、あるいは沈澱させて精製する
ことを特徴とする請求項２記載のシアネート化合物の製
造方法。 - 【請求項４】一般式［Ｉ］で示されるビスフェノール化
合物が下記式で示されることを特徴とする請求項１記載
のシアネート化合物の製造方法。 【化３】 - 【請求項５】反応溶媒としてメチルイソブチルケトンを
用い、イソプロピルアルコールまたは含水イソプロピル
アルコールを用いて晶析、あるいは沈澱させて精製する
ことを特徴とする請求項４記載のシアネート化合物の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6224797A JP2991054B2 (ja) | 1994-09-20 | 1994-09-20 | シアネート化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6224797A JP2991054B2 (ja) | 1994-09-20 | 1994-09-20 | シアネート化合物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0892192A JPH0892192A (ja) | 1996-04-09 |
| JP2991054B2 true JP2991054B2 (ja) | 1999-12-20 |
Family
ID=16819358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6224797A Expired - Fee Related JP2991054B2 (ja) | 1994-09-20 | 1994-09-20 | シアネート化合物の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2991054B2 (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007049422A1 (ja) | 2005-10-25 | 2007-05-03 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | シアン酸エステル重合体 |
| WO2011090022A1 (ja) | 2010-01-20 | 2011-07-28 | 三菱瓦斯化学株式会社 | シアン酸エステル化合物およびその硬化物 |
| WO2012057144A1 (ja) | 2010-10-29 | 2012-05-03 | 三菱瓦斯化学株式会社 | シアン酸エステル化合物、シアン酸エステル化合物を含む硬化性樹脂組成物、およびその硬化物 |
| WO2012105547A1 (ja) | 2011-02-04 | 2012-08-09 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 硬化性樹脂組成物およびその硬化物 |
| WO2013008667A1 (ja) | 2011-07-11 | 2013-01-17 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 硬化性樹脂組成物およびそれを用いた硬化物の製造方法 |
| WO2013021869A1 (ja) | 2011-08-09 | 2013-02-14 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 新規なシアン酸エステル化合物及びその製造方法、並びに該化合物を含む硬化性樹脂組成物及びその硬化物 |
| WO2013065694A1 (ja) | 2011-11-02 | 2013-05-10 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 樹脂組成物、プリプレグ及び積層板 |
| WO2013084819A1 (ja) | 2011-12-07 | 2013-06-13 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 樹脂組成物、プリプレグ及び積層板 |
| WO2013115069A1 (ja) | 2012-01-31 | 2013-08-08 | 三菱瓦斯化学株式会社 | プリント配線板材料用樹脂組成物、並びにそれを用いたプリプレグ、樹脂シート、金属箔張積層板及びプリント配線板 |
| WO2014065422A1 (ja) | 2012-10-26 | 2014-05-01 | 三菱瓦斯化学株式会社 | ハロゲン化シアンの製造方法、シアン酸エステル化合物及びその製造方法、並びに樹脂組成物 |
| WO2014203866A1 (ja) | 2013-06-18 | 2014-12-24 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 樹脂組成物、プリプレグ、樹脂シート及び金属箔張り積層板 |
| WO2014203865A1 (ja) | 2013-06-18 | 2014-12-24 | 三菱瓦斯化学株式会社 | シアン酸エステル化合物、該化合物を含む硬化性樹脂組成物及びその硬化物 |
| WO2015060418A1 (ja) | 2013-10-25 | 2015-04-30 | 三菱瓦斯化学株式会社 | シアン酸エステル化合物、該化合物を含む硬化性樹脂組成物及びその硬化物 |
| WO2015060266A1 (ja) | 2013-10-25 | 2015-04-30 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 樹脂組成物、プリプレグ、積層シート及び金属箔張り積層板 |
| WO2017170375A1 (ja) | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 三菱瓦斯化学株式会社 | シアン酸エステル化合物、その製造方法、樹脂組成物、硬化物、プリプレグ、封止用材料、繊維強化複合材料、接着剤、金属箔張積層板、樹脂シート及びプリント配線板 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19706648A1 (de) * | 1997-02-20 | 1998-08-27 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung von aromatischen Nitrilen |
| CH693744A5 (de) | 1998-08-20 | 2004-01-15 | Sumitomo Chemical Co | Verfahren zur Herstellung von hochreinem aromatischem Cyanat. |
| DE19947613A1 (de) | 1998-10-07 | 2000-04-13 | Sumitomo Chemical Co | Cyanatreinigungsverfahren |
-
1994
- 1994-09-20 JP JP6224797A patent/JP2991054B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| WO2007049422A1 (ja) | 2005-10-25 | 2007-05-03 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | シアン酸エステル重合体 |
| WO2011090022A1 (ja) | 2010-01-20 | 2011-07-28 | 三菱瓦斯化学株式会社 | シアン酸エステル化合物およびその硬化物 |
| US9453126B2 (en) | 2010-10-29 | 2016-09-27 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Cyanate ester compound, curable resin composition containing cyanate ester compound, and cured product thereof |
| WO2012057144A1 (ja) | 2010-10-29 | 2012-05-03 | 三菱瓦斯化学株式会社 | シアン酸エステル化合物、シアン酸エステル化合物を含む硬化性樹脂組成物、およびその硬化物 |
| WO2012105547A1 (ja) | 2011-02-04 | 2012-08-09 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 硬化性樹脂組成物およびその硬化物 |
| US9657173B2 (en) | 2011-02-04 | 2017-05-23 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Curable resin composition and cured product thereof |
| WO2013008667A1 (ja) | 2011-07-11 | 2013-01-17 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 硬化性樹脂組成物およびそれを用いた硬化物の製造方法 |
| WO2013021869A1 (ja) | 2011-08-09 | 2013-02-14 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 新規なシアン酸エステル化合物及びその製造方法、並びに該化合物を含む硬化性樹脂組成物及びその硬化物 |
| WO2013065694A1 (ja) | 2011-11-02 | 2013-05-10 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 樹脂組成物、プリプレグ及び積層板 |
| WO2013084819A1 (ja) | 2011-12-07 | 2013-06-13 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 樹脂組成物、プリプレグ及び積層板 |
| WO2013115069A1 (ja) | 2012-01-31 | 2013-08-08 | 三菱瓦斯化学株式会社 | プリント配線板材料用樹脂組成物、並びにそれを用いたプリプレグ、樹脂シート、金属箔張積層板及びプリント配線板 |
| WO2014065422A1 (ja) | 2012-10-26 | 2014-05-01 | 三菱瓦斯化学株式会社 | ハロゲン化シアンの製造方法、シアン酸エステル化合物及びその製造方法、並びに樹脂組成物 |
| WO2014203865A1 (ja) | 2013-06-18 | 2014-12-24 | 三菱瓦斯化学株式会社 | シアン酸エステル化合物、該化合物を含む硬化性樹脂組成物及びその硬化物 |
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| WO2015060418A1 (ja) | 2013-10-25 | 2015-04-30 | 三菱瓦斯化学株式会社 | シアン酸エステル化合物、該化合物を含む硬化性樹脂組成物及びその硬化物 |
| WO2015060266A1 (ja) | 2013-10-25 | 2015-04-30 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 樹脂組成物、プリプレグ、積層シート及び金属箔張り積層板 |
| WO2017170375A1 (ja) | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 三菱瓦斯化学株式会社 | シアン酸エステル化合物、その製造方法、樹脂組成物、硬化物、プリプレグ、封止用材料、繊維強化複合材料、接着剤、金属箔張積層板、樹脂シート及びプリント配線板 |
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