JP2978896B1 - 半導体製造用真空装置とそのパーティクルの低減方法 - Google Patents
半導体製造用真空装置とそのパーティクルの低減方法Info
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- JP2978896B1 JP2978896B1 JP21519198A JP21519198A JP2978896B1 JP 2978896 B1 JP2978896 B1 JP 2978896B1 JP 21519198 A JP21519198 A JP 21519198A JP 21519198 A JP21519198 A JP 21519198A JP 2978896 B1 JP2978896 B1 JP 2978896B1
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Abstract
【要約】
【課題】 基板搬送口の構造を装置本体に対して凸状と
し、更に、Ｏリングを基板搬送経路外に配置すること
で、Ｏリングが潰れた場合でも、このＯリングに起因す
るパーティクルが基板上に付着しないようにした半導体
製造用真空装置を提供する。 【解決手段】 真空装置の基板搬送口１から突出して設
けられた真空保持室２と、前記真空装置の外壁３に設け
た真空装置の真空を保持するための部材４と、この部材
４に密着して前記基板搬送口１を密閉する扉５とで構成
したことを特徴とする。
し、更に、Ｏリングを基板搬送経路外に配置すること
で、Ｏリングが潰れた場合でも、このＯリングに起因す
るパーティクルが基板上に付着しないようにした半導体
製造用真空装置を提供する。 【解決手段】 真空装置の基板搬送口１から突出して設
けられた真空保持室２と、前記真空装置の外壁３に設け
た真空装置の真空を保持するための部材４と、この部材
４に密着して前記基板搬送口１を密閉する扉５とで構成
したことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造用真空
装置とそのパーティクルの低減方法に係わり、特に、パ
ーティクルの発生を少なくした半導体製造用真空装置と
そのパーティクルの低減方法に関する。
装置とそのパーティクルの低減方法に係わり、特に、パ
ーティクルの発生を少なくした半導体製造用真空装置と
そのパーティクルの低減方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の真空装置では、基板搬送経路上に
扉を密閉するためのＯリングが設けられていた為に、Ｏ
リングが劣化してパーティクルが発生した場合、基板上
にパーティクルが付着するという問題があった。Ｏリン
グとチャンバを仕切る構造としては、例えば、実開平４
−９３１３８号公報が知られている。これは、図３に示
すように、Ｏリング１１と真空状態でプラズマを発生す
る空間１２との間に仕切り板１３を配置して、プラズマ
によって劣化したＯリング１１に起因するパーティクル
の発生を防止する構造である。この構造によりプラズマ
に起因するＯリング１１の劣化を抑えることはできる
が、装置本体に仕切り溝１４を形成している構造である
為にこの溝１４が浅く（数ｍｍレベル）、Ｏリング１１
がプラズマ以外の要因で劣化し発塵した場合には、パー
ティクルが基板１０に廻り込みやすいという欠点があっ
た。
扉を密閉するためのＯリングが設けられていた為に、Ｏ
リングが劣化してパーティクルが発生した場合、基板上
にパーティクルが付着するという問題があった。Ｏリン
グとチャンバを仕切る構造としては、例えば、実開平４
−９３１３８号公報が知られている。これは、図３に示
すように、Ｏリング１１と真空状態でプラズマを発生す
る空間１２との間に仕切り板１３を配置して、プラズマ
によって劣化したＯリング１１に起因するパーティクル
の発生を防止する構造である。この構造によりプラズマ
に起因するＯリング１１の劣化を抑えることはできる
が、装置本体に仕切り溝１４を形成している構造である
為にこの溝１４が浅く（数ｍｍレベル）、Ｏリング１１
がプラズマ以外の要因で劣化し発塵した場合には、パー
ティクルが基板１０に廻り込みやすいという欠点があっ
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
した従来技術の欠点を改良し、特に、基板搬送口の構造
を装置本体に対して凸状とし、更に、Ｏリングを基板搬
送経路外に配置することで、Ｏリングが潰れた場合で
も、このＯリングに起因するパーティクルが基板上に付
着しないようにした新規な半導体製造用真空装置とその
パーティクルの低減方法を提供するものである。
した従来技術の欠点を改良し、特に、基板搬送口の構造
を装置本体に対して凸状とし、更に、Ｏリングを基板搬
送経路外に配置することで、Ｏリングが潰れた場合で
も、このＯリングに起因するパーティクルが基板上に付
着しないようにした新規な半導体製造用真空装置とその
パーティクルの低減方法を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。 即ち、本発明に係わる半導体製造用真空装置の第１態様
は、半導体製造用真空装置において、前記真空装置の真
空保持室の外壁から突出して設けられた基板搬送口と、
前記基板搬送口を囲むように前記真空装置の外壁に取付
けられた真空を保持するための部材と、この部材に密着
し、前記突出した基板搬送口を覆って密閉する扉とで構
成したことを特徴とするものであり、 又、第２態様は、前記基板搬送口の前記真空保持室の外
壁からの突出量は、前記真空を保持するための部材の外
径より十分大きいことを特徴とするものであり、 又、第３態様は、前記真空を保持するための部材は、樹
脂製の柔軟性を有する部材であること特徴とするもので
ある。
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。 即ち、本発明に係わる半導体製造用真空装置の第１態様
は、半導体製造用真空装置において、前記真空装置の真
空保持室の外壁から突出して設けられた基板搬送口と、
前記基板搬送口を囲むように前記真空装置の外壁に取付
けられた真空を保持するための部材と、この部材に密着
し、前記突出した基板搬送口を覆って密閉する扉とで構
成したことを特徴とするものであり、 又、第２態様は、前記基板搬送口の前記真空保持室の外
壁からの突出量は、前記真空を保持するための部材の外
径より十分大きいことを特徴とするものであり、 又、第３態様は、前記真空を保持するための部材は、樹
脂製の柔軟性を有する部材であること特徴とするもので
ある。
【０００５】又、本発明に係わる半導体製造用真空装置
のパーティクルの低減方法の態様は、半導体製造用真空
装置のパーティクルの低減方法において、前記真空装置
の真空保持室の外壁から突出して前記真空保持室の基板
搬送口を配設すると共に、前記基板搬送口の周辺を囲む
ように前記真空装置の真空を保持するための部材を前記
真空保持室の外壁に設け、この部材に前記基板搬送口の
扉を密着させることで、前記部材に起因するパーティク
ルの影響を低減せしめたことを特徴とするものである。
のパーティクルの低減方法の態様は、半導体製造用真空
装置のパーティクルの低減方法において、前記真空装置
の真空保持室の外壁から突出して前記真空保持室の基板
搬送口を配設すると共に、前記基板搬送口の周辺を囲む
ように前記真空装置の真空を保持するための部材を前記
真空保持室の外壁に設け、この部材に前記基板搬送口の
扉を密着させることで、前記部材に起因するパーティク
ルの影響を低減せしめたことを特徴とするものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明に係わる半導体製造用真空
装置は、前記真空装置の基板搬送口から突出して設けら
れた真空保持室と、前記真空装置の外壁に設けた真空装
置の真空を保持するための部材と、この部材に密着して
前記基板搬送口を密閉する扉とで構成したものであるか
ら、基板搬送経路上で、装置本体と基板搬送口を密閉す
る扉とが接触することがない。
装置は、前記真空装置の基板搬送口から突出して設けら
れた真空保持室と、前記真空装置の外壁に設けた真空装
置の真空を保持するための部材と、この部材に密着して
前記基板搬送口を密閉する扉とで構成したものであるか
ら、基板搬送経路上で、装置本体と基板搬送口を密閉す
る扉とが接触することがない。
【０００７】従って、従来のように、Ｏリングの劣化の
影響によりパーティクルが発生し、このために、歩留ま
りが低下するようなことがなくなる。
影響によりパーティクルが発生し、このために、歩留ま
りが低下するようなことがなくなる。
【０００８】
【実施例】以下に、本発明に係わる半導体製造用真空装
置とそのパーティクルの低減方法の具体例を図面を参照
しながら詳細に説明する。図１は、本発明に係わる半導
体製造用真空装置の具体例の構造を示す図であって、図
１には、半導体製造用真空装置において、前記真空装置
の基板搬送口１から突出して設けられた真空保持室２
と、前記真空装置の外壁３に設けた真空装置の真空を保
持するための部材４と、この部材４に密着して前記基板
搬送口１を密閉する扉５とで構成した半導体製造用真空
装置が示され、又、前記真空を保持するための部材４
は、前記基板搬送口１近傍を囲むように設けられている
半導体製造用真空装置が示され、又、前記基板搬送口１
からの前記真空保持室２の突出量７は、前記真空を保持
するための部材４の外径より十分大きい半導体製造用真
空装置が示され、又、前記基板搬送口１の扉５は、前記
突出した真空保持室２を覆うと共に断面が略コの字状に
形成されている半導体製造用真空装置が示されている。
置とそのパーティクルの低減方法の具体例を図面を参照
しながら詳細に説明する。図１は、本発明に係わる半導
体製造用真空装置の具体例の構造を示す図であって、図
１には、半導体製造用真空装置において、前記真空装置
の基板搬送口１から突出して設けられた真空保持室２
と、前記真空装置の外壁３に設けた真空装置の真空を保
持するための部材４と、この部材４に密着して前記基板
搬送口１を密閉する扉５とで構成した半導体製造用真空
装置が示され、又、前記真空を保持するための部材４
は、前記基板搬送口１近傍を囲むように設けられている
半導体製造用真空装置が示され、又、前記基板搬送口１
からの前記真空保持室２の突出量７は、前記真空を保持
するための部材４の外径より十分大きい半導体製造用真
空装置が示され、又、前記基板搬送口１の扉５は、前記
突出した真空保持室２を覆うと共に断面が略コの字状に
形成されている半導体製造用真空装置が示されている。
【０００９】なお、１０は半導体基板であり、８は半導
体基板１０の搬送経路である。以下に、本発明を更に詳
細に説明する。本発明の構造は、特に、半導体基板上に
デバイス配線するための金属薄膜を形成するための真空
装置の基板搬送口周辺の構造である。この搬送口１は扉
５を上下動することにより開閉し、装置内外に基板１０
を搬送する構造となっている。装置内部に基板１０を搬
送する場合は、搬送口１の扉５を閉めた後に１×１０-8
Ｔｏｒｒレベルの真空引きを行う。その際の真空保持の
為に搬送口１周辺にＯリング４を配置している。
体基板１０の搬送経路である。以下に、本発明を更に詳
細に説明する。本発明の構造は、特に、半導体基板上に
デバイス配線するための金属薄膜を形成するための真空
装置の基板搬送口周辺の構造である。この搬送口１は扉
５を上下動することにより開閉し、装置内外に基板１０
を搬送する構造となっている。装置内部に基板１０を搬
送する場合は、搬送口１の扉５を閉めた後に１×１０-8
Ｔｏｒｒレベルの真空引きを行う。その際の真空保持の
為に搬送口１周辺にＯリング４を配置している。
【００１０】本発明は、上記した真空装置に於いて、真
空保持室（ロードロック室）２が装置本体に対して約１
０ｃｍ程度凸状となる構造とし、更に、Ｏリング４を装
置本体外壁３に配置することによってパーティクル発生
源となるＯリング４廻りの装置本体と入口部扉５との接
触部を基板搬送経路８外とすることで、基板１０上にパ
ーティクルが付着することを防止している。
空保持室（ロードロック室）２が装置本体に対して約１
０ｃｍ程度凸状となる構造とし、更に、Ｏリング４を装
置本体外壁３に配置することによってパーティクル発生
源となるＯリング４廻りの装置本体と入口部扉５との接
触部を基板搬送経路８外とすることで、基板１０上にパ
ーティクルが付着することを防止している。
【００１１】このように構成した本発明の構造では、装
置本体に対して入口部が約１０ｃｍ凸状になっている為
に、扉５を開く場合、約１２ｃｍ装置本体からはなれる
方向に移動させた後に約６ｃｍ／秒の速度で下げ、その
後、基板１０を装置内部に搬送し、基板を装置内へ収納
した後は、扉５を約６ｃｍ／秒の速度で上昇した後に装
置本体方向へ約１２ｃｍ動かして閉じる。
置本体に対して入口部が約１０ｃｍ凸状になっている為
に、扉５を開く場合、約１２ｃｍ装置本体からはなれる
方向に移動させた後に約６ｃｍ／秒の速度で下げ、その
後、基板１０を装置内部に搬送し、基板を装置内へ収納
した後は、扉５を約６ｃｍ／秒の速度で上昇した後に装
置本体方向へ約１２ｃｍ動かして閉じる。
【００１２】なお、本発明と同様の真空装置である注入
装置・ドライエッチ装置・メタルＣＶＤ装置に用いても
同様の効果が得られる。
装置・ドライエッチ装置・メタルＣＶＤ装置に用いても
同様の効果が得られる。
【００１３】
【発明の効果】本発明に係わる半導体製造用真空装置と
そのパーティクルの低減方法は、上述のように構成した
ので、Ｏリングは基板搬送経路外に配置される。従っ
て、Ｏリングが劣化して潰れた場合でも、Ｏリングは基
板搬送経路外に配置されているから、このＯリングに起
因するパーティクルが基板上に付着することがなく、従
って、歩留まりの低下を防止できる。
そのパーティクルの低減方法は、上述のように構成した
ので、Ｏリングは基板搬送経路外に配置される。従っ
て、Ｏリングが劣化して潰れた場合でも、Ｏリングは基
板搬送経路外に配置されているから、このＯリングに起
因するパーティクルが基板上に付着することがなく、従
って、歩留まりの低下を防止できる。
【図１】本発明に係わる半導体製造用真空装置の断面図
である。
である。
【図２】本発明に係わる半導体製造用真空装置の斜視図
である。
である。
【図３】従来技術を示す断面図である。
１ 基板搬送口 ２ 真空保持室（ロードロック室） ３ 真空装置の外壁 ４ Ｏリング（真空装置の真空を保持するための部
材） ５ 基板搬送口の扉 ７ 真空保持室の突出量 ８ 基板搬送経路 １０ 基板
材） ５ 基板搬送口の扉 ７ 真空保持室の突出量 ８ 基板搬送経路 １０ 基板
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/68 B01J 3/03 H01L 21/02 H01L 21/3065
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体製造用真空装置において、前記真空装置の真空保持室の外壁から突出して設けられ
た基板搬送口と、前記基板搬送口を囲むように前記真空
装置の外壁に取付けられた真空を保持するための部材
と、この部材に密着し、前記突出した基板搬送口を覆っ
て密閉する扉 とで構成したことを特徴とする半導体製造
用真空装置。 - 【請求項２】 前記基板搬送口の前記真空保持室の外壁
からの突出量は、前記真空を保持するための部材の外径
より十分大きいことを特徴とする請求項１記載の半導体
製造用真空装置。 - 【請求項３】 前記真空を保持するための部材は、樹脂
製の柔軟性を有する部材であること特徴とする請求項２
記載の半導体製造用真空装置。 - 【請求項４】 半導体製造用真空装置のパーティクルの
低減方法において、 前記真空装置の真空保持室の外壁から突出して前記真空
保持室の基板搬送口を配設すると共に、前記基板搬送口
の周辺を囲むように前記真空装置の真空を保持するため
の部材を前記真空保持室の外壁に設け、この部材に前記
基板搬送口の扉を密着させることで、前記部材に起因す
るパーティクルの影響を低減せしめたことを特徴とする
半導体製造用真空装置のパーティクルの低減方法 。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21519198A JP2978896B1 (ja) | 1998-07-30 | 1998-07-30 | 半導体製造用真空装置とそのパーティクルの低減方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21519198A JP2978896B1 (ja) | 1998-07-30 | 1998-07-30 | 半導体製造用真空装置とそのパーティクルの低減方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2978896B1 true JP2978896B1 (ja) | 1999-11-15 |
| JP2000049211A JP2000049211A (ja) | 2000-02-18 |
Family
ID=16668196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21519198A Expired - Fee Related JP2978896B1 (ja) | 1998-07-30 | 1998-07-30 | 半導体製造用真空装置とそのパーティクルの低減方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2978896B1 (ja) |
-
1998
- 1998-07-30 JP JP21519198A patent/JP2978896B1/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000049211A (ja) | 2000-02-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
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