JP2976584B2 - 半導体装置の製造方法およびその製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法およびその製造装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子部品を配線基
板上に接着して形成する半導体装置にかかり、その製造
方法および製造装置に関する。
板上に接着して形成する半導体装置にかかり、その製造
方法および製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置を形成する半導体素子部品と
配線基板との接合は接着剤を介して行われるのが一般的
である。
配線基板との接合は接着剤を介して行われるのが一般的
である。
【０００３】以下、このような半導体装置の製造方法に
ついて図４から図６を参照しながら説明する。
ついて図４から図６を参照しながら説明する。
【０００４】図４に示すように、１は図示しないテーブ
ル上に載置されたガラス等で形成された配線基板（以
下、基板という）で、表面に第２の突起電極２が形設さ
れている。３は加圧ヘッド４に吸着された半導体素子部
品（以下、半導体という）で、表面に第２の突起電極２
に対応する第１の突起電極５が形設されている。加圧ヘ
ッド４は半導体３を基板１に圧接するもので、図示しな
いシリンダーによって駆動される。６は紫外線発光体
で、基板１と半導体３とを接着する紫外線硬化型接着剤
（以下、接着剤という）７を硬化させるものである。
ル上に載置されたガラス等で形成された配線基板（以
下、基板という）で、表面に第２の突起電極２が形設さ
れている。３は加圧ヘッド４に吸着された半導体素子部
品（以下、半導体という）で、表面に第２の突起電極２
に対応する第１の突起電極５が形設されている。加圧ヘ
ッド４は半導体３を基板１に圧接するもので、図示しな
いシリンダーによって駆動される。６は紫外線発光体
で、基板１と半導体３とを接着する紫外線硬化型接着剤
（以下、接着剤という）７を硬化させるものである。
【０００５】上記構成において、図４（ａ）に示すよう
に、基板１上に接着剤７を塗布し、その上方から加圧ヘ
ッド４に吸着された半導体３を降下させて第２の突起電
極２に第１の突起電極５を当接させる。続いて図４
（ｂ）に示すように、加圧ヘッド４をさらに降下させて
第２の突起電極２と第１の突起電極５に所定の圧力を加
え、両電極を圧縮して両電極を圧着接続する。そして、
圧着接続が終了すると、この圧着状態、つまり、基板１
と半導体３とを上記した所定の圧力で圧接した状態で紫
外線発光体６から紫外線を照射し、接着剤７を硬化させ
基板１と半導体３とを接着する。
に、基板１上に接着剤７を塗布し、その上方から加圧ヘ
ッド４に吸着された半導体３を降下させて第２の突起電
極２に第１の突起電極５を当接させる。続いて図４
（ｂ）に示すように、加圧ヘッド４をさらに降下させて
第２の突起電極２と第１の突起電極５に所定の圧力を加
え、両電極を圧縮して両電極を圧着接続する。そして、
圧着接続が終了すると、この圧着状態、つまり、基板１
と半導体３とを上記した所定の圧力で圧接した状態で紫
外線発光体６から紫外線を照射し、接着剤７を硬化させ
基板１と半導体３とを接着する。
【０００６】この加圧ヘッド４による加圧のアルゴリズ
ムを図５に示す。加圧ヘッド４が降下すると、時間ｔ1
で第２の突起電極２に第１の突起電極５が当接し、軽い
圧力Ｆ1が時間Ｔ1だけ加えられる。この時間Ｔ1の間に
基板１と半導体３との平行度が調整される。これが終わ
ると時間ｔ2で所定の圧力Ｆ2が時間Ｔ2だけ加えられ
る。この圧力Ｆ2により当接している第１の突起電極５
と第２の突起電極２が圧縮されて電気的に圧着接続され
る。そして、圧着接続が終了すると基板１と半導体３に
圧力Ｆ2が加えられた状態で時間Ｔ2内で紫外線が照射さ
れ、基板１と半導体３とは電気的，機械的に接合され
る。
ムを図５に示す。加圧ヘッド４が降下すると、時間ｔ1
で第２の突起電極２に第１の突起電極５が当接し、軽い
圧力Ｆ1が時間Ｔ1だけ加えられる。この時間Ｔ1の間に
基板１と半導体３との平行度が調整される。これが終わ
ると時間ｔ2で所定の圧力Ｆ2が時間Ｔ2だけ加えられ
る。この圧力Ｆ2により当接している第１の突起電極５
と第２の突起電極２が圧縮されて電気的に圧着接続され
る。そして、圧着接続が終了すると基板１と半導体３に
圧力Ｆ2が加えられた状態で時間Ｔ2内で紫外線が照射さ
れ、基板１と半導体３とは電気的，機械的に接合され
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の半導
体装置の製造方法では、静的な状態、つまり、無通電の
状態では接着剤７で基板１と半導体３とは強固に接合さ
れているが、動的な状態、つまり半導体装置に通電され
ると、第１の突起電極５と第２の突起電極２は電流によ
って発熱して膨張する。この膨張による熱応力は基板１
と半導体３の接着力よりも強くなることがあり、基板１
と半導体３との接着を剥離するという現象を生起し、信
頼性に欠けるという問題があった。
体装置の製造方法では、静的な状態、つまり、無通電の
状態では接着剤７で基板１と半導体３とは強固に接合さ
れているが、動的な状態、つまり半導体装置に通電され
ると、第１の突起電極５と第２の突起電極２は電流によ
って発熱して膨張する。この膨張による熱応力は基板１
と半導体３の接着力よりも強くなることがあり、基板１
と半導体３との接着を剥離するという現象を生起し、信
頼性に欠けるという問題があった。
【０００８】この基板１と半導体３との接着の剥離現象
について図６により説明する。静的な状態では、図６
（ａ）に示すように、接着剤７の接着力ｆ1は、圧 着さ
れて圧着歪が加えられている第１の突起電極５および第
２の突起電極２の弾性反力ｆ2＋ｆ3よりも大きいので接
着の剥離現象が生じることはない。
について図６により説明する。静的な状態では、図６
（ａ）に示すように、接着剤７の接着力ｆ1は、圧 着さ
れて圧着歪が加えられている第１の突起電極５および第
２の突起電極２の弾性反力ｆ2＋ｆ3よりも大きいので接
着の剥離現象が生じることはない。
【０００９】動的な状態では、図６（ｂ）に示すよう
に、第１の突起電極５および第２の突起電極２には膨張
による熱応力α1およびα2が発生するので両電極の弾性
反力は（ｆ2＋α1）＋（ｆ3＋α2）となり、ときとして
接着剤７の接着力ｆ1より大きくなって接着の剥離現象
が生じる。
に、第１の突起電極５および第２の突起電極２には膨張
による熱応力α1およびα2が発生するので両電極の弾性
反力は（ｆ2＋α1）＋（ｆ3＋α2）となり、ときとして
接着剤７の接着力ｆ1より大きくなって接着の剥離現象
が生じる。
【００１０】本発明は上記問題を解決するもので、静的
な状態では勿論、動的な状態でも基板と半導体との接着
が剥離することがなく、信頼性の高い半導体装置の製造
方法とその製造装置を提供することを目的としている。
な状態では勿論、動的な状態でも基板と半導体との接着
が剥離することがなく、信頼性の高い半導体装置の製造
方法とその製造装置を提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、半導体素子部品と配線基板との間に接着剤
を介在させる第１の工程と、前記半導体素子部品に形設
された第１の突起電極と前記配線基板に形設された第２
の突起電極とを当接する第２の工程と、前記第１の突起
電極と前記第２の突起電極とを圧着する第３の工程と、
前記第３の工程の圧着力より小さい力で前記半導体素子
部品と前記配線基板とを圧接する第４の工程と、前記第
４の工程中に前記接着剤を硬化させる第５の工程とによ
り半導体装置を製造するようにしたものである。
するために、半導体素子部品と配線基板との間に接着剤
を介在させる第１の工程と、前記半導体素子部品に形設
された第１の突起電極と前記配線基板に形設された第２
の突起電極とを当接する第２の工程と、前記第１の突起
電極と前記第２の突起電極とを圧着する第３の工程と、
前記第３の工程の圧着力より小さい力で前記半導体素子
部品と前記配線基板とを圧接する第４の工程と、前記第
４の工程中に前記接着剤を硬化させる第５の工程とによ
り半導体装置を製造するようにしたものである。
【００１２】また、上記半導体装置の製造装置は、配線
基板を載置するテーブルと、前記配線基板に接合される
半導体素子部品を保持する保持手段と、前記保持手段を
加圧して前記半導体素子部品を前記配線基板に圧接する
加圧手段とを備え、前記半導体素子部品に形設された第
１の突起電極を前記配線基板に形成された第２の突起電
極に圧着する第３の工程を前記加圧手段が前記保持手段
に与える衝撃力により行うように構成したものである。
基板を載置するテーブルと、前記配線基板に接合される
半導体素子部品を保持する保持手段と、前記保持手段を
加圧して前記半導体素子部品を前記配線基板に圧接する
加圧手段とを備え、前記半導体素子部品に形設された第
１の突起電極を前記配線基板に形成された第２の突起電
極に圧着する第３の工程を前記加圧手段が前記保持手段
に与える衝撃力により行うように構成したものである。
【００１３】
【作用】本発明は上記したように、半導体装置の製造方
法を、第１の突起電極と第２の突起電極とを圧着する圧
着力より小さい力で半導体素子部品と配線基板とを圧接
し、この圧接中に半導体素子部品と配線基板とを接着す
る接着剤を硬化させるようにしたので、接着剤で接着さ
れるときの第１の突起電極と第２の突起電極の圧縮歪は
圧着時の圧縮歪よりも小さくなり、その弾性反力を小さ
いものとすることができる。これにより、半導体装置の
動的状態時に第１の突起電極および第２の突起電極に膨
張による熱応力が発生して弾性反力に熱応力が加重され
ても、その力は接着剤の接着力より大きくなることはな
く、接着の剥離を防止することができる。
法を、第１の突起電極と第２の突起電極とを圧着する圧
着力より小さい力で半導体素子部品と配線基板とを圧接
し、この圧接中に半導体素子部品と配線基板とを接着す
る接着剤を硬化させるようにしたので、接着剤で接着さ
れるときの第１の突起電極と第２の突起電極の圧縮歪は
圧着時の圧縮歪よりも小さくなり、その弾性反力を小さ
いものとすることができる。これにより、半導体装置の
動的状態時に第１の突起電極および第２の突起電極に膨
張による熱応力が発生して弾性反力に熱応力が加重され
ても、その力は接着剤の接着力より大きくなることはな
く、接着の剥離を防止することができる。
【００１４】また、半導体装置の製造装置を、第１の突
起電極と第２の突起電極との圧着を加圧手段が保持手段
に与える衝撃力により行うように構成したので、両電極
を圧着するに要する圧力は静荷重によるものに比べ１／
３となり、圧着時に配線基板に加わる荷重も小さくな
り、しかも、その荷重は瞬間的であるので配線基板を破
損したり瑕疵したりすることがない。
起電極と第２の突起電極との圧着を加圧手段が保持手段
に与える衝撃力により行うように構成したので、両電極
を圧着するに要する圧力は静荷重によるものに比べ１／
３となり、圧着時に配線基板に加わる荷重も小さくな
り、しかも、その荷重は瞬間的であるので配線基板を破
損したり瑕疵したりすることがない。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の半導体装置の製造方法につい
て図１および図２を参照しながら説明する。
て図１および図２を参照しながら説明する。
【００１６】なお、従来例に示したものと同一部品には
同じ符号を付して説明を省略する。図１（ａ）に示すよ
うに、基板１上に接着剤７を塗布し（第１の工程）、そ
の上方から加圧ヘッド４に吸着された半導体３を降下さ
せて第２の突起電極２に第１の突起電極５を当接させる
（第２の工程）。続いて図１（ｂ）に示すように、加圧
ヘッド４を更に降下させて第２の突起電極２と第１の突
起電極５に所定の圧力を加え、両電極を圧縮して電気的
に圧着接続する（第３の工程）。圧着接続が終了する
と、図１（ｃ）に示すように、加圧ヘッド４を上昇させ
て第３の工程で加えた圧着力より小さい所定の力で半導
体３と基板１とを圧接する。この工程により、第１の突
起電極５と第２の突起電極２の圧縮歪は圧着時の圧縮歪
よりも小さくなり、その弾性反力を小さいものとするこ
とができる（第４の工程）。そして、この圧接状態で紫
外線発光体６から紫外線を照射し、接着剤７を硬化させ
基板１と半導体３とを接着する。
同じ符号を付して説明を省略する。図１（ａ）に示すよ
うに、基板１上に接着剤７を塗布し（第１の工程）、そ
の上方から加圧ヘッド４に吸着された半導体３を降下さ
せて第２の突起電極２に第１の突起電極５を当接させる
（第２の工程）。続いて図１（ｂ）に示すように、加圧
ヘッド４を更に降下させて第２の突起電極２と第１の突
起電極５に所定の圧力を加え、両電極を圧縮して電気的
に圧着接続する（第３の工程）。圧着接続が終了する
と、図１（ｃ）に示すように、加圧ヘッド４を上昇させ
て第３の工程で加えた圧着力より小さい所定の力で半導
体３と基板１とを圧接する。この工程により、第１の突
起電極５と第２の突起電極２の圧縮歪は圧着時の圧縮歪
よりも小さくなり、その弾性反力を小さいものとするこ
とができる（第４の工程）。そして、この圧接状態で紫
外線発光体６から紫外線を照射し、接着剤７を硬化させ
基板１と半導体３とを接着する。
【００１７】この加圧ヘッド４による加圧のアルゴリズ
ムを図２に示す。加圧ヘッド４が降下すると、時間ｔ1
で第２の突起電極２に第１の突起電極５が当接し、軽い
圧力Ｆ1が時間Ｔ1だけ加えられる。この時間Ｔ1の間に
基板１と半導体３との平行度が調整される。これが終わ
ると時間ｔ2で所定の圧力Ｆ3が時間Ｔ2だけ加えられ
る。この圧力Ｆ3により当接している第１の突起電極５
と第２の突起電極２が圧縮されて電気的に圧着接続され
る。圧着接続が終了すると時間ｔ3で加圧ヘッド４は上
昇し、圧着接続時に加えられた圧着力よりも小さい所定
の力Ｆ2が時間Ｔ3だけ加えられ、その状態で時間Ｔ3内
で紫外線が照射され、基板１と半導体３とは電気的，機
械的に接合される。
ムを図２に示す。加圧ヘッド４が降下すると、時間ｔ1
で第２の突起電極２に第１の突起電極５が当接し、軽い
圧力Ｆ1が時間Ｔ1だけ加えられる。この時間Ｔ1の間に
基板１と半導体３との平行度が調整される。これが終わ
ると時間ｔ2で所定の圧力Ｆ3が時間Ｔ2だけ加えられ
る。この圧力Ｆ3により当接している第１の突起電極５
と第２の突起電極２が圧縮されて電気的に圧着接続され
る。圧着接続が終了すると時間ｔ3で加圧ヘッド４は上
昇し、圧着接続時に加えられた圧着力よりも小さい所定
の力Ｆ2が時間Ｔ3だけ加えられ、その状態で時間Ｔ3内
で紫外線が照射され、基板１と半導体３とは電気的，機
械的に接合される。
【００１８】上記のようにして製造された半導体装置
は、従来例のものと同様に、静的な状態では接着剤７で
基板１と半導体３とは強固に接合されている。また、動
的な状態では第１の突起電極５と第２の突起電極２に発
熱による膨張の熱応力が発生する。
は、従来例のものと同様に、静的な状態では接着剤７で
基板１と半導体３とは強固に接合されている。また、動
的な状態では第１の突起電極５と第２の突起電極２に発
熱による膨張の熱応力が発生する。
【００１９】しかし、先記したように、第１の突起電極
５と第２の突起電極２の圧縮歪は圧着時の圧縮歪よりも
小さく、その弾性反力も小さくなっている。
５と第２の突起電極２の圧縮歪は圧着時の圧縮歪よりも
小さく、その弾性反力も小さくなっている。
【００２０】この弾性反力を図６に代入して説明する
と、静的な状態では接着剤７の接着力ｆ1は、圧着され
て圧縮歪が加えられている第１の突起電極５および第２
の突起電極２の弾性反力ｆ4＋ｆ5よりも大きいので接着
が剥離することはない。
と、静的な状態では接着剤７の接着力ｆ1は、圧着され
て圧縮歪が加えられている第１の突起電極５および第２
の突起電極２の弾性反力ｆ4＋ｆ5よりも大きいので接着
が剥離することはない。
【００２１】動的な状態では、第１の突起電極５および
第２の突起電極２には膨張による熱応力α3およびα4が
発生するので両電極の弾性反力は（ｆ4＋α3）＋（ｆ5
＋α4）となるが、弾性反力はｆ2＞ｆ4，ｆ3＞ｆ5の関
係にあるので接着剤７の接着力ｆ1よりも大きくなるこ
とがなく、したがって、動的な状態でも接着が剥離する
ことはない。
第２の突起電極２には膨張による熱応力α3およびα4が
発生するので両電極の弾性反力は（ｆ4＋α3）＋（ｆ5
＋α4）となるが、弾性反力はｆ2＞ｆ4，ｆ3＞ｆ5の関
係にあるので接着剤７の接着力ｆ1よりも大きくなるこ
とがなく、したがって、動的な状態でも接着が剥離する
ことはない。
【００２２】このように本発明の実施例の半導体装置の
製造方法によれば、第１の突起電極５と第２の突起電極
２とを圧着する圧着力より小さい力で半導体３と基板１
とを圧接し、この圧接中に半導体３と基板１とを接着す
る接着剤７を硬化させるようにしたことにより、接着さ
れるときの第１の突起電極５と第２の突起電極２の圧縮
歪は圧着時の圧縮歪よりも小さくなり、その弾性反力を
小さいものとすることができる。これにより、半導体装
置の動的状態時に第１の突起電極５および第２の突起電
極２に膨張による熱応力が発生して弾性反力に熱応力が
加重されても、その力は接着剤７の接着力より大きくな
ることはなく、接着の剥離を防止することができるとい
う効果がある。
製造方法によれば、第１の突起電極５と第２の突起電極
２とを圧着する圧着力より小さい力で半導体３と基板１
とを圧接し、この圧接中に半導体３と基板１とを接着す
る接着剤７を硬化させるようにしたことにより、接着さ
れるときの第１の突起電極５と第２の突起電極２の圧縮
歪は圧着時の圧縮歪よりも小さくなり、その弾性反力を
小さいものとすることができる。これにより、半導体装
置の動的状態時に第１の突起電極５および第２の突起電
極２に膨張による熱応力が発生して弾性反力に熱応力が
加重されても、その力は接着剤７の接着力より大きくな
ることはなく、接着の剥離を防止することができるとい
う効果がある。
【００２３】次に、本発明の半導体装置の製造装置につ
いて図３を参照しながら説明する。なお、従来例に示し
たものと同一部品には同じ符号を付して説明する。
いて図３を参照しながら説明する。なお、従来例に示し
たものと同一部品には同じ符号を付して説明する。
【００２４】図に示すように、１１は基板１を載置して
Ｘ−Ｙ方向に、移動自在なテーブル、１２は半導体３を
吸着保持するコレットで、昇降駆動される加圧シャフト
Ａ１３の一端に止着され、このコレット１２と加圧シャ
フトＡ１３とにより保持手段が形成されている。１４は
加圧シャフトＡ１３を昇降自在にガイドするガイドブロ
ックである。１４はその一端が加圧シャフトＡ１３の他
端に少隙を有して対向する加圧シャフトＢ、１５は加圧
シャフトＢ１４を急昇降駆動するシリンダーで、加圧シ
ャフトＢ１４とシリンダー１５とにより加圧手段が形成
されている。
Ｘ−Ｙ方向に、移動自在なテーブル、１２は半導体３を
吸着保持するコレットで、昇降駆動される加圧シャフト
Ａ１３の一端に止着され、このコレット１２と加圧シャ
フトＡ１３とにより保持手段が形成されている。１４は
加圧シャフトＡ１３を昇降自在にガイドするガイドブロ
ックである。１４はその一端が加圧シャフトＡ１３の他
端に少隙を有して対向する加圧シャフトＢ、１５は加圧
シャフトＢ１４を急昇降駆動するシリンダーで、加圧シ
ャフトＢ１４とシリンダー１５とにより加圧手段が形成
されている。
【００２５】上記構成において、テーブル１１上に基板
１を載置固定し、基板１上に接着剤７を塗布する。その
後、コレット１２に吸着保持された半導体３を基板１上
に臨ませて位置合わせする。この位置合わせにより第１
の突起電極５は第２の突起電極２に当接される。このよ
うにして位置が決まると加圧シリンダー１５は加圧シャ
フトＢ１４を急動下降させて加圧シャフトＡ１３に下向
きの衝撃力を与える。この衝撃力を与えるタイミングが
前記した半導体製造方法の第３の工程であるので、衝撃
力により第１の突起電極５と第２の突起電極２は圧縮さ
れて圧着接続される。
１を載置固定し、基板１上に接着剤７を塗布する。その
後、コレット１２に吸着保持された半導体３を基板１上
に臨ませて位置合わせする。この位置合わせにより第１
の突起電極５は第２の突起電極２に当接される。このよ
うにして位置が決まると加圧シリンダー１５は加圧シャ
フトＢ１４を急動下降させて加圧シャフトＡ１３に下向
きの衝撃力を与える。この衝撃力を与えるタイミングが
前記した半導体製造方法の第３の工程であるので、衝撃
力により第１の突起電極５と第２の突起電極２は圧縮さ
れて圧着接続される。
【００２６】ところで、衝撃力による圧着力は静荷重に
よる圧着力で１／３で同等の圧着力を得ることができ
る。しかも、その圧着力は瞬間的であるので、両電極の
圧着接続時の圧着力により受ける基板１のダメージは小
さいものとなる。
よる圧着力で１／３で同等の圧着力を得ることができ
る。しかも、その圧着力は瞬間的であるので、両電極の
圧着接続時の圧着力により受ける基板１のダメージは小
さいものとなる。
【００２７】これを図２で示すと、時間ｔ2と時間ｔ3は
ほぼ同時に発生し、Ｔ2は無視できるほど短くなるの
で、斜線で示される基板１に加わる圧力−時間は極めて
小さなものとなり、したがって、基板１の受けるダメー
ジを小さいものにすることができる。
ほぼ同時に発生し、Ｔ2は無視できるほど短くなるの
で、斜線で示される基板１に加わる圧力−時間は極めて
小さなものとなり、したがって、基板１の受けるダメー
ジを小さいものにすることができる。
【００２８】このように本発明の実施例の半導体装置の
製造装置によれば、第１の突起電極５と第２の突起電極
２との圧着を加圧手段が保持手段に与える衝撃力により
行うように構成したので、両電極を圧着するに要する圧
力は静荷重によるものに比べ１／３となり、圧着時に基
板１に加わる荷重も小さくなり、しかも、その荷重は瞬
間的であるので基板１を損傷したり瑕疵したりすること
をなくすることができるという効果がある。
製造装置によれば、第１の突起電極５と第２の突起電極
２との圧着を加圧手段が保持手段に与える衝撃力により
行うように構成したので、両電極を圧着するに要する圧
力は静荷重によるものに比べ１／３となり、圧着時に基
板１に加わる荷重も小さくなり、しかも、その荷重は瞬
間的であるので基板１を損傷したり瑕疵したりすること
をなくすることができるという効果がある。
【００２９】
【発明の効果】以上の実施例の説明から明らかなよう
に、本発明の半導体装置の製造方法によれば、第１の突
起電極と第２の突起電極とを圧着する圧着力より小さい
力で半導体と基板とを圧接し、この圧接中に半導体と基
板とを接着する接着剤を硬化させるようにしたことによ
り、接着されるときの第１の突起電極と第２の突起電極
の圧縮歪は圧着時の圧縮歪よりも小さくなり、その弾性
反力を小さいものとすることができる。これにより、半
導体装置の動的状態時に第１の突起電極および第２の突
起電極に膨張による熱応力が発生して弾性反力に熱応力
が加重されても、その力は接着剤の接着力より大きくな
ることはなく、接着の剥離を防止することができる。
に、本発明の半導体装置の製造方法によれば、第１の突
起電極と第２の突起電極とを圧着する圧着力より小さい
力で半導体と基板とを圧接し、この圧接中に半導体と基
板とを接着する接着剤を硬化させるようにしたことによ
り、接着されるときの第１の突起電極と第２の突起電極
の圧縮歪は圧着時の圧縮歪よりも小さくなり、その弾性
反力を小さいものとすることができる。これにより、半
導体装置の動的状態時に第１の突起電極および第２の突
起電極に膨張による熱応力が発生して弾性反力に熱応力
が加重されても、その力は接着剤の接着力より大きくな
ることはなく、接着の剥離を防止することができる。
【００３０】また、本発明の半導体装置の製造装置によ
れば、第１の突起電極と第２の突起電極との圧着を加圧
手段が保持手段に与える衝撃力により行うように構成し
たので、両電極を圧着するに要する圧力は静荷重による
ものに比べ１／３となり、圧着時に基板に加わる荷重も
小さくなり、しかも、その荷重は瞬間的であるので基板
を損傷したり瑕疵したりすることをなくすることができ
る。
れば、第１の突起電極と第２の突起電極との圧着を加圧
手段が保持手段に与える衝撃力により行うように構成し
たので、両電極を圧着するに要する圧力は静荷重による
ものに比べ１／３となり、圧着時に基板に加わる荷重も
小さくなり、しかも、その荷重は瞬間的であるので基板
を損傷したり瑕疵したりすることをなくすることができ
る。
【００３１】このように本発明によれば、静的な状態で
は勿論、動的な状態でも配線基板と半導体素子部品との
接着が剥離することがなく、信頼性の高い半導体装置の
製造方法とその製造装置を提供することができる。
は勿論、動的な状態でも配線基板と半導体素子部品との
接着が剥離することがなく、信頼性の高い半導体装置の
製造方法とその製造装置を提供することができる。
【図１】本発明の一実施例の半導体装置の製造方法の概
略の製造工程図
略の製造工程図
【図２】同加圧ヘッドの加圧力と時間の関係を示すグラ
フ
フ
【図３】本発明の一実施例の半導体装置の製造装置の概
略の構成図
略の構成図
【図４】従来例の半導体装置の製造方法の概略の製造工
程図
程図
【図５】同加圧ヘッドの加圧力と時間の関係を示すグラ
フ
フ
【図６】半導体装置の半導体素子部品と配線基板の接合
状態を示し （ａ）は非導通時の接合状態の側面図 （ｂ）は導通時の接合状態の側面図
状態を示し （ａ）は非導通時の接合状態の側面図 （ｂ）は導通時の接合状態の側面図
１ 配線基板 ２ 第２の突起電極 ３ 半導体素子部品 ５ 第１の突起電極 ７ 接着剤 １１ テーブル １２ コレット（保持手段） １３ 加圧シャフトＡ（保持手段） １４ 加圧シャフトＢ（加圧手段） １５ シリンダー（加圧手段）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金山 真司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 今西 誠 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 松村 信弥 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−169433（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/60 311
Claims (2)
- 【請求項１】半導体素子部品と配線基板との間に接着剤
を介在させる第１の工程と、前記半導体素子部品に形設
された第１の突起電極と前記配線基板に形設された第２
の突起電極とを当接する第２の工程と、前記第１の突起
電極と前記第２の突起電極とを圧着する第３の工程と、
前記第３の工程の圧着力より小さい力で前記半導体素子
部品と前記配線基板とを圧接する第４の工程と、前記第
４の工程中に前記接着剤を硬化させる第５の工程とより
なる半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】配線基板を載置するテーブルと、前記配線
基板に接合される半導体素子部品を保持する保持手段
と、前記保持手段を加圧して前記半導体素子部品を前記
配線基板に圧接する加圧手段とを備え、前記半導体素子
部品に形設された第１の突起電極を前記配線基板に形成
された第２の突起電極に圧着する第３の工程を前記加圧
手段が前記保持手段に与える衝撃力により行うように構
成した半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3134638A JP2976584B2 (ja) | 1991-06-06 | 1991-06-06 | 半導体装置の製造方法およびその製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3134638A JP2976584B2 (ja) | 1991-06-06 | 1991-06-06 | 半導体装置の製造方法およびその製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04359531A JPH04359531A (ja) | 1992-12-11 |
| JP2976584B2 true JP2976584B2 (ja) | 1999-11-10 |
Family
ID=15133051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3134638A Expired - Fee Related JP2976584B2 (ja) | 1991-06-06 | 1991-06-06 | 半導体装置の製造方法およびその製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2976584B2 (ja) |
-
1991
- 1991-06-06 JP JP3134638A patent/JP2976584B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04359531A (ja) | 1992-12-11 |
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|---|---|---|---|
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