JP2963549B2 - 半導体パッケージ - Google Patents
半導体パッケージInfo
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- JP2963549B2 JP2963549B2 JP3077892A JP7789291A JP2963549B2 JP 2963549 B2 JP2963549 B2 JP 2963549B2 JP 3077892 A JP3077892 A JP 3077892A JP 7789291 A JP7789291 A JP 7789291A JP 2963549 B2 JP2963549 B2 JP 2963549B2
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- semiconductor package
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ヒートシンク基板にセ
ラミックス製部材をろう付けするとともに、半導体チッ
プを搭載する半導体パッケージに関する。
ラミックス製部材をろう付けするとともに、半導体チッ
プを搭載する半導体パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体チップ等に発生した熱
を効率よく逃がすために、半導体チップの収納容器とし
て使用されるセラミックス製のパッケージ（半導体パッ
ケージ）に、セラミックス製のヒートシンク基板を接合
していた。
を効率よく逃がすために、半導体チップの収納容器とし
て使用されるセラミックス製のパッケージ（半導体パッ
ケージ）に、セラミックス製のヒートシンク基板を接合
していた。
【０００３】具体的には、例えばパッケージの側枠とな
るアルミナ製の基板に、底板として熱伝導率の大きい窒
化アルミニウム製のヒートシンク基板をろう付けしてお
り、このろう付けの際には、予め窒化アルミニウム製基
板の表面に、印刷焼付，蒸着等によって金属の層を形成
し、この金属層に銀ろうを用いて接合していた。そし
て、アルミナ製基板の枠内面と窒化アルミニウム製基板
の主面とでキャビティ部を形成していた。
るアルミナ製の基板に、底板として熱伝導率の大きい窒
化アルミニウム製のヒートシンク基板をろう付けしてお
り、このろう付けの際には、予め窒化アルミニウム製基
板の表面に、印刷焼付，蒸着等によって金属の層を形成
し、この金属層に銀ろうを用いて接合していた。そし
て、アルミナ製基板の枠内面と窒化アルミニウム製基板
の主面とでキャビティ部を形成していた。
【０００４】この様な従来の半導体パッケージを、図３
に示す（尚、本図は要部を拡大して示している）。この
半導体パッケージにおいては、まず、窒化アルミニウム
製のヒートシンク基板Ｐ１の表面に、例えばスパッタリ
ングによってＴｉ等のメタライズ層Ｐ２を形成し、この
メタライズ層の表面に蒸着，電解メッキ等によってＮｉ
やＣｕの金属層Ｐ３を形成し、次に、金属層Ｐ３の表面
に銀ろうＰ４を使用して枠状のアルミナ製の基板Ｐ５を
接合していた。その後、金属層Ｐ３の表面の中央部分
（即ち枠の中央の空間）に、Ａｕ−Ｓｉ合金等のろう材
Ｐ６を用いて半導体チップＰ７を接合していた。
に示す（尚、本図は要部を拡大して示している）。この
半導体パッケージにおいては、まず、窒化アルミニウム
製のヒートシンク基板Ｐ１の表面に、例えばスパッタリ
ングによってＴｉ等のメタライズ層Ｐ２を形成し、この
メタライズ層の表面に蒸着，電解メッキ等によってＮｉ
やＣｕの金属層Ｐ３を形成し、次に、金属層Ｐ３の表面
に銀ろうＰ４を使用して枠状のアルミナ製の基板Ｐ５を
接合していた。その後、金属層Ｐ３の表面の中央部分
（即ち枠の中央の空間）に、Ａｕ−Ｓｉ合金等のろう材
Ｐ６を用いて半導体チップＰ７を接合していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この様
な半導体パッケージでは、良好に半導体チップＰ７を接
合できないという問題があった。
な半導体パッケージでは、良好に半導体チップＰ７を接
合できないという問題があった。
【０００６】というのは、枠状の基板Ｐ５を金属層Ｐ３
にろう付けする際に、加熱によって銀ろうＰ４が溶融す
ると、銀ろうＰ４は金属層Ｐ３との濡れ性が良いため
に、金属層Ｐ３の中央部分、即ち、半導体チップＰ７を
接合する部分に流れ込んでしまうので、金属層Ｐ３の表
面に凹凸ができてしまうという問題があった。
にろう付けする際に、加熱によって銀ろうＰ４が溶融す
ると、銀ろうＰ４は金属層Ｐ３との濡れ性が良いため
に、金属層Ｐ３の中央部分、即ち、半導体チップＰ７を
接合する部分に流れ込んでしまうので、金属層Ｐ３の表
面に凹凸ができてしまうという問題があった。
【０００７】つまり、上記基板Ｐ５のろう付けの後に半
導体チップＰ７をろう付けする場合に、ろう材Ｐ６が接
合部分にうまく広がらず、ボイド（空孔）等の接合不良
が生ずるという問題があり、その結果、半導体の信頼性
が低下することがあった。
導体チップＰ７をろう付けする場合に、ろう材Ｐ６が接
合部分にうまく広がらず、ボイド（空孔）等の接合不良
が生ずるという問題があり、その結果、半導体の信頼性
が低下することがあった。
【０００８】本願は、半導体パッケージのろう付けの際
のろう材の流れ込みを防止して、半導体チップの接合性
を向上させる半導体パッケージを提供することを目的と
する。
のろう材の流れ込みを防止して、半導体チップの接合性
を向上させる半導体パッケージを提供することを目的と
する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の請求項１の発明は、ヒートシンク基板の表面に形成さ
れ、ろう材と反応してろう材の凝固点を上昇させる反応
成分が含まれた金属層の一部に、ろう材によってセラミ
ックス製部材をろう付けした半導体パッケージであっ
て、上記金属層のうち上記セラミックス製部材がろう付
けされていない部分に半導体チップを搭載することを特
徴とする半導体パッケージを要旨とする。
の請求項１の発明は、ヒートシンク基板の表面に形成さ
れ、ろう材と反応してろう材の凝固点を上昇させる反応
成分が含まれた金属層の一部に、ろう材によってセラミ
ックス製部材をろう付けした半導体パッケージであっ
て、上記金属層のうち上記セラミックス製部材がろう付
けされていない部分に半導体チップを搭載することを特
徴とする半導体パッケージを要旨とする。
【００１０】また、請求項２の発明は、ヒートシンク基
板の表面に形成され、リン成分が０．５〜１５重量％の
範囲で含まれた金属層の一部に、銀ろうによってセラミ
ックス製部材をろう付けした半導体パッケージであっ
て、上記金属層のうち上記セラミックス製部材がろう付
けされていない部分に半導体チップを搭載することを特
徴とする半導体パッケージを要旨とする。
板の表面に形成され、リン成分が０．５〜１５重量％の
範囲で含まれた金属層の一部に、銀ろうによってセラミ
ックス製部材をろう付けした半導体パッケージであっ
て、上記金属層のうち上記セラミックス製部材がろう付
けされていない部分に半導体チップを搭載することを特
徴とする半導体パッケージを要旨とする。
【００１１】ここで、放熱用の基板であるヒートシンク
基板の材料として、窒化アルミニウム（ＡｌＮ），炭化
珪素（ＳｉＣ）等を使用することができる。
基板の材料として、窒化アルミニウム（ＡｌＮ），炭化
珪素（ＳｉＣ）等を使用することができる。
【００１２】また、上記金属層としては、例えばメタラ
イズ層上に表面金属層を設けた構成を採用できる。ま
た、メタライズ層も、一層ではなく複数の層としてもよ
い。このメタライズ層の成分としては、例えばＴｉ，Ｐ
ｔ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ｃｕ，Ｗ，Ｍｎ等を使用できる。そし
て、このメタライズ層を形成するには、スパッタリング
や蒸着、或はメタライズペーストを塗布した後に焼成す
る方法を採用できる。
イズ層上に表面金属層を設けた構成を採用できる。ま
た、メタライズ層も、一層ではなく複数の層としてもよ
い。このメタライズ層の成分としては、例えばＴｉ，Ｐ
ｔ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ｃｕ，Ｗ，Ｍｎ等を使用できる。そし
て、このメタライズ層を形成するには、スパッタリング
や蒸着、或はメタライズペーストを塗布した後に焼成す
る方法を採用できる。
【００１３】更に、このメタライズ層の表面に、通常は
メッキ層が形成されるが、このメッキ層としては、Ｎｉ
メッキによって形成されたＮｉ層が好適である。尚、上
記メタライズ層を含む金属層としては、例えば上記メタ
ライズ層の表面にメッキ層が形成されたものが挙げられ
る。
メッキ層が形成されるが、このメッキ層としては、Ｎｉ
メッキによって形成されたＮｉ層が好適である。尚、上
記メタライズ層を含む金属層としては、例えば上記メタ
ライズ層の表面にメッキ層が形成されたものが挙げられ
る。
【００１４】上記セラミックス製部材としては、例えば
半導体パッケージの側枠を構成するアルミナ製の基板が
挙げられ、このセラミックス製部材を接合するろう材と
して、銀ろうや金ろう等を使用することができる。
半導体パッケージの側枠を構成するアルミナ製の基板が
挙げられ、このセラミックス製部材を接合するろう材と
して、銀ろうや金ろう等を使用することができる。
【００１５】上記表面金属層の材料としては、Ｎｉ／Ｐ
合金を使用でき、このうちＰの含有率が０.５〜１５重
量％が好適である。即ち、合金成分のうちＰ成分が上記
銀ろうと反応して銀ろうの凝固点を上昇させるが、この
Ｐの含有率が０.５重量％未満であると、銀ろうの凝固
点を上昇させる能力（流れを制御する能力）が低く、１
５重量％を超えると表面金属層のメタライズ層に対する
密着力が低下するからである。
合金を使用でき、このうちＰの含有率が０.５〜１５重
量％が好適である。即ち、合金成分のうちＰ成分が上記
銀ろうと反応して銀ろうの凝固点を上昇させるが、この
Ｐの含有率が０.５重量％未満であると、銀ろうの凝固
点を上昇させる能力（流れを制御する能力）が低く、１
５重量％を超えると表面金属層のメタライズ層に対する
密着力が低下するからである。
【００１６】また、表面金属層の厚さは、０.１μm以上
が好適であるが、これは、厚さが０.１μm以上である
と、ろう材の拡散を防止するための絶対量が確保される
からである。
が好適であるが、これは、厚さが０.１μm以上である
と、ろう材の拡散を防止するための絶対量が確保される
からである。
【００１７】更に、表面金属層を形成する方法として
は、無電解メッキが好適であるが、それ以外にも、蒸着
等を採用することができる。
は、無電解メッキが好適であるが、それ以外にも、蒸着
等を採用することができる。
【００１８】
【作用】請求項１の発明の半導体パッケージは、ヒート
シンク基板の表面に、ろう材と反応してろう材の凝固点
を上昇させる反応成分が含まれた金属層が形成され、こ
の金属層の一部に、ろう材によってセラミックス製部材
がろう付けされている。それとともに、金属層のうち、
セラミックス製部材がろう付けされていない部分に、半
導体チップが搭載されている。
シンク基板の表面に、ろう材と反応してろう材の凝固点
を上昇させる反応成分が含まれた金属層が形成され、こ
の金属層の一部に、ろう材によってセラミックス製部材
がろう付けされている。それとともに、金属層のうち、
セラミックス製部材がろう付けされていない部分に、半
導体チップが搭載されている。
【００１９】つまり、本発明では、上記金属層の成分中
には、上記ろう材と反応してろう材の凝固点を上昇させ
る反応成分が含まれているので、セラミックス製部材を
接合する際に、加熱によってろう材を溶融させると、ろ
う材の凝固点は速やかに上昇して凝固し、ろう材自身が
周囲に広がることが防止される。それによって、ヒート
シンク基板の表面、即ち金属層の上面にろう材が流れ込
むことを防ぐことができるので、ろう材によって金属層
の表面に凹凸が形成されることが防止される。
には、上記ろう材と反応してろう材の凝固点を上昇させ
る反応成分が含まれているので、セラミックス製部材を
接合する際に、加熱によってろう材を溶融させると、ろ
う材の凝固点は速やかに上昇して凝固し、ろう材自身が
周囲に広がることが防止される。それによって、ヒート
シンク基板の表面、即ち金属層の上面にろう材が流れ込
むことを防ぐことができるので、ろう材によって金属層
の表面に凹凸が形成されることが防止される。
【００２０】特に、請求項２の発明の半導体パッケージ
では、上記金属層にリン成分を０.５〜１５重量％の範
囲で含むので、凝固点の上昇が速やかであり、ろう材の
流れ込みを防止する能力が向上する。
では、上記金属層にリン成分を０.５〜１５重量％の範
囲で含むので、凝固点の上昇が速やかであり、ろう材の
流れ込みを防止する能力が向上する。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の半導体パッケージの実施例
を、図に基づいて説明する。 図１に示す様に、本実施
例の半導体パッケージでは、放熱用のヒートシンク基板
として用いられるセラミックス複合体基板１上に、アル
ミナ製のセラミックス基板２が、銀ろう３によってろう
付けされている。そして、このセラミックス基板２で囲
まれた基板１の表面に、Ａｕ−Ｓｉ合金からなるろう材
４によって、半導体チップ５がろう付けされている。
を、図に基づいて説明する。 図１に示す様に、本実施
例の半導体パッケージでは、放熱用のヒートシンク基板
として用いられるセラミックス複合体基板１上に、アル
ミナ製のセラミックス基板２が、銀ろう３によってろう
付けされている。そして、このセラミックス基板２で囲
まれた基板１の表面に、Ａｕ−Ｓｉ合金からなるろう材
４によって、半導体チップ５がろう付けされている。
【００２２】上記セラミックス複合体基板１は、この基
板１を拡大した図２に示す様に、厚さ１.０mmの窒化ア
ルミニウム製の板状の基板７の表面に、メタライズ層９
として、窒化アルミニウム基板７側から順番に、厚さ
０.２μmのＴｉ層１０，厚さ０.３μmのＭｏ層１１，厚
さ０.５μmのＣｕ層１２が形成されており、更に、この
メタライズ層９の表面に、Ｎｉからなる厚さ１.０μmの
メッキ層１３が形成されている。
板１を拡大した図２に示す様に、厚さ１.０mmの窒化ア
ルミニウム製の板状の基板７の表面に、メタライズ層９
として、窒化アルミニウム基板７側から順番に、厚さ
０.２μmのＴｉ層１０，厚さ０.３μmのＭｏ層１１，厚
さ０.５μmのＣｕ層１２が形成されており、更に、この
メタライズ層９の表面に、Ｎｉからなる厚さ１.０μmの
メッキ層１３が形成されている。
【００２３】加えて上記メッキ層１３の表面には、厚さ
１.０〜１.５μmのＮｉ／Ｐ合金からなる合金メッキ層
１４が形成されている。この合金メッキ層１４に含まれ
るＰの含有率は、０.５〜１５重量％の範囲の例えば７.
０重量％である。
１.０〜１.５μmのＮｉ／Ｐ合金からなる合金メッキ層
１４が形成されている。この合金メッキ層１４に含まれ
るＰの含有率は、０.５〜１５重量％の範囲の例えば７.
０重量％である。
【００２４】また、図１に示す様に、上記セラミックス
基板２は、側壁となる４角形の内側が開けられた枠状の
部材であり、内周側に合金メッキ層１４と接合される段
部１６が形成されている。
基板２は、側壁となる４角形の内側が開けられた枠状の
部材であり、内周側に合金メッキ層１４と接合される段
部１６が形成されている。
【００２５】上記銀ろう３は、Ａｇ／Ｃｕが７２／２８
の重量比で含まれたろう材であり、その凝固点は７８０
℃である。尚、この凝固点は、ろう付けの際に合金メッ
キ層１４中のＰと銀ろう３中のＡｇとの反応によって、
約２０℃程度上昇する。
の重量比で含まれたろう材であり、その凝固点は７８０
℃である。尚、この凝固点は、ろう付けの際に合金メッ
キ層１４中のＰと銀ろう３中のＡｇとの反応によって、
約２０℃程度上昇する。
【００２６】次に、本実施例の半導体パッケージの形成
方法について説明する。まず、窒化アルミニウム基板
７の表面に、スパッタリングによって、順番にＴｉ層１
０，Ｍｏ層１１，Ｃｕ層１２を形成する。
方法について説明する。まず、窒化アルミニウム基板
７の表面に、スパッタリングによって、順番にＴｉ層１
０，Ｍｏ層１１，Ｃｕ層１２を形成する。
【００２７】次に、一番上のＣｕ層１２の表面に、通
常のメッキの前処理である酸・アルカリ工程による処理
を行った後に、通常の電解メッキによってＮｉのメッキ
層１３を形成する。
常のメッキの前処理である酸・アルカリ工程による処理
を行った後に、通常の電解メッキによってＮｉのメッキ
層１３を形成する。
【００２８】次に、Ｎｉのメッキ層１３の表面に、上
記と同様な酸・アルカリの前処理を行った後に、無電
解メッキによってＮｉ／Ｐの合金メッキ層１４を形成す
る。この無電解メッキに使用されるメッキ液は、例えば
ブルーシューマ（商品名：日本カニゼン（株）製）やニ
ムデン７８Ｓ（商品名：上村工業（株）製）等を使用で
きる。
記と同様な酸・アルカリの前処理を行った後に、無電
解メッキによってＮｉ／Ｐの合金メッキ層１４を形成す
る。この無電解メッキに使用されるメッキ液は、例えば
ブルーシューマ（商品名：日本カニゼン（株）製）やニ
ムデン７８Ｓ（商品名：上村工業（株）製）等を使用で
きる。
【００２９】そして、メッキ層１３の表面に上記無電解
メッキ用のメッキ液を付着させた状態で、温度９０℃に
て３分間無電解メッキの処理を行なう。それによって、
１.０〜１.５μmの膜厚の合金メッキ層１４が形成され
る。
メッキ用のメッキ液を付着させた状態で、温度９０℃に
て３分間無電解メッキの処理を行なう。それによって、
１.０〜１.５μmの膜厚の合金メッキ層１４が形成され
る。
【００３０】その後、上記合金メッキ層１４が形成さ
れたセラミックス複合体基板１の表面に、枠状のセラミ
ックス基板２を配置し、更にセラミックス基板２の段部
１６の近傍に銀ろう３を配置する。
れたセラミックス複合体基板１の表面に、枠状のセラミ
ックス基板２を配置し、更にセラミックス基板２の段部
１６の近傍に銀ろう３を配置する。
【００３１】そして、この様に各材料を配置した状態
で、そのまま炉内に入れ、８２０℃で３０分間加熱し
て、銀ろう３の温度を７９０℃にして溶融させる。この
加熱によって、銀ろう３は凝固点が７８０℃であるので
一旦溶融するが、溶融すると合金メッキ層１４中のＰと
反応して凝固点が約２０℃上昇するので、銀ろう３は周
囲に広がることなく合金メッキ層１４との接触部分から
速やかに凝固する。また、銀ろう３の溶融後は加熱温度
が低減されるので、それにともなって銀ろう３全体の温
度が低下して全体が凝固する。
で、そのまま炉内に入れ、８２０℃で３０分間加熱し
て、銀ろう３の温度を７９０℃にして溶融させる。この
加熱によって、銀ろう３は凝固点が７８０℃であるので
一旦溶融するが、溶融すると合金メッキ層１４中のＰと
反応して凝固点が約２０℃上昇するので、銀ろう３は周
囲に広がることなく合金メッキ層１４との接触部分から
速やかに凝固する。また、銀ろう３の溶融後は加熱温度
が低減されるので、それにともなって銀ろう３全体の温
度が低下して全体が凝固する。
【００３２】最後に、セラミックス基板２の中央空
間、即ち、合金メッキ層１４の表面に、Ａｕ−Ｓｉ合金
のろう材４を使用して半導体チップ５をろう付けする。
この様に、本実施例では、セラミックス複合体基板１の
表面に、Ｎｉ／Ｐの合金メッキ層１４を形成してあるの
で、銀ろう３によるセラミックス基板２のろう付けの際
に、この合金メッキ層１４中のＰが銀ろう３と反応し
て、銀ろう３の凝固点を上昇させる。それによって、ろ
う付け時の銀ろう３の周囲への広がりが防止されるの
で、合金メッキ層１４の中央部分に銀ろう３が流れ込む
ことなく、表面は滑らかなままである。その結果、半導
体チップ５は合金メッキ層１４の表面にしっかりとろう
付けされ、ボイド等の接合不調が発生することがなく、
信頼性高い半導体を製造することができる。
間、即ち、合金メッキ層１４の表面に、Ａｕ−Ｓｉ合金
のろう材４を使用して半導体チップ５をろう付けする。
この様に、本実施例では、セラミックス複合体基板１の
表面に、Ｎｉ／Ｐの合金メッキ層１４を形成してあるの
で、銀ろう３によるセラミックス基板２のろう付けの際
に、この合金メッキ層１４中のＰが銀ろう３と反応し
て、銀ろう３の凝固点を上昇させる。それによって、ろ
う付け時の銀ろう３の周囲への広がりが防止されるの
で、合金メッキ層１４の中央部分に銀ろう３が流れ込む
ことなく、表面は滑らかなままである。その結果、半導
体チップ５は合金メッキ層１４の表面にしっかりとろう
付けされ、ボイド等の接合不調が発生することがなく、
信頼性高い半導体を製造することができる。
【００３３】尚、本発明は、上記実施例に限定されるこ
となく、種々の態様で実施できることは勿論である。例
えば、上記メタライズ層９は、上述した金属以外の各種
のメタライズ金属（例えばＴｉ／Ｐｔ／Ｎｉの三層構
造）を使用できる。また、このメタライズ層９は、例え
ばタングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），マンガン
（Ｍｎ）等の各種の高融点金属粉末を使用して、周知の
スクリーン印刷によって被着形成してもよい。
となく、種々の態様で実施できることは勿論である。例
えば、上記メタライズ層９は、上述した金属以外の各種
のメタライズ金属（例えばＴｉ／Ｐｔ／Ｎｉの三層構
造）を使用できる。また、このメタライズ層９は、例え
ばタングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），マンガン
（Ｍｎ）等の各種の高融点金属粉末を使用して、周知の
スクリーン印刷によって被着形成してもよい。
【００３４】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、ヒ
ートシンク基板の表面に、ろう材と反応してろう材の凝
固点を上昇させる反応成分を含む金属層を形成したの
で、セラミックス製部材を接合する際に、ろう材が金属
層の表面に広がることを防止することができ、それによ
って、その表面を滑らかな状態に保つことができる。そ
の結果、半導体チップ等の接合に際して、ボイド等が発
生することなく好適に接合を行なうことができるので、
半導体パッケージの信頼性が向上する。
ートシンク基板の表面に、ろう材と反応してろう材の凝
固点を上昇させる反応成分を含む金属層を形成したの
で、セラミックス製部材を接合する際に、ろう材が金属
層の表面に広がることを防止することができ、それによ
って、その表面を滑らかな状態に保つことができる。そ
の結果、半導体チップ等の接合に際して、ボイド等が発
生することなく好適に接合を行なうことができるので、
半導体パッケージの信頼性が向上する。
【００３５】特に、上記金属層の表面にリン成分を０.
５〜１５重量％の範囲で含む場合には、ろう材の流れ込
みを防止する能力が高く好適である。
５〜１５重量％の範囲で含む場合には、ろう材の流れ込
みを防止する能力が高く好適である。
【図１】本発明の実施例の半導体パッケージを示す断面
図である。
図である。
【図２】セラミックス複合体基板を拡大して示す断面図
である。
である。
【図３】従来の半導体パッケージを示す断面図である。
１…セラミックス複合体基板 ２…セラミックス基板 ３…銀ろう ７…窒化アルミニウム基板 ９…メタライズ層 １３…メッキ層 １４…合金メッキ層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/14 - 23/15 H01L 23/373 C04B 37/02
Claims (2)
- 【請求項１】 ヒートシンク基板の表面に形成され、ろ
う材と反応してろう材の凝固点を上昇させる反応成分が
含まれた金属層の一部に、ろう材によってセラミックス
製部材をろう付けした半導体パッケージであって、 上記金属層のうち上記セラミックス製部材がろう付けさ
れていない部分に半導体チップを搭載することを特徴と
する半導体パッケージ。 - 【請求項２】 ヒートシンク基板の表面に形成され、リ
ン成分が０．５〜１５重量％の範囲で含まれた金属層の
一部に、銀ろうによってセラミックス製部材をろう付け
した半導体パッケージであって、 上記金属層のうち上記セラミックス製部材がろう付けさ
れていない部分に半導体チップを搭載することを特徴と
する半導体パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3077892A JP2963549B2 (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | 半導体パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3077892A JP2963549B2 (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | 半導体パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04313259A JPH04313259A (ja) | 1992-11-05 |
| JP2963549B2 true JP2963549B2 (ja) | 1999-10-18 |
Family
ID=13646731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3077892A Expired - Lifetime JP2963549B2 (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | 半導体パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2963549B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3693300B2 (ja) * | 1993-09-03 | 2005-09-07 | 日本特殊陶業株式会社 | 半導体パッケージの外部接続端子及びその製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0791610B2 (ja) * | 1985-06-17 | 1995-10-04 | 日本電装株式会社 | 非酸化物セラミックヒータ用金属ロー材 |
-
1991
- 1991-04-10 JP JP3077892A patent/JP2963549B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04313259A (ja) | 1992-11-05 |
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