JP2957039B2 - ロータリトランス - Google Patents

ロータリトランス

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JP2957039B2 JP4027291A JP2729192A JP2957039B2 JP 2957039 B2 JP2957039 B2 JP 2957039B2 JP 4027291 A JP4027291 A JP 4027291A JP 2729192 A JP2729192 A JP 2729192A JP 2957039 B2 JP2957039 B2 JP 2957039B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、VTRやDATなどに
装備される回転ヘッド装置に使用されるロータリトラン
スに係り、特にコアがMn−Zn系のフェライトに代表
される非絶縁性の磁性材料により形成されているロータ
リトランスに関する。
【0002】
【従来の技術】従来のVTRやDATなどに装備された
回転ヘッド装置に使用されるロータリトランスのコア
は、Ni−Zn系のフェライト材料により形成されてい
るのが一般的である。またロータリトランスのコアの材
料として使用可能なものにMn−Zn系のフェライト材
料がある。上記両材料を比較すると、透磁率μではMn
−Zn系材料の方がNi−Zn系材料よりも優れてお
り、例えばMn−Zn系材料のμがほぼ3100程度で
あり、Ni−Zn系材料のμは600程度である。また
Mn−Zn系材料はインダクタンス(L)、Q、結合係
数がいずれも高いため、中低帯域での信号伝達の向上を
図ることができる。さらにMn−Zn系材料はNi−Z
n系材料よりも価格が安い。このようにロータリトラン
スのコアの材料としてMn−Zn系材料を使用すること
により上記の種々の点で優れたものが得られる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Mn−
Zn系材料は、比抵抗値がNi−Zn系材料よりも大幅
に低い導電性材料であるため、コアとコイルの巻線との
間に短絡が生じやすい問題が生じる。すなわちMn−Z
n系材料では、その組成のうちの大部分を占めるFe、
Mn,ZnのうちのFeの割合が上がると透磁率μが上
がって帯域が狭くなり、Feの割合が下がるとμも下が
り、帯域が狭くなる。またFeの割合が上がると抵抗値
が下がり、Feの割合が下がると抵抗値が上がる。すな
わち図4に示すように、透磁率μが上がると抵抗値が下
がり、μが下がると抵抗値が上がる関係にある。
【0004】またMn−Zn系のフェライト材料の焼結
工程は、酸化を防止するために窒素と空気の混合気の雰
囲気化で行っている。この混合気の状態や混合気とフェ
ライト材料との接触状態により、コアの表面の酸化の程
度が変化する。酸化されすぎると抵抗値が上昇して、コ
アと巻線との短絡による影響を小さくできるが、酸化が
進行しすぎるとロータリトランスのコアとしての特性が
劣化してしまう。
【0005】このように、Mn−Zn系材料は抵抗値が
低い状態で使用しなくてはならず、よって巻線の被覆が
剥がれて巻線とコアとが電気的に接触したときに巻線ど
うしが短絡する問題が生じやすい。このような短絡の問
題は、図2に示すように、コア1の角部1aに巻線のリ
ード部2が接触しこのリード部2の被覆が剥がれること
により生じる危険性がある。図5は、ステータトランス
においてコイルの巻線の両極がコアと短絡した場合の、
コアのショート抵抗値(横軸)と伝達特性(縦軸:d
B)との関係を示している。また図5のグラフは伝送周
波数が副搬送波の帯域の629kHzと、伝送周波数が
輝度系のFM信号の帯域である2MHzと5MHzの場
合を示している。なお上記各周波数とVHSのNTSC
信号との関係は図3に示している。上記図5に示すよう
に、巻線の両極がコアに短絡した場合、コアの抵抗値が
低下するに従って、高帯域での伝送特性がきわめて悪く
なり、VTRの場合に画質に大きな影響が生じることが
わかる。
【0006】このようにMn−Zn系材料はロータリト
ランスのコアとしての特性が良好であるにもかかわら
ず、巻線との短絡の危険性により、伝送信号に大きな影
響を与えるものであるため、従来Mn−Zn系材料をロ
ータリトランスのコアとして使用する場合には、巻線の
接触部に塗料などの非導電材料を塗布するなどの対策が
必要になる。しかしながら、塗料などを塗布する工程は
コアの製造コストをかなり高くすることになる。
【0007】本発明は上記従来の課題を解決するもので
あり、コアの抵抗値とトランスのインダクタンスなどの
関係を選択することにより、たとえコイル巻線とコアと
の間に短絡が生じても、トランスとしての伝送特性を低
下させることがないようにしたMn−Zn系材料に代表
される非絶縁性の磁性材料を使用したロータリトランス
を提供することを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明によるロータリト
ランスは、コアが例えばMn−Zn系のフェライト材料
などの非絶縁性の磁性材料により形成されており、且つ
コアのショート抵抗値Rがロータ側で数3の条件を満た
し、および/またはステータ側で数4の条件を満たして
いることを特徴とするものである。
【0009】
【数3】
【0010】
【数4】
【0011】ただし、mは定数、ωは2πf(fは伝送
信号の周波数)、Lhはヘッド全体のインダクタンス、
aは負荷率(=L1/Lh)(L1はトランスのロータ側
インダクタンス)、nはロータ側とステータ側のコイル
巻数比、kは伝達関数である。
【0012】以下、上記の数3と数4において定数mが
2となる場合の、数式の導きを説明する。図1はロータ
リトランスのT型等価回路である。この等価回路におい
て、Lhはヘッドのインダクタンス、Mはトランスの相
互インダクタンス、L1はトランスのロータ側インダク
タンス、L2はトランスのステータ側インダクタンス、
1は巻線がロータに短絡した場合のロータ側のショー
ト抵抗値、R2は巻線がステータに短絡した場合のステ
ータ側のショート抵抗値、R3はアンプの入力抵抗であ
る。図1に示す等価回路における伝送関数G(s)を求め
る。伝送関数はG(s)=20log(V2/V1)である。ま
ずロータ側において巻線とコアとの短絡が生じてショー
ト抵抗R1が発生した場合のロータ側の伝送関数G(s)1
は数5に示す通りであり、またショート抵抗R1が発生
していないときの伝送関数G(s)2は数6に示すとおりで
ある。
【0013】
【数5】
【0014】
【数6】
【0015】ただし、sはラプラス演算子、Y1は(1
/R1)である。その他は数1ないし数4と同じであ
る。
【0016】次にショートが発生しているときの伝送関
数G(s)1とショートが発生していないときの伝送関数G
(s)2から、ショートが生じたことによる出力低下を求め
る。ここで出力低下レベルを1dB以内であるとする
と、1dBは約1.12であるから、出力低下が1dB
以下となる条件は、数7で示すとおりである。
【0017】
【数7】
【0018】上記数7を整理すると、ショート抵抗値R
1の条件、すなわちロータ側コアのショートによる抵抗
値Rの条件が数8に示すようになる。
【0019】
【数8】
【0020】上記数8は、数1と数3においてm=2と
したものに等しい。なお、上記数8はショートによる出
力低下レベルを1dB以下に抑えるためのショート抵抗
Rの条件であり、例えば出力低下レベルが3dB程度許
容できる場合には、3dBは約1.41であるため、m
=2.4となる。すなわちこのmは許容すべき出力低下
レベルにより決められる。
【0021】同様にして、ステータ側のショート抵抗R
2が発生した場合のステータ側トランスの伝送関数をG
(s)3とし、ショート抵抗R2が発生していない場合のス
テータ側トランスの伝送関数をG(s)4とすると、これら
はそれぞれ数9と数10に示す通りである。
【0022】
【数9】
【0023】
【数10】
【0024】ただし、Y2は1/R2、Y3は1/R3であ
る。この場合においても、出力低下レベルが1dB以下
となる条件を求めると、数11に示す式が得られる。た
だしここでは、R3がR2よりも十分に大きいものとしR
3→∞とし、Y3=0として計算している。
【0025】
【数11】
【0026】これを整理すると数12に示す式が得られ
る。すなわち出力低下レベルが1dB以内となるための
ステータ側のショートによる抵抗Rは、
【0027】
【数12】 である。
【0028】この数12は、数2と数4においてm=2
としたのと同じである。このmは巻線がコアとショート
したときに得ようとする出力低下レベルに応じて決まる
ものであり、例えば3dBまで許容できるばあいには、
m=2.4である。前述のように数12はR3がR2より
も十分に大きい場合について計算したものである。よっ
てアンプの入力抵抗R3を加味した場合には、
【0029】
【数13】 であるから、数12は数14のように書き換えることが
できる。
【0030】
【数14】
【0031】
【実施例】以下実施例を説明する。 (ロータ側)Lh=2.0μH、L1=10μH、a=5
とする。また伝送周波数を図3においてキャリアセンタ
ーの4MHzとすると、ω=2π×4×106であり、
これらを数8に代入すると、 R≧84Ω となる。すなわちロータ側トランスのショートによる抵
抗値が84Ω以上であれば、巻線とコアとのショートが
生じても、出力低下レベルを1dB以内に抑えることが
できる。
【0032】(ステータ側)Lh=2.0μH、L1=1
0μH、a=5、k=0.96とし、伝送周波数をf=
4MHzとし、これを数12に代入すると、 R≧425Ω となる。すなわち、ステータ側トランスのショートによ
る抵抗値が425Ω以上であれば、巻線とコアとのショ
ートが生じても、出力低下レベルを1dB以内に抑える
ことができる。さらに、ここでアンプの入力抵抗R3
加味し、仮にR3=680Ωとすると、数13からR=
約1.1kΩとなる。すなわちアンプの入力抵抗680
Ωを加味した場合、ステータ側のショートによる抵抗値
が1.1kΩ以上であれば、出力低下レベルを1dB以
下に抑えることができる。
【0033】なお上記実施例では、Lhやnなどの数値
からショート抵抗値Rを求めたが、コアのショート抵抗
値Rが決められているときには、逆算してそれぞれのイ
ンダクタンスやコイル巻数を前記条件に合うように算出
すればよい。
【0034】
【発明の効果】以上のように本発明では、Mn−Zn系
材料などの非絶縁性の磁性材料によりロータリトランス
のコアを製造した場合で且つコイル巻線とコアとの間に
短絡が生じたとしても、所望の伝達特性を得ることがで
き、Mn−Zn系のフェライト材料などをコアとして使
用しやすくなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】ロータリトランスのT型等価回路を示す回路
図、
【図2】ロータリトランスのコアを示す斜視図、
【図3】VHFのNTSC記録信号の帯域説明図、
【図4】Mn−Zn系フェライト材料の透磁率と抵抗値
との関係を示す線図、
【図5】Mn−Zn系フェライト材料のステータにおけ
るショート抵抗値と伝達特性との関係を示す線図、
【符号の説明】
1 コア 2 巻線のリード線

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 コアが非絶縁性の磁性材料により形成さ
    れており、且つコアのショート抵抗値Rがロータ側で数
    1の条件を満たしていることを特徴とするロータリトラ
    ンス。 【数1】 ただし、mは定数、ωは2πf(fは伝送信号の周波
    数)、Lhはヘッドのインダクタンス、aは負荷率(=
    1/Lh)(L1はトランスのロータ側インダクタン
    ス)、nはロータ側とステータ側のコイル巻数比、kは
    伝達関数である。
  2. 【請求項2】 コアが非絶縁性の磁性材料により形成さ
    れており、且つコアのショート抵抗値Rがステータ側で
    数2の条件を満たしていることを特徴とするロータリト
    ランス。 【数2】 ただし、mは定数、ωは2πf(fは伝送信号の周波
    数)、Lhはヘッドのインダクタンス、aは負荷率(=
    1/Lh)(L1はトランスのロータ側インダクタン
    ス)、nはロータ側とステータ側のコイル巻数比、kは
    伝達関数である。
  3. 【請求項3】 定数がm=2である請求項1または2記
    載のロータリトランス。
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