JP2953426B2 - Ｌｓｉ製造用プロセス装置 - Google Patents

Ｌｓｉ製造用プロセス装置

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    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
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    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、容器内に所定のガ
スを供給して基体に目的の処理を行うＬＳＩ製造用プロ
セス装置に関する。特に、目的の処理に悪影響を与える
微粒子の発生状態を観察するために容器外から容器内に
容器の窓を介してレーザ光を導入して、容器内に浮遊し
ている微粒子からの散乱光を計測することが可能なプロ
セス装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】容器内にその容器の窓を介してレーザ光
を導入し、容器内の微粒子（例えば塵や埃）からの散乱
光を計測する場合、計測したい散乱光以外に、さまざま
な原因による迷光が発生する。それらは、窓の表面とそ
の裏面でのレーザ光の反射光やこれの装置内壁での乱反
射光、およびレーザ光のストッパーでの乱反射光などで
あり、計測したい微弱な散乱光よりも強い場合が通常で
ある。したがって、微粒子からの散乱光を計測するに
は、反射光や乱反射光を抑制することが不可欠である。
これを実現する方法として、レーザー光を導入する容器
の窓（以下、「入射側窓」と称す。）に反射防止膜をコ
ーティングして反射率を下げたり、ビームストッパーを
黒色化して乱反射光を抑制させる等の工夫が一般に行わ
れている。
【０００３】なかでも、入射側窓によるレーザ光の多重
反射光やレーザ光のストッパーでの乱反射光を低減させ
る方法は工夫が重ねられ、遮光筒（バッフル）や「レー
リーの角笛」と呼ばれるビームダンパーなどが一般に用
いられている。これらについては、例えば、鶴田匡夫に
よる著書「光の鉛筆」新技術コミニュケーション社（１
９８４年）２９６頁から３０６頁にまとめられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】以上の方法は、確かに
有効であるが、例えば容器内に化学的に活性なガス（以
下、「活性ガス」と称す。）を供給して化学反応により
半導体基板に対して成膜プロセスを行うようなＬＳＩ製
造用プロセス装置を対象にする場合には、２つの新たな
問題点が生じる。
【０００５】その１つは、レーザ光の入射側窓で生じる
問題である。すなわち、入射側窓の容器内側面は活性ガ
スに曝されるために、活性ガスと窓材が化学反応して窓
に反応生成物が付着する。その結果、付着した生成物で
散乱光が発生して、本来計測したい微粒子による微弱な
散乱光の計測を妨げてしまう。また、付着した生成物に
よる散乱のため容器内に導入したいレーザ光の強度が低
下して、微粒子からの微弱な散乱光強度がさらに弱くな
り、計測が一層困難になる。また、レーザ光の強度が強
い場合、付着した生成物が飛散して容器内を汚染してし
まう場合がある。
【０００６】他の１つは、レーザ光のストッパーで生じ
る問題である。容器内にレーザ光を導入した場合、入射
側窓と対向する容器内壁にレーザ光のストッパーとして
ビームダンパーを装着する。このダンパーはレーザ光を
１００％吸収する物質で作成できれば理想的である。し
かし、物質は必然的に零でない反射率を持つため、上記
文献に記載されているような「レーリーの角笛」や剃刀
の刃を束ねた物を使用して、レーザ光を多重反射させる
ことで反射率を０に近付けている。この場合、表面積が
増大することになるため、先に述べた入射側窓の容器内
側面と同じ問題が生じる。つまり、反応生成物の付着に
よってダンパー表面での散乱光が増大したり、強力なレ
ーザ光によって、ダンパー表面に付着した生成物が飛散
し、容器内を汚染する。
【０００７】このように、化学的に活性なガスを使用す
るプロセス装置において容器内での微粒子からの微弱な
散乱光を測定する場合には、従来のような、単に遮光筒
（バッフル）や「レーリーの角笛」、剃刀の刃で作成し
たダンパーを使用するだけでは不十分である。なお、プ
ロセス装置において容器内の微粒子の発生状態を検知す
ることは、基体の処理条件を安定させる上で重要な手段
である。
【０００８】本発明の目的は、入射側窓の容器内側面や
ビーム光のストッパー表面に、基体への処理の為のガス
（プロセスで使用するガス）に起因する付着物が生成さ
れるのを防止することで、容器内を汚染させることな
く、容器内に浮遊、または落下しつつある微粒子からの
微弱な散乱光を計測することが可能なプロセス装置を提
供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、光導入用窓が設けられた容器を具備し、該
容器内に化学的に活性なガスが供給されているＬＳＩ製
造用プロセス装置において、前記光導入用窓の前記容器
の内側面に前記光導入用窓の材質と化学反応しないガス
を吹き付けるガス吹付け機構、前記光導入用窓の前記容
器の内側面近傍に化学的に活性なガスが到達しないよう
に排気する排気系、前記光導入用窓の前記容器の内側面
への化学的に活性なガスの侵入口を開閉するシャッター
機構のうち、少なくとも一つを具備することを特徴とす
る。
【００１０】また本発明は、導入されたレーザ光を低減
させるビームダンパーを内蔵する容器を具備し、該容器
内に化学的に活性なガスが供給されているＬＳＩ製造用
プロセス装置において、前記ビームダンパーに前記ビー
ムダンパーの材質と化学反応しないガスを吹き付けるガ
ス吹付け機構、前記ビームダンパーの近傍に化学的に活
性なガスが到達しないように排気する排気系、前記ビー
ムダンパーへの化学的に活性なガスの侵入口を開閉する
シャッター機構のうち、少なくとも一つを具備すること
を特徴とする。
【００１１】もちろん本発明は、前記ガス吹付け機構、
前記排気系、前記シャッター機構のそれぞれを単体で用
いたものであっても良い。
【００１２】（作用）上記のとおりの発明では、ＬＳＩ
製造用プロセス装置の具備する容器の、光導入用窓の内
側面あるいはビームダンパーに、ガス吹付け機構により
光導入用窓あるいはビームダンパーの材質と化学反応し
ないガスが吹き付けられる。そのため、容器の内部に化
学的に活性なガスを供給して基体に目的の処理を行う
際、光導入用窓の内側面あるいはビームダンパーに活性
ガスが直接触れなくなり、反応生成物の付着が防止され
る。その結果、容器の内部に光導入用窓を介してレーザ
光を導入して容器の内部に浮遊している微粒子からの散
乱光を計測する場合には、光導入用窓の内側面あるいは
ビームダンパーにおいて不要な乱反射光が生じないた
め、容器内の微粒子からの微弱な散乱光を計測すること
が可能になる。また、レーザ光の強度を上げても光導入
用窓の内側面あるいはビームダンパーに反応生成物が付
着していないので、強力なレーザ光によって反応生成物
が飛び散って容器内を汚すことはない。
【００１３】また、前記光導入用窓の内側面近傍あるい
はビームダンパー近傍の雰囲気ガスを排気する排気系が
備えられている場合でも、光導入用窓の内側面近傍ある
いはビームダンパー近傍での化学的に活性なガスの濃度
が低減するため、活性ガスによる反応生成物が光導入用
窓の内側面あるいはビームダンパーに付着する確率が下
がる。その結果、容器の内部に導入したレーザ光を用い
て、容器内の浮遊微粒子からの散乱光を計測する際、光
導入用窓の内側面あるいはビームダンパーにおいて不要
な乱反射光が生じないため、容器内の微粒子からの微弱
な散乱光を計測することが可能になる。
【００１４】また、前記光導入用窓の内側面あるいはビ
ームダンパーへの化学的に活性なガスの侵入口を開閉す
るシャッター機構を備えたことにより、容器内の浮遊微
粒子からの散乱光を計測するために容器内にレーザー光
を導入するときだけ、光導入用窓の内側面あるいはビー
ムダンパーへのガス侵入口を開け、レーザ光を導入しな
いときは閉じておくことが可能である。したがって、不
必要に前記光導入用窓の内側面あるいはビームダンパー
が化学的に活性なガスに曝されることがない。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
【００１６】（第１の実施形態）ここでは、目的の処理
のために活性ガスが供給されている容器を備えたＬＳＩ
製造用プロセス装置において、容器に具備されているレ
ーザ光導入用窓の内側への反応生成物の付着を防止する
ために、窓の内側面にパージガスを吹き付ける機構を備
えたプロセス装置について述べる。
【００１７】図１は本発明のＬＳＩ製造用プロセス装置
の第１の実施形態を最もよく表す部分断面図である。
【００１８】本形態のＬＳＩ製造用プロセス装置は図１
に示すように、目的の処理のために活性ガスが供給され
ている容器であるプロセスチャンバー１２を備えてい
る。プロセスチャンバー１２の外壁の一部は、外壁を大
気側に引き出した引き込み部１４と成っている。この引
き込み部１４の開口端を密閉するように、レーザ光１１
が導入される入射側窓（例えばガラスなどの光透過性部
材）１３が取り付けられている。引き込み部１４の内側
には、窓１３へのレーザ光導入時に乱反射光１６が生じ
てもプロセスチャンバー１２へ入る不要な光を遮光する
バッフル１５が装着されている。また、窓１３の大気側
の表面には、窓１３のレーザ光透過率が反射によって低
下するのを防止する反射防止膜がコーティングしてあ
る。さらに、引き込み部１４には、窓１３の内側面に沿
ってパージガスを吹き付けるためのガス吹付け機構であ
るパージガス導入口１７が配設されている。なお、引き
込み部１４によって、チャンバー内１２に乱反射光１６
が入る量を少なくするという効果もある。
【００１９】このような装置では、プロセスチャンバー
１２内に所定の圧力の活性ガスが存在しており、その活
性ガスはバッフル１５のレーザ導入口を経て窓１３側へ
と侵入する。ところが、化学的に不活性なＨｅガスなど
のパージガスがパージガス導入口１７により窓１３の内
側面に沿って導入されているため、そのパージガスは窓
１３の内側面を覆い、プロセスチャンバー１２の排気系
（不図示）でプロセスチャンバー１２に引き込まれて行
く。そのため、前記の活性ガスは窓１３に到達し難くな
り、窓１３の内側面に化学反応による生成物が付着する
ことが防止される。
【００２０】前記パージガスは窓材と反応しないもので
あれば良く、Ｈｅ以外にもＡｒをはじめとする希ガスや
Ｎ2ガスなどでもよい。これらパージガスの流量は、プ
ロセスチャンバー内の圧力、活性ガスの分圧などを考慮
して定めればよい。
【００２１】このようなパージガスを導入する機構を具
備することによって、入射側窓の内側面への付着物の生
成を防止でき、その結果、不要な乱反射光を抑制できる
ので、プロセスチャンバー内の微粒子からの微弱な散乱
光を計測できる。
【００２２】（第２の実施形態）ここでは、目的の処理
のために活性ガスが供給されている容器を備えたＬＳＩ
製造用プロセス装置において、容器に具備されているレ
ーザ光導入用窓の内側への反応生成物の付着を防止する
ために、排気系を具備するプロセス装置について述べ
る。
【００２３】図２は本発明のＬＳＩ製造用プロセス装置
の第２の実施形態を最もよく表す部分断面図である。こ
の図では第１の実施形態と同一の部品に同一符号が付し
てある。
【００２４】本形態のＬＳＩ製造用プロセス装置では、
図２に示すように、第１の実施形態と同様の窓１３を備
えるプロセスチャンバー１２の引き込み部１４に、プロ
セスチャンバー１２の排気系（不図示）とは別の排気系
１８が備えられている。すなわち、本実施形態は第１の
実施形態のパージガス導入口に代えて、排気系１８を備
えた以外は第１の実施形態と同一の構成である。
【００２５】このような装置では、引き込み部１４に装
着されているバッフル１５によって、引き込み部１４の
チャンバー側の開口が絞られているので、排気系１８に
よる引き込み部１４の真空度が、プロセスチャンバー１
２のそれよりも高真空に維持される。つまり、排気系１
８を用いることで差動排気できることになる。この差動
排気によって、プロセスチャンバー１２から引き込み部
１４へ活性ガスが流入するが、窓１３に到達する前に排
気されるため、活性ガスが窓１３の内側面に付着するの
が抑制される。排気系１８による排気速度は、プロセス
チャンバー１２の所定圧力と、引き込み部１４へ流入す
るガス流量とで定まる。
【００２６】このような排気機構を具備することによっ
て、入射側窓の内側面への付着物の生成を防止でき、そ
の結果、不要な乱反射光を抑制できるので、プロセスチ
ャンバー内の微粒子からの微弱な散乱光を計測できる。
【００２７】（第３の実施形態）ここでは、目的の処理
のために活性ガスが供給されている容器を備えたＬＳＩ
製造用プロセス装置において、容器に具備されているレ
ーザ光導入用窓の内側への反応生成物の付着を防止する
ために、シャッター機構を具備するプロセス装置につい
て述べる。
【００２８】図３は本発明のＬＳＩ製造用プロセス装置
の第３の実施形態を最もよく表す部分断面図である。こ
の図では第１の実施形態と同一の部品に同一符号が付し
てある。
【００２９】本形態のＬＳＩ製造用プロセス装置では、
図３に示すように、第１の実施形態と同様の窓１３を備
えるプロセスチャンバー１２の引き込み部１４の光路上
に、ガス侵入口となるバッフル１５のレーザ光導入口を
塞ぐためのシャッター１９が配置されている。このシャ
ッター１９は、引き込み部１４の外側へ延在する直線運
動導入端子２０に取り付けられて、上下動可能になって
いる。このように、本実施形態は第１の実施形態のパー
ジガス導入口に代えて、シャッター１９及び直線運動導
入端子２０を備えた以外は第１の実施形態と同一の構成
である。
【００３０】このような装置では、微粒子の発生状態を
検知するときのみ直線運動導入端子２０が操作され、バ
ッフル１５のレーザ光導入口を塞ぐシャッター１９が開
けられる。逆に、微粒子の発生状態を検知しない場合は
シャター１９が閉じられる。このシャッター１９でバッ
フル１５のレーザ光導入口を塞いでいるときは、活性ガ
スはバッフル１５の内側に侵入しない。このようにシャ
ッター１９を開閉動させれば、不必要なときに窓１３の
内側面に化学反応によって生成物が付着することが防止
できる。
【００３１】シャッターの開閉は、レーザ光１１が連続
光または数ｋＨｚ以上の繰り返し周波数を持っていて疑
似的に連続光とみなせる場合はレーザ光１１の照射中は
シャッター１９を開にしたままにする。数Ｈｚオーダー
の繰り返し周波数を持つときには、レーザ発振にタイミ
ングを合わせてシャッター１９を開閉する。
【００３２】この例では直線運動導入端子２０を用いて
シャッター１９を上下に直線運動させているが、これに
代えて回転導入端子を用いて、この回転導入端子の一端
を中心にシャッターを回転させながら開閉しても良い。
また、円板の周辺部に沿って複数のスリットが規則正し
く開いているものを、円板の中心部を回転中心としてモ
ータで回転させ、モータの回転速度をレーザ光の繰り返
し周波数に同期させるようにしても良い。
【００３３】このようなシャッター機構を具備すること
によって、入射側窓の内側面への付着物の生成を低減で
き、その結果、不要な乱反射光を抑制できるので、プロ
セスチャンバー内の微粒子からの微弱な散乱光を計測で
きる。
【００３４】以上説明した第１〜第３の実施形態では、
それぞれパージガス、局所排気、シャッターを個別に使
用する装置を例に採ったが、これらの装置を任意に組み
合わせて使用すれば、入射側窓の容器内側面への反応生
成物の付着を一層効果的に防止できる。
【００３５】（第４の実施形態）ここでは、目的の処理
のために活性ガスが供給されている容器を備えたＬＳＩ
製造用プロセス装置において、容器内に導入したレーザ
光のストッパーであるダンパー表面への反応生成物の付
着を防止するために、ダンパーへパージガスを吹き付け
る機構を備えたプロセス装置について述べる。
【００３６】図４は本発明のＬＳＩ製造用プロセス装置
の第４の実施形態を最もよく表す部分断面図である。
【００３７】本形態のＬＳＩ製造用プロセス装置は図４
に示すように、目的の処理のために活性ガスが供給され
ている容器であるプロセスチャンバー２２を備えてい
る。プロセスチャンバー２２の外壁の、レーザ光２１が
導入される入射側窓のある部位と対向する部位は、外壁
を大気側に引き出した引き込み部２４と成っている。引
き込み部２４の奥底には、レーザ光２１のストッパーで
あるダンパー３１が配置されている。ダンパー３１は剃
刀の刃状の黒色金属シートを束ねたもので、レーザ光２
１を刃と刃の間で繰り返し多重反射させることでレーザ
光２１の大半を吸収する。ダンパー３１に入射したレー
ザ光２１の一部は乱反射光２６となってプロセスチャン
バー２２に戻ってくる。これを抑制するために引き込み
部２４の内側にバッフル２５が装着されている。さら
に、引き込み部２４には、ダンパー３１に向けてパージ
ガスを導入するためのパージガス導入口２７が配設され
ている。なお、引き込み部２４によって、チャンバー内
２２に乱反射光１６が戻る量を少なくするという効果も
ある。
【００３８】このような装置では、プロセスチャンバー
２２内に所定の圧力の活性ガス（例えば、酸素ガス、水
素ガス）が存在しており、その活性ガスはバッフル２５
のレーザ光導入口を経て、ダンパー３１のある引き込み
部２４の奥底側へと侵入する。ところが、化学的に不活
性なＨｅガスなどのパージガスがパージガス導入口２７
によりダンパー３１に向けて導入されているため、その
パージガスはダンパー３１の設置された場所に充満し、
プロセスチャンバー２２の排気系（不図示）でプロセス
チャンバー２２に引き込まれて行く。そのため、前記の
活性ガスはダンパー３１に到達し難くなり、ダンパー３
１の表面に化学反応による生成物が付着することが防止
される。
【００３９】前記パージガスはダンパーの構成材料と反
応しないものであれば良く、Ｈｅ以外にもＡｒをはじめ
とする希ガスやＮ2ガスなどでもよい。これらパージガ
スの流量は、プロセスチャンバー内の圧力、活性ガスの
分圧などを考慮して定めればよい。
【００４０】このようなパージガスを導入する機構を具
備することによって、ダンパーへの付着物の生成を防止
でき、その結果、不要な乱反射光を抑制できるので、プ
ロセスチャンバー内の微粒子からの微弱な散乱光を計測
できる。
【００４１】（第５の実施形態）ここでは、目的の処理
のために活性ガスが供給されている容器を備えたＬＳＩ
製造用プロセス装置において、容器内に導入したレーザ
光のストッパーであるダンパー表面への反応生成物の付
着を防止するために、排気系を具備するプロセス装置に
ついて述べる。
【００４２】図５は本発明のＬＳＩ製造用プロセス装置
の第５の実施形態を最もよく表す部分断面図である。こ
の図では第４の実施形態と同一の部品に同一符号が付し
てある。
【００４３】本形態のＬＳＩ製造用プロセス装置では、
図５に示すように、第４の実施形態と同様のダンパー３
１を備えるプロセスチャンバー２２の引き込み部２４
に、プロセスチャンバー２２の排気系（不図示）とは別
の排気系２８が備えられている。すなわち、本実施形態
は第４の実施形態のパージガス導入口に代えて、排気系
２８を備えた以外は第４の実施形態と同一の構成であ
る。
【００４４】このような装置では、引き込み部２４に装
着されているバッフル２５によって、引き込み部２４の
チャンバー側の開口が絞られているので、排気系２８に
よる引き込み部２４の真空度が、プロセスチャンバー２
２のそれよりも高真空に維持される。つまり、排気系２
８を用いることで差動排気できることになる。この差動
排気によって、プロセスチャンバー２２から引き込み部
２４内へ活性ガスが流入するが、ダンパー３１に到達す
る前に排気されるため、活性ガスがダンパー３１に付着
するのが抑制される。排気系２８による排気速度は、プ
ロセスチャンバー２２の所定圧力と、引き込み部２４へ
流入するガス流量とで定まる。
【００４５】このような排気機構を具備することによっ
て、ダンパー表面への付着物の生成を防止でき、その結
果、不要な乱反射光を抑制できるので、プロセスチャン
バー内の微粒子からの微弱な散乱光を計測できる。
【００４６】（第６の実施形態）ここでは、目的の処理
のために活性ガスが供給されている容器を備えたＬＳＩ
製造用プロセス装置において、容器内に導入したレーザ
光のストッパーであるダンパー表面への反応生成物の付
着を防止するために、シャッター機構を具備するプロセ
ス装置について述べる。
【００４７】図６は本発明のＬＳＩ製造用プロセス装置
の第６の実施形態を最もよく表す部分断面図である。こ
の図では第４の実施形態と同一の部品に同一符号が付し
てある。
【００４８】本形態のＬＳＩ製造用プロセス装置では、
図６に示すように、第４の実施形態と同様のダンパー３
１を備えるプロセスチャンバー２２の引き込み部２４の
光路上に、ガス侵入口となるバッフル２５のレーザ光導
入口を塞ぐためのシャッター２９が配置されている。こ
のシャッター２９は、引き込み部２４の外側へ延在する
直線運動導入端子３０に取り付けられて、上下動可能に
なっている。このように、本実施形態は第４の実施形態
のパージガス導入口に代えて、シャッター２９及び直線
運動導入端子３０を備えた以外は第４の実施形態と同一
の構成である。
【００４９】このような装置では、微粒子の発生状態を
検知するときのみ直線運動導入端子３０が操作され、バ
ッフル２５のレーザ光導入口を塞ぐシャッター２９が開
けられる。逆に、微粒子の発生状態を検知しない場合は
シャター２９が閉じられる。このシャッター２９でバッ
フル２５のレーザ光導入口を塞いでいるときは、活性ガ
スはバッフル２５の内側に侵入しない。このようにシャ
ッター２９を開閉動させれば、不必要なときにダンパー
３１の表面に化学反応によって生成物が付着することが
防止できる。
【００５０】シャッターの開閉は、レーザ光２１が連続
光または数ｋＨｚ以上の繰り返し周波数を持っていて疑
似的に連続光とみなせる場合はレーザ光２１の照射中は
シャッター２９を開にしたままにする。数Ｈｚオーダー
の繰り返し周波数を持つときには、レーザ発振にタイミ
ングを合わせてシャッター２９を開閉する。
【００５１】この例では直線運動導入端子３０を用いて
シャッター２９を上下に直線運動させているが、これに
代えて回転導入端子を用いて、この回転導入端子の一端
を中心にシャッターを回転させながら開閉しても良い。
また、円板の周辺部に沿って複数のスリットが規則正し
く開いているものを、円板の中心部を回転中心としてモ
ータで回転させ、モータの回転速度をレーザ光の繰り返
し周波数に同期させるようにしても良い。
【００５２】このようなシャッター機構を具備すること
によって、ダンパーへの付着物の生成を低減でき、その
結果、不要な乱反射光を抑制できるので、プロセスチャ
ンバー内の微粒子からの微弱な散乱光を計測できる。
【００５３】以上説明した第４〜第６の実施形態では、
それぞれパージガス、局所排気、シャッターを個別に使
用する装置を例に採ったが、これらの装置を任意に組み
合わせて使用すれば、ダンパーへの反応生成物の付着を
一層効果的に防止できる。
【００５４】また、以上説明した第１〜第６の実施形態
のプロセス装置に使用する化学的に活性なガス（プロセ
スガス）としては、水素化物やハロゲン化物や有機金属
化合物などが挙げられる。
【００５５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、レーザ光
を導入する窓や導入したレーザ光のストッパーとしての
ビームダンパーが設けられた容器を備えたＬＳＩ製造用
プロセス装置において、窓の内側面やビームダンパー
に、容器内に供給された所定の処理のための化学的に活
性なガスが到達しないようにする機構を設けた。これに
より、窓の内側面やビームダンパーへの反応生成物の付
着を抑制することができる。したがって、窓の内側面や
ビームダンパー表面での不要な乱反射光がなくなり、容
器内で発生する微粒子からの微弱な散乱光を計測するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＬＳＩ製造用プロセス装置の第１の実
施形態を最もよく表す部分断面図である。
【図２】本発明のＬＳＩ製造用プロセス装置の第２の実
施形態を最もよく表す部分断面図である。
【図３】本発明のＬＳＩ製造用プロセス装置の第３の実
施形態を最もよく表す部分断面図である。
【図４】本発明のＬＳＩ製造用プロセス装置の第４の実
施形態を最もよく表す部分断面図である。
【図５】本発明のＬＳＩ製造用プロセス装置の第５の実
施形態を最もよく表す部分断面図である。
【図６】本発明のＬＳＩ製造用プロセス装置の第６の実
施形態を最もよく表す部分断面図である。
【符号の説明】
１１、２１ レーザ光 １２、２２ プロセスチャンバー １３ 窓 １４、２４ 引き込み部 １５、２５ バッフル １６、２６ 乱反射光 １７、２７ パージガス導入口 １８、２８ 排気系 １９、２９ シャッター ２０、３０ 直線運動導入端子 ３１ ダンパー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/02 G01N 15/00 G01N 21/47 H01L 21/205

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 導入されたレーザ光を低減させるビーム
    ダンパーを内蔵する容器を具備し、該容器内に化学的に
    活性なガスが供給されているＬＳＩ製造用プロセス装置
    において、 前記ダンパーに前記ダンパーの材質と化学反応しないガ
    スを吹き付けるガス吹付け機構が備えられたことを特徴
    とするＬＳＩ製造用プロセス装置。
  2. 【請求項２】 導入されたレーザ光を低減させるビーム
    ダンパーを内蔵する容器を具備し、該容器内に化学的に
    活性なガスが供給されているＬＳＩ製造用プロセス装置
    において、 前記ダンパーの近傍に化学的に活性なガスが到達しない
    ように排気する排気系が備えられたことを特徴とするＬ
    ＳＩ製造用プロセス装置。
  3. 【請求項３】 導入されたレーザ光を低減させるビーム
    ダンパーを内蔵する容器を具備し、該容器内に化学的に
    活性なガスが供給されているＬＳＩ製造用プロセス装置
    において、 前記ダンパーへの化学的に活性なガスの侵入口を開閉す
    るシャッター機構が備えられたことを特徴とするＬＳＩ
    製造用プロセス装置。
  4. 【請求項４】 導入されたレーザ光を低減させるビーム
    ダンパーを内蔵する容器を具備し、該容器内に化学的に
    活性なガスが供給されているＬＳＩ製造用プロセス装置
    において、 前記ダンパーに前記ダンパーの材質と化学反応しないガ
    スを吹き付けるガス吹付け機構、前記ダンパーの近傍に
    化学的に活性なガスが到達しないように排気する排気
    系、前記ダンパーへの化学的に活性なガスの侵入口を開
    閉するシャッター機構のうち、少なくとも一つを具備す
    ることを特徴とするＬＳＩ製造用プロセス装置。
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