JP2945436B2 - 走査型プローブ顕微鏡 - Google Patents
走査型プローブ顕微鏡Info
- Publication number
- JP2945436B2 JP2945436B2 JP2079566A JP7956690A JP2945436B2 JP 2945436 B2 JP2945436 B2 JP 2945436B2 JP 2079566 A JP2079566 A JP 2079566A JP 7956690 A JP7956690 A JP 7956690A JP 2945436 B2 JP2945436 B2 JP 2945436B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- probe
- physical information
- cantilever
- information
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q60/00—Particular types of SPM [Scanning Probe Microscopy] or microscopes; Essential components thereof
- G01Q60/02—Multiple-type SPM, i.e. involving more than one SPM techniques
- G01Q60/04—STM [Scanning Tunnelling Microscopy] combined with AFM [Atomic Force Microscopy]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Radiology & Medical Imaging (AREA)
- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、探針を用いて試料表面の情報を測定する
走査型プローブ顕微鏡に関するもので、特に、同一試料
において異なる情報を得ることのできる走査型プローブ
顕微鏡に関するものである。
走査型プローブ顕微鏡に関するもので、特に、同一試料
において異なる情報を得ることのできる走査型プローブ
顕微鏡に関するものである。
［従来の技術］ 最近、試料表面の微細形状を原子レベルで観察できる
装置として、走査型トンネル顕微鏡（Scanning Tunneli
ng Microscope:以下、STM装置とする。）、原子間力顕
微鏡（Atomic Force Microscope:以下、AFM装置とす
る。）などが開発され、各種の研究に使用されている。
装置として、走査型トンネル顕微鏡（Scanning Tunneli
ng Microscope:以下、STM装置とする。）、原子間力顕
微鏡（Atomic Force Microscope:以下、AFM装置とす
る。）などが開発され、各種の研究に使用されている。
STM装置は、USP4,343,993号等に記載されているよう
に、トンネル現象により数nm程度の距離に近接された探
針と導電性材料からなる試料表面との間に流れるトンネ
ル電流Ｉが、探針と試料間の距離Ｓおよびトンネルバリ
アバイトφに対して指数関数的な依存性（Ｉ＝exp（−
φ1/2Ｓ））を示すことを利用して、このトンネル電流
Ｉが一定になるように探針と試料の位置関係を制御しな
がら探針を走査したときの制御電圧を計測することによ
り、試料の表面形状を原子レベルの分解能で測定する顕
微鏡である。
に、トンネル現象により数nm程度の距離に近接された探
針と導電性材料からなる試料表面との間に流れるトンネ
ル電流Ｉが、探針と試料間の距離Ｓおよびトンネルバリ
アバイトφに対して指数関数的な依存性（Ｉ＝exp（−
φ1/2Ｓ））を示すことを利用して、このトンネル電流
Ｉが一定になるように探針と試料の位置関係を制御しな
がら探針を走査したときの制御電圧を計測することによ
り、試料の表面形状を原子レベルの分解能で測定する顕
微鏡である。
また、AFM装置は、特開明62−130302号公報等に記載
されているように、探針の頂点にある原子と試料表面に
ある原子との間に、例えば第６図のような引力域と斥力
域のある、Lennard−Jonesポテンシャルで表されるよう
な原子間力（斥力，ファンデルワールス力，共有結合力
等）と呼ばれる微小な力が生じ、この力を探針が設けら
れているカンチレバー（てこ）のたわみ量（探針の変位
量）によって検出し、この力が一定になるように探針と
試料の位置関係を制御しながら探針を走査したときの制
御電圧を計測することにより、試料の表面形状および原
子間力の分布像を原子レベルの分解能で測定できるもの
であり、前記STM装置と異なり、試料の導電性と無関係
に測定できる顕微鏡である。
されているように、探針の頂点にある原子と試料表面に
ある原子との間に、例えば第６図のような引力域と斥力
域のある、Lennard−Jonesポテンシャルで表されるよう
な原子間力（斥力，ファンデルワールス力，共有結合力
等）と呼ばれる微小な力が生じ、この力を探針が設けら
れているカンチレバー（てこ）のたわみ量（探針の変位
量）によって検出し、この力が一定になるように探針と
試料の位置関係を制御しながら探針を走査したときの制
御電圧を計測することにより、試料の表面形状および原
子間力の分布像を原子レベルの分解能で測定できるもの
であり、前記STM装置と異なり、試料の導電性と無関係
に測定できる顕微鏡である。
この様に、STM装置は、探針と試料表面との間に流れ
るトンネル電流を一定に制御しながら、探針を試料表面
上のXY方向に走査することにより、試料表面の３次元像
（いわゆる、STM像）を計測する装置であり、AFM装置
は、探針と試料表面との間に作用する原子間力が一定に
なるように探針と試料の位置関係を制御しながら探針を
走査することによって、試料表面の３次元像（いわゆ
る、AFM像）を計測する装置であり、それぞれ塩流と原
子間力という物理的に異なる情報に基づいた試料表面の
３次元像を計測する装置である。
るトンネル電流を一定に制御しながら、探針を試料表面
上のXY方向に走査することにより、試料表面の３次元像
（いわゆる、STM像）を計測する装置であり、AFM装置
は、探針と試料表面との間に作用する原子間力が一定に
なるように探針と試料の位置関係を制御しながら探針を
走査することによって、試料表面の３次元像（いわゆ
る、AFM像）を計測する装置であり、それぞれ塩流と原
子間力という物理的に異なる情報に基づいた試料表面の
３次元像を計測する装置である。
ところで、最近は、このような試料表面の異なる物理
的な情報を同時に計測することで、より厳密な表面物性
の研究を行うことを目的として、前記STM像とAFM像を同
時に得ることについて、注目されてきている。
的な情報を同時に計測することで、より厳密な表面物性
の研究を行うことを目的として、前記STM像とAFM像を同
時に得ることについて、注目されてきている。
このような、STM像とAFM像の同時測定に関する先行例
として、ジャーナル・オブ・マイクロスコピー（J.Micr
oscopy）Vol.152,Pt3,Dec.1988のp.871〜875に記載され
たP.J.ブライアント（P.J.Bryant）らによる論文があ
る。
として、ジャーナル・オブ・マイクロスコピー（J.Micr
oscopy）Vol.152,Pt3,Dec.1988のp.871〜875に記載され
たP.J.ブライアント（P.J.Bryant）らによる論文があ
る。
第５図は、この論文に記載された測定装置50を説明す
るための説明図である。XYZの３方向に駆動可能な３軸
圧電駆動体51の下面には、柔軟で弾性を有するカンチレ
バー52と、このカンチレバー52の裏面に先端が位置する
ように設けられた金属探針53が設けられている。カンチ
レバー52の自由端には鋭い針状のチップ54が形成され、
このチップ54が試料55表面に近接して配置される。カン
チレバー52と試料55の間にはSTMバイアス電圧VSが、ま
た、カンチレバー52と金属探針53の間にはAFMバイアス
電圧VAが印加されるように、STMバイアス印加手段56お
よびAFMバイアス印加手段57が設けられている。このSTM
バイアス電圧VSおよびAFMバイアス電圧VAが印加される
ことにより、カンチレバー52と試料55の間、カンチレバ
ー52と金属探針53の間に、それぞれトンネル電流が生じ
ることになる。すなわち、カンチレバー52には、カンチ
レバー52と試料55間に流れる電流iSと、カンチレバー52
と金属探針53間に流れる電流iAが加算された電流iASが
流れる。このカンチレバー52に流れた電流iASは制御回
路58およびコンピューター59に加えられる。この電流i
ASが一定になるように、すなわち、カンチレバー52と試
料55間に作用する力は一定に保たれるようにして、３軸
圧電駆動体51のＺ方向の圧電体にフィードバック電圧が
印加される。このとき、探針50とカンチレバー52とを同
時に試料55土でXY方向に走査したときのフィードバック
電圧を記録することにより、カンチレバー52と試料55間
に作用する力が一定に保たれたときの、試料表面のAFM
像（凹凸像）が測定され、AFM像表示手段60に表示され
る。
るための説明図である。XYZの３方向に駆動可能な３軸
圧電駆動体51の下面には、柔軟で弾性を有するカンチレ
バー52と、このカンチレバー52の裏面に先端が位置する
ように設けられた金属探針53が設けられている。カンチ
レバー52の自由端には鋭い針状のチップ54が形成され、
このチップ54が試料55表面に近接して配置される。カン
チレバー52と試料55の間にはSTMバイアス電圧VSが、ま
た、カンチレバー52と金属探針53の間にはAFMバイアス
電圧VAが印加されるように、STMバイアス印加手段56お
よびAFMバイアス印加手段57が設けられている。このSTM
バイアス電圧VSおよびAFMバイアス電圧VAが印加される
ことにより、カンチレバー52と試料55の間、カンチレバ
ー52と金属探針53の間に、それぞれトンネル電流が生じ
ることになる。すなわち、カンチレバー52には、カンチ
レバー52と試料55間に流れる電流iSと、カンチレバー52
と金属探針53間に流れる電流iAが加算された電流iASが
流れる。このカンチレバー52に流れた電流iASは制御回
路58およびコンピューター59に加えられる。この電流i
ASが一定になるように、すなわち、カンチレバー52と試
料55間に作用する力は一定に保たれるようにして、３軸
圧電駆動体51のＺ方向の圧電体にフィードバック電圧が
印加される。このとき、探針50とカンチレバー52とを同
時に試料55土でXY方向に走査したときのフィードバック
電圧を記録することにより、カンチレバー52と試料55間
に作用する力が一定に保たれたときの、試料表面のAFM
像（凹凸像）が測定され、AFM像表示手段60に表示され
る。
［発明が解決しようとする課題］ ところで、この先行技術によれば、試料55とカンチレ
バー52の間に流れる電流iSが試料55表面の導電性の情報
を与えるとして、電流の分布像（STM像）が掲載されて
いるが、カンチレバー52に流れている電流iASは、試料5
5とカンチレバー52の間に流れる電流iSと、カンチレバ
ー52と金属探針53の間に流れる電流iAの２つの電流の和
になっており、この電流iASからでは、直接STM像を形成
して表示することはできず、電流iASを一旦電流iAと電
流iSに分離した後、電流iSからSTM像を求める必要があ
る。この論文中ではコンピュータ59内に取り込まれた後
で、STM像表示手段61に表示されることになっている
が、コンピューター59内に取り込まれた電流iASを２つ
の電流iAとiSを分離する具体的な方法についてはまった
く開示されていない。
バー52の間に流れる電流iSが試料55表面の導電性の情報
を与えるとして、電流の分布像（STM像）が掲載されて
いるが、カンチレバー52に流れている電流iASは、試料5
5とカンチレバー52の間に流れる電流iSと、カンチレバ
ー52と金属探針53の間に流れる電流iAの２つの電流の和
になっており、この電流iASからでは、直接STM像を形成
して表示することはできず、電流iASを一旦電流iAと電
流iSに分離した後、電流iSからSTM像を求める必要があ
る。この論文中ではコンピュータ59内に取り込まれた後
で、STM像表示手段61に表示されることになっている
が、コンピューター59内に取り込まれた電流iASを２つ
の電流iAとiSを分離する具体的な方法についてはまった
く開示されていない。
さらに、前記計測装置50では、力検出のカンチレバー
52と金属探針53の相対的な位置の調整が不可能であり、
また、カンチレバー52と試料55に作用する力を一定にし
て走査し、AFM像を得るには、カンチレバー52と試料55
に加わっている力の領域は斥力領域であることが必須で
ある。
52と金属探針53の相対的な位置の調整が不可能であり、
また、カンチレバー52と試料55に作用する力を一定にし
て走査し、AFM像を得るには、カンチレバー52と試料55
に加わっている力の領域は斥力領域であることが必須で
ある。
このように、先行技術によれば、STM像を求めるのに
はコンピューターによる演算が必要であるため、構成が
複雑になるだけではなく、STM像とAFM像を同時に測定で
きるとしても、同時に表示することは困難である。さら
に、カンチレバー52と試料55間に作用する力の領域を自
由に設定することはできず、カンチレバー52のバネ定数
などにより試料55とカンチレバー52の間に働く原子間力
の強さは一定で変更できず、計測できるAFM像は一定の
原子間力における像に限定されてしまう。
はコンピューターによる演算が必要であるため、構成が
複雑になるだけではなく、STM像とAFM像を同時に測定で
きるとしても、同時に表示することは困難である。さら
に、カンチレバー52と試料55間に作用する力の領域を自
由に設定することはできず、カンチレバー52のバネ定数
などにより試料55とカンチレバー52の間に働く原子間力
の強さは一定で変更できず、計測できるAFM像は一定の
原子間力における像に限定されてしまう。
そこで、本願発明は上記のような課題を解決するため
になされたものであり、同一の探針で物理的に異なる複
数の試料情報を独立して検出し、この検出された複数の
試料情報に基づく各々の試料像を画像表示する走査型プ
ローブ顕微鏡を提供することを目的とする。
になされたものであり、同一の探針で物理的に異なる複
数の試料情報を独立して検出し、この検出された複数の
試料情報に基づく各々の試料像を画像表示する走査型プ
ローブ顕微鏡を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するために、本願発明の走査型プロー
ブ顕微鏡は、試料に対向して配置される導電性の探針
と、前記試料と前記探針とを相対的に駆動する駆動手段
と、前記試料と前記探針との間に電圧を印加する電圧印
加手段と、前記試料と前記探針との間に作用する力学的
物理情報を検出する力学的情報検出手段と、前記力学的
物理情報を一定に保つように駆動手段を制御する制御手
段と、前記制御手段による制御の下で、前記試料表面の
導電性分布に基づいて前記試料と前記探針との間で変化
する電気的物理情報を検出する電気的情報検出手段と、
前記電気的物理情報に基づく試料像および前記力学的物
理情報に基づく試料像を表示する表示手段とを備えてお
り、前記力学的情報検出手段と前記電気的情報検出手段
とが分離して設けられている構成とした。
ブ顕微鏡は、試料に対向して配置される導電性の探針
と、前記試料と前記探針とを相対的に駆動する駆動手段
と、前記試料と前記探針との間に電圧を印加する電圧印
加手段と、前記試料と前記探針との間に作用する力学的
物理情報を検出する力学的情報検出手段と、前記力学的
物理情報を一定に保つように駆動手段を制御する制御手
段と、前記制御手段による制御の下で、前記試料表面の
導電性分布に基づいて前記試料と前記探針との間で変化
する電気的物理情報を検出する電気的情報検出手段と、
前記電気的物理情報に基づく試料像および前記力学的物
理情報に基づく試料像を表示する表示手段とを備えてお
り、前記力学的情報検出手段と前記電気的情報検出手段
とが分離して設けられている構成とした。
［作用］ 本願発明の走査型プローブ顕微鏡によれば、力学的情
報検出手段と電気的情報検出手段とが分離して設けられ
ており、異なる試料情報が独立して検出される。詳しく
は、力学的情報検出手段で検出される探針と試料との間
に作用する力学的物理情報を一定に保つ制御を行い、こ
の制御の下で、力学的物理情報を検出する探針を用いて
試料の電気的物理情報を検出し、電気的物理情報に基づ
く試料像および力学的物理情報に基づく試料像を表示手
段に表示する。
報検出手段と電気的情報検出手段とが分離して設けられ
ており、異なる試料情報が独立して検出される。詳しく
は、力学的情報検出手段で検出される探針と試料との間
に作用する力学的物理情報を一定に保つ制御を行い、こ
の制御の下で、力学的物理情報を検出する探針を用いて
試料の電気的物理情報を検出し、電気的物理情報に基づ
く試料像および力学的物理情報に基づく試料像を表示手
段に表示する。
［実施例］ 第１図は本発明における走査型プローブ顕微鏡の実施
例の概念図である。
例の概念図である。
この第１図を用いて実施例の概念について説明する。
まず、カンチレバー２に、原子間力が加わっていない
状態における、カンチレバー２の原点位置を探針変位量
検出手段６を用いて設定する。測定したい原子間力の領
域を設定するために、既知のバネ定数から見積もられる
カンチレバー２の原点位置からの変位量を設定する。こ
のときの変位量がカンチレバー２と試料１間に作用する
原子間力に相当し、フィードバック条件となる。そし
て、試料１と力検出カンチレバー２の間隔を近づけて、
測定をはじめると、カンチレバー２の探針（以下、チッ
プという）2aの先端原子が近づいてきた試料１の原子と
の間で原子間力が生じ、この原子間力により、カンチレ
バー２全体がたわみにより変位する。
状態における、カンチレバー２の原点位置を探針変位量
検出手段６を用いて設定する。測定したい原子間力の領
域を設定するために、既知のバネ定数から見積もられる
カンチレバー２の原点位置からの変位量を設定する。こ
のときの変位量がカンチレバー２と試料１間に作用する
原子間力に相当し、フィードバック条件となる。そし
て、試料１と力検出カンチレバー２の間隔を近づけて、
測定をはじめると、カンチレバー２の探針（以下、チッ
プという）2aの先端原子が近づいてきた試料１の原子と
の間で原子間力が生じ、この原子間力により、カンチレ
バー２全体がたわみにより変位する。
サーボ制御手段７では設定したカンチレバー２の変位
量を保つように、３次元方向に駆動自在な圧電アクチュ
エータ３にドライブ電圧VFが印加されフィードバック動
作を行う。また、導電性カンチレバー２にはバイアス電
圧発生手段４によってバイアス電圧力が印加され、この
バイアス電圧によりチップ2aと試料１の間に流れるトン
ネル電流iSが、試料１に接続された電流検出手段５によ
り検出される。そして、XY方向に試料１を走査したとき
に、探針変位量検出手段６からの出力信号IAまたは圧電
アクチュエータ３に印加されるフィードバック信号IFA
を走査信号に合わせて記録し、この信号IA,IFAに基づい
てAFM像（試料表面の原子間力に基づく３次元像〉が表
示手段（図示せず）に表示される。さらに、前記フィー
ドバック信号IFAを記録するとともに、トンネル電流iS
を検出した電流検出手段５からの出力信号ISを走査信号
に合わせて記録し、この信号ISに基づいて試料表面の導
電性分布に基づく３次元像が、別の表示手段（図示せ
ず）に同時に表示される。
量を保つように、３次元方向に駆動自在な圧電アクチュ
エータ３にドライブ電圧VFが印加されフィードバック動
作を行う。また、導電性カンチレバー２にはバイアス電
圧発生手段４によってバイアス電圧力が印加され、この
バイアス電圧によりチップ2aと試料１の間に流れるトン
ネル電流iSが、試料１に接続された電流検出手段５によ
り検出される。そして、XY方向に試料１を走査したとき
に、探針変位量検出手段６からの出力信号IAまたは圧電
アクチュエータ３に印加されるフィードバック信号IFA
を走査信号に合わせて記録し、この信号IA,IFAに基づい
てAFM像（試料表面の原子間力に基づく３次元像〉が表
示手段（図示せず）に表示される。さらに、前記フィー
ドバック信号IFAを記録するとともに、トンネル電流iS
を検出した電流検出手段５からの出力信号ISを走査信号
に合わせて記録し、この信号ISに基づいて試料表面の導
電性分布に基づく３次元像が、別の表示手段（図示せ
ず）に同時に表示される。
次に、この発明の一実施例である第１実施例について
第２図および第３図を参照して説明する。なお、第１図
で説明した部材と同一の部材には同一の符号を付し、説
明は省略する。
第２図および第３図を参照して説明する。なお、第１図
で説明した部材と同一の部材には同一の符号を付し、説
明は省略する。
力検出カンチレバー２には、第３図に示すように、電
解研磨されたＷ（タングステン）,SiO2等の箔からなる
平板状の基板2bの裏面に導電性材料として金の膜2cを蒸
着し、この先端に導電性を持つ尖ったチップ2aが設けら
れている。ここで代表的な力検出カンチレバーの形状
は、幅Ｄ、厚さｔ、長さＬがそれぞれ200μm,3μm,350
〜800μｍ程度であり、バネ定数は１〜11N/mである。こ
の導電性の力検出カンチレバー２には、バイアス電圧発
生手段４によってバイアス電圧（VT＝0.5v）が印加され
ている。又、このカンチレバー２のチップ2aの変位を検
出する探針変位量検出手段６は、Pt−Ir（プラチナ−イ
リジウム）製の探針８、この探針８をＺ方向に駆動する
ための圧電素子９、および、探針８に０電位で接続され
た電流検出手段10からなり、探針８の先端が、金が蒸着
されたカンチレバー２の裏面に近接して設けられてい
る。前記圧電素子９を駆動して、探針８とカンチレバー
２の裏面の間隔を数nm程度に近づけるとトンネル電流iA
が流れ、このトンネル電流が電流検出手段10で検出され
る。
解研磨されたＷ（タングステン）,SiO2等の箔からなる
平板状の基板2bの裏面に導電性材料として金の膜2cを蒸
着し、この先端に導電性を持つ尖ったチップ2aが設けら
れている。ここで代表的な力検出カンチレバーの形状
は、幅Ｄ、厚さｔ、長さＬがそれぞれ200μm,3μm,350
〜800μｍ程度であり、バネ定数は１〜11N/mである。こ
の導電性の力検出カンチレバー２には、バイアス電圧発
生手段４によってバイアス電圧（VT＝0.5v）が印加され
ている。又、このカンチレバー２のチップ2aの変位を検
出する探針変位量検出手段６は、Pt−Ir（プラチナ−イ
リジウム）製の探針８、この探針８をＺ方向に駆動する
ための圧電素子９、および、探針８に０電位で接続され
た電流検出手段10からなり、探針８の先端が、金が蒸着
されたカンチレバー２の裏面に近接して設けられてい
る。前記圧電素子９を駆動して、探針８とカンチレバー
２の裏面の間隔を数nm程度に近づけるとトンネル電流iA
が流れ、このトンネル電流が電流検出手段10で検出され
る。
そして、電流検出手段10がフィードバック回路７を介
して、圧電アクチュエーター３に接続され、検出された
トンネル電流iAに対応した変位信号IAがフィードバック
回路７に入力され、変位信号IAに対応したフィードバッ
ク信号IFAが、このフィードバック回路７から圧電アク
チュエータ３に印加されて、チップ2aと試料１との間に
作用する原子間力が一定に制御される。そして、前記変
位信号IAまたはフィードバック信号IFAを図示されてい
ない第１の表示手段に出力することによりAFM像が表示
されるように構成されている。
して、圧電アクチュエーター３に接続され、検出された
トンネル電流iAに対応した変位信号IAがフィードバック
回路７に入力され、変位信号IAに対応したフィードバッ
ク信号IFAが、このフィードバック回路７から圧電アク
チュエータ３に印加されて、チップ2aと試料１との間に
作用する原子間力が一定に制御される。そして、前記変
位信号IAまたはフィードバック信号IFAを図示されてい
ない第１の表示手段に出力することによりAFM像が表示
されるように構成されている。
また、第１図と同様に、導電性カンチレバー２には、
バイアス電圧が印加されるようにバイアス電圧発生手段
４が接続され、このバイアス電圧によりチップ2aと試料
１の間に流れたトンネル電流iSが、試料１に接続された
電流検出手段５により検出される。そして、この電流検
出手段５からトンネル電流iSに基づいた試料表面の導電
性情報信号ISが出力され、この信号ISを図示されていな
い第２の表示手段に出力することにより試料の導電性情
報に基づく３次元像が表示されるように構成されてい
る。
バイアス電圧が印加されるようにバイアス電圧発生手段
４が接続され、このバイアス電圧によりチップ2aと試料
１の間に流れたトンネル電流iSが、試料１に接続された
電流検出手段５により検出される。そして、この電流検
出手段５からトンネル電流iSに基づいた試料表面の導電
性情報信号ISが出力され、この信号ISを図示されていな
い第２の表示手段に出力することにより試料の導電性情
報に基づく３次元像が表示されるように構成されてい
る。
このように構成された第１実施例の作用について説明
する。
する。
まず、カンチレバー２と試料１との間に原子間力が作
用していないときに、カンチレバー２と探針８との間に
流れるトンネル電流iAが適当な設定電流値（例えば10n
A）になったところで探針を止める。そこが、トンネル
電流iA＝10nA時のカンチレバー２の変位量の原点位置と
なる。そこからさらにカンチレバーのバネ定数から設定
されるたみ量（フィードバック条件）の分だけ探針８の
位置を移動する。次に３次元方向に駆動可能な圧電アク
チュエータ３に保持された試料１をカンチレバー２に近
づける。すると、カンチレバー２の先端のとがったチッ
プ2aと試料１の間で原子間力が働き、カンチレバー２の
位置が変動し、再びトンネル電流iAが10nAになる位置が
現れる。
用していないときに、カンチレバー２と探針８との間に
流れるトンネル電流iAが適当な設定電流値（例えば10n
A）になったところで探針を止める。そこが、トンネル
電流iA＝10nA時のカンチレバー２の変位量の原点位置と
なる。そこからさらにカンチレバーのバネ定数から設定
されるたみ量（フィードバック条件）の分だけ探針８の
位置を移動する。次に３次元方向に駆動可能な圧電アク
チュエータ３に保持された試料１をカンチレバー２に近
づける。すると、カンチレバー２の先端のとがったチッ
プ2aと試料１の間で原子間力が働き、カンチレバー２の
位置が変動し、再びトンネル電流iAが10nAになる位置が
現れる。
そこで、トンネル電流iAに対応した変位信号IAをフィ
ードバック回路７に入力し、この変位信号IAに基づい
て、前記トンネル電流iAが常に10nAになるように、圧電
アクチュエータ３のＺ軸方向にフィードバック信号IFA
を印加する。この動作によってカンチレバー２のたわみ
量が一定に保たれ、試料１とカンチレバー２の先端にあ
るチップ2aの間で働く力が一定に保たれる。このフィー
ドバック動作をしながらアクチュエータ３によって試料
をXY方向に走査するとともに、変位信号IAまたはフィー
ドバック信号IFAを走査信号と同時に記録し、第１の表
示手段（図示せず）に表示することによって、試料表面
のAFM像（試料表面の原子間力に基づく３次元像）を得
る。
ードバック回路７に入力し、この変位信号IAに基づい
て、前記トンネル電流iAが常に10nAになるように、圧電
アクチュエータ３のＺ軸方向にフィードバック信号IFA
を印加する。この動作によってカンチレバー２のたわみ
量が一定に保たれ、試料１とカンチレバー２の先端にあ
るチップ2aの間で働く力が一定に保たれる。このフィー
ドバック動作をしながらアクチュエータ３によって試料
をXY方向に走査するとともに、変位信号IAまたはフィー
ドバック信号IFAを走査信号と同時に記録し、第１の表
示手段（図示せず）に表示することによって、試料表面
のAFM像（試料表面の原子間力に基づく３次元像）を得
る。
また、０電位である試料１から入力されるトンネル電
流iSに基づいて、電流検出手段５から出力される信号IS
を走査信号と同時に記録し、第２の表示手段（図示せ
ず）に表示することによって、試料１とカンチレバー２
の間に働く力が一定になっている状態での試料表面の導
電性分布に基づく３次元像を得ることができる。
流iSに基づいて、電流検出手段５から出力される信号IS
を走査信号と同時に記録し、第２の表示手段（図示せ
ず）に表示することによって、試料１とカンチレバー２
の間に働く力が一定になっている状態での試料表面の導
電性分布に基づく３次元像を得ることができる。
第４図（ａ），（ｂ）は、それぞれ、この実施例に基
いて、表示手段としてのストレージオシロスコープにAF
M像および試料の導電性分布に基づく３次元像を表示し
たときの写真である。
いて、表示手段としてのストレージオシロスコープにAF
M像および試料の導電性分布に基づく３次元像を表示し
たときの写真である。
ここで、第４図（ａ）は、この変位検出信号IAを走査
信号に合わせて白黒で表示したもので、試料とカンチレ
バーの先端部の間に働いている力の分布像になってい
る。第４図（ｂ）は試料に流れた電流を反映する信号IS
を走査信号に合わせて表示したものであり、試料表面の
導電性の分布像測定になっている。
信号に合わせて白黒で表示したもので、試料とカンチレ
バーの先端部の間に働いている力の分布像になってい
る。第４図（ｂ）は試料に流れた電流を反映する信号IS
を走査信号に合わせて表示したものであり、試料表面の
導電性の分布像測定になっている。
測定対象となる試料は測定直前に劈開したグラファイ
ト表面である。また、用いたカンチレバー２のバネ定数
は10.7N/mであり、設定した力の領域は2.0×10-6Nの斥
力領域である。
ト表面である。また、用いたカンチレバー２のバネ定数
は10.7N/mであり、設定した力の領域は2.0×10-6Nの斥
力領域である。
図に示されているように、得られた結果は、試料表面
の導電性の分布像が３回対称的な像であるのに対して、
AFM像は６回対称的な像であった。力学的結合と電気的
結合の局所的な違いを反映するものと考えられる。
の導電性の分布像が３回対称的な像であるのに対して、
AFM像は６回対称的な像であった。力学的結合と電気的
結合の局所的な違いを反映するものと考えられる。
なお、この測定例では、AFM像は、変位検出電流IAか
ら求めて表示しているが、フィードバック信号IFAから
求めて表示しても良い。
ら求めて表示しているが、フィードバック信号IFAから
求めて表示しても良い。
この様に、この実施例によれば、AFM像と試料表面の
導電性の分布像を簡単な構成で同時に得ることができ、
また、探針と試料の間に働く原子間力の領域を任意に設
定することができる。
導電性の分布像を簡単な構成で同時に得ることができ、
また、探針と試料の間に働く原子間力の領域を任意に設
定することができる。
本発明の第２実施例について説明する。
この実施例が、前記第１実施例と異なるのは、カンチ
レバー２のチップ２の変位を検出する探針変位量検出手
段６をレーザー光を用いた光学的変位検出装置（光学干
渉計または、臨界角法を利用した微小変位検出装置等）
により構成し、この光学干渉計11からの出力に基いて、
カンチレバー２のたわみ量が所定の力に対応する量にな
るようにフィードバック回路７により圧電アクチュエー
タ３を制御するようにした点である。
レバー２のチップ２の変位を検出する探針変位量検出手
段６をレーザー光を用いた光学的変位検出装置（光学干
渉計または、臨界角法を利用した微小変位検出装置等）
により構成し、この光学干渉計11からの出力に基いて、
カンチレバー２のたわみ量が所定の力に対応する量にな
るようにフィードバック回路７により圧電アクチュエー
タ３を制御するようにした点である。
なお、このような臨界角法を利用した微小変位検出装
置については、特開昭64−56408号公報などに記載さ
れ、公知であるので説明は省略する。
置については、特開昭64−56408号公報などに記載さ
れ、公知であるので説明は省略する。
この実施例においても、前記第１実施例と同様にAFM
像と試料表面の導電性の分布像を簡単な構成で同時に得
ることができ、探針と試料の間に働く原子間力の領域を
任意に設定することができる。さらに、前記第１実施例
のように、トンネル電流を利用して間接的に変位量を検
出するのではなく、直接探針の変位量を検出することが
できるので、構成が簡単になり、検出速度も速く、フィ
ードバック動作に対する反応が良くなる。
像と試料表面の導電性の分布像を簡単な構成で同時に得
ることができ、探針と試料の間に働く原子間力の領域を
任意に設定することができる。さらに、前記第１実施例
のように、トンネル電流を利用して間接的に変位量を検
出するのではなく、直接探針の変位量を検出することが
できるので、構成が簡単になり、検出速度も速く、フィ
ードバック動作に対する反応が良くなる。
［発明の効果］ 本願発明の走査型プローブ顕微鏡によれば、同一の探
針で物理的に異なる複数の試料情報を独立して検出し、
この検出された複数の試料情報に基づく各々の試料像を
画像表示することができる。
針で物理的に異なる複数の試料情報を独立して検出し、
この検出された複数の試料情報に基づく各々の試料像を
画像表示することができる。
第１図はこの発明における実施例の概念を説明するため
の説明図、第２図はこの発明の一実施例を説明するため
の説明図、第３図はこの実施例に示したカンチレバーの
説明図、第４図（ａ），（ｂ）はそれぞれこの実施例の
装置により計測されたAFM像，試料表面の導電性の分布
像を示す写真、第5,6図は従来例を説明するための図で
ある。 １……試料 ２……カンチレバー ３……圧電アクチュエータ ４……バイアス電圧印加手段 ５……電流検出手段 ６……探針変位量検出手段 ７……サーボ制御手段
の説明図、第２図はこの発明の一実施例を説明するため
の説明図、第３図はこの実施例に示したカンチレバーの
説明図、第４図（ａ），（ｂ）はそれぞれこの実施例の
装置により計測されたAFM像，試料表面の導電性の分布
像を示す写真、第5,6図は従来例を説明するための図で
ある。 １……試料 ２……カンチレバー ３……圧電アクチュエータ ４……バイアス電圧印加手段 ５……電流検出手段 ６……探針変位量検出手段 ７……サーボ制御手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 菅原 康弘 岩手県盛岡市館向町36―１ 照井アパー ト102 (72)発明者 岡田 孝夫 東京都渋谷区幡ケ谷２―43―２ オリン パス光学工業株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−229102（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G01B 7/00 - 7/34 G01B 21/00 - 21/32
Claims (5)
- 【請求項１】試料に対向して配置される導電性の探針
と、 前記試料と前記探針とを相対的に駆動する駆動手段と、 前記試料と前記探針との間に電圧を印加する電圧印加手
段と、 前記試料と前記探針との間に作用する力学的物理情報を
検出する力学的情報検出手段と、 前記力学的物理情報を一定に保つように駆動手段を制御
する制御手段と、 前記制御手段による制御の下で、前記試料表面の導電性
分布に基づいて前記試料と前記探針との間で変化する電
気的物理情報を検出する電気的情報検出手段と、 前記電気的物理情報に基づく試料像および前記力学的物
理情報に基づく試料像を表示する表示手段とを備えてお
り、前記力学的情報検出手段と前記電気的情報検出手段
とが分離して設けられていることを特徴とする走査型プ
ローブ顕微鏡。 - 【請求項２】前記制御手段は前記力学的物理情報に基づ
いて駆動手段をフィードバック制御するためのフィード
バック条件を設定する設定手段を含むことを特徴とする
請求項１記載の走査型プローブ顕微鏡。 - 【請求項３】前記表示手段は、前前記電気的物理情報に
基づく試料像および前記力学的物理情報に基づく試料像
を同時に表示することを特徴とする請求項１または２記
載の走査型プローブ顕微鏡。 - 【請求項４】前記力学的物理情報に基づく試料像は、前
記試料の面方向における前記探針の位置と、その探針位
置における前記力学的物理情報に基づく前記探針の変位
もしくは前記探針変位に基づいて前記制御手段が前記駆
動手段を制御するための制御信号とを対応させて前記表
示手段に表示することにより得られることを特徴とする
請求項１から３の何れか一つに記載された走査型プロー
ブ顕微鏡。 - 【請求項５】前記力学的情報検出手段は前記力学的物理
情報に基づく前記探針の変位を光学的に検出することを
特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載された走査型
プローブ顕微鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2079566A JP2945436B2 (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | 走査型プローブ顕微鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2079566A JP2945436B2 (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | 走査型プローブ顕微鏡 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03277903A JPH03277903A (ja) | 1991-12-09 |
| JP2945436B2 true JP2945436B2 (ja) | 1999-09-06 |
Family
ID=13693560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2079566A Expired - Lifetime JP2945436B2 (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | 走査型プローブ顕微鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2945436B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2743761B2 (ja) * | 1993-03-19 | 1998-04-22 | 松下電器産業株式会社 | 走査型プローブ顕微鏡および原子種同定方法 |
| JP3647199B2 (ja) * | 1997-04-14 | 2005-05-11 | キヤノン株式会社 | 情報の記録再生方法及び記録再生装置 |
| JP2007147347A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Seiko Epson Corp | 探針、片持ち梁、走査型プローブ顕微鏡、及び走査型トンネル顕微鏡の測定方法 |
-
1990
- 1990-03-27 JP JP2079566A patent/JP2945436B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03277903A (ja) | 1991-12-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5260567A (en) | Cantilever unit and atomic force microscope, magnetic force microscope, reproducing apparatus and information processing apparatus using the cantilever unit | |
| EP0410131B1 (en) | Near-field lorentz force microscopy | |
| US5289004A (en) | Scanning probe microscope having cantilever and detecting sample characteristics by means of reflected sample examination light | |
| JP3000492B2 (ja) | 情報処理装置 | |
| US5253516A (en) | Atomic force microscope for small samples having dual-mode operating capability | |
| JPH03199904A (ja) | 電気的探針 | |
| JPH0696714A (ja) | 表面加工装置および記録装置 | |
| JP2919119B2 (ja) | 走査プローブ顕微鏡及び記録再生装置 | |
| JP3069923B2 (ja) | カンチレバー型プローブ及び原子間力顕微鏡、情報記録再生装置 | |
| US5375087A (en) | Tunneling-stabilized magnetic reading and recording | |
| JP2945436B2 (ja) | 走査型プローブ顕微鏡 | |
| EP0449221B1 (en) | Scanning probe microscope | |
| JP3768639B2 (ja) | カンチレバー型プローブ及び該プローブを備えた走査型プローブ顕微鏡 | |
| JP2007147347A (ja) | 探針、片持ち梁、走査型プローブ顕微鏡、及び走査型トンネル顕微鏡の測定方法 | |
| JPH07113634A (ja) | 走査型探針顕微鏡用探針、その製造方法、当該探針を用いた記録再生装置及び微細加工装置 | |
| JP3428403B2 (ja) | フリクション・フォース・プローブ顕微鏡およびフリクション・フォース・プローブ顕微鏡を用いた原子種や材料の同定方法 | |
| JPH0850872A (ja) | 試料表面の観察方法、原子間力顕微鏡、微細加工方法および微細加工装置 | |
| JPH10213749A (ja) | 走査型プローブ顕微鏡による表面観察方法 | |
| JPH0783607A (ja) | 走査型探針顕微鏡の制御方法 | |
| JPH09329605A (ja) | 走査型プローブ顕微鏡 | |
| JPH04212252A (ja) | 走査型プローブ顕微鏡 | |
| JPH0571951A (ja) | 原子間力顕微鏡及び情報処理装置 | |
| JP2962612B2 (ja) | 走査顕微鏡 | |
| JP3114902B2 (ja) | 走査型トンネル顕微鏡を用いた高分解能・高精度測定装置 | |
| JP3175342B2 (ja) | 表面形状の測定方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080625 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090625 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090625 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100625 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100625 Year of fee payment: 11 |