JP2919119B2 - 走査プローブ顕微鏡及び記録再生装置 - Google Patents
走査プローブ顕微鏡及び記録再生装置Info
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、プローブの走査面と試
料面との傾きを補正する機構を有する走査プローブ顕微
鏡及び記録再生装置に関するものである。
料面との傾きを補正する機構を有する走査プローブ顕微
鏡及び記録再生装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】SXMとは探針と試料間の距離に依存す
る種々の相互作用を検出しながら探針を試料の表面上を
走査させることによって、試料の表面状態を測定する技
術の総称である。これはトンネル電流を利用する走査型
トンネル顕微鏡(以下STMと云う)から派生してきた
測定法であるので、STMを例として説明する。G.Binn
igらによって開発されたSTM[G.Binnig et al.,Helve
tica Physica Acta,55,726(1982)] は、金属の探針と導
電性試料との間に電圧を加えて、両者を1nm程度の距
離にまで近付けるとトンネル電流が流れることを利用し
ている。この電流は両者の距離変化に非常に敏感に単調
増加するので、トンネル電流と探針の高さとを把握しな
がら試料上を走査すれば、試料の表面状態を極めて高精
度に知ることができる。
る種々の相互作用を検出しながら探針を試料の表面上を
走査させることによって、試料の表面状態を測定する技
術の総称である。これはトンネル電流を利用する走査型
トンネル顕微鏡(以下STMと云う)から派生してきた
測定法であるので、STMを例として説明する。G.Binn
igらによって開発されたSTM[G.Binnig et al.,Helve
tica Physica Acta,55,726(1982)] は、金属の探針と導
電性試料との間に電圧を加えて、両者を1nm程度の距
離にまで近付けるとトンネル電流が流れることを利用し
ている。この電流は両者の距離変化に非常に敏感に単調
増加するので、トンネル電流と探針の高さとを把握しな
がら試料上を走査すれば、試料の表面状態を極めて高精
度に知ることができる。
【0003】探針を試料上に走査させて試料の表面状態
を観測する場合に、検出されるトンネル電流が一定とな
るように探針の高さを制御し、探針の高さ変化量を測定
する方法(以下電流一定モードと云う)と、探針の高さ
を一定値に固定して走査させた時のトンネル電流Jtの変
化量を測定する方法(以下高さ一定モードと云う)の2
通りがあるが、何れの場合にも探針の走査は試料面と平
行に行うことが前提である。この場合に、例えば高配向
グラファイト(HOPG)等の結晶を観察すれば、原子
の配列に対応して図7のような結果が得られる筈であ
る。
を観測する場合に、検出されるトンネル電流が一定とな
るように探針の高さを制御し、探針の高さ変化量を測定
する方法(以下電流一定モードと云う)と、探針の高さ
を一定値に固定して走査させた時のトンネル電流Jtの変
化量を測定する方法(以下高さ一定モードと云う)の2
通りがあるが、何れの場合にも探針の走査は試料面と平
行に行うことが前提である。この場合に、例えば高配向
グラファイト(HOPG)等の結晶を観察すれば、原子
の配列に対応して図7のような結果が得られる筈であ
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前提に
反して試料が傾いて載置されている場合等には、表面形
状が歪んで観測されることになる。探針の走査範囲が比
較的小さければ電気的なフィルタを用いて、試料表面の
実際の構造に起因する信号のみを分離することができる
が、傾きが大きい場合には十分に広い範囲を観測するこ
とは困難である。例えば、電流一定モードでも、試料の
傾きに由来する探針の高さ方向の総変位量が探針の高さ
方向微動範囲を越える場合には、連続的測定は不可能と
なる。
反して試料が傾いて載置されている場合等には、表面形
状が歪んで観測されることになる。探針の走査範囲が比
較的小さければ電気的なフィルタを用いて、試料表面の
実際の構造に起因する信号のみを分離することができる
が、傾きが大きい場合には十分に広い範囲を観測するこ
とは困難である。例えば、電流一定モードでも、試料の
傾きに由来する探針の高さ方向の総変位量が探針の高さ
方向微動範囲を越える場合には、連続的測定は不可能と
なる。
【0005】また、高さ一定モードを選択した場合に試
料が傾いていると、探針が試料から離れ過ぎてトンネル
電流を検出することが不可能となるか、或いは探針が試
料に接触するかの何れかである。このような事態を避け
るために、通常はたとえ高さ一定モードであっても、検
出されたトンネル電流の値が一定の範囲内に収まるよう
にフィードバックして、探針の高さを徐々に変化させて
いる場合が多い。この場合においても、探針の高さ方向
微動範囲を越えての補正は不可能である。
料が傾いていると、探針が試料から離れ過ぎてトンネル
電流を検出することが不可能となるか、或いは探針が試
料に接触するかの何れかである。このような事態を避け
るために、通常はたとえ高さ一定モードであっても、検
出されたトンネル電流の値が一定の範囲内に収まるよう
にフィードバックして、探針の高さを徐々に変化させて
いる場合が多い。この場合においても、探針の高さ方向
微動範囲を越えての補正は不可能である。
【0006】また、仮に範囲内に収まっている場合であ
っても、探針の走査面(以下XY面と云う)方向と試料
面(以下X’Y’面と云う)方向が平行でない限り、図
8に示すように探針の移動距離と実空間距離との間に差
が生ずる。つまり、試料表面と走査面とが成す角をθと
すると、検出信号には傾きに由来する高さ変化が重畳さ
れてしまう。これを、従来のように電気的フィルタを用
いて試料の傾きに由来する低周波成分をカットし、原子
の周期構造に基づく信号を取り出しても、探針の移動距
離が試料表面上では(1/ cosθ)倍の長さに渡って走
査していることになるから、得られた信号では距離が c
osθ倍に圧縮されてしまう。従って、距離寸法精度が悪
く、観察領域が大きくなればなるほど実空間と走査距離
との差は拡大する。
っても、探針の走査面(以下XY面と云う)方向と試料
面(以下X’Y’面と云う)方向が平行でない限り、図
8に示すように探針の移動距離と実空間距離との間に差
が生ずる。つまり、試料表面と走査面とが成す角をθと
すると、検出信号には傾きに由来する高さ変化が重畳さ
れてしまう。これを、従来のように電気的フィルタを用
いて試料の傾きに由来する低周波成分をカットし、原子
の周期構造に基づく信号を取り出しても、探針の移動距
離が試料表面上では(1/ cosθ)倍の長さに渡って走
査していることになるから、得られた信号では距離が c
osθ倍に圧縮されてしまう。従って、距離寸法精度が悪
く、観察領域が大きくなればなるほど実空間と走査距離
との差は拡大する。
【0007】このような問題はSTMに限らず、探針や
試料の移動機構がSTMと同一であるSXM全てについ
て当てはまる。更には、このようなSXMを利用した分
子オーダでの高密度記録再生を行う装置では、XY面と
X’Y’面との不一致つまり非平行が、記録再生及び消
去の精度を損なってしまう可能性がある。
試料の移動機構がSTMと同一であるSXM全てについ
て当てはまる。更には、このようなSXMを利用した分
子オーダでの高密度記録再生を行う装置では、XY面と
X’Y’面との不一致つまり非平行が、記録再生及び消
去の精度を損なってしまう可能性がある。
【0008】なお、特開平2−147803号公報では
前記の問題を解決するため、試料を人手で回転できる機
構を具備したSTMが提案されているが、この極めて厳
密な操作を人手で行うことは困難で煩わしい。
前記の問題を解決するため、試料を人手で回転できる機
構を具備したSTMが提案されているが、この極めて厳
密な操作を人手で行うことは困難で煩わしい。
【0009】本発明の目的は、SXM測定及びSXMを
利用し、測定精度或いは記録再生精度を高めるために、
被走査面の傾斜度を制御する走査プローブ顕微鏡及び記
録再生装置を提供することにある。
利用し、測定精度或いは記録再生精度を高めるために、
被走査面の傾斜度を制御する走査プローブ顕微鏡及び記
録再生装置を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めの本発明に係る走査プローブ顕微鏡は、表面状態検出
用のプローブを試料上で走査させて前記試料の表面状態
を測定する走査型プローブ顕微鏡において、試料を前記
プローブの走査方向に対して相対的に傾斜させる傾動機
構と、前記プローブにより検出された表面状態に対応す
る信号成分のうち任意の空間周波数を有する信号成分を
選択して検出する検出回路と、該検出回路の検出に基づ
いて前記傾動機構を制御する制御回路とを具備したこと
を特徴とする。
めの本発明に係る走査プローブ顕微鏡は、表面状態検出
用のプローブを試料上で走査させて前記試料の表面状態
を測定する走査型プローブ顕微鏡において、試料を前記
プローブの走査方向に対して相対的に傾斜させる傾動機
構と、前記プローブにより検出された表面状態に対応す
る信号成分のうち任意の空間周波数を有する信号成分を
選択して検出する検出回路と、該検出回路の検出に基づ
いて前記傾動機構を制御する制御回路とを具備したこと
を特徴とする。
【0011】また、上記特定発明と関連する本発明に係
る記録再生装置は、プローブを記録媒体上で走査させて
該記録媒体に記録及び/又は再生を行う装置において、
前記記録媒体を前記プローブの走査方向に対して相対的
に傾斜させる傾動機構と、前記プローブにより検出され
た前記記録媒体からの信号成分のうち任意の空間周波数
を有する信号成分を選択して検出する検出回路と、該検
出回路の検出に基づいて前記傾動機構を制御する制御回
路とを具備したことを特徴とする。
る記録再生装置は、プローブを記録媒体上で走査させて
該記録媒体に記録及び/又は再生を行う装置において、
前記記録媒体を前記プローブの走査方向に対して相対的
に傾斜させる傾動機構と、前記プローブにより検出され
た前記記録媒体からの信号成分のうち任意の空間周波数
を有する信号成分を選択して検出する検出回路と、該検
出回路の検出に基づいて前記傾動機構を制御する制御回
路とを具備したことを特徴とする。
【0012】
【作用】上述の構成を有する走査プローブ顕微鏡及び記
録再生装置は、プローブにより検出された表面状態の信
号成分のうち任意の空間周波数を有する信号成分を選択
して、傾斜を制御する。
録再生装置は、プローブにより検出された表面状態の信
号成分のうち任意の空間周波数を有する信号成分を選択
して、傾斜を制御する。
【0013】
【実施例】本発明を図1〜図6に図示の実施例に基づい
て詳細に説明する。図1は本発明に係るSTMの一例を
ブロック回路図として表したものである。探針1は導電
材料とされ、例えば金、タングステン、白金、白金−イ
リジウム合金、白金−ロジウム合金、パラジウムコート
金、銀、炭化タングステン、炭化チタンなどを用いるこ
とができる。探針1の先端はできるだけ尖っていること
が望ましく、例えば1mmφのタングステン棒の先端を
電界研摩法を用いて尖らせたもの等が用いられている
が、探針1の作成方法はこれに限定されるものではな
い。また、探針1の本数も1本に限る必要もなく、複数
個用いることも考えられる。
て詳細に説明する。図1は本発明に係るSTMの一例を
ブロック回路図として表したものである。探針1は導電
材料とされ、例えば金、タングステン、白金、白金−イ
リジウム合金、白金−ロジウム合金、パラジウムコート
金、銀、炭化タングステン、炭化チタンなどを用いるこ
とができる。探針1の先端はできるだけ尖っていること
が望ましく、例えば1mmφのタングステン棒の先端を
電界研摩法を用いて尖らせたもの等が用いられている
が、探針1の作成方法はこれに限定されるものではな
い。また、探針1の本数も1本に限る必要もなく、複数
個用いることも考えられる。
【0014】観察対称となる試料2は、XYステージ3
上にXY軸傾動機構4を設けて成る試料台上に設置され
る。XYステージ3はXY粗動機構5上に取り付けら
れ、XY粗動機構5にはXY粗動駆動回路6の出力が接
続されている。また、XY軸傾動機構4にはXY傾斜駆
動回路7の出力が接続されている。一方、探針1は高さ
方向に微動可能なZ方向微動機構8及びXY方向に走査
可能なXY方向微動機構9に取り付けられている。微動
機構8、9は何れもピエゾ素子等のオングストロームオ
ーダの微小な移動が好適に行えるアクチュエータが用い
られており、それぞれサーボ回路10、XY走査駆動回
路11により駆動されるようになっている。
上にXY軸傾動機構4を設けて成る試料台上に設置され
る。XYステージ3はXY粗動機構5上に取り付けら
れ、XY粗動機構5にはXY粗動駆動回路6の出力が接
続されている。また、XY軸傾動機構4にはXY傾斜駆
動回路7の出力が接続されている。一方、探針1は高さ
方向に微動可能なZ方向微動機構8及びXY方向に走査
可能なXY方向微動機構9に取り付けられている。微動
機構8、9は何れもピエゾ素子等のオングストロームオ
ーダの微小な移動が好適に行えるアクチュエータが用い
られており、それぞれサーボ回路10、XY走査駆動回
路11により駆動されるようになっている。
【0015】一方、探針1と試料2との間には、バイア
ス電圧Vbを印加するためのバイアス電圧印加部12が接
続され、トンネル電流Jtを検出し増幅するためのトンネ
ル電流増幅部13が介挿されている。また、サーボ回路
10とトンネル電流増幅部13とに接続する探針高さ検
出部14が設けられ、この高さ検出部24の出力は分波
器15を介してXY傾斜駆動回路7に接続されている。
更に、以上の各部を制御し、信号を処理するためのマイ
クロコンピュータ16が設けられ、XY粗動駆動回路
6、XY走査駆動回路11、バイアス電圧印加部12、
トンネル電流増幅部13、探針高さ検出部14、分波器
15と接続されている。また、マイクロコンピュータ1
6には、処理結果を表示するための表示回路17が接続
されている。
ス電圧Vbを印加するためのバイアス電圧印加部12が接
続され、トンネル電流Jtを検出し増幅するためのトンネ
ル電流増幅部13が介挿されている。また、サーボ回路
10とトンネル電流増幅部13とに接続する探針高さ検
出部14が設けられ、この高さ検出部24の出力は分波
器15を介してXY傾斜駆動回路7に接続されている。
更に、以上の各部を制御し、信号を処理するためのマイ
クロコンピュータ16が設けられ、XY粗動駆動回路
6、XY走査駆動回路11、バイアス電圧印加部12、
トンネル電流増幅部13、探針高さ検出部14、分波器
15と接続されている。また、マイクロコンピュータ1
6には、処理結果を表示するための表示回路17が接続
されている。
【0016】以上の構成において、バイアス電圧印加部
12は探針1と試料2との間にバイアス電圧Vbを印加
し、このとき探針1と試料2との間に流れるトンネル電
流Jtをトンネル電流増幅部13により検出し増幅する。
電流一定モード、高さ一定モードの何れにおいても、マ
イクロコンピュータ16を用いて検出された探針1の高
さ信号を分波器15によって、試料2の表面の凹凸や電
子状態を変化に基づく高さ成分と、試料2の傾きによっ
てもたらされた成分とに分離し、後者はXY軸傾斜制御
機構7にフィードバックして、このような成分がほぼ零
になるように試料台上の試料2の傾きを補正する。
12は探針1と試料2との間にバイアス電圧Vbを印加
し、このとき探針1と試料2との間に流れるトンネル電
流Jtをトンネル電流増幅部13により検出し増幅する。
電流一定モード、高さ一定モードの何れにおいても、マ
イクロコンピュータ16を用いて検出された探針1の高
さ信号を分波器15によって、試料2の表面の凹凸や電
子状態を変化に基づく高さ成分と、試料2の傾きによっ
てもたらされた成分とに分離し、後者はXY軸傾斜制御
機構7にフィードバックして、このような成分がほぼ零
になるように試料台上の試料2の傾きを補正する。
【0017】以下に傾きを補正する動作を具体的に説明
すると、先ず何れのモードかによりX軸方向に探針1を
操作し、試料2の高さ信号を得る。必要に応じて同じ線
上を往復走査してもよいが、得られた信号を分波器15
を用いて任意の周波数領域を含む複数の周波数帯に分割
する。その中から、通常では最も低い試料の傾きに由来
する周波数を選択し、この周波数の振幅が最小になるよ
うにXY軸傾斜駆動回路7を用いて試料2の傾きを補正
する。走査は希望する観察領域の大きさに合わせて適当
な距離について行えばよく、走査及びXY軸傾斜駆動回
路7へのフィードバックは必要に応じて複数回行っても
よい。同様の操作をY軸に関しても行えば、試料表面
(X’Y’面)と探針走査面(XY面)とは平行にな
り、その後に得られる観察結果は寸法精度が極めて優れ
たものとなる。
すると、先ず何れのモードかによりX軸方向に探針1を
操作し、試料2の高さ信号を得る。必要に応じて同じ線
上を往復走査してもよいが、得られた信号を分波器15
を用いて任意の周波数領域を含む複数の周波数帯に分割
する。その中から、通常では最も低い試料の傾きに由来
する周波数を選択し、この周波数の振幅が最小になるよ
うにXY軸傾斜駆動回路7を用いて試料2の傾きを補正
する。走査は希望する観察領域の大きさに合わせて適当
な距離について行えばよく、走査及びXY軸傾斜駆動回
路7へのフィードバックは必要に応じて複数回行っても
よい。同様の操作をY軸に関しても行えば、試料表面
(X’Y’面)と探針走査面(XY面)とは平行にな
り、その後に得られる観察結果は寸法精度が極めて優れ
たものとなる。
【0018】なお、信号を任意の周波数に分波し、分波
された信号成分の振幅を調べるためにはロックインアン
プを利用してもよい。ロックインアンプは入力信号中の
任意の周波数の信号成分の振幅を調べることができる他
に、参照とする信号を入力し、参照信号を同じ周波数を
持つ入力信号成分の振幅を調べることができる。従っ
て、参照信号として探針1の掃引信号を用いれば、より
簡単に試料2の傾きの程度を知ることができる。
された信号成分の振幅を調べるためにはロックインアン
プを利用してもよい。ロックインアンプは入力信号中の
任意の周波数の信号成分の振幅を調べることができる他
に、参照とする信号を入力し、参照信号を同じ周波数を
持つ入力信号成分の振幅を調べることができる。従っ
て、参照信号として探針1の掃引信号を用いれば、より
簡単に試料2の傾きの程度を知ることができる。
【0019】また、XY軸傾動機構4としては、微細か
つ精密に試料の傾きを2軸制御できる機構であればよい
が、XY軸傾斜ステージ又はXY軸ゴニオメータの形式
を採用することが簡便である。前者は3点支持のステー
ジであって、支持点の内の少なくとも2点の高さが可変
であり、これを適宜調節することによってステージ面の
傾きを変えることができる。支持点の長さを変えるに
は、マイクロメータヘッド等を用いる機械的な方法の他
に圧電素子を利用してもよい。後者のXY軸ゴニオメー
タは、ステージの傾斜回転が可能な2個のゴニオメータ
を組合わせて、2軸の傾斜回転を可能としたものであ
る。可変量は少ないがより微細な制御が可能であり好ま
しい。ただし、観察領域が非常に広範囲である場合等に
は前者の使用が好ましいこともある。
つ精密に試料の傾きを2軸制御できる機構であればよい
が、XY軸傾斜ステージ又はXY軸ゴニオメータの形式
を採用することが簡便である。前者は3点支持のステー
ジであって、支持点の内の少なくとも2点の高さが可変
であり、これを適宜調節することによってステージ面の
傾きを変えることができる。支持点の長さを変えるに
は、マイクロメータヘッド等を用いる機械的な方法の他
に圧電素子を利用してもよい。後者のXY軸ゴニオメー
タは、ステージの傾斜回転が可能な2個のゴニオメータ
を組合わせて、2軸の傾斜回転を可能としたものであ
る。可変量は少ないがより微細な制御が可能であり好ま
しい。ただし、観察領域が非常に広範囲である場合等に
は前者の使用が好ましいこともある。
【0020】図2はXY軸傾動機構4の一例である。ス
テージ21は基準面22上に3点支持されており、2点
A、Bの支持は圧電素子23、24により行われてお
り、基準面22とステージ21との間の距離をオングス
トローム単位で変化させることができる。残る1つの支
持点Cは、突状体25によって基準面22に点接触する
ように構成されており、圧電素子23、24の動きに対
してステージ21が自在に動くことを妨げないようにな
っている。3つの支持点A、B、Cは基準面22上の正
三角形の頂点の位置に配置されており、かつ支持点Cと
AはXYステージ3のX軸方向と平行になるように配置
されている。
テージ21は基準面22上に3点支持されており、2点
A、Bの支持は圧電素子23、24により行われてお
り、基準面22とステージ21との間の距離をオングス
トローム単位で変化させることができる。残る1つの支
持点Cは、突状体25によって基準面22に点接触する
ように構成されており、圧電素子23、24の動きに対
してステージ21が自在に動くことを妨げないようにな
っている。3つの支持点A、B、Cは基準面22上の正
三角形の頂点の位置に配置されており、かつ支持点Cと
AはXYステージ3のX軸方向と平行になるように配置
されている。
【0021】本発明者らは試料2として10mm角の高
配向グラフアイト(HOPG)を用いて、本発明のST
Mの効果を確認するための実験を行い良好な結果を得
た。ただし、探針1としては機械研摩した1mmφの白
金−ロジウム(ロジウム20%)を用いた。この場合
に、HOPGを上述のXY軸傾斜ステージ21上に設置
した後に、バイアス電圧Vbをサンプルバイアス1Vとし
てトンネル電流Jtが1nAになるように、探針1をXY
方向微動機構9を用いて試料に近付ける。次に、トンネ
ル電流Jtが一定になるように、探針1の高さをサーボ回
路13を用いて制御する電流一定モードにより、X軸方
向に探針1を長さ1mmに渡って0.1Hzの掃引周波
数で往復走査させる。そのとき、サーボ回路10を介し
てXY方向微動機構9に加えられた電圧信号波形は図3
に示すようになった。この信号を分波器15を介して周
波数0.12Hz以下のものと、それ以上のものとに分
離し、次に探針1の掃引を引き続き行いながら、周波数
0.12Hz以下の信号成分がほぼ零になるように支持
点Aの高さを調節する。次いで、同様にして探針1をY
軸方向に0.1Hzの掃引周波数で掃引し、その際にX
Y方向微動機構9に加えられた電圧信号のうち、0.1
2Hz以下の周波数成分がほぼ零になるように支持点B
の高さを調節する。
配向グラフアイト(HOPG)を用いて、本発明のST
Mの効果を確認するための実験を行い良好な結果を得
た。ただし、探針1としては機械研摩した1mmφの白
金−ロジウム(ロジウム20%)を用いた。この場合
に、HOPGを上述のXY軸傾斜ステージ21上に設置
した後に、バイアス電圧Vbをサンプルバイアス1Vとし
てトンネル電流Jtが1nAになるように、探針1をXY
方向微動機構9を用いて試料に近付ける。次に、トンネ
ル電流Jtが一定になるように、探針1の高さをサーボ回
路13を用いて制御する電流一定モードにより、X軸方
向に探針1を長さ1mmに渡って0.1Hzの掃引周波
数で往復走査させる。そのとき、サーボ回路10を介し
てXY方向微動機構9に加えられた電圧信号波形は図3
に示すようになった。この信号を分波器15を介して周
波数0.12Hz以下のものと、それ以上のものとに分
離し、次に探針1の掃引を引き続き行いながら、周波数
0.12Hz以下の信号成分がほぼ零になるように支持
点Aの高さを調節する。次いで、同様にして探針1をY
軸方向に0.1Hzの掃引周波数で掃引し、その際にX
Y方向微動機構9に加えられた電圧信号のうち、0.1
2Hz以下の周波数成分がほぼ零になるように支持点B
の高さを調節する。
【0022】以上の操作を行った後に、HOPGの表面
の200オングストローム角を走査したところ、第2近
接炭素原子距離が2.46オングストロームである歪み
のない像が電流一定モード及び距離一定モードの何れの
モードを用いた場合においても得られた。更に、このよ
うな観測領域からX軸方向に0.5mm離れた地点にお
いて、同様の観測を行ったところ、同様に歪みのない原
子像を得ることもできた。
の200オングストローム角を走査したところ、第2近
接炭素原子距離が2.46オングストロームである歪み
のない像が電流一定モード及び距離一定モードの何れの
モードを用いた場合においても得られた。更に、このよ
うな観測領域からX軸方向に0.5mm離れた地点にお
いて、同様の観測を行ったところ、同様に歪みのない原
子像を得ることもできた。
【0023】このように本発明によれば、寸法精度に優
れたSTM像を広い範囲に渡って得ることができる。な
お、一旦試料2つの表面と探針1の走査面とを平行にし
た後は、走査中に探針1が試料2に衝突する危険性を回
避し、更には或いは探針1のZ方向の位置を補正する操
作が軽減できるので、結果的に速い掃引速度で試料を観
察することが可能となる。
れたSTM像を広い範囲に渡って得ることができる。な
お、一旦試料2つの表面と探針1の走査面とを平行にし
た後は、走査中に探針1が試料2に衝突する危険性を回
避し、更には或いは探針1のZ方向の位置を補正する操
作が軽減できるので、結果的に速い掃引速度で試料を観
察することが可能となる。
【0024】また、本発明は単に各点でのトンネル電流
Jtを測定する場合だけではなく、各点でのトンネル電流
Jtをバイアス電圧Vbで微分して測定する走査型トンネル
分光法(STS)に対しても有効である。
Jtを測定する場合だけではなく、各点でのトンネル電流
Jtをバイアス電圧Vbで微分して測定する走査型トンネル
分光法(STS)に対しても有効である。
【0025】探針及び試料の駆動機構がSTMと同様で
ある他のSXM、例えば探針と試料との間に働く原子間
力を測定し、その大きさを一定にするようにフィードバ
ックをかけて、試料表面の構造を得る走査型原子力顕微
鏡(AFM)に適用できる。AFMに適用する場合に
は、図4に示すようにATMの探針1の代りにカンチレ
バー32に取り付けた力検出用探針31を用いる。例え
ば、力検出用探針31としてはダイヤモンド針、またカ
ンチレバー32としては弾性定数0.5N/mのSi3
N4 薄膜を用いることができ、カンチレバー32の変位
量を測定するカンチレバー変位測定系33は各種のもの
が知られているが、光てこ方式等が好適である。AFM
ではトンネル電流を測定しないので、STMにおけるバ
イアス電圧印加部やトンネル電流増幅部等は必要ではな
いが、その他の同一の符号を付した部材に関しては先の
STMの実施例と同様である。
ある他のSXM、例えば探針と試料との間に働く原子間
力を測定し、その大きさを一定にするようにフィードバ
ックをかけて、試料表面の構造を得る走査型原子力顕微
鏡(AFM)に適用できる。AFMに適用する場合に
は、図4に示すようにATMの探針1の代りにカンチレ
バー32に取り付けた力検出用探針31を用いる。例え
ば、力検出用探針31としてはダイヤモンド針、またカ
ンチレバー32としては弾性定数0.5N/mのSi3
N4 薄膜を用いることができ、カンチレバー32の変位
量を測定するカンチレバー変位測定系33は各種のもの
が知られているが、光てこ方式等が好適である。AFM
ではトンネル電流を測定しないので、STMにおけるバ
イアス電圧印加部やトンネル電流増幅部等は必要ではな
いが、その他の同一の符号を付した部材に関しては先の
STMの実施例と同様である。
【0026】本発明者らはAFMについても、本発明を
適用した場合の効果を確認する実験を行って良好な結果
を得た。即ち、コンパクトディスクを試料2としてXY
軸傾動機構4上に設置した後に、力検出用探針31をX
Y方向微動機構9を用いて、例えば引力が10-7N/m
になるまで試料2に近付ける。次に、X軸方向に力検出
用探針31を長さ0.5mmに渡って、0.1Hzの掃
引周波数で往復走査させると、カンチレバー変位測定系
33によって検出されるカンチレバー32の変位量信号
は図5に示すようになった。
適用した場合の効果を確認する実験を行って良好な結果
を得た。即ち、コンパクトディスクを試料2としてXY
軸傾動機構4上に設置した後に、力検出用探針31をX
Y方向微動機構9を用いて、例えば引力が10-7N/m
になるまで試料2に近付ける。次に、X軸方向に力検出
用探針31を長さ0.5mmに渡って、0.1Hzの掃
引周波数で往復走査させると、カンチレバー変位測定系
33によって検出されるカンチレバー32の変位量信号
は図5に示すようになった。
【0027】この信号を分波器15を介して周波数0.
12Hz以下のものとそれ以上のものとに分離し、次に
力検出用探針31の掃引を引き続き行いながら、周波数
0.12Hz以下の信号成分がほぼ零になるように、X
Y軸傾動機構4によりX軸方向の傾斜を調節する。更
に、掃引距離を順次に1mm、2mm、5mmに伸ばし
ながら、同様の調整を行う。また、同様にして力検出探
針31をY軸方向に0.1Hzの掃引周波数で最大5m
mに渡って掃引し、そのときのカンチレバー変位信号の
うち、0.12Hz以下の周波数成分がほぼ零になるよ
うに、Y軸方向の傾斜を調節する。
12Hz以下のものとそれ以上のものとに分離し、次に
力検出用探針31の掃引を引き続き行いながら、周波数
0.12Hz以下の信号成分がほぼ零になるように、X
Y軸傾動機構4によりX軸方向の傾斜を調節する。更
に、掃引距離を順次に1mm、2mm、5mmに伸ばし
ながら、同様の調整を行う。また、同様にして力検出探
針31をY軸方向に0.1Hzの掃引周波数で最大5m
mに渡って掃引し、そのときのカンチレバー変位信号の
うち、0.12Hz以下の周波数成分がほぼ零になるよ
うに、Y軸方向の傾斜を調節する。
【0028】以上の操作を行った後に、試料2の表面を
50μm角に操作したところ、記録ビットの歪みのない
像が得られた。更に、このような観測領域からX軸方向
及びY軸方向に3mm離れた地点において同様の観測を
行ったところ、同様に歪みのない記録ビット像を得るこ
とができ、広い領域において歪みなくAFM像を観察で
きることが確認できた。
50μm角に操作したところ、記録ビットの歪みのない
像が得られた。更に、このような観測領域からX軸方向
及びY軸方向に3mm離れた地点において同様の観測を
行ったところ、同様に歪みのない記録ビット像を得るこ
とができ、広い領域において歪みなくAFM像を観察で
きることが確認できた。
【0029】なお、前述のXY軸傾動機構4の調整を省
略したところ、最初の50μmの観測領域角での測定は
可能であったが、観測領域からX軸方向及びY軸方向に
3mm離れた地点において同様の観測を行おうとしたと
ころ、力検出用探針31が試料2に衝突してしまい、観
察は不可能となった。
略したところ、最初の50μmの観測領域角での測定は
可能であったが、観測領域からX軸方向及びY軸方向に
3mm離れた地点において同様の観測を行おうとしたと
ころ、力検出用探針31が試料2に衝突してしまい、観
察は不可能となった。
【0030】以上の他に、本発明はAFMにおける探針
を鉄やニッケルの強磁性体、又はこれらを他の材料で作
成した探針上にコーティングしたものに代えて、試料上
の局所的な磁力を測定する走査型磁力顕微鏡(MF
M)、マイクロピペット電極を探針として用いて電解質
溶液中の試料表面構造をイオン伝導度の変化から測定す
る走査イオンコンダクタンス顕微鏡(SICM)、探針
を超音波振動させて試料表面で反射して探針に戻って来
る超音波の振幅や位相の変化を利用し、或いは超音波振
動する探針と試料表面に働く原子間力の強さに応じて試
料内に発生する音響波を測定して試料の表面構造を測定
する走査型音響顕微鏡(STUM又はSTAM)、又は
光の波長より小さい直径のピンホールを有する光学探針
を用い、外部光源により試料を照射した際に生ずる試料
表面に生じたエバネッセント光を光学探針で検出して、
試料の表面構造を知る走査型近接場光学顕微鏡(NSO
M)等についても応用可能である。
を鉄やニッケルの強磁性体、又はこれらを他の材料で作
成した探針上にコーティングしたものに代えて、試料上
の局所的な磁力を測定する走査型磁力顕微鏡(MF
M)、マイクロピペット電極を探針として用いて電解質
溶液中の試料表面構造をイオン伝導度の変化から測定す
る走査イオンコンダクタンス顕微鏡(SICM)、探針
を超音波振動させて試料表面で反射して探針に戻って来
る超音波の振幅や位相の変化を利用し、或いは超音波振
動する探針と試料表面に働く原子間力の強さに応じて試
料内に発生する音響波を測定して試料の表面構造を測定
する走査型音響顕微鏡(STUM又はSTAM)、又は
光の波長より小さい直径のピンホールを有する光学探針
を用い、外部光源により試料を照射した際に生ずる試料
表面に生じたエバネッセント光を光学探針で検出して、
試料の表面構造を知る走査型近接場光学顕微鏡(NSO
M)等についても応用可能である。
【0031】更には、STM又は同様の原理のSXMを
利用して記録媒体としての試料に情報の記録又は再生又
は消去を行う高密度記録再生装置に対しても有効であ
る。図6はSTMを利用した記録再生装置に適用した場
合であり、基本的には先の実施例において示したSTM
装置と同様であるが、記録・再生のためのパルス電源4
1を有し、試料2の代りに記録媒体42を用いた点が異
なっている。また、探針1は情報の記録・再生の目的に
用いられるが、例えば0.3mmφの棒状の金(Au)
を塩酸中で電界研磨したものを用いればよい。XY軸傾
動機構4は図2に示したものと同様のものを用いること
ができる。記録媒体42としては、劈開したマイカ上に
Auを基板温度450℃で厚さ5000オングストロー
ムにエプタキシャルに蒸着したもの等が好適である。
利用して記録媒体としての試料に情報の記録又は再生又
は消去を行う高密度記録再生装置に対しても有効であ
る。図6はSTMを利用した記録再生装置に適用した場
合であり、基本的には先の実施例において示したSTM
装置と同様であるが、記録・再生のためのパルス電源4
1を有し、試料2の代りに記録媒体42を用いた点が異
なっている。また、探針1は情報の記録・再生の目的に
用いられるが、例えば0.3mmφの棒状の金(Au)
を塩酸中で電界研磨したものを用いればよい。XY軸傾
動機構4は図2に示したものと同様のものを用いること
ができる。記録媒体42としては、劈開したマイカ上に
Auを基板温度450℃で厚さ5000オングストロー
ムにエプタキシャルに蒸着したもの等が好適である。
【0032】本発明者らはこのような記録再生装置に、
本発明を適用した場合の効果を確認する実験を行って良
好な結果を得た。即ち、前述のような記録媒体42をX
Y軸傾動機構4上に設置した後に、例えばバイアス電圧
Vbを100mVとして、トンネル電流Jtが0.1nAに
なるように、探針1をXY方向微動機構9を用いて記録
媒体42に近付け、次にこのようなトンネル電圧Jtが一
定になるように探針1の高さをサーボ回路10を用いて
電流一定モードで制御しながら、X軸方向に探針1を例
えば500μmに渡って、0.1Hzの掃引周波数で往
復走査させる。そのとき、サーボ回路10を介してXY
方向微動機構9に加えられた電圧信号を分波器15を介
して周波数0.12Hz以下のものとそれ以上のものと
に分離し、次に探針1の掃引を引き続き行いながら、周
波数0.12Hz以下の信号成分がほぼ零になるように
支持点Aの高さを調節する。次いで、同様にして探針1
をY軸方向に0.1Hzの掃引周波数で掃引し、そのと
きにXY方向微動機構9に加えられた電圧信号のうち、
0.12Hz以下の周波数成分がほぼ零になるように支
持点Bの高さを圧電素子24により調節する。
本発明を適用した場合の効果を確認する実験を行って良
好な結果を得た。即ち、前述のような記録媒体42をX
Y軸傾動機構4上に設置した後に、例えばバイアス電圧
Vbを100mVとして、トンネル電流Jtが0.1nAに
なるように、探針1をXY方向微動機構9を用いて記録
媒体42に近付け、次にこのようなトンネル電圧Jtが一
定になるように探針1の高さをサーボ回路10を用いて
電流一定モードで制御しながら、X軸方向に探針1を例
えば500μmに渡って、0.1Hzの掃引周波数で往
復走査させる。そのとき、サーボ回路10を介してXY
方向微動機構9に加えられた電圧信号を分波器15を介
して周波数0.12Hz以下のものとそれ以上のものと
に分離し、次に探針1の掃引を引き続き行いながら、周
波数0.12Hz以下の信号成分がほぼ零になるように
支持点Aの高さを調節する。次いで、同様にして探針1
をY軸方向に0.1Hzの掃引周波数で掃引し、そのと
きにXY方向微動機構9に加えられた電圧信号のうち、
0.12Hz以下の周波数成分がほぼ零になるように支
持点Bの高さを圧電素子24により調節する。
【0033】以上の操作を行った後に、記録媒体42上
の任意の第1の位置において、探針1の高さを一定に保
持した状態で、パルス電源41を用いて+4.0V、パ
ルス幅300nSの電圧を印加し、その後に電圧印加点
を中心に300オングストローム角の領域を電流一定モ
ードで観察したところ、直径100オングストローム、
高さ20オングストロームの突起物が形成されており、
記録が行われていることが確かめられた。
の任意の第1の位置において、探針1の高さを一定に保
持した状態で、パルス電源41を用いて+4.0V、パ
ルス幅300nSの電圧を印加し、その後に電圧印加点
を中心に300オングストローム角の領域を電流一定モ
ードで観察したところ、直径100オングストローム、
高さ20オングストロームの突起物が形成されており、
記録が行われていることが確かめられた。
【0034】次に、先の第1の位置からX方向に50μ
m離れた第2の位置において同様の方法を用いて情報の
記録を行い、その後に同様の方法を用いて第2の位置よ
りもY方向に50μm離れた第3の位置、更に第3の位
置からX方向に−50μm離れた第4の位置において、
順次に記録が問題なく行えることを確かめた。更に、第
4の位置からY方向に−50μm離れた第1の位置に探
針1を移動させたところ、第1の位置には既に記録が行
われていることが確かめられた。即ち、探針1は正しく
元の第1の位置に戻っており、位置制御の寸法精度が非
常に高いことが確認された。
m離れた第2の位置において同様の方法を用いて情報の
記録を行い、その後に同様の方法を用いて第2の位置よ
りもY方向に50μm離れた第3の位置、更に第3の位
置からX方向に−50μm離れた第4の位置において、
順次に記録が問題なく行えることを確かめた。更に、第
4の位置からY方向に−50μm離れた第1の位置に探
針1を移動させたところ、第1の位置には既に記録が行
われていることが確かめられた。即ち、探針1は正しく
元の第1の位置に戻っており、位置制御の寸法精度が非
常に高いことが確認された。
【0035】このように本発明を適用すれば、記録ビッ
トの位置に対する精度が大幅に向上するので、記録・再
生・消去を精度良く行うことが可能となる。特に、記録
媒体42自体が大きい場合、或いは記録領域が広範囲で
ある場合に極めて有効であり、記録再生装置は記録又は
再生のみの装置としてもよい。
トの位置に対する精度が大幅に向上するので、記録・再
生・消去を精度良く行うことが可能となる。特に、記録
媒体42自体が大きい場合、或いは記録領域が広範囲で
ある場合に極めて有効であり、記録再生装置は記録又は
再生のみの装置としてもよい。
【0036】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る走査プ
ローブ顕微鏡及び記録再生装置は、次のような利点があ
る。
ローブ顕微鏡及び記録再生装置は、次のような利点があ
る。
【0037】(1) 試料の微細な表面状態を検出する走査
型プローブ顕微鏡において、極めて寸法精度に優れた観
察が広い領域において可能である。
型プローブ顕微鏡において、極めて寸法精度に優れた観
察が広い領域において可能である。
【0038】(2) 記録再生装置において、位置精度の高
い記録・再生が可能であり、記録再生の再現性が高い。
い記録・再生が可能であり、記録再生の再現性が高い。
【図1】STM装置のブロック回路図である。
【図2】XY軸傾斜ステージの一例の構成図である。
【図3】Z方向微動機構に加えられた電圧信号波形図で
ある。
ある。
【図4】AFM装置のブロック回路図である。
【図5】AFMのカンチレバーの変位量の信号波形図で
ある。
ある。
【図6】STMを利用した記録再生装置の構成のブロッ
ク回路図である。
ク回路図である。
【図7】探針の高さ変化の理想的な信号波形図である。
【図8】実際に得られる探針高さ変化の信号波形図であ
る。
る。
1 探針 2 試料 3、21 XYステージ 4 XY軸傾動機構 5 XY粗動機構 6 XY粗動駆動回路 8 Z方向微動機構 9 XY方向微動機構 12 バイアス電圧印加部 13 トンネル電流増幅部 14 探針高さ検出部 15 分波器 16 マイクロコンピュータ 22 基準面 23、24 圧電素子 25 突状体 31 力検出用探針 32 カンチレバー 33 カンチレバー変位測定系 41 パルス電源 42 記録媒体 A、B、C 支持点
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 武田 俊彦 東京都大田区下丸子三丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 江口 健 東京都大田区下丸子三丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 平4−212001(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G01B 7/00 - 7/34 G01B 21/00 - 21/32
Claims (13)
- 【請求項1】 表面状態検出用のプローブを試料上で走
査させて前記試料の表面状態を測定する走査型プローブ
顕微鏡において、試料を前記プローブの走査方向に対し
て相対的に傾斜させる傾動機構と、前記プローブにより
検出された表面状態に対応する信号成分のうち任意の空
間周波数を有する信号成分を選択して検出する検出回路
と、該検出回路の検出に基づいて前記傾動機構を制御す
る制御回路とを具備したことを特徴とする走査プローブ
顕微鏡。 - 【請求項2】 前記傾動機構はXY軸傾斜ステージ又は
XY軸ゴニオステージとした請求項1に記載の走査プロ
ーブ顕微鏡。 - 【請求項3】 前記軸傾斜ステージの傾斜機構は少なく
とも2つの圧電素子を利用した請求項2に記載の走査プ
ローブ顕微鏡。 - 【請求項4】 試料台上に前記試料を載せ、前記試料上
を前記プローブにより任意の領域又は区間を走査させて
前記試料面(X’Y’面)と前記プローブの走査面との
傾き量を検出する傾斜検出手段と、前記傾き量が最も小
さくなるように前記傾動機構を制御する手段とを有する
請求項1に記載の走査プローブ顕微鏡。 - 【請求項5】 前記プローブと試料間のトンネル電流を
利用した走査型トンネル顕微鏡とした請求項1に記載の
走査プローブ顕微鏡。 - 【請求項6】 前記プローブと試料間の原子間力を利用
した走査型原子間力顕微鏡とした請求項1に記載の走査
型プローブ顕微鏡。 - 【請求項7】 前記プローブと試料間の磁力を利用した
走査型磁力顕微鏡とした請求項1に記載の走査プローブ
顕微鏡。 - 【請求項8】 前記プローブと試料間のイオン電導を利
用した走査型イオン顕微鏡とした請求項1に記載の走査
プローブ顕微鏡。 - 【請求項9】 前記プローブと試料間の音響を利用した
走査型音響顕微鏡とした請求項1に記載の走査プローブ
顕微鏡。 - 【請求項10】 前記プローブと試料間のエバネッセン
ト光を利用した走査型近接場光学顕微鏡とした請求項1
に記載の走査プローブ顕微鏡。 - 【請求項11】 検出された表面状態に対応する信号成
分のうち任意の空間周波数を有する信号成分の振幅を検
出する検出回路として、ロックインアンプを用いた請求
項1に記載の走査プローブ顕微鏡。 - 【請求項12】 前記任意の空間周波数は前記プローブ
の面内方向掃引周波数に等しくした請求項1に記載の走
査プローブ顕微鏡。 - 【請求項13】 プローブを記録媒体上で走査させて該
記録媒体に記録及び/又は再生を行う装置において、前
記記録媒体を前記プローブの走査方向に対して相対的に
傾斜させる傾動機構と、前記プローブにより検出された
前記記録媒体からの信号成分のうち任意の空間周波数を
有する信号成分を選択して検出する検出回路と、該検出
回路の検出に基づいて前記傾動機構を制御する制御回路
とを具備したことを特徴とする記録再生装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3161071A JP2919119B2 (ja) | 1991-06-05 | 1991-06-05 | 走査プローブ顕微鏡及び記録再生装置 |
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