JP2941691B2

JP2941691B2 - 磁気ディスク保持部材および磁気ディスク装置

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Publication number: JP2941691B2
Application number: JP19529895A
Authority: JP
Inventors: 将司日野
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1995-07-31
Filing date: 1995-07-31
Publication date: 1999-08-25
Anticipated expiration: 2015-07-31
Also published as: JPH0944969A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスクを所
定位置に保持するための磁気ディスク保持部材およびこ
れを用いてハブに一枚または複数枚の磁気ディスクを保
持してなる磁気ディスク装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、磁気ディスク装置は、図４に示す
ように、回転軸１３に固定されたハブ１４に、複数枚の
磁気ディスク１５とスペーサ１１とを交互に挿入し、最
後にシム１０およびクランプ１２で押さえ付け、ネジ１
６で締め付けることにより固定するようになっていた。
そして、上記回転軸１３の回転により磁気ディスク１５
を回転させながら、磁気ヘッド１７が磁気ディスク１５
の表面上を非接触状態で移動することにより、磁気ディ
スク１５の所定位置で情報の書き込みや読み取りを行う
ようになっていた。

【０００３】また、近年、このような磁気ディスク装置
５０は情報が高密度で大容量化するに伴って、磁気ヘッ
ド１７と磁気ディスク１５との距離の極小化、磁気ディ
スク１５のより高度な平面化と表面の平滑化等が要求さ
れており、その為、磁気ディスク１５を表面強度および
平滑面化が極めて効果的に得られるセラミックスやガラ
スを用いた磁気ディスク１５が提案されており、該磁気
ディスク１５を固定・保持するスペーサ１１、シム１
０、およびクランプ１２などの保持部材は熱膨張差に伴
う磁気ディスク１５の歪みを防止するために、セラミッ
クスやガラスで形成したものがあった（特公平５−８０
７４５号公報、特開昭６１−１４８６６７号公報）。

【０００４】しかしながら、上記保持部材を構成するセ
ラミックスやガラスは一般的に絶縁性材料であるため、
これらの保持部材で磁気ディスク１５を保持すると、磁
気ディスク１５が帯電し、情報の読み込みや書き込みの
際にノイズが発生して、記録内容を破壊してしまう恐れ
があることが近年知られており、その為、磁気ディスク
１５との当接面にアルミニウムや亜鉛等の金属膜を被覆
した保持部材を用いて、磁気ディスク１５の帯電を防止
するようにしたものがあった（特開平２−２２６５６６
号公報）。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、当接面に金
属膜を被覆した保持部材では、基体をなすセラミックス
やガラスと金属膜との間の熱膨張差が大きいことから、
高速回転に伴う熱により当接面の平面度が損なわれると
いった課題あった。その為、この保持部材を用いて磁気
ディスク装置５０を構成すると、磁気ディスク１５に歪
みを生じ、また、磁気ディスク１５間の平行度が損なわ
れるために、磁気ヘッド１７の浮上量を小さくすること
ができず、場合によっては磁気ヘッド１７が磁気ディス
ク１５と接触して傷損させてしまうといった恐れがあっ
た。

【０００６】その上、基体をなすセラミックスやガラス
との熱膨張差により被覆した金属膜が剥がれる恐れもあ
り、その結果、磁気ディスク１５に帯電する静電気を逃
がすことができなくなるといった課題もあった。

【０００７】また、上記金属膜は当接面の平面度を損な
わないようにするために薄膜状としてあるが、高速回転
に伴い磁気ディスク１５と保持部材との間に引っ掻きが
生じて硬度の小さい金属膜が摩耗したり剥がれることか
ら、磁気ディスク１５に帯電する静電気を逃がすことが
できないといった恐れもあった。

【０００８】さらに、保持部材の内外のエッジ部がシャ
ープエッジであると、該エッジ部に被覆した金属膜の膜
厚が薄くなり、場合によっては断線を生じて静電気を逃
がすことができなくなるといった課題があった。その
上、保持部材を構成するセラミックスやガラスは脆性材
料であることから、エッジ部がシャープエッジであると
クランプ時の応力により欠けを生じる恐れがあり、この
破片が磁気ディスク１５とその上を浮上する磁気ヘッド
１７との間隙に入り込むと、磁気ディスク１５に傷を付
けたり、磁気ヘッド１７を破損させるといった課題があ
った。

【０００９】その為、これらの保持部材により磁気ディ
スク１５を保持した磁気ディスク装置５０では、十分な
情報の高密度化、大容量化を実現することが難しく、ま
た、磁気ディスク１５に静電気が帯電し、情報の読み込
みや書き込みの際にノイズを生じて、記録内容を破壊し
てしまう恐れがあった。

【００１０】

【課題を解決するための手段】そこで、本発明では上記
問題に鑑み、セラミックスまたはガラスからなるシム、
クランプ、およびスペーサなどの保持部材のうち、該保
持部材の内外のエッジ部に幅が０．０４〜０．５ｍｍの
テーパ面または曲面を設けるとともに、少なくとも磁気
ディスクとの当接面および内周面に膜厚０．１〜３μｍ
の導電性セラミック膜を被覆したことを特徴とするもの
である。

【００１１】また、本発明は、回転軸に固定した導電性
材料からなるハブに、セラミックスまたはガラスからな
るリング体であって、内外のエッジ部に幅が０．０４〜
０．５ｍｍのテーパ面または曲面を備え、かつ少なくと
も磁気ディスクとの当接面および内周面に膜厚０．１〜
３μｍの導電性セラミック膜を被覆してなるスペーサお
よび／またはシムを介して一枚または複数枚のセラミッ
クスあるいはガラスからなる磁気ディスクを保持して磁
気ディスク装置を構成したものである。

【００１２】さらに、本発明は、上記導電性セラミック
膜としてＴｉＣ、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＣ、ＴａＣ、Ｚ
ｒＣ、ＷＣ、ＶＣ、ＮｂＣ、ＴｉＢ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃のう
ち１種を被覆したものである。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明実施例を説明する。

【００１４】図１〜図３は本発明に係る保持部材を示す
図であり、図１（ａ）はスペーサ１１の斜視図、（ｂ）
はその断面図、図２（ａ）はシム１０の斜視図、（ｂ）
はその断面図、図３（ａ）はクランプ１２’の斜視図、
（ｂ）はその断面図である。まず、図１に示すスペーサ
１１はセラミックスまたはガラスからなるリング体１１
２であって、その内外のエッジ部１１４ａ，１１４ｂに
はテーパ面（Ｃ面を含む）または曲面を形成してある。
また、このスペーサ１１の当接面１１３は、固定した磁
気ディスクが高速回転に伴って回動しないようにするた
めに中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．１〜２．０μｍの面
粗さとするととも、固定した際に磁気ディスクに歪みを
生じさせないようにするために当接面１１３の平面度を
３μｍ以下とし、さらに、磁気ディスクを所定の位置に
保持するために上下の当接面１１３の平行度を５μｍ以
下としてある。そして、リング体１１２の全面には体積
固有抵抗値が１×１０⁷Ω・ｃｍ以下で、かつ熱膨張係
数が６〜１０×１０^-6／℃である導電性セラミック膜１
１５を膜厚０．１〜３μｍの範囲で被覆してある。

【００１５】なお、シム１０は図２に示すように、上記
スペーサ１１と同じ形状で、やや薄型のものである。

【００１６】また、図３に示すクランプ１２’は、セラ
ミックスまたはガラスからなる円板状をした板状体１２
２’であって、一方の表面中央にはハブの先端部分と係
合する凹部１２７’とハブに固定するためのネジ穴１２
８’を設けてあり、板状体１２２’の内外のエッジ部１
２４’ａ，１２４’ｂにはテーパ面（Ｃ面を含む）また
は曲面を形成してある。

【００１７】また、このクランプ１２’の当接面１２
３’は、前記スペーサ１１と同様に磁気ディスクの歪み
を防止するとともに、回動しないようにするために中心
線平均粗さ（Ｒａ）で０．１〜２．０μｍの面粗さとす
るとともに、平面度を３μｍ以下としてある。そして、
この板状体１２２’全面には体積固有抵抗値が１×１０
⁷Ω・ｃｍ以下で、かつ熱膨張係数が６〜１０×１０^-6
／℃である導電性セラミック膜１２５’を膜厚０．１〜
３μｍの範囲で被覆してある。

【００１８】このように、本発明は、シム１０、スペー
サ１１、およびクランプ１２’などの保持部材を構成す
る基体をセラミックスまたはガラスにより形成してある
ため、当接面１０３，１１３，１２３’を非常に滑らか
で、かつ優れた平面精度に仕上げることができる。ま
た、本発明は、少なくとも当接面１０３，１１３，１２
３’および内壁面１０６，１１６，１２６’に高硬度の
導電性セラミック膜１０５、１１５、１２５’を被覆す
るとともに、その膜厚を０．１〜３μｍと薄肉としてあ
るため、当接面１０３、１１３、１２３’の平面度や平
行度を損なうことなく耐摩耗性に優れた面とすることが
できる。しかも、上記導電性セラミック膜１０５、１１
５、１２５’は体積固有抵抗値が１×１０⁷Ω・ｃｍ以
下であることから、磁気ディスクに帯電する静電気を効
率良く逃がすことができる。

【００１９】また、本発明では、熱膨張係数が６〜１０
×１０^-6／℃である導電性セラミック膜１０５、１１
５、１２５’を被覆してあるため、基体をなすセラミッ
クスやガラスの熱膨張係数と近似しているとともに、磁
気ディスクを構成するセラミックスやガラスの熱膨張係
数（８．０〜１０．０×１０^-6／℃）とも近似している
ことから、高速回転に伴う熱による導電性セラミック膜
１０５、１１５、１２５の剥離や変形を防ぎ、磁気ディ
スクを非常に高い平面精度でもって保持することができ
る。

【００２０】さらに、本発明は、各保持部材の内外のエ
ッジ部１０４，１１４，１２４’にテーパ面またはＲ面
を形成してあるため、クランプ時の欠けを防止できると
ともに、エッジ部１０４，１１４，１２４’に被覆する
導電性セラミック膜１０５，１１５，１２５’の膜厚を
確保し、断線を防ぐことができる。

【００２１】次に、上記保持部材により磁性膜を備えた
ガラス製の磁気ディスク１５を保持した磁気ディスク装
置５０を図４に示す。

【００２２】回転軸１３にフランジ部１４ａを備えた金
属製の略円筒体１４をしたハブ１４を固定し、該ハブ１
４のフランジ部１４ａに、磁気ディスク１５と図１に示
したスペーサ１１とを交互に複数個挿入し、最後に図１
に示したシム１０を挿入したあと金属またはアルミナな
どのセラミックスからなるクランプ１２で押さえ付け、
ネジ１６でもってクランプ１２をハブ１４に締め付ける
ことで磁気ディスク１５を固定するようにしてある。

【００２３】本発明に係る磁気ディスク装置５０は、磁
気ディスク１５と保持部材（スペーサ１１，シム１０）
の熱膨張係数が近似しているため、高速回転時に高温に
なっても熱膨張差に伴う不都合を生じることがない。従
って、磁気ヘッド１７の磁気ディスク１５に対する浮上
量を極めて小さくすることができ、情報記録密度を高く
することが可能となる。しかも、上記保持部材（スペー
サ１１，シム１０）は導電性を有しているため、磁気デ
ィスク１５に帯電した静電気を金属製のハブ１４および
回転軸１３を介して逃がすことができ、記録内容が破壊
されることを防止することができる。

【００２４】なお、上記磁気ディスク１５としてはガラ
ス基板以外に、セラミック基板の表面にガラスグレーズ
層を形成し、その上に磁性膜を被覆したものであっても
構わない。

【００２５】また、図４に示す磁気ディスク装置５０で
は、最上部の磁気ディスク１５とクランプ１２との間に
シム１０を介して保持してあるが、他の実施例としてク
ランプ１２を最上部の磁気ディスク１５と直接当接させ
て保持する構造としても良く、この場合には図３に示す
クランプ１２’を用いれば、精度良く磁気ディスク１５
を保持することができるとともに、最上部の磁気ディス
ク１５に帯電する静電気を効果的に逃がすことができ
る。

【００２６】さらに、磁気ディスク装置５０の他の例と
して、ハブ１４のフランジ部１４ａと磁気ディスク１５
との間に配置するスペーサ１１を取り除き直接当接させ
て保持したものでも良く、この場合、磁気ディスク１５
との熱膨張差をなくすために、基体がセラミックスやガ
ラスからなり、その表面に導電性セラミック膜を被覆し
たハブ１４を用いれば効果的である。

【００２７】ところで、上記スペーサ１１、シム１０、
およびクランプ１２などの保持部材をなす基体の材質と
しては、熱膨張係数が２０×１０^-6／℃以下、好ましく
は１２×１０^-6／℃以下のセラミックスまたはガラスを
用いることができ、例えば、セラミックスとしてはアル
ミナセラミックス、ジルコニアセラミックス、炭化珪素
質セラミックス、窒化珪素質セラミックス、Ａｌ₂Ｏ₃
−ＴｉＣ系セラミックス、フォルステライト質セラミッ
クスなどが好適である。

【００２８】特に、これらのセラミックスは熱膨張係数
が上記範囲にあるとともに、比剛性が大きいため、クラ
ンプ時に変形を生じることなく、当接面１０３，１１
３，１２３’を非常に滑らかで、かつ優れた平面精度に
仕上げることができる。

【００２９】そして、磁気ディスク１５の材質に応じ
て、上記保持部材の材質の中から熱膨張係数の近似した
ものを用いれば良い。例えば、セラミック製の磁気ディ
スク１５を用いる場合には、保持部材として熱膨張係数
が１０×１０^-6／℃以下のセラミックスを用いれば良
く、同様にガラス（熱膨張係数８．０〜９×１０^-6／
℃）製の磁気ディスク１５を用いる場合には、保持部材
として熱膨張係数が８．０×１０^-6／℃以上のフォルス
テライト質セラミックスやガラスを用いれば良い。

【００３０】また、上記スペーサ１１、シム１０、およ
びクランプ１２などの保持部材の内外のエッジ部１０
４，１１４，１２４’にはクランプ時の応力による欠け
を防止するためにテーパ面（Ｃ面含む）または曲面を形
成してあるが、このテーパ面または曲面が小さすぎる
と、上記エッジ部１０４，１１４，１２４’で断線を生
じ、導通がとれなくなる。

【００３１】その為、本発明では、保持部材の内外のエ
ッジ部１０４，１１４，１２４’に幅が０．０４ｍｍ以
上のテーパ面または曲面を形成してある。

【００３２】即ち、エッジ部１０４，１１４，１２４’
に形成するテーパ面または曲面の幅が０．０４ｍｍ未満
であると前述したように、保持部材のエッジ部１０４，
１１４，１２４’がシャープエッジであるため、そこに
被覆した導電性セラミック膜１０５、１１５、１２５’
の膜厚が薄くなり断線する恐れがあるからである。ただ
し、テーパ面または曲面の幅が０．５ｍｍより大きくな
ると、当接面１０３，１１３，１２３’の磁気ディスク
１５との接触面積が小さくなるために、クランプ時に磁
気ディスク１５に歪みを生じることから、保持部材の内
外のエッジ部１０４，１１４，１２４’には０．０４〜
０．５ｍｍの範囲でテーパ面または曲面を形成すること
が望ましい。

【００３３】なお、本発明で言う、テーパ面または曲面
の幅とは、スペーサ１１を例にとって説明すると図５に
その主要部の拡大図を示すように当接面１１３側のエッ
ジ部１１４ａの端面からの幅Ｌのことである。

【００３４】また、これらの保持部材のうち、少なくと
も当接面１０３，１１３，１２３は中心線平均粗さ（Ｒ
ａ）で０．１〜２．０μｍの面粗さとすることが必要で
ある。これは、当接面１０３，１１３，１２３’の中心
線平均粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ未満であると、被覆し
た導電性セラミック膜１０５、１１５、１２５’を十分
なアンカー効果でもって密着させることができなくなる
とともに、導電性セラミック膜１０５、１１５、１２
５’の表面が滑らかになり過ぎることから、高速回転に
伴い磁気ディスク１５に滑りを生じるからであり、逆
に、当接面１０３，１１３，１２３’の中心線平均粗さ
（Ｒａ）が２．０μｍより大きくなると、磁気ディスク
１５の平面度が損なわれるとともに、磁気ディスク１５
に傷を付けてしまうからである。

【００３５】一方、保持部材に被覆する導電性セラミッ
ク膜１０５、１１５、１２５’としては、ＴｉＣ、Ｔｉ
Ｎ、ＺｒＮ、ＨｆＣ、ＴａＣ、ＺｒＣ、ＷＣ、ＶＣ、Ｎ
ｂＣ、ＴｉＢ₂のうち１種が好適である。

【００３６】これらの導電性セラミックス膜１０５、１
１５、１２５’は表１に示すように、体積固有抵抗値が
１×１０⁷Ω・ｃｍ未満であるため、磁気ディスク１５
に帯電した静電気を効果的に除去することができ、しか
も、熱膨張係数が６〜１０×１０^-6／℃程度と、保持部
材を構成するセラミックスやガラス、および磁気ディス
ク１５を構成するセラミックスやガラスと熱膨張係数が
同等あるいは近似していることから、高速回転に伴う熱
により導電性セラミックス膜１０５、１１５、１２５’
の剥離や変形がなく、磁気ディスク１５を非常に高い平
面精度でもって保持することができる。なお、上記した
導電性セラミックス膜１０５、１１５、１２５’以外に
も例えば、ＳｎをドープしたＩｎ₂Ｏ₃からなるＩＴＯ
（IndiumTin Oxide) 膜などを用いることもできる。

【００３７】ただし、被覆する導電性セラミックス膜１
０５、１１５、１２５’の膜厚は０．１〜３．０μｍの
範囲で設けることが重要である。

【００３８】これは、膜厚が０．１μｍ未満であると、
高硬度の導電性セラミックス膜１０５、１１５、１２
５’と言えども摩耗する恐れがあるからであり、逆に、
膜厚が３．０μｍより厚くなると、当接面１０３，１１
３，１２３’の平面度を３μｍ以下とすることができな
いからである。

【００３９】なお、上記導電性セラミック膜１０５、１
１５、１２５’はＰＶＤ法やＣＶＤ法などの通常の成膜
手段により形成すれば良いが、ガラス製の保持部材に上
記導電性セラミック膜１０５、１１５、１２５’を被覆
する時には低温で成膜できるＰＶＤ法を用いれば、保持
部材の平面度を損なうことがなく最適である。

【００４０】

【表１】

【００４１】

【実施例】

（実験例１）ここで、図１に示すスペーサ１１を用意
し、該スペーサ１１の当接面１１３の面粗さを変化させ
た時の導電性セラミック膜１５の密着具合および平面度
について測定した。

【００４２】測定方法としては、面粗さをそれぞれ変化
させたスペーサ１１の当接面１１３に膜厚１μｍのＴｉ
Ｎ膜を被覆し、その平面度を測定するとともに、上記Ｔ
ｉＮ膜にセロハンテープを張り付け、これを引っ張った
時に膜の剥離を生じるかどうかにより密着具合を測定し
た。

【００４３】なお、本実験では膜の剥離を生じることが
なく、かつ平面度が３μｍ以下のものを優れたものとし
た。

【００４４】当接面１１３の面粗さおよびその結果は表
２に示す通りである。

【００４５】

【表２】

【００４６】表２より判るように、試料Ｎｏ．１では、
被覆したＴｉＮ膜の膜厚が薄いために平面度を３μｍ以
下とできたものの、面粗さが中心線平均粗さ（Ｒａ）で
０．１μｍ未満であるため、ＴｉＮ膜が簡単に剥がれて
しまった。

【００４７】また、試料Ｎｏ．６では、面粗さが中心線
平均粗さ（Ｒａ）で３．０μｍと大きいことからＴｉＮ
膜の剥離はなかったものの、当接面１１３の面粗さが粗
すぎるために、平面度を３μｍ以下とすることができな
かった。

【００４８】これに対し、本発明に係る試料Ｎｏ．２〜
５は、面粗さが中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．１〜２．
０μｍの範囲にあるため、膜剥離を生じることがなく、
また、平面度が３μｍ以下とすることができ、基準を満
足することができた。

【００４９】（実験２）次に、導電性セラミック膜１５
の膜厚を変化させた図１のスペーサ１１を用意し、該ス
ペーサ１１の平面度および導電性セラミック膜１５の密
着具合を測定した。

【００５０】なお、測定方法は実験例１と同様に導電性
セラミック膜１５としてＴｉＮ膜をスペーサ１１の当接
面１１３に被覆してその平面度を想定するとともに、上
記ＴｉＮ膜にセロハンテープを張り付けて、これを引っ
張った時の膜剥離の有無を見た。ただし、当接面１１３
の面粗さは中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．２μｍとし、
平面度は１μｍとした。

【００５１】そして、本実験では膜剥離を生じることが
なく、かつ平面度が３μｍ以下のものを優れたものとし
た。

【００５２】導電性セラミック膜１５の膜厚およびその
結果は表３に示す通りである。

【００５３】

【表３】

【００５４】表３より判るように、試料Ａでは、膜厚が
０．０５μｍと薄肉であるため、スペーサ１１の平面度
を３μｍ以下とできたものの、十分な密着強度が得られ
ず、簡単にＴｉＮ膜の剥離を生じた。

【００５５】また、試料Ｇでは、膜厚が４．０μｍと厚
くバラツキを生じたことから平面度が３．６μｍと、３
μｍ以下にすることができなかった。

【００５６】これに対し、本発明に係る試料Ｎｏ．Ｂ〜
Ｆは、膜厚が０．１〜３．０μｍであるために膜の剥離
を生じることがなく、また、保持部材の平面度を３．０
μｍ以下に抑えることができた。

【００５７】（実験３）さらに、スペーサ１１のエッジ
部１１４に形成するＣ面の幅Ｌを変えた時の導通性につ
いて測定を行った。

【００５８】なお、当接面１１３の面粗さは中心線平均
粗さ（Ｒａ）で０．２μｍとし、導電性セラミック膜１
５としてＴｉＮ膜をスペーサ１１の全面に膜厚１．０μ
ｍとして被覆した。そして、当接面１１３から内周面１
１６までの導通性を確認した。

【００５９】それぞれの結果は表４に示す通りである。

【００６０】

【表４】

【００６１】表４より判るように、Ｃ面の幅Ｌが０．０
３ｍｍ以下では、エッジ部１１４にＣ面加工を施したと
してもシャープエッジと変わらないために、この箇所で
の膜厚が薄くなり導通が取れず、Ｃ面の幅Ｌが０．０４
ｍｍより導通が取れた。このことから保持部材の内外の
エッジ部１１４に形成するＣ面の幅Ｌは０．０４ｍｍ以
上とすれば良いことが判る。

【００６２】なお、本実験ではスペーサ１１のエッジ部
１１４にＣ面を形成した例を示したが、テーパ面または
曲面であっても同様の結果が得られた。

【００６３】

【発明の効果】以上のように、本発明は、セラミックス
またはガラスからなるシム、クランプ、およびスペーサ
などの保持部材のうち、該保持部材の内外のエッジ部に
幅が０．０４〜０．５μｍのテーパ面または曲面を備
え、かつ少なくとも磁気ディスクとの当接面および内周
面に膜厚０．１〜３μｍの導電性セラミック膜を被覆し
たことにより、磁気ディスクに帯電した静電気を効率良
く逃がすことができるとともに、当接面を殆ど摩耗させ
ることがない。しかも、本発明では、上記導電性セラミ
ック膜としてＴｉＣ、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＣ、Ｔａ
Ｃ、ＺｒＣ、ＷＣ、ＶＣ、ＮｂＣ、ＴｉＢ₂、Ｉｎ₂Ｏ
₃のうち１種を被覆してあることから、保持部材および
磁気ディスクの熱膨張係数と同じあるいは近似させるこ
とができるため、高速回転に伴う熱により膜の剥離を生
じることがなく、その結果、磁気ディスクに歪みを生じ
させることがないため、非常に高い平坦精度でもって磁
気ディスクを保持することができる。

【００６４】また、本発明では、回転軸に固定した導電
性材料からなるハブに、セラミックスまたはガラスから
なるリング体であって、内外のエッジ部に幅が０．０４
〜０．５μｍのテーパ面または曲面を備え、かつ少なく
とも磁気ディスクとの当接面および内周面に膜厚０．１
〜３μｍの導電性セラミック膜を被覆してなる保持部材
を介して一枚または複数枚のセラミックスあるいはガラ
スからなる磁気ディスクを保持して磁気ディスク装置を
構成したことにより、磁気ヘッドの磁気ディスクに対す
る浮上量を極めて小さくすることができ、高密度記録
（大容量化）を実現できるとともに、磁気ディスクに帯
電する静電気を保持部材、ハブを介して効率良く逃がす
ことができるため、記録内容の破壊を防止することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る保持部材の一例であるスペーサを
示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図であ
る。

【図２】本発明に係る保持部材の一例であるシムを示す
図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図である。

【図３】本発明に係る保持部材の一例であるクランプを
示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図であ
る。

【図４】図１の主要部を示す拡大図である。

【図５】本発明に係る磁気ディスク装置を示す縦断面図
である。

【符号の説明】

１１：スペーサ１１２：リング体１１３：当接面１１４：エッジ部１１５：導電性セラミック膜１１６：内周面１０：シム１２：クランプ１３：回転軸１４：ハブ１５：磁気ディスク１７：磁気ヘッド

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G11B 19/00 G11B 17/038 G11B 23/03

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気ディスクを所定位置に保持するための
リング状をしたセラミックスまたはガラスからなる保持
部材であって、該保持部材の内外のエッジ部に幅が０．
０４〜０．５ｍｍのテーパ面または曲面を備え、かつ少
なくとも磁気ディスクとの当接面および内周面に膜厚
０．１〜３μｍの導電性セラミック膜を被覆してなる磁
気ディスク保持部材。
【請求項２】回転軸に固定した導電性材料からなるハブ
に、セラミックスまたはガラスからなるリング体であっ
て、内外のエッジ部に幅が０．０４〜０．５ｍｍのテー
パ面または曲面を備え、かつ少なくとも磁気ディスクと
の当接面および内周面に膜厚０．１〜３μｍの導電性セ
ラミック膜を被覆してなる保持部材を介して一枚または
複数枚のセラミックスまたはガラスからなる磁気ディス
クを保持してなる磁気ディスク装置。
【請求項３】上記導電性セラミック膜がＴｉＣ、Ｔｉ
Ｎ、ＨｆＣ、ＺｒＮ、ＴａＣ、ＺｒＣ、ＷＣ、ＶＣ、Ｎ
ｂＣ、ＴｉＢ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃のうち１種からなる請求項
１に記載の磁気ディスク保持部材乃至請求項２に記載の
磁気ディスク装置。