JP2935235B2 - 電流制限器 - Google Patents
電流制限器Info
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
- H02H9/02—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess current
- H02H9/023—Current limitation using superconducting elements
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/30—Devices switchable between superconducting and normal states
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F6/00—Superconducting magnets; Superconducting coils
- H01F2006/001—Constructive details of inductive current limiters
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Power Engineering (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は電流を制限し、特に超電導状態において過電
流が流れたときの抵抗値の増大を利用した電流制限器に
関する。
流が流れたときの抵抗値の増大を利用した電流制限器に
関する。
（従来の技術） 従来、電気機器に過電流が流れたときに、電気機器を
過電流から保護するためには過電流に対して時間の遅れ
がなく、瞬時に過電流の流れを制限する必要がある。こ
の過電流を制限するための一例として第７図に示すよう
な超電導体を利用した電流制限体１がある。この電流制
限体１は超電導材料を矩形波状に成形したのであり、第
８図に示すように電源２、遮断器３、線路インピーダン
ス４、および負荷５の回路に直列に接続されている。こ
のような回路構成において、電流i0が電流制限体１を通
り負荷５に流れているときは、電流制限体１を超電導状
態にする。このように回路が正常なときの電流制限体１
に流れる電流値は、第９図に示すように臨界電流値Jc1
よりも小さい範囲にある。今、電流制限体１に臨界電流
Jc1が流れたとすると、電流制限体１はクエンチを生
じ、急速に常電導に転移する。この時、電流制限体１の
抵抗が急激に固有抵抗値に増加し、この高い抵抗値によ
り電流制限体１を通して負荷５に流れる電流を制限す
る。このように電流制限体１にクエンチが生じたときの
電流制限体１の抵抗値Ｒは次式によって表される。
過電流から保護するためには過電流に対して時間の遅れ
がなく、瞬時に過電流の流れを制限する必要がある。こ
の過電流を制限するための一例として第７図に示すよう
な超電導体を利用した電流制限体１がある。この電流制
限体１は超電導材料を矩形波状に成形したのであり、第
８図に示すように電源２、遮断器３、線路インピーダン
ス４、および負荷５の回路に直列に接続されている。こ
のような回路構成において、電流i0が電流制限体１を通
り負荷５に流れているときは、電流制限体１を超電導状
態にする。このように回路が正常なときの電流制限体１
に流れる電流値は、第９図に示すように臨界電流値Jc1
よりも小さい範囲にある。今、電流制限体１に臨界電流
Jc1が流れたとすると、電流制限体１はクエンチを生
じ、急速に常電導に転移する。この時、電流制限体１の
抵抗が急激に固有抵抗値に増加し、この高い抵抗値によ
り電流制限体１を通して負荷５に流れる電流を制限す
る。このように電流制限体１にクエンチが生じたときの
電流制限体１の抵抗値Ｒは次式によって表される。
Ｒ＝ρｃ（l/A） …（１） すなわち、電流制限体１の抵抗値Ｒは、固有抵抗ρｃ
（μΩ−cm）と電流制限体１の長さｌ（cm）との積に比
例し、電流制限体１の断面積Ａ（cm2）に反比例するも
のである。
（μΩ−cm）と電流制限体１の長さｌ（cm）との積に比
例し、電流制限体１の断面積Ａ（cm2）に反比例するも
のである。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら上記のように（１）式に基づいて十分な
長さｌ（cm）を得るために電流制限体を矩形波状に形成
したが、超電導体のうち良く知られているNb・Ti系の臨
界電流密度は、１〜３（kA/cm2）と非常に大きい半面、
常電導時の固有抵抗は20〜50（μΩ−cm）と小さいため
に上記のように矩形波状に形成したものでは、断面積Ａ
（cm2）が大きく、長さｌ（cm）が十分でないために超
伝導体がクエンチのとき十分に高い抵抗値が得られな
い。高い抵抗値を得るために超電導体を、さらに細く、
そして長くしたコイル状のものが考えられるが、コイル
状にするとインダクタンスを持つことになるので無駄な
電力を消費し、クエンチのときにインダクタンスがある
と、インダクタンス分による遅れによって電流の制限が
確実に行われない。また、クエンチのときは超電導体に
高電圧がかかるので十分な耐電圧値を得るためにコイル
間の寸法を大きく取らなくてはならないという問題点が
あった。
長さｌ（cm）を得るために電流制限体を矩形波状に形成
したが、超電導体のうち良く知られているNb・Ti系の臨
界電流密度は、１〜３（kA/cm2）と非常に大きい半面、
常電導時の固有抵抗は20〜50（μΩ−cm）と小さいため
に上記のように矩形波状に形成したものでは、断面積Ａ
（cm2）が大きく、長さｌ（cm）が十分でないために超
伝導体がクエンチのとき十分に高い抵抗値が得られな
い。高い抵抗値を得るために超電導体を、さらに細く、
そして長くしたコイル状のものが考えられるが、コイル
状にするとインダクタンスを持つことになるので無駄な
電力を消費し、クエンチのときにインダクタンスがある
と、インダクタンス分による遅れによって電流の制限が
確実に行われない。また、クエンチのときは超電導体に
高電圧がかかるので十分な耐電圧値を得るためにコイル
間の寸法を大きく取らなくてはならないという問題点が
あった。
本発明は上記課題を解決するためになされたものであ
り、クエンチのときに電流を制限できるように十分な高
抵抗値を得ることができ、かつ電流の制限を確実に行な
うことができ、正常なときはインダクタンスによって無
駄な電力消費を生じることがなく、超電導コイル体を小
形にできる電流制限器を提供することを目的とする。
り、クエンチのときに電流を制限できるように十分な高
抵抗値を得ることができ、かつ電流の制限を確実に行な
うことができ、正常なときはインダクタンスによって無
駄な電力消費を生じることがなく、超電導コイル体を小
形にできる電流制限器を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段） 上記目的を達成するために本発明に係る電流制限器
は、 絶縁芯の外周に巻回され、所定の臨界電流値を有する
第１超電導コイルと、 絶縁芯の外周に第１超電導コイルと同心に逆方向に巻
回され、第１超電導コイルとほぼ同一の臨界電流値を有
する第２超電導コイルと、 絶縁芯の両端面に対向して設けられ、第１超電導コイル
および第２超電導コイルのそれぞれの両端が固着される
端子板と、 端子板に渡って取り付けられ、絶縁芯、端子板と共に真
空室を形成し、この真空室に第１及び第２の超電導コイ
ルを収容する外周壁と、 を備えたことを特徴としている。
は、 絶縁芯の外周に巻回され、所定の臨界電流値を有する
第１超電導コイルと、 絶縁芯の外周に第１超電導コイルと同心に逆方向に巻
回され、第１超電導コイルとほぼ同一の臨界電流値を有
する第２超電導コイルと、 絶縁芯の両端面に対向して設けられ、第１超電導コイル
および第２超電導コイルのそれぞれの両端が固着される
端子板と、 端子板に渡って取り付けられ、絶縁芯、端子板と共に真
空室を形成し、この真空室に第１及び第２の超電導コイ
ルを収容する外周壁と、 を備えたことを特徴としている。
（作 用） 上記のように構成された電流制限器においては、第１
超電導コイルと第２超電導コイルに定常電流が流れてい
るとき、これらの超電導コイルは超電導状態にある。ま
た、第１超電導コイルと第２超電導コイルに流れる電流
に起因するそれぞれの磁束は互いに打消し合うので、イ
ンダクタンスによって無駄な電力消費を生じることはな
い。一方、第１超電導コイルと第２超電導コイルに臨界
電流値に等しいか、またはそれ以上の過電流が流れる
と、第１超電導コイルと第２超電導コイルはクエンチと
なり、このとき生じた高抵抗値によって第１超電導コイ
ルおよび第２超電導コイルに流れる電流が制限される。
また、第１超電導コイルおよび第２超電導コイルは常に
真空に保たれているので、クエンチ時の耐電圧値を高く
することができ、超電導コイル体を小形にできる。
超電導コイルと第２超電導コイルに定常電流が流れてい
るとき、これらの超電導コイルは超電導状態にある。ま
た、第１超電導コイルと第２超電導コイルに流れる電流
に起因するそれぞれの磁束は互いに打消し合うので、イ
ンダクタンスによって無駄な電力消費を生じることはな
い。一方、第１超電導コイルと第２超電導コイルに臨界
電流値に等しいか、またはそれ以上の過電流が流れる
と、第１超電導コイルと第２超電導コイルはクエンチと
なり、このとき生じた高抵抗値によって第１超電導コイ
ルおよび第２超電導コイルに流れる電流が制限される。
また、第１超電導コイルおよび第２超電導コイルは常に
真空に保たれているので、クエンチ時の耐電圧値を高く
することができ、超電導コイル体を小形にできる。
さらに、絶縁芯の両端面に対向して設けられた端子板
に第１超電導コイルおよび第２超電導コイルのそれぞれ
の両端を固着し、これらの端子板に渡って外周壁を取り
付ける構成によって超電導コイル体を収容する真空室を
容易に形成することができる。
に第１超電導コイルおよび第２超電導コイルのそれぞれ
の両端を固着し、これらの端子板に渡って外周壁を取り
付ける構成によって超電導コイル体を収容する真空室を
容易に形成することができる。
（実施例） 以下に本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明す
る。第１図は本発明に係る電流制限器の一実施例を示し
ている。この電流制限器６について説明すると、まず、
絶縁芯としては碍子管７を使用する。この碍子管７の外
周面の一端部から他端部にかけて、第２図に示すよう
に、第１超導電コイル８が所定の間隔をおいて所定の巻
数に巻回されている。さらに第１超電導コイル８に重ね
て第１超電導コイル８の巻回方向とは逆方向に、同じ巻
数の第２超電導コイル９が巻回されている。このように
して超電導コイル体10が形成される。また、碍子管７の
両端の開口部には、挿入部11と大径部12とからなり、挿
入部11が碍子管７の開口部にそれぞれ挿入された導電性
の端子板14aを有している。この端子板14aの大径部12は
超電導コイル体10の外径よりも大きく形成されている。
大径部12のそれぞれの外周端の一方から他方には、超電
導コイル体10の外周部と間隔をおいて外周壁22が取付け
られている。この外周壁22の取付けについて説明する
と、外周壁22の端面には外周壁22よりも薄いシール部材
23の周縁が環状に固着され、このシール部材23の他の周
縁を大径部12に環状に固着することによって取付けられ
る。このようにして碍子管７、端子板14aおよび外周壁2
2によってコイル体10を収容する真空室24が形成され
る。上記の端子板14aには第１超電導コイル８と第２超
電導コイル９のそれぞれの両端が平行に固着されてい
る。シール部材23と外周壁22が異なった厚さに形成され
ている理由は、シール部材23と外周壁22とが受ける変位
を異なったものとすることによって大径部12と外周壁22
との間の破壊を防止するためである。そして、端子板14
aのそれぞれの軸心部の外側に、行き止まり形のねじ孔2
5が形成され、例えばボルトを介して、端子板14aに他の
導体が接続される。
る。第１図は本発明に係る電流制限器の一実施例を示し
ている。この電流制限器６について説明すると、まず、
絶縁芯としては碍子管７を使用する。この碍子管７の外
周面の一端部から他端部にかけて、第２図に示すよう
に、第１超導電コイル８が所定の間隔をおいて所定の巻
数に巻回されている。さらに第１超電導コイル８に重ね
て第１超電導コイル８の巻回方向とは逆方向に、同じ巻
数の第２超電導コイル９が巻回されている。このように
して超電導コイル体10が形成される。また、碍子管７の
両端の開口部には、挿入部11と大径部12とからなり、挿
入部11が碍子管７の開口部にそれぞれ挿入された導電性
の端子板14aを有している。この端子板14aの大径部12は
超電導コイル体10の外径よりも大きく形成されている。
大径部12のそれぞれの外周端の一方から他方には、超電
導コイル体10の外周部と間隔をおいて外周壁22が取付け
られている。この外周壁22の取付けについて説明する
と、外周壁22の端面には外周壁22よりも薄いシール部材
23の周縁が環状に固着され、このシール部材23の他の周
縁を大径部12に環状に固着することによって取付けられ
る。このようにして碍子管７、端子板14aおよび外周壁2
2によってコイル体10を収容する真空室24が形成され
る。上記の端子板14aには第１超電導コイル８と第２超
電導コイル９のそれぞれの両端が平行に固着されてい
る。シール部材23と外周壁22が異なった厚さに形成され
ている理由は、シール部材23と外周壁22とが受ける変位
を異なったものとすることによって大径部12と外周壁22
との間の破壊を防止するためである。そして、端子板14
aのそれぞれの軸心部の外側に、行き止まり形のねじ孔2
5が形成され、例えばボルトを介して、端子板14aに他の
導体が接続される。
上記のように構成された電流制限器６を使用した動作
例を第３図ないし第６図に基づいて説明する。第３図は
従来の技術の項で説明した回路構成と同じであるから、
同じ符号を付し詳細な説明は省略する。
例を第３図ないし第６図に基づいて説明する。第３図は
従来の技術の項で説明した回路構成と同じであるから、
同じ符号を付し詳細な説明は省略する。
まず、第３図に示す回路において、この回路が正常に
動作しているときは所定の電流i0が電流制限器６を通し
て負荷５に流れる。この電流i0は電圧Ｅと全インピーダ
ンスＺによって決まる。この全インピーダンスＺは電流
制限器６のインピーダンスZsc、線路インピーダンス
Zl、および負荷インピーダンスZLの和である。この時、
電流制限器６は超電導状態にあり、電流i0は臨界電流J
c1よりも低い範囲の値である。電流i0は第１超電導コイ
ル８と第２超電導コイル９にそれぞれ電流iL1および電
流iL2として分流される。それぞれの電流iL1および電流
iL2は、第１超電導コイル８および第２超電導コイル９
の巻数が同じいで、鎖交磁束数も同じで、かつ互いに重
ねて巻回されているので近似した値である。第１超電導
コイル８と第２超電導コイル９には電流iL1およびiL2に
基づいて互いに逆方向で、かつほぼ同じ強度の起磁力が
作用し、この起磁力に応じてほぼ同じ値の磁束φ１およ
びφ２を生ずる。しかし、それぞれの磁束φ１およびφ
２は逆方向なので互いに打消しあい、第１超電導コイル
８と第２超電導コイル９のそれぞれのインダクタンスは
漏れ磁束分程度による極めて小さいものとなる。したが
って、電流制限器６は第４図に示すように漏れ磁束分に
よるインダクタンスをＬとすると、抵抗分が零でリアク
タンス分は微小のωL/2となるので、電圧降下を生ずる
ことはない。この時の状態を第６図（ａ）および（ｂ）
の「正常動作時」に示している。即ち、電流制限器６の
インピーダンスZsc、線路インピーダンスZl、および負
荷インピーダンスZL（図示省略）に基づいて電流i0が決
まり、この電流i0が第１超電導コイル８および第２超電
導コイル９によって電圧降下を受けることなく負荷５に
供給される。
動作しているときは所定の電流i0が電流制限器６を通し
て負荷５に流れる。この電流i0は電圧Ｅと全インピーダ
ンスＺによって決まる。この全インピーダンスＺは電流
制限器６のインピーダンスZsc、線路インピーダンス
Zl、および負荷インピーダンスZLの和である。この時、
電流制限器６は超電導状態にあり、電流i0は臨界電流J
c1よりも低い範囲の値である。電流i0は第１超電導コイ
ル８と第２超電導コイル９にそれぞれ電流iL1および電
流iL2として分流される。それぞれの電流iL1および電流
iL2は、第１超電導コイル８および第２超電導コイル９
の巻数が同じいで、鎖交磁束数も同じで、かつ互いに重
ねて巻回されているので近似した値である。第１超電導
コイル８と第２超電導コイル９には電流iL1およびiL2に
基づいて互いに逆方向で、かつほぼ同じ強度の起磁力が
作用し、この起磁力に応じてほぼ同じ値の磁束φ１およ
びφ２を生ずる。しかし、それぞれの磁束φ１およびφ
２は逆方向なので互いに打消しあい、第１超電導コイル
８と第２超電導コイル９のそれぞれのインダクタンスは
漏れ磁束分程度による極めて小さいものとなる。したが
って、電流制限器６は第４図に示すように漏れ磁束分に
よるインダクタンスをＬとすると、抵抗分が零でリアク
タンス分は微小のωL/2となるので、電圧降下を生ずる
ことはない。この時の状態を第６図（ａ）および（ｂ）
の「正常動作時」に示している。即ち、電流制限器６の
インピーダンスZsc、線路インピーダンスZl、および負
荷インピーダンスZL（図示省略）に基づいて電流i0が決
まり、この電流i0が第１超電導コイル８および第２超電
導コイル９によって電圧降下を受けることなく負荷５に
供給される。
次に、負荷５に短絡が生じたときの状態を第６図
（ａ）および（ｂ）に示された「クエンチ時」に基づい
て説明する。回路に短絡が生ずると、E/Zlによって与え
られる短絡電流ifが流れる。しかし、この短絡電流ifが
臨界電流Jc1を越えた瞬間に、第１超電流コイル８およ
び第２超電導コイル９はクエンチとなる。即ち、第１超
電導コイル８および第２超電導コイル９は常電導状態と
なるとともに第１超電導コイル８および第２超電導コイ
ル９のそれぞれの抵抗は抵抗値Rcに急速に高くなる。こ
の抵抗値Rcは上記したように第１超電導コイル８および
第２超電導コイル９の固有抵抗ρ（μΩ−cm）と長さｌ
（cm）との積に比例し、断面積Ａ（cm2）に反比例する
値である。抵抗が抵抗値Rcに急速に高くなることによっ
て、電流制限器６のインピーダンスZsc′が高くなる。
この状態の等価回路を第５図に示している。この等価回
路について説明すると、急速に高くなったそれぞれの抵
抗値RCに応じて第１超電導コイル８および第２超電導コ
イル９のインピーダンスZsc′は次式に示す極めて大き
な値となる。
（ａ）および（ｂ）に示された「クエンチ時」に基づい
て説明する。回路に短絡が生ずると、E/Zlによって与え
られる短絡電流ifが流れる。しかし、この短絡電流ifが
臨界電流Jc1を越えた瞬間に、第１超電流コイル８およ
び第２超電導コイル９はクエンチとなる。即ち、第１超
電導コイル８および第２超電導コイル９は常電導状態と
なるとともに第１超電導コイル８および第２超電導コイ
ル９のそれぞれの抵抗は抵抗値Rcに急速に高くなる。こ
の抵抗値Rcは上記したように第１超電導コイル８および
第２超電導コイル９の固有抵抗ρ（μΩ−cm）と長さｌ
（cm）との積に比例し、断面積Ａ（cm2）に反比例する
値である。抵抗が抵抗値Rcに急速に高くなることによっ
て、電流制限器６のインピーダンスZsc′が高くなる。
この状態の等価回路を第５図に示している。この等価回
路について説明すると、急速に高くなったそれぞれの抵
抗値RCに応じて第１超電導コイル８および第２超電導コ
イル９のインピーダンスZsc′は次式に示す極めて大き
な値となる。
この時、増加した抵抗値Rcに基づいて第１超電導コイ
ル８および第２超電導コイル９に流れる電流は第６図
（ａ）に示すように電流iT1およびiT2のように臨界電流
Jc1に近い値に制限される。なお、短絡電流ifが第１超
電導コイル８および第２超電導コイル９に分流したとき
にそれぞれの磁束は打消し合うが、インダクタンスＬ′
はこのときに生ずる僅かな漏れ磁束分によるものであ
る。したがって、インダクタンスＬ′は極めて小さいも
のとなるので、時定数も極めて小さくなり、急速に増加
した抵抗値Rcによって第１超電導コイル８および第２超
電導コイル９に流れる電流の時間の遅れがないように電
流iT1およびiT2に制限する。
ル８および第２超電導コイル９に流れる電流は第６図
（ａ）に示すように電流iT1およびiT2のように臨界電流
Jc1に近い値に制限される。なお、短絡電流ifが第１超
電導コイル８および第２超電導コイル９に分流したとき
にそれぞれの磁束は打消し合うが、インダクタンスＬ′
はこのときに生ずる僅かな漏れ磁束分によるものであ
る。したがって、インダクタンスＬ′は極めて小さいも
のとなるので、時定数も極めて小さくなり、急速に増加
した抵抗値Rcによって第１超電導コイル８および第２超
電導コイル９に流れる電流の時間の遅れがないように電
流iT1およびiT2に制限する。
また、本実施例にあっては第１超電導コイル８および
第２超電導コイル９が真空に保たれている。クエンチが
生じたときは第１超電導コイル８と第２超電導コイル９
に高電圧がかかるが、第１超電導コイル８と第２超電導
コイル９は真空中にあるので、空気中でクエンチが生じ
たときよりも高電圧に対する耐電圧値が高くなる。
第２超電導コイル９が真空に保たれている。クエンチが
生じたときは第１超電導コイル８と第２超電導コイル９
に高電圧がかかるが、第１超電導コイル８と第２超電導
コイル９は真空中にあるので、空気中でクエンチが生じ
たときよりも高電圧に対する耐電圧値が高くなる。
また、本実施例では第１超電導コイル８および第２超
電導コイル９のそれぞれの素材、巻数、および線径を選
択することによってクエンチ時のインピーダンスZsc′
および電流iT1、iT2を自由に選択できるので広範囲にわ
たる電流の制限ができ、また、正常時にはインダクタン
スＬを極めて小さくでき、かつインピーダンスZscを広
範囲に設定できるので無接点スイッチの実現が可能とな
る。
電導コイル９のそれぞれの素材、巻数、および線径を選
択することによってクエンチ時のインピーダンスZsc′
および電流iT1、iT2を自由に選択できるので広範囲にわ
たる電流の制限ができ、また、正常時にはインダクタン
スＬを極めて小さくでき、かつインピーダンスZscを広
範囲に設定できるので無接点スイッチの実現が可能とな
る。
なお、上記した実施例では絶縁芯として碍子管７を使
用したが耐熱性を有する他の絶縁材料でもよい。
用したが耐熱性を有する他の絶縁材料でもよい。
以上述べたことから本発明の電流制限器では絶縁芯の
両端面に対向して設けられた端子板に第１超電導コイル
および第２超電導コイルのそれぞれの両端を固着し、こ
れらの端子板に渡って外周壁を取り付けることにより、
簡易な構成によって超電導コイル体を収容する真空室を
容易に形成することができる。
両端面に対向して設けられた端子板に第１超電導コイル
および第２超電導コイルのそれぞれの両端を固着し、こ
れらの端子板に渡って外周壁を取り付けることにより、
簡易な構成によって超電導コイル体を収容する真空室を
容易に形成することができる。
第１図は本発明の電流制限器の一実施例を示す断面図、
第２図は超電導コイル体を示す斜視図、第３図は電流制
限器の使用例を示す回路図、第４図は電流制限器の正常
なときの状態を示す等価回路図、第５図は電流制限器の
クエンチのときの状態を示す等価回路図、第６図は電流
制限器の正常時とクエンチ時の状態を示すグラフ、第７
図は従来の電流制限体を示す斜視図、第８図は従来の電
流制限体の使用例を示す回路図、第９図は超電導体の臨
界電流と固有抵抗との関係を示すグラフである。 ６……電流制限器、７……絶縁芯（碍子管）、８……第
１超電導コイル、９……第２超電導コイル、10……超電
導コイル体、11……挿入部、12……大径部、14a……端
子板、22……外周壁、23……シール部材、24……真空
室、25……ねじ孔。
第２図は超電導コイル体を示す斜視図、第３図は電流制
限器の使用例を示す回路図、第４図は電流制限器の正常
なときの状態を示す等価回路図、第５図は電流制限器の
クエンチのときの状態を示す等価回路図、第６図は電流
制限器の正常時とクエンチ時の状態を示すグラフ、第７
図は従来の電流制限体を示す斜視図、第８図は従来の電
流制限体の使用例を示す回路図、第９図は超電導体の臨
界電流と固有抵抗との関係を示すグラフである。 ６……電流制限器、７……絶縁芯（碍子管）、８……第
１超電導コイル、９……第２超電導コイル、10……超電
導コイル体、11……挿入部、12……大径部、14a……端
子板、22……外周壁、23……シール部材、24……真空
室、25……ねじ孔。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 増田 義久 東京都府中市東芝町１ 株式会社東芝府 中工場内 (56)参考文献 特開 昭48−23391（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−27004（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−239876（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−292611（ＪＰ，Ａ) 実開 昭57−88901（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭57−124102（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭55−94071（ＪＰ，Ｕ) 特公 昭60−16081（ＪＰ，Ｂ２) 特公 昭48−2038（ＪＰ，Ｂ１)
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁芯の外周に巻回され、所定の臨界電流
値を有する第１超電導コイルと、 前記絶縁芯の外周に前記第１超電導コイルと同心に逆方
向に巻回され、前記第１超電導コイルとほぼ同一の臨界
電流値を有する第２超電導コイルと、 前記絶縁芯の両端面に対向して設けられ、前記第１超電
導コイルおよび前記第２超電導コイルのそれぞれの両端
が固着される端子板と、 前記端子板に渡って取り付けられ、前記絶縁芯、端子板
と共に真空室を形成し、この真空室に前記第１及び第２
の超電導コイルを収容する外周壁と、 を備えたことを特徴とする電流制限器。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63174251A JP2935235B2 (ja) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | 電流制限器 |
| US07/379,117 US5021914A (en) | 1988-07-13 | 1989-07-13 | Superconducting switch and current limiter using such a switch |
| EP89112845A EP0350916B1 (en) | 1988-07-13 | 1989-07-13 | Superconducting switch and current limiter using such a switch |
| DE68912431T DE68912431T2 (de) | 1988-07-13 | 1989-07-13 | Supraleitender Schalter und Strombegrenzer unter Verwendung eines solchen Schalters. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63174251A JP2935235B2 (ja) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | 電流制限器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0226224A JPH0226224A (ja) | 1990-01-29 |
| JP2935235B2 true JP2935235B2 (ja) | 1999-08-16 |
Family
ID=15975360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63174251A Expired - Fee Related JP2935235B2 (ja) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | 電流制限器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2935235B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6397032B1 (en) | 1999-09-10 | 2002-05-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus including a developer bearing member having multiple layers |
| CN103928214B (zh) * | 2014-03-26 | 2017-01-04 | 中国科学院电工研究所 | 一种应用于限流器的双柱双分裂电抗器 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4215935A (en) * | 1979-05-24 | 1980-08-05 | Loebach Ernst W | Method and device for the projection printing of a mask onto a semiconductor substrate |
| DE2927004A1 (de) * | 1979-07-04 | 1981-05-27 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Penicillansaeure-1,1-dioxide, ihre herstellung und ihre verwendung als arzneimittel als arzneimittel |
| JPS5788901U (ja) * | 1980-11-20 | 1982-06-01 | ||
| JPS57124102U (ja) * | 1981-01-26 | 1982-08-03 | ||
| JPS6016081A (ja) * | 1983-07-07 | 1985-01-26 | Nec Corp | 動画像信号の符号化・復号化方式とその装置 |
| JPS61176199A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-07 | 株式会社東芝 | Ｍｒｉ装置 |
| JPS6327004A (ja) * | 1986-07-21 | 1988-02-04 | Mitsubishi Electric Corp | 超電導電磁石装置 |
-
1988
- 1988-07-13 JP JP63174251A patent/JP2935235B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0226224A (ja) | 1990-01-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |