JP2930743B2 - 温度センサの製造方法 - Google Patents
温度センサの製造方法Info
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- JP2930743B2 JP2930743B2 JP1140191A JP1140191A JP2930743B2 JP 2930743 B2 JP2930743 B2 JP 2930743B2 JP 1140191 A JP1140191 A JP 1140191A JP 1140191 A JP1140191 A JP 1140191A JP 2930743 B2 JP2930743 B2 JP 2930743B2
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- JP
- Japan
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- resistor
- resistance value
- thermistor element
- electrode layer
- temperature sensor
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、サーミスタ素子を用い
た、温度センサの製造方法に関するものである。
た、温度センサの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来技術】従来公知の実公昭６１−４５４６４号公報
には、アルミナ基板に、電極層、サーミスタ素子及び抵
抗体を並列状態の１つの抵抗物となるように印刷焼成
し、前記抵抗物の抵抗値が、設定された誤差の範囲内に
ない場合には、前記抵抗物に、レーザー光またはアルミ
ナサンド吹付けにより抵抗値を修正して、抵抗値と温度
変化の直線性を改善する温度センサの製造技術について
記載されている。
には、アルミナ基板に、電極層、サーミスタ素子及び抵
抗体を並列状態の１つの抵抗物となるように印刷焼成
し、前記抵抗物の抵抗値が、設定された誤差の範囲内に
ない場合には、前記抵抗物に、レーザー光またはアルミ
ナサンド吹付けにより抵抗値を修正して、抵抗値と温度
変化の直線性を改善する温度センサの製造技術について
記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記公知の抵抗物の抵
抗値は、サーミスタ素子と抵抗体を並列状態に接続した
抵抗物全体の抵抗値であり、抵抗体単体の抵抗値ではな
い。そこに問題がある。サーミスタ素子は、もともと温
度変化によって抵抗値が種々変化するという特性を持っ
ている。そのため、サーミスタ素子と抵抗体を並列状態
にしたものは、サーミスタ素子の抵抗値が修正作業に基
づく過熱で種々変化するから、抵抗物全体の抵抗値は修
正作業と無関係に変化し、抵抗体の正しい抵抗値の測定
ができない。
抗値は、サーミスタ素子と抵抗体を並列状態に接続した
抵抗物全体の抵抗値であり、抵抗体単体の抵抗値ではな
い。そこに問題がある。サーミスタ素子は、もともと温
度変化によって抵抗値が種々変化するという特性を持っ
ている。そのため、サーミスタ素子と抵抗体を並列状態
にしたものは、サーミスタ素子の抵抗値が修正作業に基
づく過熱で種々変化するから、抵抗物全体の抵抗値は修
正作業と無関係に変化し、抵抗体の正しい抵抗値の測定
ができない。
【０００４】
【発明の目的】サーミスタ素子と抵抗体を並列回路にす
るということは同じであっても、サーミスタ素子と抵抗
体、特に抵抗体の抵抗値を単独で測定できるように当初
作っておき、温度条件では殆んど変化しない抵抗体の抵
抗値を測定しながら修正し、その後並列回路を完成させ
るという方法にすると、修正中、サーミスタ素子の抵抗
値が過熱により変化しても、抵抗体の抵抗値とは無関係
なので、正確な修正ができる道理である。
るということは同じであっても、サーミスタ素子と抵抗
体、特に抵抗体の抵抗値を単独で測定できるように当初
作っておき、温度条件では殆んど変化しない抵抗体の抵
抗値を測定しながら修正し、その後並列回路を完成させ
るという方法にすると、修正中、サーミスタ素子の抵抗
値が過熱により変化しても、抵抗体の抵抗値とは無関係
なので、正確な修正ができる道理である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】よって、本発明は、サー
ミスタ素子と抵抗体を並列回路にした温度センサにおい
て、前記サーミスタ素子と前記抵抗体の並列回路は当初
不完全回路としておき、その状態で、前記サーミスタ素
子のみの抵抗値を単独測定することにより前記抵抗体が
必要とする抵抗値を求め、ついで前記抵抗体のみの抵抗
値を測定しながらレーザー光またはアルミナサンド吹付
けにより求めた抵抗値になるように抵抗体を修正し、そ
の後完全並列回路に結合する温度センサの製造方法とし
たものである。
ミスタ素子と抵抗体を並列回路にした温度センサにおい
て、前記サーミスタ素子と前記抵抗体の並列回路は当初
不完全回路としておき、その状態で、前記サーミスタ素
子のみの抵抗値を単独測定することにより前記抵抗体が
必要とする抵抗値を求め、ついで前記抵抗体のみの抵抗
値を測定しながらレーザー光またはアルミナサンド吹付
けにより求めた抵抗値になるように抵抗体を修正し、そ
の後完全並列回路に結合する温度センサの製造方法とし
たものである。
【０００６】
【実施例】本発明による具体的な製造方法を説明する
と、アルミナ等の基板１の上面に、電極ペーストを印刷
焼成して、互いに独立した右電極層２、左電極層３及び
中電極層４を形成する（第１図）。
と、アルミナ等の基板１の上面に、電極ペーストを印刷
焼成して、互いに独立した右電極層２、左電極層３及び
中電極層４を形成する（第１図）。
【０００７】右電極層２及び左電極層３の上方端部５、
６は相対向させ、その間にサーミスタペーストの印刷焼
成によりサーミスタ素子７を形成し、右電極層２と左電
極層３とを導通させる。また、前記左電極層３と前記中
電極層４との間には、抵抗ペーストを印刷焼成して、抵
抗体８を形成し、左電極層３と中電極層４とを導通させ
る（第２図）。
６は相対向させ、その間にサーミスタペーストの印刷焼
成によりサーミスタ素子７を形成し、右電極層２と左電
極層３とを導通させる。また、前記左電極層３と前記中
電極層４との間には、抵抗ペーストを印刷焼成して、抵
抗体８を形成し、左電極層３と中電極層４とを導通させ
る（第２図）。
【０００８】前記抵抗体８は若干小さな抵抗値に形成
し、対となる印刷されたサーミスタ素子７の抵抗値に合
わせて、トリミング加工により補正溝９を形成し、抵抗
値を最適値に補正修正できるようにする（詳細は後述す
る）。
し、対となる印刷されたサーミスタ素子７の抵抗値に合
わせて、トリミング加工により補正溝９を形成し、抵抗
値を最適値に補正修正できるようにする（詳細は後述す
る）。
【０００９】次に、各右電極層２、左電極層３及び中電
極層４の下端部を除いて、ガラスペーストを印刷焼成し
て全表面をガラス層１０で被覆する。この時、なるべ
く、ガラスは紫外線吸収率の高いものを使用する。
極層４の下端部を除いて、ガラスペーストを印刷焼成し
て全表面をガラス層１０で被覆する。この時、なるべ
く、ガラスは紫外線吸収率の高いものを使用する。
【００１０】この状態で、右電極層２及び左電極層３の
下端露出部にテスターのプローブ１３を当ててサーミス
タ素子７単体の実際の抵抗値を測定し（第３図）、該測
定値により必要とされる抵抗体８の抵抗値を計算する。
このとき、サーミスタ素子７にはレーザー光等の熱源が
与えていないから常温での抵抗値が測定される。
下端露出部にテスターのプローブ１３を当ててサーミス
タ素子７単体の実際の抵抗値を測定し（第３図）、該測
定値により必要とされる抵抗体８の抵抗値を計算する。
このとき、サーミスタ素子７にはレーザー光等の熱源が
与えていないから常温での抵抗値が測定される。
【００１１】抵抗体８に必要とされる最適な抵抗値の計
算値が求められたら、左電極層３と中電極層４の下端露
出部にプローブ１３を当てて、抵抗体８単体の抵抗値を
求める（第４図）。このとき、印刷された抵抗体８の当
初の抵抗値が、要求値より高くなることが無いように、
当初の抵抗値を必要最大限で小さく形成しておく。
算値が求められたら、左電極層３と中電極層４の下端露
出部にプローブ１３を当てて、抵抗体８単体の抵抗値を
求める（第４図）。このとき、印刷された抵抗体８の当
初の抵抗値が、要求値より高くなることが無いように、
当初の抵抗値を必要最大限で小さく形成しておく。
【００１２】抵抗体８単独の抵抗値の測定と並行して、
レーザー光またはアルミナサンドによるトリミング加工
を施して、抵抗体８の抵抗値が前記計算値になるまで抵
抗体８に補正溝９を形成し、抵抗値を増大補正する。こ
の際、公知例と同様にサーミスタ素子７は過熱されて抵
抗値が変化するが、サーミスタ素子７は、抵抗体８とは
独立しているため、抵抗体８の抵抗値の測定には影響は
全くない。また、抵抗値の補正は、測定作業と並行して
行うことにより、サーミスタ素子７及び抵抗体８の個体
差によるバラツキが無い正確な素子を形成できる。
レーザー光またはアルミナサンドによるトリミング加工
を施して、抵抗体８の抵抗値が前記計算値になるまで抵
抗体８に補正溝９を形成し、抵抗値を増大補正する。こ
の際、公知例と同様にサーミスタ素子７は過熱されて抵
抗値が変化するが、サーミスタ素子７は、抵抗体８とは
独立しているため、抵抗体８の抵抗値の測定には影響は
全くない。また、抵抗値の補正は、測定作業と並行して
行うことにより、サーミスタ素子７及び抵抗体８の個体
差によるバラツキが無い正確な素子を形成できる。
【００１３】以上の作業において、ガラスペーストの被
覆とトリミング加工の順番を逆にしても差し支えない。
覆とトリミング加工の順番を逆にしても差し支えない。
【００１４】次に、右電極層２と中電極層４の下端露出
部にリード線１１の先端を跨ぐように配置してから、半
田付１４により両者に同時に結線し、左電極層３の下端
露出部には他方のリード線１２の先端を半田付１５によ
り結線する。これにより、サーミスタ素子７と抵抗体８
は完全な並列回路となる。また、所望により、シリコン
塗料およびエポキシ塗料により全体を被覆する。
部にリード線１１の先端を跨ぐように配置してから、半
田付１４により両者に同時に結線し、左電極層３の下端
露出部には他方のリード線１２の先端を半田付１５によ
り結線する。これにより、サーミスタ素子７と抵抗体８
は完全な並列回路となる。また、所望により、シリコン
塗料およびエポキシ塗料により全体を被覆する。
【００１５】なお、前記公知のものは、サーミスタ素子
２個と抵抗体２個を使用し、構造複雑であったが、本発
明により得られる温度センサは、サーミスタ素子１個と
抵抗体１個により製造でき、安価でかつ安定した製品と
なる。
２個と抵抗体２個を使用し、構造複雑であったが、本発
明により得られる温度センサは、サーミスタ素子１個と
抵抗体１個により製造でき、安価でかつ安定した製品と
なる。
【００１６】
【発明の効果】従来公知の実公昭６１−４５４６４号公
報には、アルミナ基板に、電極層、サーミスタ素子及び
抵抗体を並列状態の１つの抵抗物となるように印刷焼成
し、前記抵抗物の抵抗値が、設定された誤差の範囲内に
ない場合には、前記抵抗物に、レーザー光またはアルミ
ナサンド吹付けにより抵抗値を修正して、抵抗値と温度
変化の直線性を改善する温度センサの製造技術について
記載されている。前記公知の抵抗物の抵抗値は、サーミ
スタ素子と抵抗体を並列状態に接続した抵抗物全体の抵
抗値であり、抵抗体単体の抵抗値ではない。そこに問題
がある。サーミスタ素子は、もともと温度変化によって
抵抗値が種々変化するという特性を持っている。そのた
め、サーミスタ素子と抵抗体を並列状態にしたものは、
サーミスタ素子の抵抗値が修正作業に基づく過熱で種々
変化するから、抵抗物全体の抵抗値は修正作業と無関係
に変化し、抵抗体の正しい抵抗値の測定ができない。し
かるに、本発明は、サーミスタ素子と抵抗体を並列回路
にした温度センサにおいて、前記サーミスタ素子と前記
抵抗体の並列回路は当初不完全回路としておき、その状
態で、前記サーミスタ素子のみの抵抗値を単独測定する
ことにより前記抵抗体が必要とする抵抗値を求め、つい
で前記抵抗体のみの抵抗値を測定しながらレーザー光ま
たはアルミナサンド吹付けにより求めた抵抗値になるよ
うに抵抗体を修正し、その後完全並列回路に結合する温
度センサの製造方法としたものであるから、抵抗値の補
正の際には、サーミスタ素子７は過熱されて抵抗値が変
化するが、抵抗体８の抵抗値の測定には影響がなく、正
確な抵抗値の測定及び補正が可能となる。
報には、アルミナ基板に、電極層、サーミスタ素子及び
抵抗体を並列状態の１つの抵抗物となるように印刷焼成
し、前記抵抗物の抵抗値が、設定された誤差の範囲内に
ない場合には、前記抵抗物に、レーザー光またはアルミ
ナサンド吹付けにより抵抗値を修正して、抵抗値と温度
変化の直線性を改善する温度センサの製造技術について
記載されている。前記公知の抵抗物の抵抗値は、サーミ
スタ素子と抵抗体を並列状態に接続した抵抗物全体の抵
抗値であり、抵抗体単体の抵抗値ではない。そこに問題
がある。サーミスタ素子は、もともと温度変化によって
抵抗値が種々変化するという特性を持っている。そのた
め、サーミスタ素子と抵抗体を並列状態にしたものは、
サーミスタ素子の抵抗値が修正作業に基づく過熱で種々
変化するから、抵抗物全体の抵抗値は修正作業と無関係
に変化し、抵抗体の正しい抵抗値の測定ができない。し
かるに、本発明は、サーミスタ素子と抵抗体を並列回路
にした温度センサにおいて、前記サーミスタ素子と前記
抵抗体の並列回路は当初不完全回路としておき、その状
態で、前記サーミスタ素子のみの抵抗値を単独測定する
ことにより前記抵抗体が必要とする抵抗値を求め、つい
で前記抵抗体のみの抵抗値を測定しながらレーザー光ま
たはアルミナサンド吹付けにより求めた抵抗値になるよ
うに抵抗体を修正し、その後完全並列回路に結合する温
度センサの製造方法としたものであるから、抵抗値の補
正の際には、サーミスタ素子７は過熱されて抵抗値が変
化するが、抵抗体８の抵抗値の測定には影響がなく、正
確な抵抗値の測定及び補正が可能となる。
【図１】 基板１に各電極層を印刷焼成した平面図。
【図２】 第１図にサーミスタ素子７と抵抗体８を印刷
焼成した平面図。
焼成した平面図。
【図３】 サーミスタ素子７の抵抗値測定の説明図。
【図４】 抵抗体８の抵抗値測定およびトリミング加工
の説明図。
の説明図。
【図５】 温度センサの最終工程図。
【図６】 ＡーＡ断面図。
１…基板、２…右電極層、３…左電極層、４…中電極
層、５…上方端部、６…上方端部、７…サーミスタ素
子、８…抵抗体、９…補正溝、１０…ガラス層、１１…
リード線、１２…リード線、１３…プローブ、１４…半
田付、１５…半田付。
層、５…上方端部、６…上方端部、７…サーミスタ素
子、８…抵抗体、９…補正溝、１０…ガラス層、１１…
リード線、１２…リード線、１３…プローブ、１４…半
田付、１５…半田付。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 土肥 貞 富山県富山市月岡町３丁目６番地 立山 科学工業株式会社内 (72)発明者 堀田 孝章 富山県富山市月岡町３丁目６番地 立山 科学工業株式会社内 (72)発明者 本田 憲市 富山県富山市月岡町３丁目６番地 立山 科学工業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭52−66476（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−102331（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G01K 7/22
Claims (1)
- 【請求項１】 サーミスタ素子と抵抗体を並列回路にし
た温度センサにおいて、前記サーミスタ素子と前記抵抗
体の並列回路は当初不完全回路としておき、その状態
で、前記サーミスタ素子のみの抵抗値を単独測定するこ
とにより前記抵抗体が必要とする抵抗値を求め、ついで
前記抵抗体のみの抵抗値を測定しながらレーザー光また
はアルミナサンド吹付けにより求めた抵抗値になるよう
に抵抗体を修正し、その後完全並列回路に結合する温度
センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1140191A JP2930743B2 (ja) | 1991-01-07 | 1991-01-07 | 温度センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1140191A JP2930743B2 (ja) | 1991-01-07 | 1991-01-07 | 温度センサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04249724A JPH04249724A (ja) | 1992-09-04 |
| JP2930743B2 true JP2930743B2 (ja) | 1999-08-03 |
Family
ID=11776996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1140191A Expired - Fee Related JP2930743B2 (ja) | 1991-01-07 | 1991-01-07 | 温度センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2930743B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3204143B2 (ja) * | 1997-01-06 | 2001-09-04 | 日本電気株式会社 | ディスクキャッシュの制御方法 |
-
1991
- 1991-01-07 JP JP1140191A patent/JP2930743B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04249724A (ja) | 1992-09-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990427 |
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