JP2919223B2 - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

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JP2919223B2
JP2919223B2 JP9636593A JP9636593A JP2919223B2 JP 2919223 B2 JP2919223 B2 JP 2919223B2 JP 9636593 A JP9636593 A JP 9636593A JP 9636593 A JP9636593 A JP 9636593A JP 2919223 B2 JP2919223 B2 JP 2919223B2
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chip
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、半導体集積回路においては、ウ
ェハ製造後に、ウェハ上の全ての半導体チップ(以下、
チップと略称する)の特性を試験するためのウェハ試験
が行われる。その場合においては、ウェハ上に配置され
ているチップ内の周辺に配置した、外部のICテスタ等
の信号の入力用、またはチップ内部の信号の出力用とし
て使用されるパッド状の端子(以下、信号入出力用パッ
ドと云う)に、所定の信号を印加したり、または取込む
ための針(以下、信号印加針と云う)が接続される。前
記信号入出力用パッドと前記信号印加針との間の接続に
ついては、前記信号入出力用パッドより入力される信号
を内部領域に伝達する回路(以下、入力保護回路と云
う)、ならびに内部領域の信号を信号入出力用パッドに
伝達するための回路(以下、出力バッファと云う)のダ
イオード特性を、信号入出力用パッドより或る一定の電
流を与えて、その時の電圧値を検出することにより確認
されている。
2. Description of the Related Art Generally, in a semiconductor integrated circuit, after a wafer is manufactured, all the semiconductor chips (hereinafter, referred to as "chips") on the wafer are manufactured.
A wafer test is performed to test the characteristics of the chip. In this case, a pad-shaped terminal (hereinafter, referred to as an external IC tester) used for inputting a signal from an external IC tester or the like, or used for outputting a signal inside the chip, is arranged around the chip arranged on the wafer. A needle (hereinafter, referred to as a signal application needle) for applying or taking in a predetermined signal is connected to the signal input / output pad. As for the connection between the signal input / output pad and the signal application needle, a circuit for transmitting a signal input from the signal input / output pad to an internal area (hereinafter referred to as an input protection circuit), and an internal area The diode characteristic of a circuit for transmitting the signal to the signal input / output pad (hereinafter referred to as an output buffer) is determined by applying a certain current from the signal input / output pad and detecting the voltage value at that time. Has been confirmed by

【0003】従来の半導体集積回路の一例を図3に示
す。図3において、ウェハ上チップ1には、チップ内部
の回路を構成するための内部領域7が含まれており、ま
た、内部領域7の周辺には、入力保護回路5および出力
バッファ6等が配置されており、また、これらの入力保
護回路5および出力バッファ6の外側には、信号入出力
用パッド2が配置されている。なお、図3においては、
信号入出力用パッド2をチップの一辺の真中にそれぞれ
1個(総計4個)、入力保護回路5および出力バッファ
6は、それぞれ1個づつの回路構成により代表表示され
ている。前記ウェハ上チップ1は、図4(a)に示され
るように、ウェハ8に縦横数個づつ配置されている。ま
た、これらのウェハ上チップ間には、スクライブ領域4
が介在している。ウェハ8のウェハ試験においては、図
4(a)に示されるように、通常、ウェハ上チップ1に
おける信号入出力用パッド2と同数で、同位置に配置さ
れている信号印加針3を設けて、これらの信号印加針3
とテスタ信号端子との接続を行うための基板を形成する
プローブカード10を使用して行われる。なお、信号印
加針3と外部のICテスタの信号端子との接続は、プロ
ーブカード10上のICテスタ信号端子との接続部9を
介して行われる。そして、前記ウェハ試験を行う際に
は、図4(b)にウェハ8とプローブカード10におけ
るI−I’断面図に示されるように、信号入出力用パッ
ド2と信号印加針3とは全て電気的に接続されていなけ
ればならない。このために、信号入出力用パッド2と信
号印加針3との接続については、ウェハを手動にて移動
させて、黙視によりその位置を確認し、全信号入力用パ
ッド2について、コンタクトチェックを繰返すことによ
り行われている。
FIG. 3 shows an example of a conventional semiconductor integrated circuit. In FIG. 3, the on-wafer chip 1 includes an internal region 7 for forming a circuit inside the chip, and an input protection circuit 5 and an output buffer 6 are arranged around the internal region 7. A signal input / output pad 2 is arranged outside the input protection circuit 5 and the output buffer 6. In FIG. 3,
One signal input / output pad 2 is provided in the middle of one side of the chip (a total of four pads), and the input protection circuit 5 and the output buffer 6 are represented by one circuit configuration. As shown in FIG. 4 (a), the on-wafer chips 1 are arranged on the wafer 8 in several vertical and horizontal directions. A scribe area 4 is provided between the chips on the wafer.
Is interposed. In the wafer test of the wafer 8, as shown in FIG. 4 (a), usually, the same number of signal input / output pads 2 as the signal input / output pads 2 on the on-wafer chip 1 are provided and the signal application needles 3 arranged at the same position are provided. , These signal applying needles 3
This is performed using a probe card 10 that forms a substrate for connecting the tester signal terminals to the tester signal terminals. The connection between the signal application needle 3 and the signal terminal of the external IC tester is made via a connection portion 9 for connecting to the IC tester signal terminal on the probe card 10. When the wafer test is performed, the signal input / output pad 2 and the signal applying needle 3 are all connected to each other as shown in the II ′ cross-sectional view of the wafer 8 and the probe card 10 in FIG. Must be electrically connected. For this purpose, regarding the connection between the signal input / output pads 2 and the signal applying needles 3, the wafer is manually moved, the position is confirmed by silent gaze, and the contact check is repeated for all the signal input pads 2. It is done by that.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
集積回路においては、信号入出力用パッド2と信号印加
針3との接続についてのコンタンクトチェックは、チッ
プ上におけるこれらの信号入出力用パッド2と信号印加
針3との接続の可否を判定しているのみであり、信号印
加針3が接続されるべき信号入出力用パッド2に対する
接続のずれの程度を検出することは不可能である。従っ
て、信号印加針3に対するウェハの位置を調整する目安
がなく、このために、信号印加針3に対するウェハ位置
の調整が困難であるという欠点がある。
In the above-described conventional semiconductor integrated circuit, a contact check on the connection between the signal input / output pad 2 and the signal applying needle 3 is performed on the chip on the chip. It is only determined whether or not connection between the signal application needle 3 and the signal application needle 3 is possible, and it is impossible to detect the degree of connection deviation with respect to the signal input / output pad 2 to which the signal application needle 3 is to be connected. . Therefore, there is no standard for adjusting the position of the wafer with respect to the signal applying needles 3, and therefore, there is a disadvantage that it is difficult to adjust the wafer position with respect to the signal applying needles 3.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】第1の発明の半導体集積
回路は、ウェハ上チップ内の周辺に所定の信号入出力用
パッドが配置され、当該信号入出力用パッドの内側に入
力保護回路および出力バッファが配置されて、更にこれ
らの入力保護回路および出力バッファの内側に内部領域
を有する半導体集積回路において、前記ウェハ上チップ
における四つの隅に位置指定されるA、B、CおよびD
の各位置に対応して、長辺が前記信号入出力用パッドの
一辺の長さよりも長く、且つ短辺が前記信号入出力用パ
ッドの一辺の長さよりも短かい形状に設定され、前記A
および対角位置に対応するCにより指定される2隅の位
置に、前記長辺が当該ウェハ上チップの一辺に平行な向
きになるように配置される複数のコンタクトチェック専
用パッドと、長辺が前記信号入出力用パッドの一辺の長
さよりも長く、且つ短辺が前記信号入出力用パッドの一
辺の長さよりも短かい形状に設定され、前記Bおよび対
角位置に対応するDにより指定される2隅の位置に、前
記長辺が当該ウェハ上チップの前記一辺に直交する他の
一辺に平行な向きになるように配置される複数のコンタ
クトチェック専用パッドと、前記4隅にそれぞれ配置さ
れる前記コンタクトチェック専用パッドの相互に隣接す
るパッド間に接続される複数の抵抗値の異なる抵抗素子
とを、少なくとも前記信号入出力用パッドと所定の信号
印加針とを接続するためのウェハ位置調整用として備え
をことを特徴としている。
In a semiconductor integrated circuit according to a first aspect of the present invention, a predetermined signal input / output pad is arranged around a chip on a wafer, and an input protection circuit and an input protection circuit are provided inside the signal input / output pad. In a semiconductor integrated circuit having an output buffer disposed therein and further having an internal area inside the input protection circuit and the output buffer, A, B, C and D positioned at four corners of the on-wafer chip
Corresponding to each of the positions, the long side is set to be longer than the length of one side of the signal input / output pad, and the short side is set to be shorter than the length of one side of the signal input / output pad;
And a plurality of contact check pads arranged such that the long side is parallel to one side of the chip on the wafer at two corner positions specified by C corresponding to the diagonal positions, The shape is set to be longer than the length of one side of the signal input / output pad and the shorter side is shorter than the length of one side of the signal input / output pad, and designated by B and D corresponding to a diagonal position. A plurality of contact check pads arranged such that the long side is in a direction parallel to the other side orthogonal to the one side of the chip on the wafer at two corner positions; A plurality of resistive elements having different resistance values connected between mutually adjacent pads of the contact check dedicated pad are connected to at least the signal input / output pad and a predetermined signal applying needle. Is characterized by a comprising a wafer alignment for.

【0006】また第2の発明の半導体集積回路は、ウェ
ハ上チップ内の周辺に所定の信号入出力用パッドが配置
され、当該信号入出力用パッドの内側に入力保護回路お
よび出力バッファが配置されて、更にこれらの入力保護
回路および出力バッファの内側に内部領域を有する半導
体集積回路において、前記ウェハ上チップにおける四つ
の隅に位置指定されるA、B、CおよびDの各位置に対
応して、長辺が前記信号入出力用パッドの一辺の長さよ
りも長く、且つ短辺が前記信号入出力用パッドの一辺の
長さよりも短かい形状に設定され、前記Aおよび対角位
置に対応するCにより指定される2隅の位置に、前記長
辺が当該ウェハ上チップの一辺に平行な向きになるよう
に配置される複数(奇数)のコンタクトチェック専用パ
ッドと、長辺が前記信号入出力用パッドの一辺の長さよ
りも長く、且つ短辺が前記信号入出力用パッドの一辺の
長さよりも短かい形状に設定され、前記Bおよび対角位
置に対応するDにより指定される2隅の位置に、前記長
辺が当該ウェハ上チップの前記一辺に直交する他の一辺
に平行な向きになるように配置される複数(奇数)のコ
ンタクトチェック専用パッドと、前記4隅にそれぞれ配
置される前記コンタクトチェック専用パッドの相互に隣
接するパッド間に接続される複数の抵抗値の異なる抵抗
素子とを、少なくとも前記信号入出力用パッドと所定の
信号印加針とを接続するためのウェハ位置調整用として
備えるとともに、前記AおよびCにより指定される2隅
の位置に配置されるコンタクトチェック専用パッドの中
央部に位置するそれぞれのコンタクトチェック専用パッ
を所定の配線により接続すると共に、前記BおよびD
により指定される2隅の位置に配置されるコンタクトチ
ェック専用パッドの中央部に位置するそれぞれのコンタ
クトチェック専用パッドを所定の配線により接続するこ
とを特徴としている。
In a semiconductor integrated circuit according to a second aspect of the present invention, predetermined signal input / output pads are arranged around a chip on a wafer, and an input protection circuit and an output buffer are arranged inside the signal input / output pads. Further, in a semiconductor integrated circuit having an internal area inside the input protection circuit and the output buffer, the semiconductor integrated circuit may correspond to each of the positions A, B, C and D specified at the four corners of the chip on the wafer. The long side is set to be longer than the length of one side of the signal input / output pad, and the short side is set to be shorter than the length of one side of the signal input / output pad, corresponding to the A and the diagonal position. A plurality of (odd) contact check pads arranged so that the long side is parallel to one side of the chip on the wafer at two corner positions designated by C; The shape is set to be longer than the length of one side of the signal input / output pad and the shorter side is shorter than the length of one side of the signal input / output pad, and is designated by B and D corresponding to the diagonal position. A plurality of (odd) contact check-dedicated pads arranged at two corners such that the long side is in a direction parallel to the other side perpendicular to the one side of the chip on the wafer; A plurality of resistive elements having different resistance values connected between mutually adjacent pads of the contact check dedicated pads arranged, and a wafer for connecting at least the signal input / output pads and predetermined signal applying needles; together provided for the position adjustment, each contactor is located in central contact check dedicated pads disposed in two corners of the position specified by the a and C Check dedicated pad while connected by predetermined wiring, the B and D
It is characterized by connecting the respective contour <br/> transfected check only pad of Jo Tokoro wire positioned at the center of the contact check dedicated pads disposed in two corners of the position specified by the.

【0007】[0007]

【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
Next, the present invention will be described with reference to the drawings.

【0008】図1は本発明の第1の実施例におけるウェ
ハ上チップにおける構成配置図であり、プローブカード
の信号印加針が接続されている状態を示す構成図であ
る。図1に示されるように、本実施例におけるウェハ上
チップ1には、同一プローブカード上の他のウェハ上チ
ップとの間に介在するスクライブ領域4に対応して、4
個の信号入出力用パッド2と、それぞれの信号入出力用
パッド2に対応する4個の信号印加針3と、コンタクト
チェック専用パッドP1〜P16と、抵抗素子R1〜R
12と、コンタクトチェック専用信号印加針S1〜S8
とが配置されている。なお、図1においては、入力保護
回路および出力バッファ等は図示されていない。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a chip on a wafer according to a first embodiment of the present invention, and is a configuration diagram showing a state in which signal applying needles of a probe card are connected. As shown in FIG. 1, the on-wafer chip 1 according to the present embodiment has four scribe areas 4 corresponding to scribe areas 4 interposed between other on-wafer chips on the same probe card.
Signal input / output pads 2, four signal application needles 3 corresponding to each signal input / output pad 2, contact check pads P1 to P16, and resistance elements R1 to R
12 and contact check dedicated signal applying needles S1 to S8
And are arranged. In FIG. 1, an input protection circuit, an output buffer, and the like are not shown.

【0009】図1において、ウェハ上チップ1、信号入
出力用パッド2、信号印加針3およびスクライブ領域4
は、図3における従来例の場合と同一である。本実施例
においては、コンタクトチェック専用パッドP1〜P4
は、図面に向って左上の隅に等間隔で配置されており、
コンタクトチェック専用パッドP5〜P8は、図面に向
って右上の隅に等間隔で配置され、コンタクトチェック
専用パッドP9〜P12は、図面に向って右下の隅に等
間隔で配置されて、コンタクトチェック専用パッドP1
3〜P16は、図面に向って左下の隅に等間隔で配置さ
れている。また、隣接するコンタクトチェック専用パッ
ドP1−P2間、P2−P3間、P3−P4間、P5−
P6間、P6−P7間、P7−P8間、P9−P10
間、P10−P11間、P11−P12間、P13−P
14間、P14−P15間、およびP15−P16間に
は、それぞれ抵抗素子R1、R2、R3、R4、R5、
R6、R7、R8、R9、R10、R11およびR12
が接続されている。コンタクトチェック専用信号印加針
S1〜S8は、それぞれウェハ上チップ上の四隅の4個
のコンタクトチェック専用パッドの中央部に配置されて
いる二つのコンタクトチェック専用パッドP2およびP
3、P6およびP7、P10およびP11、P14およ
びP15に接続され、これにより、全ての信号入出力用
パッド2と全ての信号印加針3とが接続されるように、
それぞれの構成要素がプローブカードに配置されてい
る。コンタクトチェック専用P1〜P16は、一辺が信
号入出力用パッド2の一辺の長さよりも長く、他の一辺
が信号入出力用パッド2の一辺の長さよりも短かい長方
形をしており、それぞれ4個づつ等間隔に並べられて、
図1に示されるような向きに配置されている。また、抵
抗素子R1〜R3、R4〜R6、R7〜R9、およびR
10〜R12は、それぞれ3個の抵抗値が異なる値に設
定されており、それらの抵抗値は予め測定されて明確に
規定されている。
In FIG. 1, an on-wafer chip 1, signal input / output pads 2, signal application needles 3, and scribe areas 4 are provided.
Is the same as that of the conventional example in FIG. In this embodiment, the contact check pads P1 to P4
Are equally spaced in the upper left corner of the drawing,
The contact check pads P5 to P8 are arranged at regular intervals in the upper right corner of the drawing, and the contact check pads P9 to P12 are arranged at regular intervals in the lower right corner of the drawing. Dedicated pad P1
3 to P16 are arranged at equal intervals in the lower left corner of the drawing. In addition, adjacent contact check pads P1-P2, P2-P3, P3-P4, P5-
P6, P6-P7, P7-P8, P9-P10
, P10-P11, P11-P12, P13-P
14, between P14 and P15, and between P15 and P16, respectively, the resistance elements R1, R2, R3, R4, R5,
R6, R7, R8, R9, R10, R11 and R12
Is connected. The contact check dedicated signal applying needles S1 to S8 are respectively connected to two contact check dedicated pads P2 and P2 arranged at the center of four contact check dedicated pads at four corners on the chip on the wafer.
3, P6 and P7, P10 and P11, P14 and P15, so that all signal input / output pads 2 and all signal applying needles 3 are connected.
Each component is located on the probe card. Each of the contact check dedicated P1 to P16 has a rectangular shape in which one side is longer than the length of one side of the signal input / output pad 2 and the other side is shorter than the length of one side of the signal input / output pad 2. Are arranged at equal intervals one by one,
They are arranged in the orientation as shown in FIG. Further, the resistance elements R1 to R3, R4 to R6, R7 to R9, and R
In each of 10 to R12, three resistance values are set to different values, and those resistance values are measured in advance and clearly defined.

【0010】ウェハ試験時においては、まず全ての信号
入出力用パッド25と対応する信号印加針3との位置関
係を黙視により確認し、プローブカードに対するウェハ
上チップ1の位置合わせが、ウェハを移動させながら行
われる。次いで、コンタクトチェック専用信号印加針S
1−S2間、S3−S4間、S5−S6間、およびS7
−S8間に電位差を与えて、これにより流入する電流値
より抵抗値を算出し、この抵抗値の算出結果により、コ
ンタクトチェック専用信号印加針S1〜S8が接続され
ている、コンタクトチェック専用パッドP2、P3、P
6、P7、P10、P11、P14およびP15に対す
る良否判定が行われる。このようにして、信号印加針3
が接続される信号入出力用パッド2に対するズレの程度
が検出される。
At the time of a wafer test, the positional relationship between all the signal input / output pads 25 and the corresponding signal applying needles 3 is first checked by visual inspection, and the positioning of the chip 1 on the wafer with respect to the probe card moves the wafer. It is performed while letting. Next, the signal applying needle S dedicated for contact check
1-S2, S3-S4, S5-S6, and S7
A potential difference is applied between −S8, and a resistance value is calculated from a current value flowing into the potential pad. Based on the calculation result of the resistance value, a contact check dedicated pad P2 to which the contact check dedicated signal applying needles S1 to S8 are connected. , P3, P
6, P7, P10, P11, P14 and P15 are determined. Thus, the signal applying needle 3
Is detected with respect to the signal input / output pad 2 to which is connected.

【0011】図2は、本発明の第2の実施例におけるウ
ェハ上チップにおける構成配置図であり、プローブカー
ドの信号印加針が接続されている状態を示す構成図であ
る。図2に示されるように、本実施例におけるウェハ上
チップ1には、同一プローブカード上の他のウェハ上チ
ップとの間に介在するスクライブ領域4に対応して、4
個の信号入出力用パッド2と、それぞれの信号入出力用
パッド2に対応する4個の信号印加針3と、コンタクト
チェック専用パッドP17〜P28と、抵抗素子R13
〜R20と、コンタクトチェック専用信号印加針S9〜
S12とが配置されている。なお、図2においては、入
力保護回路および出力バッファ等は図示されていない。
FIG. 2 is a structural layout of a chip on a wafer according to a second embodiment of the present invention, and is a structural diagram showing a state in which signal applying needles of a probe card are connected. As shown in FIG. 2, the chip 1 on the wafer in this embodiment has four scribe areas 4 corresponding to the scribe areas 4 interposed between the chips on another wafer on the same probe card.
Signal input / output pads 2, four signal application needles 3 corresponding to the respective signal input / output pads 2, contact check dedicated pads P17 to P28, and a resistance element R13.
~ R20 and contact check dedicated signal applying needle S9 ~
S12 is arranged. In FIG. 2, an input protection circuit, an output buffer, and the like are not shown.

【0012】図2において、ウェハ上チップ1、信号入
出力用パッド2、信号印加針3およびスクライブ領域4
は、図1における第1の実施例の場合と同一である。本
実施例においては、コンタクトチェック専用パッドP1
7〜P19は、図面に向って、ウェハ上チップ1の左上
の隅に等間隔で配置されており、コンタクトチェック専
用パッドP20〜P22は、図面に向ってウェハ上チッ
プ1の右上の隅に等間隔で配置され、コンタクトチェッ
ク専用パッドP23〜P25は、図面に向ってウェハ上
チップ1の右下の隅に等間隔で配置されて、コンタクト
チェック専用パッドP13〜P16は、図面に向ってウ
ェハ上チップ1の左下の隅に等間隔で配置されている。
隣接するコンタクトチェック専用パッドP17−P18
間、P18−P19間、P20−P21間、P21−P
22間、P23−P24間、P24−P25間、P26
−P27間、およびP27−P28間には、それぞれ抵
抗素子R14、R13、R16、R15、R17、R1
8、R20およびR19が接続されている。また、これ
らの四隅の3個のコンタクトチェック専用パッドの内、
それぞれ真中に配置されているコンタクトチェック専用
パッドP18とP24、およびP21とP27は、それ
ぞれ配線W1およびW2により接続されている。なお、
これらの抵抗素子R13〜R20および配線W1、W2
は、スクライブ領域4に敷設される。
In FIG. 2, on-wafer chip 1, signal input / output pad 2, signal applying needle 3, and scribe area 4
Is the same as that of the first embodiment in FIG. In this embodiment, the contact check pad P1 is used.
7 to P19 are equidistantly arranged in the upper left corner of the chip 1 on the wafer toward the drawing. The contact check pads P23 to P25 are arranged at regular intervals in the lower right corner of the on-wafer chip 1 facing the drawing, and the contact check pads P13 to P16 are placed on the wafer facing the drawing. The chips 1 are arranged at equal intervals in the lower left corner.
Adjacent contact check pad P17-P18
, P18-P19, P20-P21, P21-P
22, P23-P24, P24-P25, P26
-P27 and between P27 and P28, respectively, the resistance elements R14, R13, R16, R15, R17, R1
8, R20 and R19 are connected. Also, of these three contact check pads at the four corners,
The contact check pads P18 and P24, and P21 and P27, which are respectively disposed in the center, are connected by wirings W1 and W2, respectively. In addition,
These resistance elements R13 to R20 and wirings W1, W2
Are laid in the scribe area 4.

【0013】コンタクトチェック専用信号印加針S9〜
S12は、それぞれウェハ上チップ上の四隅の3個のコ
ンタクトチェック専用パッドの中央部に配置されている
コンタクトチェック専用パッドP18、P21、P24
およびP27に接続され、これにより、全ての信号入出
力用パッド2と全ての信号印加針3とが接続されるよう
に、それぞれの構成要素がプローブカードに配置されて
いる。コンタクトチェック専用P17〜P28は、第1
の実施例の場合と同様に、一辺が信号入出力用パッド2
の一辺の長さよりも長く、他の一辺が信号入出力用パッ
ド2の一辺の長さよりも短かい長方形をしており、それ
ぞれ3個づつ等間隔に並べられて、図2に示されるよう
な向きに配置されている。また、抵抗素子R14とR1
7、R13とR18の各抵抗値の和がそれぞれ異なる値
に設定され、また抵抗素子R15とR19、R16とR
20の各抵抗値の和もそれぞれ異なる値に設定されてお
り、それらの抵抗値は予め測定されて明確に規定されて
いる。
[0013] Contact check dedicated signal applying needle S9 ~
S12 is a contact check pad P18, P21, P24 arranged at the center of each of the three contact check pads at the four corners on the chip on the wafer.
And P27, whereby the respective components are arranged on the probe card such that all the signal input / output pads 2 and all the signal applying needles 3 are connected. P17-P28 for contact check is the first
As in the case of the embodiment of FIG.
Is longer than the length of one side, and the other side is a rectangle shorter than the length of one side of the signal input / output pad 2. Three rectangles are arranged at regular intervals, as shown in FIG. It is arranged in the direction. Further, the resistance elements R14 and R1
7, the sum of the resistance values of R13 and R18 is set to different values, respectively, and the resistance elements R15 and R19, R16 and R16
The sums of the respective resistance values of 20 are also set to different values, and the resistance values are measured in advance and clearly defined.

【0014】前述の第1の実施例においては、コンタク
トチェック専用信号印加針が8本必要であったが、本実
施例においては、コンタクトチェック専用信号印加針S
9〜S12を含む4本のコンタクトチェック専用信号印
加針ではあるものの、対角のコンタクトチェック専用信
号印加針間の抵抗値を測定し算出することにより、コン
タクトチェック専用信号印加針S9〜S12が接続され
ている、コンタクトチェック専用パッドP18、P2
1、P24およびP27に対する良否判定が行われる。
このようにして、信号印加針3が接続される信号入出力
用パッド2に対するズレの程度が検出される。なお、ウ
ェハ上チップ1の内部において、抵抗素子R13〜R2
0および配線W1、W2の敷設領域を確保する必要がな
く、またコンタクトチェック専用パッドの数を増やすこ
とにより、信号印加針3が接続される信号入出力パッド
2に対するズレの程度を、更に広範囲に亘り検出するこ
とができることは云うまでもない。また、コンタクトチ
ェック専用信号印加針によるコンタクトチェック専用パ
ッド間の抵抗値の測定機能、信号印加針が接続される信
号入出力用パッドに対するズレの程度の判定機能、プロ
ーブカードに対するチップの位置合わせを行うためのウ
ェハの移動機能等をウェハ試験装置に搭載することによ
り、半導体集積回路におけるコンタクトチェックを自動
的に行うことも可能である。
In the above-described first embodiment, eight contact check dedicated signal applying needles are required, but in this embodiment, only a contact check dedicated signal applying needle S is required.
Although the four contact check dedicated signal application needles including 9 to S12 are provided, the contact check dedicated signal apply needles S9 to S12 are connected by measuring and calculating the resistance value between the diagonal contact check dedicated signal apply needles. Contact check pads P18, P2
1, P24 and P27 are determined.
In this way, the degree of deviation from the signal input / output pad 2 to which the signal applying needle 3 is connected is detected. Note that, inside the on-wafer chip 1, the resistance elements R13 to R2
It is not necessary to secure areas for laying the wirings 0 and the wirings W1 and W2, and by increasing the number of pads dedicated to contact check, the degree of deviation from the signal input / output pad 2 to which the signal applying needle 3 is connected can be further widened. Needless to say, it can be detected over a wide range. Also, the function of measuring the resistance value between the contact check dedicated pads by the contact check dedicated signal applying needle, the function of determining the degree of deviation from the signal input / output pad to which the signal applying needle is connected, and the alignment of the chip with the probe card are performed. For example, by mounting a wafer moving function and the like on a wafer test apparatus, a contact check in a semiconductor integrated circuit can be automatically performed.

【0015】[0015]

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、ウェハ
上チップの四隅に、複数のコンタクトチェック専用パッ
ドを配置し、隣接する前記コンタクトチェック専用パッ
ド間に抵抗値の異なる抵抗素子を接続して、コンタクト
チェック専用信号印加針により前記コンタクトチェック
専用パッド間の抵抗値を測定することにより、信号印加
針の信号入出力用パッドに対するズレの程度を検出する
ことが可能となり、当該信号印加針に対するウェハ位置
の調整を容易に行うことができるという効果がある。
As described above, according to the present invention, a plurality of contact check dedicated pads are arranged at four corners of a chip on a wafer, and resistance elements having different resistance values are connected between the adjacent contact check dedicated pads. By measuring the resistance value between the contact check dedicated pads with a contact check dedicated signal applying needle, it is possible to detect the degree of deviation of the signal applying needle from the signal input / output pad, There is an effect that the wafer position can be easily adjusted.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施例におけるウェハ上チップ
の構成配置図である。
FIG. 1 is a configuration diagram of a chip on a wafer according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施例におけるウェハ上チップ
の構成配置図である。
FIG. 2 is a layout view of a chip on a wafer according to a second embodiment of the present invention.

【図3】従来例におけるウェハ上チップの構成配置図で
ある。
FIG. 3 is a configuration diagram of a chip on a wafer in a conventional example.

【図4】プローブカードにおける構成配置図およびI−
I’断面を示す図である。
FIG. 4 is a structural layout diagram and I- of a probe card.
It is a figure which shows I 'cross section.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ウェハ上チップ 2 信号入出力用パッド 3 信号印加針 4 スクライブ領域 5 入力保護回路 6 出力バッファ 7 内部領域 8 ウェハ 9 接続部 10 プローブカード 11 絶縁層 P1〜P28 コンタクトチェック専用パッド R1〜R20 抵抗素子 S1〜S12 コンタクトチエック専用信号印加針 W1、W2 配線 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 On-wafer chip 2 Signal input / output pad 3 Signal application needle 4 Scribe area 5 Input protection circuit 6 Output buffer 7 Internal area 8 Wafer 9 Connection part 10 Probe card 11 Insulation layer P1-P28 Contact check pad R1-R20 Resistance element S1 to S12 Contact check dedicated signal application needle W1, W2 Wiring

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 ウェハ上チップ内の周辺に所定の信号入
出力用パッドが配置され、当該信号入出力用パッドの内
側に入力保護回路および出力バッファが配置されて、更
にこれらの入力保護回路および出力バッファの内側に内
部領域を有する半導体集積回路において、前記ウェハ上
チップにおける四つの隅に位置指定されるA、B、Cお
よびDの各位置に対応して、 長辺が前記信号入出力用パッドの一辺の長さよりも長
く、且つ短辺が前記信号入出力用パッドの一辺の長さよ
りも短かい形状に設定され、前記Aおよび対角位置に対
応するCにより指定される2隅の位置に、前記長辺が当
該ウェハ上チップの一辺に平行な向きになるように配置
される複数のコンタクトチェック専用パッドと、 長辺が前記信号入出力用パッドの一辺の長さよりも長
く、且つ短辺が前記信号入出力用パッドの一辺の長さよ
りも短かい形状に設定され、前記Bおよび対角位置に対
応するDにより指定される2隅の位置に、前記長辺が当
該ウェハ上チップの前記一辺に直交する他の一辺に平行
な向きになるように配置される複数のコンタクトチェッ
ク専用パッドと、 前記4隅にそれぞれ配置される前記コンタクトチェック
専用パッドの相互に隣接するパッド間に接続される複数
の抵抗値の異なる抵抗素子と、 を少なくとも前記信号入出力用パッドと所定の信号印加
針とを接続するためのウェハ位置調整用として備えるこ
とを特徴とする半導体集積回路。
1. A predetermined signal input / output pad is arranged in the periphery of a chip on a wafer, and an input protection circuit and an output buffer are arranged inside the signal input / output pad. In a semiconductor integrated circuit having an internal area inside an output buffer, a long side corresponding to each of positions A, B, C and D specified at four corners of the chip on the wafer has a long side for signal input / output. Two corner positions designated by A and C corresponding to the diagonal position, wherein the shape is set to be longer than the length of one side of the pad and shorter than the length of one side of the signal input / output pad. A plurality of contact check pads arranged such that the long side is parallel to one side of the chip on the wafer; and the long side is longer than the length of one side of the signal input / output pad. The short side is set to a shape shorter than the length of one side of the signal input / output pad, and the long side is located at two corners designated by B and D corresponding to the diagonal position. A plurality of contact check-dedicated pads arranged in a direction parallel to the other side orthogonal to the one side of the upper chip; and between the mutually adjacent pads of the contact check-dedicated pads respectively arranged at the four corners A semiconductor integrated circuit, comprising: a plurality of resistance elements having different resistance values connected to a plurality of resistance elements for adjusting a wafer position for connecting at least the signal input / output pad and a predetermined signal application needle.
【請求項2】 ウェハ上チップ内の周辺に所定の信号入
出力用パッドが配置され、当該信号入出力用パッドの内
側に入力保護回路および出力バッファが配置されて、更
にこれらの入力保護回路および出力バッファの内側に内
部領域を有する半導体集積回路において、前記ウェハ上
チップにおける四つの隅に位置指定されるA、B、Cお
よびDの各位置に対応して、 長辺が前記信号入出力用パッドの一辺の長さよりも長
く、且つ短辺が前記信号入出力用パッドの一辺の長さよ
りも短かい形状に設定され、前記Aおよび対角位置に対
応するCにより指定される2隅の位置に、前記長辺が当
該ウェハ上チップの一辺に平行な向きになるように配置
される複数(奇数)のコンタクトチェック専用パッド
と、 長辺が前記信号入出力用パッドの一辺の長さよりも長
く、且つ短辺が前記信号入出力用パッドの一辺の長さよ
りも短かい形状に設定され、前記Bおよび対角位置に対
応するDにより指定される2隅の位置に、前記長辺が当
該ウェハ上チップの前記一辺に直交する他の一辺に平行
な向きになるように配置される複数(奇数)のコンタク
トチェック専用パッドと、 前記4隅にそれぞれ配置される前記コンタクトチェック
専用パッドの相互に隣接するパッド間に接続される複数
の抵抗値の異なる抵抗素子と、 を少なくとも前記信号入出力用パッドと所定の信号印加
針とを接続するためのウェハ位置調整用として備えると
ともに、前記AおよびCにより指定される2隅の位置に
配置されるコンタクトチェック専用パッドの中央部に位
置するそれぞれのコンタクトチェック専用パッドを所定
の配線により接続すると共に、前記BおよびDにより指
定される2隅の位置に配置されるコンタクトチェック専
用パッドの中央部に位置するそれぞれのコンタクトチェ
ック専用パッドを所定の配線により接続することを特徴
とする半導体集積回路。
2. A predetermined signal input / output pad is arranged in the periphery of a chip on a wafer, and an input protection circuit and an output buffer are arranged inside the signal input / output pad. In a semiconductor integrated circuit having an internal area inside an output buffer, a long side corresponding to each of positions A, B, C and D specified at four corners of the chip on the wafer has a long side for signal input / output. Two corner positions designated by A and C corresponding to the diagonal position, wherein the shape is set to be longer than the length of one side of the pad and shorter than the length of one side of the signal input / output pad. A plurality of (odd) contact check pads arranged such that the long side is parallel to one side of the chip on the wafer; and the long side is the length of one side of the signal input / output pad. And the short side is set to a shape shorter than the length of one side of the signal input / output pad, and the long side is set at two corner positions designated by B and D corresponding to a diagonal position. A plurality of (odd) dedicated contact check pads arranged so as to be parallel to the other side orthogonal to the one side of the chip on the wafer; and the contact check dedicated pads respectively arranged at the four corners. A plurality of resistive elements having different resistance values connected between mutually adjacent pads, for adjusting a wafer position for connecting at least the signal input / output pad and a predetermined signal applying needle; given the respective contact check dedicated pads located in the center of the contact check dedicated pads disposed in two corners of the position designated by and C
Along with connecting the wiring to connect the respective contact check dedicated pad of Jo Tokoro wire positioned at the center of the contact check dedicated pads disposed in two corners of the position specified by the B and D Characteristic semiconductor integrated circuit.
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