JP2915167B2 - ホトレジスト用現像液 - Google Patents
ホトレジスト用現像液Info
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- JP2915167B2 JP2915167B2 JP11891491A JP11891491A JP2915167B2 JP 2915167 B2 JP2915167 B2 JP 2915167B2 JP 11891491 A JP11891491 A JP 11891491A JP 11891491 A JP11891491 A JP 11891491A JP 2915167 B2 JP2915167 B2 JP 2915167B2
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- Japan
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- photoresist
- aqueous solution
- alkaline aqueous
- alkyl group
- general formula
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ホトレジスト用現像液
に関するものである。
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
マイクロエレクトロニクスの分野において、集積回路の
集積度の向上が急速に進められている。そのため、パタ
ーン形成に使用するホトレジストは、高い解像力を有す
るものを使用することが要求され、一般にはアルカリ性
水溶液可溶性樹脂に光分解剤のナフトキノンジアジド化
合物を組合せたポジ型レジストが使用されている。ま
た、ネガ型レジストも、アルカリ性水溶液可溶性のもの
が解像力を高めたものとして開発されている。
マイクロエレクトロニクスの分野において、集積回路の
集積度の向上が急速に進められている。そのため、パタ
ーン形成に使用するホトレジストは、高い解像力を有す
るものを使用することが要求され、一般にはアルカリ性
水溶液可溶性樹脂に光分解剤のナフトキノンジアジド化
合物を組合せたポジ型レジストが使用されている。ま
た、ネガ型レジストも、アルカリ性水溶液可溶性のもの
が解像力を高めたものとして開発されている。
【０００３】このようなホトレジストの現像液としては
アルカリ性水溶液が用いられるが、該アルカリ性水溶液
はパターンが微細な場合において基部まで十分に侵すこ
とができず、基部の裾切れ等が悪くなり寸法精度が低下
するという欠点を有している。そのため、上記アルカリ
性水溶液に各種の界面活性剤を添加し、ホトレジストに
対する濡れ性を向上させることが提案されている。とこ
ろが、その場合、添加した界面活性剤がホトレジストの
現像速度を低下させ、生産性を悪くする。また、露光部
と非露光部の溶解速度の比、すなわち溶解選択比を低下
させる場合がある。これは、パターンが微細化するにつ
れて大きな問題となる。さらに、泡立ちを生じやすくな
り、生じた泡が現像不良を引き起こす場合もある。
アルカリ性水溶液が用いられるが、該アルカリ性水溶液
はパターンが微細な場合において基部まで十分に侵すこ
とができず、基部の裾切れ等が悪くなり寸法精度が低下
するという欠点を有している。そのため、上記アルカリ
性水溶液に各種の界面活性剤を添加し、ホトレジストに
対する濡れ性を向上させることが提案されている。とこ
ろが、その場合、添加した界面活性剤がホトレジストの
現像速度を低下させ、生産性を悪くする。また、露光部
と非露光部の溶解速度の比、すなわち溶解選択比を低下
させる場合がある。これは、パターンが微細化するにつ
れて大きな問題となる。さらに、泡立ちを生じやすくな
り、生じた泡が現像不良を引き起こす場合もある。
【０００４】また、現像後に基板を水洗しても上記界面
活性剤が基板表面に残存し、本来、超高清浄でなければ
ならない基板表面を汚染して、デバイスの性能劣化、ひ
いては、歩留りの低下をひきおこす問題がある。
活性剤が基板表面に残存し、本来、超高清浄でなければ
ならない基板表面を汚染して、デバイスの性能劣化、ひ
いては、歩留りの低下をひきおこす問題がある。
【０００５】従って、ホトレジストの現像速度及び溶解
選択比を低下させることなく濡れ性が良好で、泡立ちが
少なく、現像液中の界面活性剤が簡単な水洗によって基
板表面より除去できるホトレジスト用現像液の開発が強
く望まれていた。
選択比を低下させることなく濡れ性が良好で、泡立ちが
少なく、現像液中の界面活性剤が簡単な水洗によって基
板表面より除去できるホトレジスト用現像液の開発が強
く望まれていた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決すべく鋭意研究を続けてきた。その結果、アル
カリ性水溶液に特定の界面活性剤を配合することにより
解決できることを見出し本発明を提案するに至った。
題を解決すべく鋭意研究を続けてきた。その結果、アル
カリ性水溶液に特定の界面活性剤を配合することにより
解決できることを見出し本発明を提案するに至った。
【０００７】即ち、本発明は、アルカリ性水溶液に、一
般式 Ｒ−Ｏ−（Ｘ）m−（Ｙ）n−Ｈ 〔式中、Ｒは炭素数４〜１８のアルキル基、または炭素
数１〜１３のアルキル基で置換されていてもよいフェニ
ル基であり、Ｘは−ＣＨ2−ＣＨ2−Ｏ−で示される基で
あり、Ｙは−ＣＨ（ＣＨ3）−ＣＨ2−Ｏ−で示される基
であり、ｍは５〜４０の整数であり、ｎは２〜３０の整
数であり、ｍ：ｎ＝４０：６０〜７５：２５である。〕
で示される化合物が５０〜５０００ｐｐｍ配合されてな
る集積回路の回路パターン形成用ホトレジスト現像液で
ある。
般式 Ｒ−Ｏ−（Ｘ）m−（Ｙ）n−Ｈ 〔式中、Ｒは炭素数４〜１８のアルキル基、または炭素
数１〜１３のアルキル基で置換されていてもよいフェニ
ル基であり、Ｘは−ＣＨ2−ＣＨ2−Ｏ−で示される基で
あり、Ｙは−ＣＨ（ＣＨ3）−ＣＨ2−Ｏ−で示される基
であり、ｍは５〜４０の整数であり、ｎは２〜３０の整
数であり、ｍ：ｎ＝４０：６０〜７５：２５である。〕
で示される化合物が５０〜５０００ｐｐｍ配合されてな
る集積回路の回路パターン形成用ホトレジスト現像液で
ある。
【０００８】本発明においてアルカリ性水溶液は、従
来、ホトレジストの現像液として公知のものが何ら制限
されることなく使用できる。具体的には、水酸化ナトリ
ウム，水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物の水溶
液；プロピルアミン，ブチルアミン，ジブチルアミン，
トリエチルアミン等のアミン類の水溶液；またはトリメ
チル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシ
ド，テトラメチルアンモニウムヒドロキシド，テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド等の第４級アンモニウム
化合物の水溶液等である。このうち特にトリメチル（２
−ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシドまたは
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等の第４級アン
モニウム化合物の水溶液を用いるのが好ましい。また、
上記の各種のアルカリ化合物の２種以上を組合せて溶解
した水溶液を用いてもよい。アルカリ性水溶液中のアル
カリ化合物の濃度は、０．１〜１０重量％、好ましくは
１〜５重量％の範囲で使用するのが好ましい。
来、ホトレジストの現像液として公知のものが何ら制限
されることなく使用できる。具体的には、水酸化ナトリ
ウム，水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物の水溶
液；プロピルアミン，ブチルアミン，ジブチルアミン，
トリエチルアミン等のアミン類の水溶液；またはトリメ
チル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシ
ド，テトラメチルアンモニウムヒドロキシド，テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド等の第４級アンモニウム
化合物の水溶液等である。このうち特にトリメチル（２
−ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシドまたは
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等の第４級アン
モニウム化合物の水溶液を用いるのが好ましい。また、
上記の各種のアルカリ化合物の２種以上を組合せて溶解
した水溶液を用いてもよい。アルカリ性水溶液中のアル
カリ化合物の濃度は、０．１〜１０重量％、好ましくは
１〜５重量％の範囲で使用するのが好ましい。
【０００９】本発明の最大の特徴は、上記アルカリ性水
溶液に一般式 Ｒ−Ｏ−（Ｘ）m −（Ｙ）n −Ｈ 〔式中、Ｒは炭素数４〜１８のアルキル基、または炭素
数１〜１３のアルキル基で置換されていてもよいフェニ
ル基であり、Ｘは−ＣＨ2 −ＣＨ2 −Ｏ−で示される基
であり、Ｙは−ＣＨ（ＣＨ3 ）−ＣＨ2 −Ｏ−で示され
る基であり、ｍは５〜４０の整数であり、ｎは２〜３０
の整数であり、ｍ：ｎ＝４０：６０〜７５：２５であ
る。〕で示される化合物が配合されていることにある。
溶液に一般式 Ｒ−Ｏ−（Ｘ）m −（Ｙ）n −Ｈ 〔式中、Ｒは炭素数４〜１８のアルキル基、または炭素
数１〜１３のアルキル基で置換されていてもよいフェニ
ル基であり、Ｘは−ＣＨ2 −ＣＨ2 −Ｏ−で示される基
であり、Ｙは−ＣＨ（ＣＨ3 ）−ＣＨ2 −Ｏ−で示され
る基であり、ｍは５〜４０の整数であり、ｎは２〜３０
の整数であり、ｍ：ｎ＝４０：６０〜７５：２５であ
る。〕で示される化合物が配合されていることにある。
【００１０】上記一般式においてＲは炭素数４〜１８、
好ましくは８〜１４のアルキル基であり、直鎖状若しく
は分枝状のものが制限なく利用できる。また、Ｒは、炭
素１〜１３のアルキル基で置換されていてもよいフェニ
ル基である。この場合、炭素数１〜１３のアルキル基
は、直鎖状若しくは分枝状のものが制限なく利用でき
る。
好ましくは８〜１４のアルキル基であり、直鎖状若しく
は分枝状のものが制限なく利用できる。また、Ｒは、炭
素１〜１３のアルキル基で置換されていてもよいフェニ
ル基である。この場合、炭素数１〜１３のアルキル基
は、直鎖状若しくは分枝状のものが制限なく利用でき
る。
【００１１】上記式中のＲで示されるアルキル基の炭素
数が４より小さい場合、現像液のホトレジストに対する
濡れ性が十分でなくなる。一方、Ｒで示されるアルキル
基の炭素数が１８より大きい場合、またはフェニル基に
置換したアルキル基の炭素数が１３より大きい場合は、
アルカリ性水溶液に溶解し難くなるために好ましくな
い。
数が４より小さい場合、現像液のホトレジストに対する
濡れ性が十分でなくなる。一方、Ｒで示されるアルキル
基の炭素数が１８より大きい場合、またはフェニル基に
置換したアルキル基の炭素数が１３より大きい場合は、
アルカリ性水溶液に溶解し難くなるために好ましくな
い。
【００１２】ここで、上記Ｒを具体的に例示すると、 等の分枝状のアルキル基；フェニル基；および
【００１３】
【化１】
【００１４】
【化２】
【００１５】
【化３】
【００１６】
【化４】
【００１７】
【化５】
【００１８】
【化６】
【００１９】等のアルキルフェニル基が挙げられる。
【００２０】また、前記一般式において、Ｘ、即ち、エ
チレンオキサイド単位の繰返し数を表すｍは５〜４０、
好ましくは７〜３５の整数である。ｍの値が５より小さ
い場合、前記一般式で示される化合物はアルカリ性水溶
液に溶けにくくなり、４０より大きい場合、ホトレジス
トに対する濡れ性が十分でなくなる。また、Ｙ、即ち、
プロピレンオキサイド単位の繰返し数を表すｎは２〜３
０の整数である。ｎの値が１では泡立ちが生じやすく、
ｎの値が３０より大きい場合、前記一般式で示される化
合物はアルカリ性水溶液に溶けにくくなる。
チレンオキサイド単位の繰返し数を表すｍは５〜４０、
好ましくは７〜３５の整数である。ｍの値が５より小さ
い場合、前記一般式で示される化合物はアルカリ性水溶
液に溶けにくくなり、４０より大きい場合、ホトレジス
トに対する濡れ性が十分でなくなる。また、Ｙ、即ち、
プロピレンオキサイド単位の繰返し数を表すｎは２〜３
０の整数である。ｎの値が１では泡立ちが生じやすく、
ｎの値が３０より大きい場合、前記一般式で示される化
合物はアルカリ性水溶液に溶けにくくなる。
【００２１】さらに前記一般式で示される化合物におい
てエチレンオキサイド単位とプロピレンオキサイド単位
の繰返し数の割合を表すｍ：ｎは４０：６０〜７５：２
５である。プロピレンオキサイド単位の割合が２５未満
では前記一般式で示される化合物は泡立ちやすくなり、
また６０を超えるとアルカリ性水溶液に溶けにくくな
る。
てエチレンオキサイド単位とプロピレンオキサイド単位
の繰返し数の割合を表すｍ：ｎは４０：６０〜７５：２
５である。プロピレンオキサイド単位の割合が２５未満
では前記一般式で示される化合物は泡立ちやすくなり、
また６０を超えるとアルカリ性水溶液に溶けにくくな
る。
【００２２】さらに、非起泡性という問題では、親水性
のエチレンオキサイド単位が分子の末端部にくると泡立
ちが生じやすくなるため、Ｒ、Ｘ及びＹの結合順序は前
記一般式で示すようにＲ−Ｘ−Ｙの順でなくてはならな
い。
のエチレンオキサイド単位が分子の末端部にくると泡立
ちが生じやすくなるため、Ｒ、Ｘ及びＹの結合順序は前
記一般式で示すようにＲ−Ｘ−Ｙの順でなくてはならな
い。
【００２３】また、前記一般式で示される化合物は、水
洗性が良く、基板に付着しても水洗することに容易に除
去することができる。
洗性が良く、基板に付着しても水洗することに容易に除
去することができる。
【００２４】本発明において、前記一般式で示される化
合物のうち好適に使用されるものを具体的に例示する
と、
合物のうち好適に使用されるものを具体的に例示する
と、
【００２５】
【化７】
【００２６】
【化８】
【００２７】
【化９】
【００２８】
【化１０】
【００２９】
【化１１】
【００３０】等が挙げられる。
【００３１】本発明において前記一般式の化合物の配合
量は、アルカリ性水溶液に対して５０〜５０００ｐｐ
ｍ、好ましくは１００〜３０００ｐｐｍである。この配
合量が５０ｐｐｍより小さい場合、前記した現像液のホ
トレジストに対する濡れ性が十分でなくなり、一方、５
０００ｐｐｍより大きい場合、ホトレジストの現像速度
が低下し、泡立ちも大きくなる。
量は、アルカリ性水溶液に対して５０〜５０００ｐｐ
ｍ、好ましくは１００〜３０００ｐｐｍである。この配
合量が５０ｐｐｍより小さい場合、前記した現像液のホ
トレジストに対する濡れ性が十分でなくなり、一方、５
０００ｐｐｍより大きい場合、ホトレジストの現像速度
が低下し、泡立ちも大きくなる。
【００３２】本発明の現像液は、アルカリ性水溶液可溶
型ホトレジストであれば、ポジ型及びネガ型のいずれに
も何ら制限されることなく適用できる。好ましくはアル
カリ性水溶液可溶性樹脂にナフトキノンジアジド化合物
を組合せたポジ型レジストに適用される。該アルカリ性
水溶液可溶性樹脂としては、ノボラック樹脂、ポリヒド
ロキシスチレン若しくはその誘導体等が挙げられる。ま
た、上記ネガ型レジストとしては、例えば、アルカリ性
水溶液可溶性樹脂に４，４′−ジアジドジフェニルスル
フィドや、４，４′−ジアジドフェニルメタン等のビス
アジド化合物を組合せたものが挙げられる。
型ホトレジストであれば、ポジ型及びネガ型のいずれに
も何ら制限されることなく適用できる。好ましくはアル
カリ性水溶液可溶性樹脂にナフトキノンジアジド化合物
を組合せたポジ型レジストに適用される。該アルカリ性
水溶液可溶性樹脂としては、ノボラック樹脂、ポリヒド
ロキシスチレン若しくはその誘導体等が挙げられる。ま
た、上記ネガ型レジストとしては、例えば、アルカリ性
水溶液可溶性樹脂に４，４′−ジアジドジフェニルスル
フィドや、４，４′−ジアジドフェニルメタン等のビス
アジド化合物を組合せたものが挙げられる。
【００３３】本発明の現像液を用いた現像方法は、特に
制限なく浸漬法やパドル法等の公知の方法が適用でき
る。
制限なく浸漬法やパドル法等の公知の方法が適用でき
る。
【００３４】尚、本発明の現像液は、所望に応じ従来の
現像液に慣用されている添加剤を含有させることが出来
る。このような添加剤としては、例えば湿潤剤、安定
剤、溶解助剤等が挙げられ、これらはそれぞれ単独でま
たは２種類以上を組合せて添加できる。
現像液に慣用されている添加剤を含有させることが出来
る。このような添加剤としては、例えば湿潤剤、安定
剤、溶解助剤等が挙げられ、これらはそれぞれ単独でま
たは２種類以上を組合せて添加できる。
【００３５】
【効果】本発明の集積回路の回路パターン形成用ホトレ
ジスト現像液は、ホトレジストに対する濡れ性及びホト
レジストの現像速度ともに良好である。また、溶解選択
性の低下も見られない。従って、例えば該現像液をホト
レジストに使用した場合、パターン基部が裾を引いた
り、現像時間内に現像が完了せずに現像残りが生じるよ
うなことがなく、高い解像性で良好なパターンを形成す
ることが出来る。また、現像液の泡立ちも少ないことか
ら、容器注入時や移液の際の操作が容易な他、現像中に
おいても泡の発生に起因した現像不良等がなく極めて有
用である。
ジスト現像液は、ホトレジストに対する濡れ性及びホト
レジストの現像速度ともに良好である。また、溶解選択
性の低下も見られない。従って、例えば該現像液をホト
レジストに使用した場合、パターン基部が裾を引いた
り、現像時間内に現像が完了せずに現像残りが生じるよ
うなことがなく、高い解像性で良好なパターンを形成す
ることが出来る。また、現像液の泡立ちも少ないことか
ら、容器注入時や移液の際の操作が容易な他、現像中に
おいても泡の発生に起因した現像不良等がなく極めて有
用である。
【００３６】さらに、界面活性剤として配合される化合
物の水洗性が良いため、基板の水洗後に基板表面に界面
活性剤が残存することが防止され、ホトレジストパター
ンをマスクするエッチング、等の工程時に、該界面活性
剤残渣が原因となって再現性の劣化ひいては歩留り低下
を生じることがない。
物の水洗性が良いため、基板の水洗後に基板表面に界面
活性剤が残存することが防止され、ホトレジストパター
ンをマスクするエッチング、等の工程時に、該界面活性
剤残渣が原因となって再現性の劣化ひいては歩留り低下
を生じることがない。
【００３７】
【実施例】本発明を更に具体的に説明するために以下に
実施例および比較例を挙げて説明するが、本発明はこれ
らの実施例に何ら限定されるものではない。
実施例および比較例を挙げて説明するが、本発明はこれ
らの実施例に何ら限定されるものではない。
【００３８】実施例１〜６及び比較例１〜７テトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシドの２．４重量％水溶液に、
一般式で示される化合物を表１に示した量だけ配合した
現像液を調製した。調製した現像液を振とうし、泡立ち
の程度を観察した。
ルアンモニウムヒドロキシドの２．４重量％水溶液に、
一般式で示される化合物を表１に示した量だけ配合した
現像液を調製した。調製した現像液を振とうし、泡立ち
の程度を観察した。
【００３９】次に、シリコンウエハー上にノボラック樹
脂とナフトキノンジアジド化合物を組合せたポジ型ホト
レジストを膜厚１．３μｍになるように塗布した後、ク
リーンオーブン中９０℃で３０分間プリベークした。こ
のシリコンウエハー上にステッパー（ニコン社製 ＮＳ
Ｒ１５０５Ｇ）でパターンを焼き付けた後、前記調製し
た現像液を用い、液温２２℃で１分間浸漬法による現像
を行った。こうして得られたホトレジストパターンを走
査型電子顕微鏡により観察し、パターン形状、現像残り
の有無およびパターン基部の裾切れの状態を評価した。
脂とナフトキノンジアジド化合物を組合せたポジ型ホト
レジストを膜厚１．３μｍになるように塗布した後、ク
リーンオーブン中９０℃で３０分間プリベークした。こ
のシリコンウエハー上にステッパー（ニコン社製 ＮＳ
Ｒ１５０５Ｇ）でパターンを焼き付けた後、前記調製し
た現像液を用い、液温２２℃で１分間浸漬法による現像
を行った。こうして得られたホトレジストパターンを走
査型電子顕微鏡により観察し、パターン形状、現像残り
の有無およびパターン基部の裾切れの状態を評価した。
【００４０】また、別に前記プリベークのみを行った状
態のシリコンウエハーを用意し、該ウエハーのプリベー
クされたホトレジスト上に前記現像液を滴下した。次い
で、滴下した現像液のホトレジスト上への濡れの程度を
みるため、接触角計により該現像液の接触角を測定し
た。
態のシリコンウエハーを用意し、該ウエハーのプリベー
クされたホトレジスト上に前記現像液を滴下した。次い
で、滴下した現像液のホトレジスト上への濡れの程度を
みるため、接触角計により該現像液の接触角を測定し
た。
【００４１】この場合接触角が小さいほど濡れ性が良い
ことを示す。
ことを示す。
【００４２】さらに、別途１％フッ化水素水溶液に、シ
リコンウエハーを６０秒間浸漬後、ひき上げて水洗、乾
燥することにより、表面が疎水性にあるシリコンウエハ
ーを用意し、これを前記調製した現像液に６０秒間浸漬
した。浸漬後、現像液よりひき上げたシリコンウエハー
を６０秒間水洗し、次いで、このシリコンウエハー上に
超純水を滴下し、その接触角を測定することにより、上
記現像液中に配合される化合物の水洗性を調べた。この
場合、現像液に配合される化合物の水洗性が悪く、上記
水洗後もシリコンウエハー上に現像液中の化合物が残存
していると、その残存の程度に応じて接触角は低下す
る。尚、上記表面を疎水性としたのみのシリコンウエハ
ー上に超純水を滴下した場合、その接触角は７６度であ
った。
リコンウエハーを６０秒間浸漬後、ひき上げて水洗、乾
燥することにより、表面が疎水性にあるシリコンウエハ
ーを用意し、これを前記調製した現像液に６０秒間浸漬
した。浸漬後、現像液よりひき上げたシリコンウエハー
を６０秒間水洗し、次いで、このシリコンウエハー上に
超純水を滴下し、その接触角を測定することにより、上
記現像液中に配合される化合物の水洗性を調べた。この
場合、現像液に配合される化合物の水洗性が悪く、上記
水洗後もシリコンウエハー上に現像液中の化合物が残存
していると、その残存の程度に応じて接触角は低下す
る。尚、上記表面を疎水性としたのみのシリコンウエハ
ー上に超純水を滴下した場合、その接触角は７６度であ
った。
【００４３】以上の結果表１に示した。尚、表１におい
てパターンの形状とは、前記パターンの観察において、
パターン基部の裾切れが良く形状が良好であったものを
○とし、一方、パターン基部に裾引きが生じたり、形状
が不良であったものを×として表した。
てパターンの形状とは、前記パターンの観察において、
パターン基部の裾切れが良く形状が良好であったものを
○とし、一方、パターン基部に裾引きが生じたり、形状
が不良であったものを×として表した。
【００４４】
【表１】
【００４５】
【表２】
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−7055（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−168160（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−167948（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−175758（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03F 7/32
Claims (1)
- 【請求項１】 アルカリ性水溶液に、一般式 Ｒ−Ｏ−（Ｘ）m−（Ｙ）n−Ｈ 〔式中、Ｒは炭素数４〜１８のアルキル基、または炭素
数１〜１３のアルキル基で置換されていてもよいフェニ
ル基であり、Ｘは−ＣＨ2−ＣＨ2−Ｏ−で示される基で
あり、Ｙは−ＣＨ（ＣＨ3）−ＣＨ2−Ｏ−で示される基
であり、ｍは５〜４０の整数であり、ｎは２〜３０の整
数であり、ｍ：ｎ＝４０：６０〜７５：２５である。〕
で示される化合物が５０〜５０００ｐｐｍ配合されてな
る集積回路の回路パターン形成用ホトレジスト現像液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11891491A JP2915167B2 (ja) | 1991-05-23 | 1991-05-23 | ホトレジスト用現像液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11891491A JP2915167B2 (ja) | 1991-05-23 | 1991-05-23 | ホトレジスト用現像液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04346351A JPH04346351A (ja) | 1992-12-02 |
| JP2915167B2 true JP2915167B2 (ja) | 1999-07-05 |
Family
ID=14748302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11891491A Expired - Fee Related JP2915167B2 (ja) | 1991-05-23 | 1991-05-23 | ホトレジスト用現像液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2915167B2 (ja) |
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