JP2911274B2 - 異物検出方法及び装置 - Google Patents
異物検出方法及び装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、試料上の微小異物を検
出する方法および装置に係り、特に製品であるパターン
付ウェハ上の微小な異物を検出するのに好適な異物検出
方法及びその装置に関するものである。
出する方法および装置に係り、特に製品であるパターン
付ウェハ上の微小な異物を検出するのに好適な異物検出
方法及びその装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】パターン付ウェハ上の異物検査を例にと
ると、従来の技術は例えば、特開平１−１１７０２４号
公報に見られえるように、図１でウェハ１上を斜め上方
からレーザ又は白色光８で照明し、隣接する２つのチッ
プ画像２１、２２を検出し、両者の差画像２３を作り、
この中で一定値以上の出力が出ているものを異物と判定
している。これは、同一ウェハ上のすべてのチップの回
路パターンが同一であるため、差画像をとると回路パタ
ーン信号が消去され、異物信号だけが残ることに着目し
たものである。これによりパターン付ウェハ上の異物検
出を可能としている。なお、図１は後述する本発明の全
体構成図を示すものであるが、構成の一部が従来技術を
含むので、共用することにした。
ると、従来の技術は例えば、特開平１−１１７０２４号
公報に見られえるように、図１でウェハ１上を斜め上方
からレーザ又は白色光８で照明し、隣接する２つのチッ
プ画像２１、２２を検出し、両者の差画像２３を作り、
この中で一定値以上の出力が出ているものを異物と判定
している。これは、同一ウェハ上のすべてのチップの回
路パターンが同一であるため、差画像をとると回路パタ
ーン信号が消去され、異物信号だけが残ることに着目し
たものである。これによりパターン付ウェハ上の異物検
出を可能としている。なお、図１は後述する本発明の全
体構成図を示すものであるが、構成の一部が従来技術を
含むので、共用することにした。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来技術で検出した局
部多値画像メモリ２１、２２(図１に表示)の像を図１０
の２１ｃ、２２ｃに示す。２２ｃには異物４が２個存在
しているものとする。２１ｃの画像をｇ´、２２ｃの画
像をｆ´として式（３）で求めた画像をｅ´として局部
多値画像メモリ２３ｃの中に示す。
部多値画像メモリ２１、２２(図１に表示)の像を図１０
の２１ｃ、２２ｃに示す。２２ｃには異物４が２個存在
しているものとする。２１ｃの画像をｇ´、２２ｃの画
像をｆ´として式（３）で求めた画像をｅ´として局部
多値画像メモリ２３ｃの中に示す。
【０００４】
【数１】ｅ´＝|ｆ´−ｇ´| …(３) 画像ｆ´、ｇ´が全く同じものであればｅ´は零となる
が、現実には両者の間には微小な位置ずれ、出力信号差
があり、ｅ´は零にはならない。
が、現実には両者の間には微小な位置ずれ、出力信号差
があり、ｅ´は零にはならない。
【０００５】局部多値画像メモリ２３ｃの中の走査線５
０の出力信号を図１１（ａ）に５１で示す。これを固定
しきい値５２で２値化すると、図１１（ｂ）に示すよう
に２値化信号５３が得られる。しかしこれでは微小な位
置ずれに基づく出力信号差と異物４に基づく信号との区
別がつかず、異物４が検出できない。
０の出力信号を図１１（ａ）に５１で示す。これを固定
しきい値５２で２値化すると、図１１（ｂ）に示すよう
に２値化信号５３が得られる。しかしこれでは微小な位
置ずれに基づく出力信号差と異物４に基づく信号との区
別がつかず、異物４が検出できない。
【０００６】したがって、本発明の目的は上記した従来
技術の問題点を解決し、複雑なパターンを有するウェハ
上でも微小な異物の検出を確実に行うことのできる異物
検出方法及びその装置を提供することにある。
技術の問題点を解決し、複雑なパターンを有するウェハ
上でも微小な異物の検出を確実に行うことのできる異物
検出方法及びその装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、図１１
（ｃ）に示すように差画像をストアしている局部多値画
像メモリ２３ｃにかけるしきい値を従来のように一定に
固定せず、原画像をストアしている局部多値画像メモリ
２１ｃ、２２ｃの信号を参照して、多段階しきい値５４
を作り、局部多値画像メモリ２３ｃにかけることにより
図１１（ｄ）に示すように異物信号５６が確実に検出さ
れ、達成される。なお、ここでは異物検出の試料として
ＬＳＩを製造するウェハを代表例として説明するが、本
発明はこれに限らず、同一パターンが複数個繰返し形成
された種々の回路基板、その他例えば液晶基板の如き種
々のパターンの形成された電子部品が検査対象となり得
ることは云うまでもない。
（ｃ）に示すように差画像をストアしている局部多値画
像メモリ２３ｃにかけるしきい値を従来のように一定に
固定せず、原画像をストアしている局部多値画像メモリ
２１ｃ、２２ｃの信号を参照して、多段階しきい値５４
を作り、局部多値画像メモリ２３ｃにかけることにより
図１１（ｄ）に示すように異物信号５６が確実に検出さ
れ、達成される。なお、ここでは異物検出の試料として
ＬＳＩを製造するウェハを代表例として説明するが、本
発明はこれに限らず、同一パターンが複数個繰返し形成
された種々の回路基板、その他例えば液晶基板の如き種
々のパターンの形成された電子部品が検査対象となり得
ることは云うまでもない。
【０００８】
【作用】一般に半導体ウェハでは、パターン段差が小さ
い部分においては図１０に示した２１ｃ、２２ｃの出力
信号が小さく、ｆ´とｇ´の差も小さいので、この部分
では画像差の絶対値ｅ´が小さい。一方、メモリマット
端や、周辺回路の一部のようにパターン段差が大きい部
分では出力信号が大きく、またｆ´とｇ´の差も大きい
ので、この部分では画像差の絶対値ｅ´も大となる。し
たがってｆ´、ｇ´に着目して、これらの出力信号が大
きい部分ではｅ´のしきい値を大とし、ｆ´、ｇ´の出
力信号が小さい部分ではｅ´のしきい値を小さくすれ
ば、ｆ´、ｇ´の出力信号が小さい部分では微小な異物
の検出が可能となる。また、ｆ´、ｇ´が大となる部分
はウェハ全体の０．１％以下であるため、この部分では
ｅ´のしきい値を大にしても大きな影響はない。
い部分においては図１０に示した２１ｃ、２２ｃの出力
信号が小さく、ｆ´とｇ´の差も小さいので、この部分
では画像差の絶対値ｅ´が小さい。一方、メモリマット
端や、周辺回路の一部のようにパターン段差が大きい部
分では出力信号が大きく、またｆ´とｇ´の差も大きい
ので、この部分では画像差の絶対値ｅ´も大となる。し
たがってｆ´、ｇ´に着目して、これらの出力信号が大
きい部分ではｅ´のしきい値を大とし、ｆ´、ｇ´の出
力信号が小さい部分ではｅ´のしきい値を小さくすれ
ば、ｆ´、ｇ´の出力信号が小さい部分では微小な異物
の検出が可能となる。また、ｆ´、ｇ´が大となる部分
はウェハ全体の０．１％以下であるため、この部分では
ｅ´のしきい値を大にしても大きな影響はない。
【０００９】本発明では図１１（ｃ）、（ｄ）に示した
ように走査線信号５１に多段しきい値信号５４をかけ、
２値化信号５５を出力することにより異物を正しく検出
する手段を提供している。
ように走査線信号５１に多段しきい値信号５４をかけ、
２値化信号５５を出力することにより異物を正しく検出
する手段を提供している。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１〜図９を用いて
説明する。先ず、本発明の全体構成を図１を用いて説明
する。ウェハ１上には部分拡大図に示すように微細なパ
ターンから成るメモリマット２、メモリ制御回路３、そ
の他の周辺回路(図示せず)が規則的に多数個形成されて
おり、そのパターンの一つに異物４が存在するものを異
物検出試料とする。ウェハ１はウェハチャック５に真空
吸着され、ｘ方向に往復運動するｘステージ６、ｙ方向
に往復運動するｙステージ７上に搭載されている。
説明する。先ず、本発明の全体構成を図１を用いて説明
する。ウェハ１上には部分拡大図に示すように微細なパ
ターンから成るメモリマット２、メモリ制御回路３、そ
の他の周辺回路(図示せず)が規則的に多数個形成されて
おり、そのパターンの一つに異物４が存在するものを異
物検出試料とする。ウェハ１はウェハチャック５に真空
吸着され、ｘ方向に往復運動するｘステージ６、ｙ方向
に往復運動するｙステージ７上に搭載されている。
【００１１】ウエハ全体は、図２に示すようにｘ方向に
一定距離(例えば200mm)一定速度で移動した後、ｙ方向
に一定距離(たとえば1.5mm)ステップ移動し、更に−ｘ
方向に移動する運動を繰り返す。ウェハ上の一定領域
(たとえば0.2mm×2mm)は半導体レーザ８a、８b、８c、
８d(図示せず)により、周囲４方向から照明される。ウ
ェハ面上での反射光は対物レンズ９で集光され、ミラー
１０で反射して、撮像素子１１(通常一次元ＣＣＤリニ
アイメージセンサが使用される)で電気信号に変換され
る。検出信号はｌチップ分遅延メモリ２０を介して局部
多値画像メモリ２１にストアされる。(この画像をｇと
する)。同時にこの信号はもう一つの局部多値画像メモ
リ２２にもストアされ(この画像をｆとする)、次式
（１）で求められる画像(この画像をｅとする)をメモリ
２３にストアする。
一定距離(例えば200mm)一定速度で移動した後、ｙ方向
に一定距離(たとえば1.5mm)ステップ移動し、更に−ｘ
方向に移動する運動を繰り返す。ウェハ上の一定領域
(たとえば0.2mm×2mm)は半導体レーザ８a、８b、８c、
８d(図示せず)により、周囲４方向から照明される。ウ
ェハ面上での反射光は対物レンズ９で集光され、ミラー
１０で反射して、撮像素子１１(通常一次元ＣＣＤリニ
アイメージセンサが使用される)で電気信号に変換され
る。検出信号はｌチップ分遅延メモリ２０を介して局部
多値画像メモリ２１にストアされる。(この画像をｇと
する)。同時にこの信号はもう一つの局部多値画像メモ
リ２２にもストアされ(この画像をｆとする)、次式
（１）で求められる画像(この画像をｅとする)をメモリ
２３にストアする。
【００１２】
【数２】 ｅ＝|ｆ−ｇ| …（１) 次に局部多値画像メモリ２１、２２の信号をしきい値ｌ
1（エル1の意）で２値化して局部２値画像メモリ２４
a、２４bにストアし、それぞれ２画素膨張した後、局部
２値画像メモリ２５a、２５bにストアし、論理積(ＡＮ
Ｄ)素子２６を介して、結果を局部２値画像メモリ２７
にストアする。
1（エル1の意）で２値化して局部２値画像メモリ２４
a、２４bにストアし、それぞれ２画素膨張した後、局部
２値画像メモリ２５a、２５bにストアし、論理積(ＡＮ
Ｄ)素子２６を介して、結果を局部２値画像メモリ２７
にストアする。
【００１３】同様にして局部多値画像メモリ２１、２２
の信号をしきい値ｌ2（エル2の意）で２値化して、上記
と同じ電気回路を通して、結果を局部２値画像メモリ３
１にストアする。
の信号をしきい値ｌ2（エル2の意）で２値化して、上記
と同じ電気回路を通して、結果を局部２値画像メモリ３
１にストアする。
【００１４】一方、係数をｋ1−ｋ0に設定したポテンシ
ョメータ３２、及び係数をk2−k1−ｋ0に設定したポテ
ンショメータ３３を、それぞれ局部２値画像メモリ２
７、及び３１の出力端に設け、ポテンショメータ３２、
３３の出力を加算回路35に導く。これに出力電圧をｋ0
に設定した定電圧装置３４の出力を加算回路３５に印加
し、出力を局部多値画像メモリ３６に導いてストアする
(この画像をｈとする)。画像ｅを次式（２）に従って画
像ｈで２値化回路３７で２値化することによって目的と
する最終出力信号３８（ｊ＝１又はｊ＝０の２値化信
号）が得られる。
ョメータ３２、及び係数をk2−k1−ｋ0に設定したポテ
ンショメータ３３を、それぞれ局部２値画像メモリ２
７、及び３１の出力端に設け、ポテンショメータ３２、
３３の出力を加算回路35に導く。これに出力電圧をｋ0
に設定した定電圧装置３４の出力を加算回路３５に印加
し、出力を局部多値画像メモリ３６に導いてストアする
(この画像をｈとする)。画像ｅを次式（２）に従って画
像ｈで２値化回路３７で２値化することによって目的と
する最終出力信号３８（ｊ＝１又はｊ＝０の２値化信
号）が得られる。
【００１５】
【数３】
【００１６】次に上記した構成を図３を用いて更に局部
多値画像メモリの動作を詳細に説明する。ウェハ１上に
は同じチップが多数形成されているので、チップのピッ
チをｐとすると、図３でｐだけ離れた２つの画像２１
ａ、２２aを検出して、両者の差画像を求める。図１の
遅延メモリ２０は画像信号をｐだけ遅延させるためのメ
モリであり、これを通すことにより局部多値画像メモリ
２１には図３の画像２１aがストアされる。一方、２２
には現在検出している画像２２aがストアされる。図１
の局部多値画像メモリには、例えば図４に示すように２
５６×２５６画素の画像が多値(例えば８ビット、２５
６階調)でストアされている。
多値画像メモリの動作を詳細に説明する。ウェハ１上に
は同じチップが多数形成されているので、チップのピッ
チをｐとすると、図３でｐだけ離れた２つの画像２１
ａ、２２aを検出して、両者の差画像を求める。図１の
遅延メモリ２０は画像信号をｐだけ遅延させるためのメ
モリであり、これを通すことにより局部多値画像メモリ
２１には図３の画像２１aがストアされる。一方、２２
には現在検出している画像２２aがストアされる。図１
の局部多値画像メモリには、例えば図４に示すように２
５６×２５６画素の画像が多値(例えば８ビット、２５
６階調)でストアされている。
【００１７】次に局部多値画像メモリの内容を示した図
４の画像を用いて、図１の作動を説明する。局部多値画
像メモリ２１の画像２１bの走査線４０の信号を図５の
信号４１に示す。この走査線４０上には異物４が２個存
在している。同様に２２の画像(図示せず、異物４は存
在せず)の対応する走査線信号を４２に示す。これにし
きい値ｌ2（エル2の意）をかけて２値化し、両者の論理
積(ＡＮＤ)をとったものを２値化信号３１aに示し、し
きい値ｌ1（エル1の意）をかけて同じ操作を行なったも
のを２値化信号２７aに示す。更に、局部多値画像メモ
リ３６(図１に表示)の走査線４０(図４に表示)に対応す
る走査線信号を図５の３６aに示す。この信号はｋ0、ｋ
1、ｋ2の値を有する３段階のしきい値を有しており、原
信号４１及び４２の出力が低い位置ではｋ0となり、出
力が高い位置ではｋ2となり、出力が中位の位置ではｋ1
となっている。局部多値画像メモリ２３(図１に表示)の
走査線４０(図４に表示)に対応する走査線信号を２３a
に示す。説明のために３６aと２３aを重ねた走査線信号
４３を示したが、この図から、２値化回路３７(図１に
表示)の出力４４が求められることがわかる。出力信号
４４には異物４に基づく異物信号４６が正しく得られて
いる。
４の画像を用いて、図１の作動を説明する。局部多値画
像メモリ２１の画像２１bの走査線４０の信号を図５の
信号４１に示す。この走査線４０上には異物４が２個存
在している。同様に２２の画像(図示せず、異物４は存
在せず)の対応する走査線信号を４２に示す。これにし
きい値ｌ2（エル2の意）をかけて２値化し、両者の論理
積(ＡＮＤ)をとったものを２値化信号３１aに示し、し
きい値ｌ1（エル1の意）をかけて同じ操作を行なったも
のを２値化信号２７aに示す。更に、局部多値画像メモ
リ３６(図１に表示)の走査線４０(図４に表示)に対応す
る走査線信号を図５の３６aに示す。この信号はｋ0、ｋ
1、ｋ2の値を有する３段階のしきい値を有しており、原
信号４１及び４２の出力が低い位置ではｋ0となり、出
力が高い位置ではｋ2となり、出力が中位の位置ではｋ1
となっている。局部多値画像メモリ２３(図１に表示)の
走査線４０(図４に表示)に対応する走査線信号を２３a
に示す。説明のために３６aと２３aを重ねた走査線信号
４３を示したが、この図から、２値化回路３７(図１に
表示)の出力４４が求められることがわかる。出力信号
４４には異物４に基づく異物信号４６が正しく得られて
いる。
【００１８】次に、しきい値ｌ1、ｌ2、ｋ0、ｋ1、ｋ2
の求め方の一実施例を図６〜図９にしたがい説明する。
これらのしきい値は、ウェハ製造工程のそれぞれの工程
毎に決めるもので、ウェハ毎に毎回設定する必要はな
い。従って或る工程のウェハが完成したら、その後の一
連の作業の前にこれらのしきい値を求め、作業条件とし
て登録する必要がある。
の求め方の一実施例を図６〜図９にしたがい説明する。
これらのしきい値は、ウェハ製造工程のそれぞれの工程
毎に決めるもので、ウェハ毎に毎回設定する必要はな
い。従って或る工程のウェハが完成したら、その後の一
連の作業の前にこれらのしきい値を求め、作業条件とし
て登録する必要がある。
【００１９】図１で、完成したウェハ１をウェハチャッ
ク５に搭載し、図２のようにウェハを動かして、ウェハ
上全面の信号を検出する。この際、図１の局部多値画像
メモリ２２及び２３の信号を取り出し、ヒストグラム測
定器でヒストグラムを作る必要がある。ヒストグラムと
は図６に示すように、横軸５０に画像の階調をとり、縦
軸５１に各階調の画素が現われた数(頻度)をとって示し
た図を意味する。
ク５に搭載し、図２のようにウェハを動かして、ウェハ
上全面の信号を検出する。この際、図１の局部多値画像
メモリ２２及び２３の信号を取り出し、ヒストグラム測
定器でヒストグラムを作る必要がある。ヒストグラムと
は図６に示すように、横軸５０に画像の階調をとり、縦
軸５１に各階調の画素が現われた数(頻度)をとって示し
た図を意味する。
【００２０】初めに原画像しきい値ｌ1、ｌ2の求め方に
ついて図６により説明すると、局部多値画像メモリ２２
(図１に表示)の出力をヒストグラム測定器に接続すると
図６のような結果が得られるので、頻度が谷底となる階
調をｌ1、ｌ2とする。ここで領域５２はウェハ上のパタ
ーン段差の小さい周辺回路部の信号であり、領域５３は
メモリマット部のような複雑な構造を有する回路部の信
号であり、領域５４はメモリマット端のようにパターン
段差が著しく高い部分の信号である。
ついて図６により説明すると、局部多値画像メモリ２２
(図１に表示)の出力をヒストグラム測定器に接続すると
図６のような結果が得られるので、頻度が谷底となる階
調をｌ1、ｌ2とする。ここで領域５２はウェハ上のパタ
ーン段差の小さい周辺回路部の信号であり、領域５３は
メモリマット部のような複雑な構造を有する回路部の信
号であり、領域５４はメモリマット端のようにパターン
段差が著しく高い部分の信号である。
【００２１】次に差信号しきい値ｋ0の求め方について
図７により説明すると、局部多値画像メモリ２１、２２
の出力でｌ1以下の信号を局部多値画像メモリ２３に導
いてストアし、出力をヒストグラム測定器に接続すると
図７の結果が得られる。ｋ0´は差信号の最大値である
が、同じ工程でも異ったウェハの場合にはｋ0´が変化
するので、余裕を見てｋ。´の２倍即ち２ｋ0´をｋ0と
する。
図７により説明すると、局部多値画像メモリ２１、２２
の出力でｌ1以下の信号を局部多値画像メモリ２３に導
いてストアし、出力をヒストグラム測定器に接続すると
図７の結果が得られる。ｋ0´は差信号の最大値である
が、同じ工程でも異ったウェハの場合にはｋ0´が変化
するので、余裕を見てｋ。´の２倍即ち２ｋ0´をｋ0と
する。
【００２２】同様にして、差信号しきいｋ1、ｋ2の求め
方について図８、図９により説明すると、２１、２２の
出力でｌ2以下の信号を２３に導いてストアし、ヒスト
グラムを作ると図８の結果が得られるので、ｋ1＝２ｋ1
´とする。また、２１、２２の出力すべてを２３に導い
てストアし、ヒストグラムを作ると図９の結果が得られ
るので、ｋ2＝２ｋ2´とする。以上の操作によりｌ1、
ｌ2、ｋ0、ｋ1、ｋ2を求めることが出来る。
方について図８、図９により説明すると、２１、２２の
出力でｌ2以下の信号を２３に導いてストアし、ヒスト
グラムを作ると図８の結果が得られるので、ｋ1＝２ｋ1
´とする。また、２１、２２の出力すべてを２３に導い
てストアし、ヒストグラムを作ると図９の結果が得られ
るので、ｋ2＝２ｋ2´とする。以上の操作によりｌ1、
ｌ2、ｋ0、ｋ1、ｋ2を求めることが出来る。
【００２３】以上の実施例では、局部多値画像メモリ２
１、２２、にかけるしきい値がｌ1、ｌ2の２つの場合を
説明したが、これは１つ以上であれば良く、目的に応じ
て変更しても良い。また、加算回路３５に印加する電圧
を本実施例では３個としたが、これも１つ以上であれば
良く目的に応じて変更しても良い。また、本実施例では
２９a、２９bの論理積（ＡＮＤ）をとっているが、これ
は論理和(ＯＲ)でもよく目的に応じて変更しても良い。
１、２２、にかけるしきい値がｌ1、ｌ2の２つの場合を
説明したが、これは１つ以上であれば良く、目的に応じ
て変更しても良い。また、加算回路３５に印加する電圧
を本実施例では３個としたが、これも１つ以上であれば
良く目的に応じて変更しても良い。また、本実施例では
２９a、２９bの論理積（ＡＮＤ）をとっているが、これ
は論理和(ＯＲ)でもよく目的に応じて変更しても良い。
【００２４】なお、上記実施例ではＬＳＩを製造する半
導体ウェハを検査試料として説明したが、ガラス基板上
に液晶パターンが多数個形成された基板についても同様
であり、本発明は品質管理上極めて重要な役割を果たし
た。
導体ウェハを検査試料として説明したが、ガラス基板上
に液晶パターンが多数個形成された基板についても同様
であり、本発明は品質管理上極めて重要な役割を果たし
た。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
異物を検出する際のしきい値を多段に変化させることが
でき、これまで１つのしきい値でしか異物を検出してい
なかったため、小さな異物が検出できなかったのに比べ
て、回路パターン段差の小さい部分では微小な異物が検
出でき、メモリマット端のようにパターン段差が極端に
高い部分では比較的大きな異物を検出することが可能と
なり、検出性能が大幅に向上する。
異物を検出する際のしきい値を多段に変化させることが
でき、これまで１つのしきい値でしか異物を検出してい
なかったため、小さな異物が検出できなかったのに比べ
て、回路パターン段差の小さい部分では微小な異物が検
出でき、メモリマット端のようにパターン段差が極端に
高い部分では比較的大きな異物を検出することが可能と
なり、検出性能が大幅に向上する。
図１ 多段しきい値法による画像信号処理機能を備えた本発明
の全体構成図。 図２ ウェハの移動状況を示す斜視図。 図３ 局部多値画像メモリの動作の説明図。 図４ 局部多値画像メモリの内容を示す図。 図５ 本発明による多段しきい値法の説明図。 図６ 原信号しきい値ｌ1、ｌ2の求め方の説明図。 図７ 差信号しきい値ｋ0の求め方の説明図。 図８ 差信号しきい値ｋ1の求め方の説明図。 図９ 差信号しきい値ｋ2の求め方の説明図。 図１０ 従来技術で得た検出像の説明図。 図１１ 従来技術による２値化法の説明図。
の全体構成図。 図２ ウェハの移動状況を示す斜視図。 図３ 局部多値画像メモリの動作の説明図。 図４ 局部多値画像メモリの内容を示す図。 図５ 本発明による多段しきい値法の説明図。 図６ 原信号しきい値ｌ1、ｌ2の求め方の説明図。 図７ 差信号しきい値ｋ0の求め方の説明図。 図８ 差信号しきい値ｋ1の求め方の説明図。 図９ 差信号しきい値ｋ2の求め方の説明図。 図１０ 従来技術で得た検出像の説明図。 図１１ 従来技術による２値化法の説明図。
１…ウェハ、 ４…異
物、８ａ、８ｂ、８ｃ…半導体レーザ、 ９
…対物レンズ、１１…撮像素子、 ２０…
遅延メモリ、２１、２２、２３、３６…局部多値画像メ
モリ、２４ａ、２４ｂ…２値化回路(しきい値ｌ1)、２
８ａ、２８ｂ…２値化回路(しきい値ｌ2)、２５、２
７、３１…局部２値画像メモリ、３２、３３、３４…ポ
テンショメータ、 ３５…加算回路、３７…２値化
回路、３８…最終出力信号（ｊ）、４６、５６…異物信
号。
物、８ａ、８ｂ、８ｃ…半導体レーザ、 ９
…対物レンズ、１１…撮像素子、 ２０…
遅延メモリ、２１、２２、２３、３６…局部多値画像メ
モリ、２４ａ、２４ｂ…２値化回路(しきい値ｌ1)、２
８ａ、２８ｂ…２値化回路(しきい値ｌ2)、２５、２
７、３１…局部２値画像メモリ、３２、３３、３４…ポ
テンショメータ、 ３５…加算回路、３７…２値化
回路、３８…最終出力信号（ｊ）、４６、５６…異物信
号。
Claims (6)
- 【請求項１】複数個の同一パターンが形成された試料上
を斜め上方からレーザ又は白色光で照明し、試料上の隣
接又は接近した２つのパターンの原画像を検出し、その
差画像の信号を基にして、試料上の異物を検出する方法
であって、前記２つのパターンの原画像に１個以上のし
きい値をかけて２値化し、ここで得た２つの２値化画像
の論理積又は論理和をとって１つの２値化画像を作り、
これに一定の定数を掛けたものを多段しきい値信号とし
て作り、これを上記差画像信号のしきい値にすることに
より、原画像の信号が大の時には差画像信号のしきい値
を大にし、原画像信号が小の時には差画像信号のしきい
値を小にして成る異物検出方法。 - 【請求項２】請求項１記載の異物検出方法において、上
記２つのパターンの原画像に１個以上のしきい値をかけ
て２値化した画像信号を得る段階と、前記２値化した画
像信号に１画素以上の膨張処理を施して得た２つの２値
化画像の論理積又は論理和をとって１つの２値化画像を
作る段階とを有して成る異物検出方法。 - 【請求項３】請求項１もしくは２記載の異物検出方法に
おいて、試料が複数のＬＳＩパターンを有する半導体ウ
ェハからなり、個々のパターンごとに構成されるチップ
を検査対象として成る異物検出方法。 - 【請求項４】請求項１もしくは２記載の異物検出方法に
おいて、試料が複数の液晶素子パターンを有する液晶基
板からなり、個々のパターンごとに構成される液晶素子
を検査対象として成る異物検出方法。 - 【請求項５】少なくとも複数個の同一パターンが形成さ
れた試料上を斜め上方からレーザ又は白色光で照明し、
試料上の隣接又は接近した２つのパターンの原画像を検
出する手段と、その差画像の信号を基にして試料上の異
物を検出する手段とを備えて成る異物検出装置であっ
て、前記２つのパターンの原画像に１個以上のしきい値
をかけて２値化する手段と、ここで得た２つの２値化画
像の論理積又は論理和をとって１つの２値化画像を作
り、これに一定の定数を掛けたものを多段しきい値信号
として作成する手段と、かかる多段しきい値信号を前記
差画像信号のしきい値にすることにより、原画像の信号
が大の時には差画像信号のしきい値を大にし、原画像の
信号が小の時には差画像信号のしきい値を小にする手段
とを具備して成る異物検出装置。 - 【請求項６】請求項５記載の異物検出装置において、上
記２つのパターンの原画像に１個以上のしきい値をかけ
て２値化した画像信号を得る手段と、前記２値化した画
像信号に１画素以上の膨張処理を施して得た２つの２値
化画像の論理積又は論理和をとって１つの２値化画像を
作る手段とを具備して成る異物検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3286147A JP2911274B2 (ja) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | 異物検出方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3286147A JP2911274B2 (ja) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | 異物検出方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05129397A JPH05129397A (ja) | 1993-05-25 |
| JP2911274B2 true JP2911274B2 (ja) | 1999-06-23 |
Family
ID=17700549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3286147A Expired - Fee Related JP2911274B2 (ja) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | 異物検出方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2911274B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6411377B1 (en) | 1991-04-02 | 2002-06-25 | Hitachi, Ltd. | Optical apparatus for defect and particle size inspection |
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| JP3904581B2 (ja) * | 1998-07-28 | 2007-04-11 | 株式会社日立製作所 | 欠陥検査装置およびその方法 |
| JP3981696B2 (ja) * | 1998-07-28 | 2007-09-26 | 株式会社日立製作所 | 欠陥検査装置およびその方法 |
| JP3904565B2 (ja) * | 1998-07-28 | 2007-04-11 | 株式会社日立製作所 | 欠陥検査装置およびその方法 |
| JP4889018B2 (ja) * | 2006-11-06 | 2012-02-29 | 株式会社山武 | 外観検査方法 |
-
1991
- 1991-10-31 JP JP3286147A patent/JP2911274B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05129397A (ja) | 1993-05-25 |
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