JP2901536B2 - サセプタ - Google Patents
サセプタInfo
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- JP2901536B2 JP2901536B2 JP4114996A JP4114996A JP2901536B2 JP 2901536 B2 JP2901536 B2 JP 2901536B2 JP 4114996 A JP4114996 A JP 4114996A JP 4114996 A JP4114996 A JP 4114996A JP 2901536 B2 JP2901536 B2 JP 2901536B2
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- Japan
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- wafer
- susceptor
- recess
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の製造
工程において、ＣＶＤ工程などで半導体ウェーハ（以
下、単にウェーハと記す）を載置するサセプタに関す
る。
工程において、ＣＶＤ工程などで半導体ウェーハ（以
下、単にウェーハと記す）を載置するサセプタに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図４に示すように、載置タイプのサセプ
タの一般的構造は、サセプタ本体にウェーハ３を載置す
る座ぐり面２を設けてある。座ぐり面の仕上げ状態につ
いてはいろいろなものが提案されているが、例えば特開
平２−１７４１１６号公報に記載されているように、中
心線平均粗さＲａ＜１μｍ、最大表面粗さＲｍａｘ＜１
０μｍに鏡面仕上げを施したものや、逆に、中心線平均
粗さＲａ≧１μｍ、最大表面粗さＲｍａｘ≧１０μｍに
なるようにわざと表面を粗くしたサンドブラスト処理を
施したものがある。
タの一般的構造は、サセプタ本体にウェーハ３を載置す
る座ぐり面２を設けてある。座ぐり面の仕上げ状態につ
いてはいろいろなものが提案されているが、例えば特開
平２−１７４１１６号公報に記載されているように、中
心線平均粗さＲａ＜１μｍ、最大表面粗さＲｍａｘ＜１
０μｍに鏡面仕上げを施したものや、逆に、中心線平均
粗さＲａ≧１μｍ、最大表面粗さＲｍａｘ≧１０μｍに
なるようにわざと表面を粗くしたサンドブラスト処理を
施したものがある。
【０００３】ここで、鏡面仕上げの場合には、ウェーハ
に反りが存在しない時には、面接触に近いので熱を効率
良くウェーハ３に伝達できる。しかし、現実問題として
ウェーハには１００μｍ以下の反りが存在することを考
慮すると、接触部分で高温となり、逆に反りの為にサセ
プタに接触しない部分は低温となるので、ウェーハに加
熱ムラが生じる。また、サンドブラスト処理の場合に
は、ウェーハに反りが存在しない時でさえ接触部分が少
なくなるような構造をもつため、前述の鏡面仕上げとは
異なりウェーハの加熱は熱伝達によるものになるので、
結果として反りのある場合にウェーハ内の加熱ムラが緩
和される。
に反りが存在しない時には、面接触に近いので熱を効率
良くウェーハ３に伝達できる。しかし、現実問題として
ウェーハには１００μｍ以下の反りが存在することを考
慮すると、接触部分で高温となり、逆に反りの為にサセ
プタに接触しない部分は低温となるので、ウェーハに加
熱ムラが生じる。また、サンドブラスト処理の場合に
は、ウェーハに反りが存在しない時でさえ接触部分が少
なくなるような構造をもつため、前述の鏡面仕上げとは
異なりウェーハの加熱は熱伝達によるものになるので、
結果として反りのある場合にウェーハ内の加熱ムラが緩
和される。
【０００４】ここで、加熱ムラが少ないほど、ＣＶＤ工
程の成膜時の膜厚均一性が向上するので、現在のプロセ
スのみでなく、次世代の多層配線プロセスにも十分対応
できるＣＶＤ膜を得ることができる。
程の成膜時の膜厚均一性が向上するので、現在のプロセ
スのみでなく、次世代の多層配線プロセスにも十分対応
できるＣＶＤ膜を得ることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】座ぐり面を鏡面仕上げ
した従来のサセプタを使用すると、ウェーハの反りによ
って温度ムラが生じ易いという問題点がある。又、物理
的吸着や静電吸着により、ウェーハが座ぐり面に密着
し、ウェーハの取り外しが困難になるという問題点もあ
る。
した従来のサセプタを使用すると、ウェーハの反りによ
って温度ムラが生じ易いという問題点がある。又、物理
的吸着や静電吸着により、ウェーハが座ぐり面に密着
し、ウェーハの取り外しが困難になるという問題点もあ
る。
【０００６】座ぐり面をサンドブラストなどにより粗面
にしたサセプタでは、表面の山や谷の寸法・形状が不規
則であり、使用時のウェーハとの接触や洗浄により摩耗
して表面粗さが細かくなりウェーハとの接触状態が変化
してしまうので寿命が短いという問題点がある。
にしたサセプタでは、表面の山や谷の寸法・形状が不規
則であり、使用時のウェーハとの接触や洗浄により摩耗
して表面粗さが細かくなりウェーハとの接触状態が変化
してしまうので寿命が短いという問題点がある。
【０００７】本発明の目的はウェーハの反りによる加熱
ムラが少なくウェーハの取り外しが容易で寿命の改善さ
れたサセプタを提供することにある。
ムラが少なくウェーハの取り外しが容易で寿命の改善さ
れたサセプタを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のサセプタは、半
導体ウェーハを裁置する座ぐり面に同一寸法に設計され
た深さを有する凹部が規則的に配列され、かつ前記凹部
の断面形状は半円形状もしくは逆三角形状であるという
ものである。
導体ウェーハを裁置する座ぐり面に同一寸法に設計され
た深さを有する凹部が規則的に配列され、かつ前記凹部
の断面形状は半円形状もしくは逆三角形状であるという
ものである。
【０００９】この場合、隣接する凹部どうしが連結され
ているようにしても良い。
ているようにしても良い。
【００１０】更に、凹部は機械的なディンプル加工で形
成してもよいし、リソグラフィー技術により形成しても
よい。
成してもよいし、リソグラフィー技術により形成しても
よい。
【００１１】座ぐり面に規則的に少なくとも１０μｍの
高低差があるのでウェーハがサセプタより部分的に浮い
た状態になるので、ウェーハの取り外しが容易となり、
ウェーハの加熱ムラはサンドブラスト処理を施したサセ
プタを使用した時のように緩和される。
高低差があるのでウェーハがサセプタより部分的に浮い
た状態になるので、ウェーハの取り外しが容易となり、
ウェーハの加熱ムラはサンドブラスト処理を施したサセ
プタを使用した時のように緩和される。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に本発明の一実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１３】図１（ａ）は、本発明の一実施の形態を示
す平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線断面図、
図１（ｃ）は座ぐり部の部分拡大平面図、図１（ｄ）は
図１（ｃ）のＢ−Ｂ線断面図である。Ｎｉ−Ｃｒ合金で
なるサセプタ本体１の一部に、ウェーハ３を載置する座
ぐり面２が設けてある。座ぐり面２には機械的なディン
プル加工により、平面形状円形の凹部４が一定ピッチで
規則的に設けられている。凹部４の深さは０．１〜０．
５ｍｍ程度の同一寸法に設計されている。凸部５の幅は
例えば数百μｍとする。ここで深さを０．１〜０．５ｍ
ｍ程度としたのは、凸部が高くなりすぎると、使用中に
破壊され易くなるからである。又、凸部が低くなりすぎ
ると、摩耗により凹凸が失なわれ易く寿命があまり長く
できないからである。
す平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線断面図、
図１（ｃ）は座ぐり部の部分拡大平面図、図１（ｄ）は
図１（ｃ）のＢ−Ｂ線断面図である。Ｎｉ−Ｃｒ合金で
なるサセプタ本体１の一部に、ウェーハ３を載置する座
ぐり面２が設けてある。座ぐり面２には機械的なディン
プル加工により、平面形状円形の凹部４が一定ピッチで
規則的に設けられている。凹部４の深さは０．１〜０．
５ｍｍ程度の同一寸法に設計されている。凸部５の幅は
例えば数百μｍとする。ここで深さを０．１〜０．５ｍ
ｍ程度としたのは、凸部が高くなりすぎると、使用中に
破壊され易くなるからである。又、凸部が低くなりすぎ
ると、摩耗により凹凸が失なわれ易く寿命があまり長く
できないからである。
【００１４】ウェーハに反りがない場合には、ディンプ
ルの凸部によって若干ウェーハが部分的に浮いた状態に
なる。サンドブラスト処理したものと同様に温度ムラは
小さくなるが、より一層規則的になる点で優れている。
又、ウェーハに微小の反りがある場合には、ディンプル
の凸部からもわずかに部分的に浮いた状態が考えられる
が、温度ムラは鏡面仕上げのものよりは少なく、サンド
ブラスト処理したものとほぼ同程度にすることができ
る。
ルの凸部によって若干ウェーハが部分的に浮いた状態に
なる。サンドブラスト処理したものと同様に温度ムラは
小さくなるが、より一層規則的になる点で優れている。
又、ウェーハに微小の反りがある場合には、ディンプル
の凸部からもわずかに部分的に浮いた状態が考えられる
が、温度ムラは鏡面仕上げのものよりは少なく、サンド
ブラスト処理したものとほぼ同程度にすることができ
る。
【００１５】又、ウェーハの取り外しは、吸着面積が小
さくサンドブラスト処理したものと同様に容易に行え
る。
さくサンドブラスト処理したものと同様に容易に行え
る。
【００１６】サンドブラスト処理したものは中心線平均
粗さＲａ及び最大表面粗さＲｍａｘが使用による摩耗で
変化するので、ウェーハとの接触状態に変化があるが、
本実施の形態ではＲａとＲｍａｘはほぼ同じであり、極
端に摩耗しない限り、接触状態は殆ど変化しないので寿
命が長くなる。
粗さＲａ及び最大表面粗さＲｍａｘが使用による摩耗で
変化するので、ウェーハとの接触状態に変化があるが、
本実施の形態ではＲａとＲｍａｘはほぼ同じであり、極
端に摩耗しない限り、接触状態は殆ど変化しないので寿
命が長くなる。
【００１７】図２は本実施の形態の変形例を示す平面図
である。図２（ａ）は凹部４どうしが接触したもの、図
２（ｂ）は凹部どうしが連結しそれによって凸部５が独
立したもの、図２（ｃ）は凹部を千鳥状に配置したもの
であり、これらのいずれものも使用可能である。
である。図２（ａ）は凹部４どうしが接触したもの、図
２（ｂ）は凹部どうしが連結しそれによって凸部５が独
立したもの、図２（ｃ）は凹部を千鳥状に配置したもの
であり、これらのいずれものも使用可能である。
【００１８】図３は凹部の断面形状の変形例を示す。図
１には凹部の断面形状が段階状のものを示したが、図３
（ａ）のように半円形状あるいは図３（ｂ）のように逆
三角形状にしてもよい。これらのものは図１のものに比
べると寿命の点で劣るが、サンドブラスト処理したもの
より長寿命である。
１には凹部の断面形状が段階状のものを示したが、図３
（ａ）のように半円形状あるいは図３（ｂ）のように逆
三角形状にしてもよい。これらのものは図１のものに比
べると寿命の点で劣るが、サンドブラスト処理したもの
より長寿命である。
【００１９】以上機械的なディンプル加工で凹部を形成
したものについて説明した。ホトリソグラフィー技術を
利用して深さが少なくとも１０μｍの凹部を形成するこ
ともできる。その場合には、凹部の深さは機械加工によ
るもののように大きくできないのであまり寿命は長くで
きないが、サンドブラスト処理をしたものに比較すると
長寿命化されることは明らかである。
したものについて説明した。ホトリソグラフィー技術を
利用して深さが少なくとも１０μｍの凹部を形成するこ
ともできる。その場合には、凹部の深さは機械加工によ
るもののように大きくできないのであまり寿命は長くで
きないが、サンドブラスト処理をしたものに比較すると
長寿命化されることは明らかである。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明のサセプタ
は、半導体ウェーハを載置する座ぐり面に同一寸法に設
計された凹部が規則的に配列されているので、サンドブ
ラスト処理をしたものと同様にウェーハの反りによる加
熱ムラが少なくかつウェーハの取り外しが容易である。
又、サンドブラスト処理したものでは座ぐり面の凹凸が
不規則であり、使用による摩耗によりウェーハとの接触
点数や面積に変化が大きく寿命が短いのに対し、本発明
では凹凸が規則的にかつ均一になっているので摩耗によ
る接触点数や面積の変化が少なく長寿命である。
は、半導体ウェーハを載置する座ぐり面に同一寸法に設
計された凹部が規則的に配列されているので、サンドブ
ラスト処理をしたものと同様にウェーハの反りによる加
熱ムラが少なくかつウェーハの取り外しが容易である。
又、サンドブラスト処理したものでは座ぐり面の凹凸が
不規則であり、使用による摩耗によりウェーハとの接触
点数や面積に変化が大きく寿命が短いのに対し、本発明
では凹凸が規則的にかつ均一になっているので摩耗によ
る接触点数や面積の変化が少なく長寿命である。
【図１】本発明の一実施の形態を示す平面図（図１
（ａ）），図１（ａ）のＡ−Ａ面断面図（図１
（ｂ）），座ぐり面２の部分拡大平面図（図１（ｃ））
及び図１（ｃ）のＢ−Ｂ線断面図（図１（ｄ））であ
る。
（ａ）），図１（ａ）のＡ−Ａ面断面図（図１
（ｂ）），座ぐり面２の部分拡大平面図（図１（ｃ））
及び図１（ｃ）のＢ−Ｂ線断面図（図１（ｄ））であ
る。
【図２】本発明の一実施の形態の変形例における３つの
平面形状例を（ａ）〜（ｃ）に分図してそれぞれ示す平
面図である。
平面形状例を（ａ）〜（ｃ）に分図してそれぞれ示す平
面図である。
【図３】本発明の一実施の形態の変形例における２つの
断面形状例を（ａ），（ｂ）に分図してそれぞれ示す断
面図である。
断面形状例を（ａ），（ｂ）に分図してそれぞれ示す断
面図である。
【図４】従来例を示す平面図（図４（ａ）），図４
（ａ）のＡ−Ａ線断面図（図４（ｂ））及び座ぐり面２
の部分拡大断面図（図４（ｃ））である。
（ａ）のＡ−Ａ線断面図（図４（ｂ））及び座ぐり面２
の部分拡大断面図（図４（ｃ））である。
１ サセプタ本体 ２ 座ぐり面 ３ ウェーハ ４ 凹部 ５ 凸部
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体ウェーハを裁置する座ぐり面に同
一寸法に設計された深さを有する凹部が規則的に配列さ
れ、かつ前記凹部の断面形状は半円形状もしくは逆三角
形状であることを特徴とするサセプタ。 - 【請求項２】 隣接する凹部どうしが連結されているこ
とを特徴とする請求項１記載のサセプタ。 - 【請求項３】 凹部が機械的なディンプル加工で形成さ
れる請求項１又は２記載のサセプタ。 - 【請求項４】 凹部がリソグラフィー技術により形成さ
れる請求項１又は２記載のサセプタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4114996A JP2901536B2 (ja) | 1996-02-28 | 1996-02-28 | サセプタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4114996A JP2901536B2 (ja) | 1996-02-28 | 1996-02-28 | サセプタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09232411A JPH09232411A (ja) | 1997-09-05 |
| JP2901536B2 true JP2901536B2 (ja) | 1999-06-07 |
Family
ID=12600372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4114996A Expired - Fee Related JP2901536B2 (ja) | 1996-02-28 | 1996-02-28 | サセプタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2901536B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011515854A (ja) * | 2008-03-20 | 2011-05-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ロール成形表面を有するサセプター、及び同サセプターを形成する方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6423949B1 (en) * | 1999-05-19 | 2002-07-23 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone resistive heater |
| US7691205B2 (en) * | 2005-10-18 | 2010-04-06 | Asm Japan K.K. | Substrate-supporting device |
-
1996
- 1996-02-28 JP JP4114996A patent/JP2901536B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011515854A (ja) * | 2008-03-20 | 2011-05-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ロール成形表面を有するサセプター、及び同サセプターを形成する方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09232411A (ja) | 1997-09-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990216 |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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